「MAGNETRON」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

The magnetron is made to include a second insulation body forming an electrically extended insulation distance by geometrically blocking a jointing part jointing a negative electrode part to an external power source, from the bottom surface of a yoke, or an insulation plate is stuck to the bottom surface of the filter box.例文帳に追加

陰極部に外部電源を連結する連結部とヨークの底面との間を幾何学的に遮断して、電気的に延長された絶縁距離を形成させる第２絶縁体を含むか、又は前記フィルタボックスの底面に絶縁板を付着させる。 - 特許庁

To provide magnetron sputtering equipment which makes use of a superior characteristic of a substrate rotation and revolution type, and effectively prevents flow of electrons into a substrate, while maintaining uniformity of thin film and high productivity, to form a film at low temperature.例文帳に追加

本発明は、基板自公転方式の優れた特徴を生かし、薄膜均一性及び高い生産性を維持しつつ、効果的に電子の基板への流入を防止して低温成膜を可能とするマグネトロンスパッタリング装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a high frequency heating device with a range hood prevented from the damage caused by the temperature increase of a magnetron while shortening the heating period, enabled to heat the food uniformly and check the heated state of the food.例文帳に追加

レンジフード付き高周波加熱装置の高出力化や、換気能力向上により、電波発振以外のための消費電力が加熱開始時から常に一定であるため、電波発振のために使える電力に上限があり、加熱時間が短縮できない。 - 特許庁

This magnetron contains a magnetic field generator 4 for generating the closed loop magnetic field suited for generating the race track of plasma in the upper direction of a target 2 and a driving device for securing relative, substantial translational motion between the race track and the target 2.例文帳に追加

このマグネトロンは、ターゲット（２）上方にプラズマのレーストラックを生成するように適合された閉ループ磁界を発生するための磁界ジェネレータ（４）と、レーストラックとターゲット（２）との間に相対的な実質上の並進運動を確立するための駆動装置とを含む。 - 特許庁

By making electrically float at least a part of a cylindrical body structuring a cluster generation chamber of a cluster generation device by a magnetron sputtering method, a whole or a part of its inner wall surface is made to be charged as the same polarity with the cluster having the desired polarity.例文帳に追加

マグネトロンスパッタ法によるクラスター生成装置のクラスター生成室を構成する筒状体の少なくとも一部を電気的に浮かせることにより、その内壁面の全部または一部を、得ようとする極性を有するクラスターと同じ極性に帯電させる。 - 特許庁

The waveguide 3 is branched at a position equivalent to 1/4 (nearly 44 mm) of a waveguide wavelength from the center of the heating chamber 4, and each distance from the magnetron 2 to rotary antennas 8, 9 has a difference equivalent to 1/4 (nearly 44 mm) of the waveguide wavelength.例文帳に追加

導波管３は、加熱室４の中心から管内波長の１／４（略４４ｍｍ）に相当する位置で分岐し、マグネトロン２から回転アンテナ８、９に至る各距離に管内波長の１／４（略４４ｍｍ）に相当する差が生じるようにする。 - 特許庁

An ultraviolet irradiation part 100 made in a module is constructed of a lamp house 11 in which a magnetron to generate microwave and an electrodeless lamp 12 filled with a discharge medium capable of emitting ultraviolet rays based on the microwave through a waveguide are housed.例文帳に追加

マイクロ波を発生するマグネトロンおよび導波管を介してマイクロ波に基づき、紫外線を発光することが可能な放電媒体が封入された無電極ランプ１２が収容されたランプハウス１１からモジュール化された紫外線照射部１００を構成する。 - 特許庁

An intermediate layer 2 with a metal layer 4 as a lower layer and a mixed layer 5 of metal and carbon as an upper layer is laminated on a surface of a substrate 1, and a diamond-like carbon film (a DLC film) 3 is deposited on the intermediate layer 2 by the unbalanced magnetron sputtering method.例文帳に追加

アンバランスドマグネトロンスパッタリング法により、基材１の表面に、金属層４を下層とし、金属と炭素との混合層５を上層とする中間層２を積層し、中間層２の上にダイヤモンドライクカーボンの皮膜（ＤＬＣ皮膜）３を形成する。 - 特許庁

This magnetron comprises cathode leads 2 for supporting a cathode 1 on which a filament 5 is mounted on the central axis part of an anode, and the external terminals 8 having a connecting part 10 for hermetic sealing with the cathode lead 2, and the connection part 10 is bent in the direction of the cathode lead axis.例文帳に追加

アノードの中心軸部にフィラメント５が配置されたカソード１を支持するカソードリード２と、該カソードリード２と気密接合される接続部１０が形成された外部端子８を備え、前記接続部１０を前記カソードリードの軸方向に屈曲させた。 - 特許庁

The magnetron sputtering device comprises a cathode 4 which is located in a vacuum chamber 2 to hold a target 3, an anode 6 for holding a substrate 5 facing the target 3 side of the cathode 4, and a magnet unit 7 located below the cathode 4 for generating the magnetic field.例文帳に追加

真空チャンバ２内にあって、ターゲット３を保持するカソード４と、このカソード４の上方にあって、カソード４のターゲット３側と対向するようにした基板５を保持するアノード６と、カソード４の下方にあって磁界を発生させるための磁石ユニット７と、からなる。 - 特許庁

The method for forming the metal oxide thin film is characterized by sputtering at a base material temperature of 100°C or less with a magnetron sputtering apparatus in which a target is arranged aslant so that sputtered particles can be launched in an angle of 75 degree or less against the base material.例文帳に追加

基材に対して７５°以下の角度でスパッタ粒子が入射するように傾斜させてターゲットを配置したマグネトロンスパッタリング装置を用いて、１００℃以下の基材温度でスパッタリングすることを特徴とする金属酸化物薄膜の形成方法。 - 特許庁

The earth lead wire can be fixed easily since a fixing member for fixing the earth lead wire is integrated with a step-up transformer regarding a power source for driving a magnetron, and the inspection for current conduction can be carried out without making the earth lead wire come in contact with other component or other grounding location.例文帳に追加

アースリード線を固定させるための固定用部材が昇圧トランスと一体となっていることにより、アースリード線を容易に固定させることでき、アースリード線を他部品もしくは他のアース箇所へ接触させず、通電検査を行うことができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high-purity nickel target for magnetron sputtering which gives the film satisfactory thickness uniformity and plasma a satisfactory ignition property, even in a manufacturing process for a 300 mm wafer, and to provide a high-purity nickel target.例文帳に追加

３００ｍｍウエハを用いた製造プロセスにおいても、膜のユニフォーミティ（膜厚の均一性）とプラズマのイグニッション（点弧）性を良好にすることができるマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケルターゲットの製造方法及び同高純度ニッケルターゲットを提供する。 - 特許庁

The magnetron sputtering source is adjusted such that, when the plasma channel 8 moves over the surface region of the target 4, the entire duration of exposure of the surface region to the plasma is reduced by an increase in the relative velocity v between the magnet arrangement 7 and the target 4.例文帳に追加

プラズマチャネル８をターゲット４の表面領域上方で移動させる場合、マグネトロンスパッタリング源を調節し、磁石配列７とターゲット４と間の相対速度ｖを上昇させることで表面領域をプラズマに曝露する総時間を短縮する。 - 特許庁

The pottery has a magnetron heating part which is constituted of a carbon fiber-containing layer comprising at least one kind selected from a short fiber of a carbon fiber and a particulate material of the carbon fiber in at least a part thereof.例文帳に追加

本発明の陶磁器は、陶磁器の少なくとも一部に、炭素繊維の短繊維および炭素繊維の粒子状物から選ばれた少なくとも１種からなる炭素繊維含有層で構成されたマグネトロン加熱部を有することを特徴とするものである。 - 特許庁

The method for manufacturing the silica glass comprises heating and vitrifying a porous or powder molded article of silica by irradiating the powder molded article with the continuous or impulsive electromagnetic waves of millimeters or submillimeters in wavelength generated from a gyrotron or magnetron etc.例文帳に追加

シリカの多孔質体または粉末成型体に対して、ジャイロトロンまたはマグネトロン等から発生する連続またはパルス状の波長がミリメ−トルまたはサブミリメ−トルの電磁波を照射して、加熱ガラス化することを特徴とするシリカガラスの製造方法。 - 特許庁

The spark is detected by a microphone 9 detecting the sound generated in accompany with the spark, and a signal processing means 10 performing signal processing on the sound caught by the microphone 9, and determination of the spark and operation control of a magnetron 1 are performed by a microcomputer 11 as a spark determination means.例文帳に追加

スパークに伴い発生する音を検知するマイクロフォン９と、マイクロフォン８で捉えた音を信号処理する信号処理手段１０によってスパークを検知し、スパーク判定手段であるマイクロコンピュータ１１により、スパーク判定、マグネトロン１の動作制御を行う。 - 特許庁

To provide a field electron emitting source having an irregular shape on a carbon fabric film surface, capable of emitting a high current, a method for easily manufacturing the field electron emitting source at a low cost, and a magnetron using this field electron emitting source.例文帳に追加

炭素繊維膜表面に凹凸形状をもつ大電流放出が可能な電界電子放出源およびその電界電子放出源を容易で低コストに製造する方法又はその電界電子放出源を用いたマグネトロンを提供することを目的とする。 - 特許庁

In this spurious suppression device 18 of a magnetron 1, a first output is extracted from a positive electrode cavity 6a for the first output being one of positive electrode cavities (resonators) 6 composed of a positive electrode cylinder 2 and positive electrode vanes 4 via an output part 7a.例文帳に追加

マグネトロン１のスプリアス抑制装置１８では、陽極円筒２と陽極ベイン４により構成される陽極空洞（共振器）６の内の１つである第一出力用陽極空洞６ａから出力部７ａを介して第一出力を取り出す。 - 特許庁

This high-frequency heating device is provided with a magnetron 13 introducing high frequencies into a heating chamber 11, an object mounting base 18 removably arranged in the heating chamber 1, and a radio wave concentrating body 20 made of a low-dielectric constant material arranged on the back face of the object mounting base 18.例文帳に追加

加熱室１１に高周波を導入するマグネトロン１３と、加熱室１１内には被加熱物載置台１８を着脱自在に設け、この被加熱物載置台１８の裏面には低誘電率材料によって構成した電波集中体２０を設ける。 - 特許庁

This high frequency heating device 100 comprises a heating chamber 3, an antenna chamber 13, a high frequency oscillator (magnetron) 10, a wave guide tube 8, an antenna 11 provided with a field emission part 11b inside of the antenna chamber 13, and a motor 12 for rotating the antenna 11.例文帳に追加

高周波加熱装置１００は、加熱室３と、アンテナ室１３と、高周波発振器（マグネトロン）１０と、導波管８と、アンテナ室１３の内部に電界放出部分１１ｂが配置されたアンテナ１１と、アンテナ１１を回転するモータ１２とを有している。 - 特許庁

The magnetron is provided with a magnet ring 20 with its outer diameter equivalent to or smaller than those of circular magnets 13A, 13B, and yet, equivalent to or larger than an outside diameter of an anode cylinder 11, and equipped with a protruded part 20A, at a position in contact with an outer side face of the anode cylinder 11.例文帳に追加

外径が環状磁石１３Ａ、１３Ｂの外径と同等か又はそれ以下で、且つ陽極筒体１１の外径と同等かそれ以上であり、更に陽極筒体１１の外側面と接する位置に突起部２０Ａを有する磁石リング２０を備える。 - 特許庁

A microwave oven is provided with the secondary battery 34 to be used as an auxiliary power supply, and an output destination of a high frequency current formed by an inverter circuit 47 is switched to a driving circuit 52 of a magnetron 11 and a charging circuit 36 of the secondary battery 34 via a switch 54.例文帳に追加

電子レンジ１に、補助電源として使用される二次電池３４を備え、インバータ回路４７により生成される高周波電流の出力先を、スイッチ５４を介してマグネトロン１１の駆動回路５２と、二次電池３４の充電回路３６とに切換える。 - 特許庁

To provide a target of high-purity nickel or a nickel alloy for magnetron sputtering, which gives excellent uniformity (uniformity of film thickness) to a film and facilitates the ignition (ignition) of plasma even in a manufacturing process with the use of a wafer of 300 mm, and to provide a production method therefor.例文帳に追加

３００ｍｍウエハを用いた製造プロセスにおいても、膜のユニフォーミティ（膜厚の均一性）とプラズマのイグニッション（点弧）性を良好にすることができるマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a sputtering system having a driving part rotating a magnetron unit 31 around a rotary axis 38 passing through the point on an erosion face 16a as the center, the unit 31 has a magnet part 43 provided on one of regions separated by the face including the rotary axis 38.例文帳に追加

エロージョン面(16a)上の点を通過する回転軸(38)を中心にしてマグネトロンユニット(31)を回転する駆動部を有するスパッタリング装置において、ユニット(31)は、回転軸(38)を含む面によって分離される領域(32a)のいずれか一方に設けられたマグネット部(41,43,47a,49a)を有する。 - 特許庁

To provide an induction heating apparatus that can change an electromagnetic wave of linearly polarized light to an electromagnetic wave of a circularly polarized light with a waveguide disposed at a path to a heating chamber from a magnetron and transfer the electromagnetic wave of circularly polarized light to the heating chamber.例文帳に追加

マグネトロンから加熱室に至る経路に配置した導波管で直線偏光の電磁波を円偏光の電磁波に変換させて、加熱室内に電磁波円偏光の電磁波を伝播させることにより誘電加熱装置の構成を簡単化する。 - 特許庁

To provide a film-forming method by sputtering, which forms a thin film with a uniformly distributed film thickness and film quality, without installing a cathode peripheral member such as a distribution correction plate, and achieves a dust control and the extension of a running time, and to provide a magnetron sputtering apparatus.例文帳に追加

分布修正板等のカソード周辺部材を設置しなくても膜厚分布及び膜質分布が均一な薄膜を形成することができ、ダスト抑制及びランニングタイムの延長等を達成できるスパッタ成膜方法及びマグネトロンスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

The magnetron is formed into a structure of avoiding magnetic flux loss even for such a structure that the outer diameter D1 of a resonant cavity is bigger than the outer diameter D2 of a permanent magnet 4, by making the outer diameter D2 of a permanent magnet 4 smaller than the outer diameter 3 of a magnetic pole 5 and the outer diameter D3 of a sealing body 13.例文帳に追加

磁極５の外径Ｄ３と封着体１３の外径Ｄ４を永久磁石４の外径Ｄ２以下として、共振空洞の外径Ｄ１が永久磁石４の外径Ｄ２より大きい場合でも磁束の損失を回避できる構造とした。 - 特許庁

The silicon nitride film, having low moisture permeability and a high light transmittance, is prepared by using a target 101 made of Si_3N_4 and sputtering the target 101 with a sputtering gas containing at least 99.9% N_2 in an RF magnetron-type sputtering apparatus.例文帳に追加

ＲＦマグネトロン型スパッタ装置において、Ｓｉ_３Ｎ_４により形成されたターゲット１０１を用い、９９．９％以上のＮ_２を含むスパッタガスによりターゲット１０１をスパッタし、低透湿度特性および高光透過特性を有する窒化シリコン膜を形成する。 - 特許庁

A means 14 for detecting a voltage is provided in the driving part 8 of a power converting device for driving a magnetron, and a voltage at the part where the primary winding 11 of a leakage transformer and a second capacitor 6 are connected in series is detected by the means 14 for detecting the voltage.例文帳に追加

マグネトロン駆動用の電力変換装置の駆動部８に電圧検知手段１４を設け、この電圧検知手段１４によってリーケージトランスの１次巻線１１と第２のコンデンサ６との直列に接続された部位の電圧を検出している。 - 特許庁

However, when the absence of the food stuff is judged, a magnetron 61 is driven thereafter to start the heating of the food stuff and, then, the temperature distribution in the cavity is detected by the infrared sensor 8 when a predetermined period of time is elapsed and the presence of the food stuff is judged based on the detected temperature distribution.例文帳に追加

しかし、食品無しと判断すれば、その後、マグネトロン61を駆動して食品の加熱を開始した後で所定時間経過した時にも赤外線センサによってキャビティ内の温度分布を検出し、その温度分布に基づいて食品の有無を判別する。 - 特許庁

The magnetron contains a closed plasma loop formed in a convolute shape and has a serpentine or square helix shape with an inner pole having a magnetic pole completely surrounded by an outer pole having the opposed polarity.例文帳に追加

マグネトロンは回旋形に形成された閉鎖プラズマループを含み、反対の極性を有する外側極に完全に包囲されている磁極を有する外側極に完全に包囲されている磁極を有する内側極を備えた蛇行形状又は四角形螺旋形状である。 - 特許庁

The etching may be done by preferably argon ions inductively excited by an RF coil around the chamber, or by copper ions, which may be formed with high target power and an intense magnetron, or by use of the RF coil.例文帳に追加

該エッチングは、好ましくは、該チャンバの周りのＲＦコイルによって誘導励起されたアルゴンイオンによって、又は、高いターゲット電力及び極めて強いマグネトロンで形成することができる銅イオンによって、あるいは、ＲＦコイルの使用によって行うことができる。 - 特許庁

This apparatus is equipped with a mincing device 2 for extruding a food F in a minced fashion onto a conveyor sheet 6, a hopper 3 for charging a food F into the mincing device 2, a magnetron 8 for drying a minced food on the conveyor sheet 6, and an agitating blade 4 for agitating and mixing a food F in the hopper 3.例文帳に追加

コンベアシート６上に食品Ｆをミンチ状に押し出すミンチ装置２と、ミンチ装置に食品Ｆを投入するホッパ３と、コンベアシート上のミンチ状食品を乾燥するマグネトロン８と、ホッパ３内に、食品Ｆを攪拌混合する攪拌羽根４を設けた。 - 特許庁

An inverter circuit 4 is equipped with at least one semiconductor switch 16, capable of conducting in reverse, until the magnetron 7 is made to be in an oscillation condition, and changed to have an electric current flow only in one direction, when it is in the oscillation-enabled condition.例文帳に追加

インバータ回路４に少なくとも１つの半導体スイッチ１６を備え、半導体スイッチ素子１６はマグネトロン７が発振可能状態になるまでは逆導通可能であり発振可能状態になると単一の方向にのみ電流を流すようにしたものである。 - 特許庁

An electrode of this organic EL element is formed as one having small surface roughness and low resistivity by an RF-DC combination type magnetron spattering method or a spatter beam deposition method, so that the organic EL element without generating a leak current or the like can be provided.例文帳に追加

有機ＥＬ素子の電極をＲＦ−ＤＣ結合型マグネトロンスパッタリング法、又はスパッタビーム堆積法で形成し、表面粗さの細かい、かつ、抵抗率の低い電極とすることで、リーク電流などの発生しない有機ＥＬ素子を得ることができる。 - 特許庁

A sputtering cathode on which multiple sub-targets 1s, mainly composed of silicon similarly to a main target 1m mainly composed of silicon and having an area smaller than that of the main target, are arranged is subjected to magnetron discharge, and a thin film is formed on a substrate 8 mounted on a substrate holder 7.例文帳に追加

シリコンを主成分とするメインターゲット１ｍ上に該ターゲットと同様にシリコンを主成分とし、かつ面積が該メインターゲットより小さいサブターゲット１ｓを複数個配置したスパッタリングカソードをマグネトロン放電させ、かつ基板ホルダ７に載置した基板８に薄膜を形成することで解決できる。 - 特許庁

The target for magnetron sputtering has the ferromagnetic metal element and includes: a magnetic phase 12 containing the ferromagnetic metal element; a plurality of non-magnetic phases 14 and 16 that contain the ferromagnetic metal element but are different from each other in constituent element or in how much of the constituent element the non-magnetic phase contains; and an oxide phase 18.例文帳に追加

強磁性金属元素を有するマグネトロンスパッタリング用ターゲットであって、前記強磁性金属元素を含む磁性相１２と、前記強磁性金属元素を含み、かつ、構成元素またはその含有割合の異なる複数の非磁性相１４、１６と、酸化物相１８とを有している。 - 特許庁

By hooking a hook 211 formed on one side to a U-shaped engaging piece 112, and hooking a spring type catch clip 212 mounted on the other side to the hook 113, the microwave generating device 20 composed of a magnetron is detachably mounted on the upper plate 11U of a first waveguide piece 11.例文帳に追加

マグネトロンから成るマイクロ波発生装置２０を、その一方側に形成したフック２１１をＵ字状の係合片１１２に引掛け、他方側に取付けたばね式キャッチクリップ２１２をフック１１３に引掛けることで、第１導波管ピース１１の上面板１１Ｕに、脱着自在に取付ける。 - 特許庁

Light generated accompanied by the spark is guided to a photo IC diode (illuminance sensor) 10 disposed on a place of a good temperature condition by a light guide path 11, and the light is detected to determine the spark by a microcomputer 15 as a spark determining means and to control the motion of a magnetron 1.例文帳に追加

スパークに伴い発生する光を導光路１１によって、温度条件の良いところに設置されたフォトＩＣダイオード（照度センサ）１０へ導き、光検知し、スパーク判定手段であるマイクロコンピュータ１５により、スパーク判定、マグネトロン１の動作制御を行う。 - 特許庁

In the target used for a magnetron sputtering apparatus, a backing plate 12 made of a CoCr alloy that is a material having a flux permeability higher than that of the target plate 11 is joined to a side opposite to the sputtering surface of the target plate 11 composed of Co base sintering alloy containing Cr and Pt.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング装置に用いられるターゲットであって、Ｃｒ及びＰｔを含むＣｏ基焼結合金により構成されたターゲット板１１のスパッタ面とは反対側に、該ターゲット板１１よりも磁束透過率の高い材料である、ＣｏＣｒ合金からなる裏当て板１２を接合した。 - 特許庁

The selective patterning method includes a DC heating evaporation method, an ion beam evaporation method, a reactive ion beam evaporation method, a two-pole sputtering method, a magnetron sputtering method, a reactive sputtering method, a three-pole sputtering method, an ion beam sputtering method, an ion plating method, a hollow cathode beam method, an ion beam injection method and a plasma CVD method and the like.例文帳に追加

選択的パターニング方法は、直流加熱蒸着法、イオンビーム蒸着法、反応性イオンビーム蒸着法、２極スパッタ法、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、３極スパッタ法、イオンビームスパッタ法、イオンプレーティング法、ホローカソードビーム法、イオンビーム注入法及びプラズマＣＶＤ法などである。 - 特許庁

A magnetron cooling fin 200 has a large number of turbulence promoting protrusions 230 on one surface of a tabular body 210 having a through-hole for anode locking 210a and a plurality of locking pieces (221 to 226) expanded and bent toward outside edge parts.例文帳に追加

本発明に係るマグネトロン冷却フィン２００は、アノード係止用通孔２１０ａと縁部外側に拡張折り曲げられた複数の係止片（２２１〜２２６）とを有する平板形胴体２１０の一面に多数の乱流促進形突出物２３０を備えることを特徴とする。 - 特許庁

Composite magnetic material 44 mainly composed of flat metal magnetic material powder is installed respectively in a hollow part between respective inner conductor 41 used as a filament current supply line of a magnetron tube and an earthing hollow conductor 42 enclosing each inner conductor 41 individually.例文帳に追加

マグネトロン管のフィラメント電流供給用ラインとなるそれぞれの内部導体４１と各内部導体４１を個別に囲む接地用中空導体４２との間の中空部に、偏平状の金属磁性体粉末を主成分とする複合磁性体４４をそれぞれ設けている。 - 特許庁

There are provided (a) an article including zinc sulfide or zinc selenide, and (b) a method for depositing a layer of alumina with a thickness of >20 μm on the zinc sulfide or zinc selenide at a deposition rate of ≥60 Å/min by a micro wave assisted magnetron sputtering.例文帳に追加

ａ）硫化亜鉛またはセレン化亜鉛を含む物品を提供し；並びに、ｂ）マイクロ波アシストマグネトロンスパッタリングによって、２０μｍを超える厚みのアルミナの層を硫化亜鉛またはセレン化亜鉛上に、６０Å／分以上の堆積速度で堆積させる；ことを含む方法。 - 特許庁