MAGNETRONを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 1445件
When a hot-keeping operation is started, a control circuit performs a composite heating wherein a heater-heating by an upper heater and a lower heater for 105 sec, and a microwave-heating by a magnetron for 15 sec are alternately repeated by a cycle of 120 sec.例文帳に追加
保温運転が開始されると、制御回路は、上ヒータ及び下ヒータによるヒータ加熱を105秒実行し、マグネトロンによるマイクロ波加熱を15秒実行することを、120秒周期にて交互に繰返す複合加熱を実行する。 - 特許庁
In a sputtering system having a driving part rotating a magnetron unit 31 around a rotary axis 38 passing through the point on an erosion face 16a as the center, the unit 31 has a magnet part 43 provided on one of regions separated by the face including the rotary axis 38.例文帳に追加
エロージョン面(16a)上の点を通過する回転軸(38)を中心にしてマグネトロンユニット(31)を回転する駆動部を有するスパッタリング装置において、ユニット(31)は、回転軸(38)を含む面によって分離される領域(32a)のいずれか一方に設けられたマグネット部(41,43,47a,49a)を有する。 - 特許庁
In this spurious suppression device 18 of a magnetron 1, a first output is extracted from a positive electrode cavity 6a for the first output being one of positive electrode cavities (resonators) 6 composed of a positive electrode cylinder 2 and positive electrode vanes 4 via an output part 7a.例文帳に追加
マグネトロン1のスプリアス抑制装置18では、陽極円筒2と陽極ベイン4により構成される陽極空洞(共振器)6の内の1つである第一出力用陽極空洞6aから出力部7aを介して第一出力を取り出す。 - 特許庁
An intermediate layer 2 with a metal layer 4 as a lower layer and a mixed layer 5 of metal and carbon as an upper layer is laminated on a surface of a substrate 1, and a diamond-like carbon film (a DLC film) 3 is deposited on the intermediate layer 2 by the unbalanced magnetron sputtering method.例文帳に追加
アンバランスドマグネトロンスパッタリング法により、基材1の表面に、金属層4を下層とし、金属と炭素との混合層5を上層とする中間層2を積層し、中間層2の上にダイヤモンドライクカーボンの皮膜(DLC皮膜)3を形成する。 - 特許庁
The magnetron sputtering device comprises a cathode 4 which is located in a vacuum chamber 2 to hold a target 3, an anode 6 for holding a substrate 5 facing the target 3 side of the cathode 4, and a magnet unit 7 located below the cathode 4 for generating the magnetic field.例文帳に追加
真空チャンバ2内にあって、ターゲット3を保持するカソード4と、このカソード4の上方にあって、カソード4のターゲット3側と対向するようにした基板5を保持するアノード6と、カソード4の下方にあって磁界を発生させるための磁石ユニット7と、からなる。 - 特許庁
The method for forming the metal oxide thin film is characterized by sputtering at a base material temperature of 100°C or less with a magnetron sputtering apparatus in which a target is arranged aslant so that sputtered particles can be launched in an angle of 75 degree or less against the base material.例文帳に追加
基材に対して75°以下の角度でスパッタ粒子が入射するように傾斜させてターゲットを配置したマグネトロンスパッタリング装置を用いて、100℃以下の基材温度でスパッタリングすることを特徴とする金属酸化物薄膜の形成方法。 - 特許庁
This magnetron comprises cathode leads 2 for supporting a cathode 1 on which a filament 5 is mounted on the central axis part of an anode, and the external terminals 8 having a connecting part 10 for hermetic sealing with the cathode lead 2, and the connection part 10 is bent in the direction of the cathode lead axis.例文帳に追加
アノードの中心軸部にフィラメント5が配置されたカソード1を支持するカソードリード2と、該カソードリード2と気密接合される接続部10が形成された外部端子8を備え、前記接続部10を前記カソードリードの軸方向に屈曲させた。 - 特許庁
In the method for depositing a transparent conductive film on an organic film by a DC magnetron sputtering method using an In-Sn-O based target, the sputtering is performed with the bias voltage of -70 to -130V, and the target current of 0.1-0.7A.例文帳に追加
In−Sn−O系ターゲットを用いたDCマグネトロンスパッタリング法により有機フィルム上に透明導電膜を形成する方法であって、前記スパッタリングは、−70〜−130Vのバイアス電圧、0.1〜0.7Aのターゲット電流で行うことを特徴とする。 - 特許庁
To provide a target for magnetron sputtering which can form a metal fluoride film free from optical absorption with high reproducibility, and in which the occurrence of deformation or cracks can be suppressed even in a high temperature state upon sputtering, and to provide a sputtering method using the target.例文帳に追加
光吸収のない金属フッ化物膜を再現性よく形成できるとともに、スパッタリング時の高温状態においても変形又はクラックの発生を抑制できるマグネトロンスパッタリング用ターゲット及び該ターゲットを用いたスパッタリング方法を提供すること。 - 特許庁
The earth lead wire can be fixed easily since a fixing member for fixing the earth lead wire is integrated with a step-up transformer regarding a power source for driving a magnetron, and the inspection for current conduction can be carried out without making the earth lead wire come in contact with other component or other grounding location.例文帳に追加
アースリード線を固定させるための固定用部材が昇圧トランスと一体となっていることにより、アースリード線を容易に固定させることでき、アースリード線を他部品もしくは他のアース箇所へ接触させず、通電検査を行うことができる。 - 特許庁
To provide a high frequency heating device with a range hood prevented from the damage caused by the temperature increase of a magnetron while shortening the heating period, enabled to heat the food uniformly and check the heated state of the food.例文帳に追加
レンジフード付き高周波加熱装置の高出力化や、換気能力向上により、電波発振以外のための消費電力が加熱開始時から常に一定であるため、電波発振のために使える電力に上限があり、加熱時間が短縮できない。 - 特許庁
This magnetron contains a magnetic field generator 4 for generating the closed loop magnetic field suited for generating the race track of plasma in the upper direction of a target 2 and a driving device for securing relative, substantial translational motion between the race track and the target 2.例文帳に追加
このマグネトロンは、ターゲット(2)上方にプラズマのレーストラックを生成するように適合された閉ループ磁界を発生するための磁界ジェネレータ(4)と、レーストラックとターゲット(2)との間に相対的な実質上の並進運動を確立するための駆動装置とを含む。 - 特許庁
The silicon nitride film, having low moisture permeability and a high light transmittance, is prepared by using a target 101 made of Si_3N_4 and sputtering the target 101 with a sputtering gas containing at least 99.9% N_2 in an RF magnetron-type sputtering apparatus.例文帳に追加
RFマグネトロン型スパッタ装置において、Si_3N_4により形成されたターゲット101を用い、99.9%以上のN_2を含むスパッタガスによりターゲット101をスパッタし、低透湿度特性および高光透過特性を有する窒化シリコン膜を形成する。 - 特許庁
A means 14 for detecting a voltage is provided in the driving part 8 of a power converting device for driving a magnetron, and a voltage at the part where the primary winding 11 of a leakage transformer and a second capacitor 6 are connected in series is detected by the means 14 for detecting the voltage.例文帳に追加
マグネトロン駆動用の電力変換装置の駆動部8に電圧検知手段14を設け、この電圧検知手段14によってリーケージトランスの1次巻線11と第2のコンデンサ6との直列に接続された部位の電圧を検出している。 - 特許庁
This high-frequency heating device is provided with a magnetron 13 introducing high frequencies into a heating chamber 11, an object mounting base 18 removably arranged in the heating chamber 1, and a radio wave concentrating body 20 made of a low-dielectric constant material arranged on the back face of the object mounting base 18.例文帳に追加
加熱室11に高周波を導入するマグネトロン13と、加熱室11内には被加熱物載置台18を着脱自在に設け、この被加熱物載置台18の裏面には低誘電率材料によって構成した電波集中体20を設ける。 - 特許庁
However, when the absence of the food stuff is judged, a magnetron 61 is driven thereafter to start the heating of the food stuff and, then, the temperature distribution in the cavity is detected by the infrared sensor 8 when a predetermined period of time is elapsed and the presence of the food stuff is judged based on the detected temperature distribution.例文帳に追加
しかし、食品無しと判断すれば、その後、マグネトロン61を駆動して食品の加熱を開始した後で所定時間経過した時にも赤外線センサによってキャビティ内の温度分布を検出し、その温度分布に基づいて食品の有無を判別する。 - 特許庁
This high frequency heating device 100 comprises a heating chamber 3, an antenna chamber 13, a high frequency oscillator (magnetron) 10, a wave guide tube 8, an antenna 11 provided with a field emission part 11b inside of the antenna chamber 13, and a motor 12 for rotating the antenna 11.例文帳に追加
高周波加熱装置100は、加熱室3と、アンテナ室13と、高周波発振器(マグネトロン)10と、導波管8と、アンテナ室13の内部に電界放出部分11bが配置されたアンテナ11と、アンテナ11を回転するモータ12とを有している。 - 特許庁
To provide magnetron sputtering equipment which makes use of a superior characteristic of a substrate rotation and revolution type, and effectively prevents flow of electrons into a substrate, while maintaining uniformity of thin film and high productivity, to form a film at low temperature.例文帳に追加
本発明は、基板自公転方式の優れた特徴を生かし、薄膜均一性及び高い生産性を維持しつつ、効果的に電子の基板への流入を防止して低温成膜を可能とするマグネトロンスパッタリング装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
The waveguide 3 is branched at a position equivalent to 1/4 (nearly 44 mm) of a waveguide wavelength from the center of the heating chamber 4, and each distance from the magnetron 2 to rotary antennas 8, 9 has a difference equivalent to 1/4 (nearly 44 mm) of the waveguide wavelength.例文帳に追加
導波管3は、加熱室4の中心から管内波長の1/4(略44mm)に相当する位置で分岐し、マグネトロン2から回転アンテナ8、9に至る各距離に管内波長の1/4(略44mm)に相当する差が生じるようにする。 - 特許庁
By making electrically float at least a part of a cylindrical body structuring a cluster generation chamber of a cluster generation device by a magnetron sputtering method, a whole or a part of its inner wall surface is made to be charged as the same polarity with the cluster having the desired polarity.例文帳に追加
マグネトロンスパッタ法によるクラスター生成装置のクラスター生成室を構成する筒状体の少なくとも一部を電気的に浮かせることにより、その内壁面の全部または一部を、得ようとする極性を有するクラスターと同じ極性に帯電させる。 - 特許庁
An ultraviolet irradiation part 100 made in a module is constructed of a lamp house 11 in which a magnetron to generate microwave and an electrodeless lamp 12 filled with a discharge medium capable of emitting ultraviolet rays based on the microwave through a waveguide are housed.例文帳に追加
マイクロ波を発生するマグネトロンおよび導波管を介してマイクロ波に基づき、紫外線を発光することが可能な放電媒体が封入された無電極ランプ12が収容されたランプハウス11からモジュール化された紫外線照射部100を構成する。 - 特許庁
The pottery has a magnetron heating part which is constituted of a carbon fiber-containing layer comprising at least one kind selected from a short fiber of a carbon fiber and a particulate material of the carbon fiber in at least a part thereof.例文帳に追加
本発明の陶磁器は、陶磁器の少なくとも一部に、炭素繊維の短繊維および炭素繊維の粒子状物から選ばれた少なくとも1種からなる炭素繊維含有層で構成されたマグネトロン加熱部を有することを特徴とするものである。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a high-purity nickel target for magnetron sputtering which gives the film satisfactory thickness uniformity and plasma a satisfactory ignition property, even in a manufacturing process for a 300 mm wafer, and to provide a high-purity nickel target.例文帳に追加
300mmウエハを用いた製造プロセスにおいても、膜のユニフォーミティ(膜厚の均一性)とプラズマのイグニッション(点弧)性を良好にすることができるマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケルターゲットの製造方法及び同高純度ニッケルターゲットを提供する。 - 特許庁
A microwave oven is provided with the secondary battery 34 to be used as an auxiliary power supply, and an output destination of a high frequency current formed by an inverter circuit 47 is switched to a driving circuit 52 of a magnetron 11 and a charging circuit 36 of the secondary battery 34 via a switch 54.例文帳に追加
電子レンジ1に、補助電源として使用される二次電池34を備え、インバータ回路47により生成される高周波電流の出力先を、スイッチ54を介してマグネトロン11の駆動回路52と、二次電池34の充電回路36とに切換える。 - 特許庁
To provide an induction heating apparatus that can change an electromagnetic wave of linearly polarized light to an electromagnetic wave of a circularly polarized light with a waveguide disposed at a path to a heating chamber from a magnetron and transfer the electromagnetic wave of circularly polarized light to the heating chamber.例文帳に追加
マグネトロンから加熱室に至る経路に配置した導波管で直線偏光の電磁波を円偏光の電磁波に変換させて、加熱室内に電磁波円偏光の電磁波を伝播させることにより誘電加熱装置の構成を簡単化する。 - 特許庁
To provide a film-forming method by sputtering, which forms a thin film with a uniformly distributed film thickness and film quality, without installing a cathode peripheral member such as a distribution correction plate, and achieves a dust control and the extension of a running time, and to provide a magnetron sputtering apparatus.例文帳に追加
分布修正板等のカソード周辺部材を設置しなくても膜厚分布及び膜質分布が均一な薄膜を形成することができ、ダスト抑制及びランニングタイムの延長等を達成できるスパッタ成膜方法及びマグネトロンスパッタ装置を提供する。 - 特許庁
The magnetron is formed into a structure of avoiding magnetic flux loss even for such a structure that the outer diameter D1 of a resonant cavity is bigger than the outer diameter D2 of a permanent magnet 4, by making the outer diameter D2 of a permanent magnet 4 smaller than the outer diameter 3 of a magnetic pole 5 and the outer diameter D3 of a sealing body 13.例文帳に追加
磁極5の外径D3と封着体13の外径D4を永久磁石4の外径D2以下として、共振空洞の外径D1が永久磁石4の外径D2より大きい場合でも磁束の損失を回避できる構造とした。 - 特許庁
The magnetron is provided with a magnet ring 20 with its outer diameter equivalent to or smaller than those of circular magnets 13A, 13B, and yet, equivalent to or larger than an outside diameter of an anode cylinder 11, and equipped with a protruded part 20A, at a position in contact with an outer side face of the anode cylinder 11.例文帳に追加
外径が環状磁石13A、13Bの外径と同等か又はそれ以下で、且つ陽極筒体11の外径と同等かそれ以上であり、更に陽極筒体11の外側面と接する位置に突起部20Aを有する磁石リング20を備える。 - 特許庁
As the wire material of a spiral filament 14 which is a structural main body of a magnetron negative electrode, a wire material having a non- circular cross-section of which the peripheral length is longer than that of a circular cross-section is used, if each cross-section has the same area.例文帳に追加
マグネトロン陰極の構成主体である螺旋状フィラメント14の線材として、その断面積が同一であるとき、断面の形状が円形である線材の周囲長よりも大きな周囲長となる非円形断面形状を有する線材を用いる。 - 特許庁
To terminate heating at a heating time set by a customer even if the customer sets a time significantly longer than a heating time suitable for the weight of food, and, even in such a case, to prevent a temperature rise of a magnetron, and to prevent the smoking and firing of the food.例文帳に追加
顧客が食品の重量に適した加熱時間より大幅に上回る時間を設定しても、顧客が設定した加熱時間に加熱を終了させ、その場合においても、マグネトロンの温度上昇を防止するとともに、食品の発煙や発火を防止する。 - 特許庁
The magnetron is made to include a second insulation body forming an electrically extended insulation distance by geometrically blocking a jointing part jointing a negative electrode part to an external power source, from the bottom surface of a yoke, or an insulation plate is stuck to the bottom surface of the filter box.例文帳に追加
陰極部に外部電源を連結する連結部とヨークの底面との間を幾何学的に遮断して、電気的に延長された絶縁距離を形成させる第2絶縁体を含むか、又は前記フィルタボックスの底面に絶縁板を付着させる。 - 特許庁
The magnetron sputtering source is adjusted such that, when the plasma channel 8 moves over the surface region of the target 4, the entire duration of exposure of the surface region to the plasma is reduced by an increase in the relative velocity v between the magnet arrangement 7 and the target 4.例文帳に追加
プラズマチャネル8をターゲット4の表面領域上方で移動させる場合、マグネトロンスパッタリング源を調節し、磁石配列7とターゲット4と間の相対速度vを上昇させることで表面領域をプラズマに曝露する総時間を短縮する。 - 特許庁
To provide a field electron emitting source having an irregular shape on a carbon fabric film surface, capable of emitting a high current, a method for easily manufacturing the field electron emitting source at a low cost, and a magnetron using this field electron emitting source.例文帳に追加
炭素繊維膜表面に凹凸形状をもつ大電流放出が可能な電界電子放出源およびその電界電子放出源を容易で低コストに製造する方法又はその電界電子放出源を用いたマグネトロンを提供することを目的とする。 - 特許庁
The spark is detected by a microphone 9 detecting the sound generated in accompany with the spark, and a signal processing means 10 performing signal processing on the sound caught by the microphone 9, and determination of the spark and operation control of a magnetron 1 are performed by a microcomputer 11 as a spark determination means.例文帳に追加
スパークに伴い発生する音を検知するマイクロフォン9と、マイクロフォン8で捉えた音を信号処理する信号処理手段10によってスパークを検知し、スパーク判定手段であるマイクロコンピュータ11により、スパーク判定、マグネトロン1の動作制御を行う。 - 特許庁
To provide a target of high-purity nickel or a nickel alloy for magnetron sputtering, which gives excellent uniformity (uniformity of film thickness) to a film and facilitates the ignition (ignition) of plasma even in a manufacturing process with the use of a wafer of 300 mm, and to provide a production method therefor.例文帳に追加
300mmウエハを用いた製造プロセスにおいても、膜のユニフォーミティ(膜厚の均一性)とプラズマのイグニッション(点弧)性を良好にすることができるマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
The method for manufacturing the silica glass comprises heating and vitrifying a porous or powder molded article of silica by irradiating the powder molded article with the continuous or impulsive electromagnetic waves of millimeters or submillimeters in wavelength generated from a gyrotron or magnetron etc.例文帳に追加
シリカの多孔質体または粉末成型体に対して、ジャイロトロンまたはマグネトロン等から発生する連続またはパルス状の波長がミリメ−トルまたはサブミリメ−トルの電磁波を照射して、加熱ガラス化することを特徴とするシリカガラスの製造方法。 - 特許庁
The magnetron contains a closed plasma loop formed in a convolute shape and has a serpentine or square helix shape with an inner pole having a magnetic pole completely surrounded by an outer pole having the opposed polarity.例文帳に追加
マグネトロンは回旋形に形成された閉鎖プラズマループを含み、反対の極性を有する外側極に完全に包囲されている磁極を有する外側極に完全に包囲されている磁極を有する内側極を備えた蛇行形状又は四角形螺旋形状である。 - 特許庁
The etching may be done by preferably argon ions inductively excited by an RF coil around the chamber, or by copper ions, which may be formed with high target power and an intense magnetron, or by use of the RF coil.例文帳に追加
該エッチングは、好ましくは、該チャンバの周りのRFコイルによって誘導励起されたアルゴンイオンによって、又は、高いターゲット電力及び極めて強いマグネトロンで形成することができる銅イオンによって、あるいは、RFコイルの使用によって行うことができる。 - 特許庁
An inverter circuit 4 is equipped with at least one semiconductor switch 16, capable of conducting in reverse, until the magnetron 7 is made to be in an oscillation condition, and changed to have an electric current flow only in one direction, when it is in the oscillation-enabled condition.例文帳に追加
インバータ回路4に少なくとも1つの半導体スイッチ16を備え、半導体スイッチ素子16はマグネトロン7が発振可能状態になるまでは逆導通可能であり発振可能状態になると単一の方向にのみ電流を流すようにしたものである。 - 特許庁
This apparatus is equipped with a mincing device 2 for extruding a food F in a minced fashion onto a conveyor sheet 6, a hopper 3 for charging a food F into the mincing device 2, a magnetron 8 for drying a minced food on the conveyor sheet 6, and an agitating blade 4 for agitating and mixing a food F in the hopper 3.例文帳に追加
コンベアシート6上に食品Fをミンチ状に押し出すミンチ装置2と、ミンチ装置に食品Fを投入するホッパ3と、コンベアシート上のミンチ状食品を乾燥するマグネトロン8と、ホッパ3内に、食品Fを攪拌混合する攪拌羽根4を設けた。 - 特許庁
An electrode of this organic EL element is formed as one having small surface roughness and low resistivity by an RF-DC combination type magnetron spattering method or a spatter beam deposition method, so that the organic EL element without generating a leak current or the like can be provided.例文帳に追加
有機EL素子の電極をRF−DC結合型マグネトロンスパッタリング法、又はスパッタビーム堆積法で形成し、表面粗さの細かい、かつ、抵抗率の低い電極とすることで、リーク電流などの発生しない有機EL素子を得ることができる。 - 特許庁
The target assembly A for the rotary cylinder type magnetron sputtering cathode is configured by respectively joining bulk-form rectangular target material pieces 2 to each outer side face 1a of 6 or more polygonal cylindrical support 1 and working the outer peripheral surfaces of the target material pieces 2 to a cylindrical form.例文帳に追加
回転円筒型マグネトロンスパッタリングカソード用ターゲット組立体Aは、6面以上の多面筒状支持体1の各外側面1aにバルク状の短冊形ターゲット材料片2をそれぞれ接合して、このターゲット材料片2の外周面を円筒状に加工して構成される。 - 特許庁
To provide a power supply for driving a magnetron, which require no temperature detecting means such as an additional thermistor and no control of operation of a stand-by power off function for collecting heat history information during a certain fixed time after finishing operation while having a function to output high power in a short time.例文帳に追加
追加のサーミスタなどの温度検出手段や、運転終了後ある一定時間の熱履歴情報の収集のために省エネルギーのための待機電力オフ機能の作動の抑制が必要でない、短時間高出力機能を有したマグネトロン駆動用電源を提供する。 - 特許庁
Though a part of the magnetic field formed by magnets 15a and 15b of the magnetron cathode 3 leaks in an SE plasma space 7, the magnetic field parallel to the substrate 2 can be reduced by generating the magnetic field to cancel the leaked magnetic field by the magnets 16a and 16b.例文帳に追加
SEプラズマ空間7にはマグネトロンカソード3のマグネット15a,15bにより形成される磁場の一部が漏洩するが、この漏洩磁場を打ち消すような磁場をマグネット16a,16bにより発生することにより、基板2に平行な磁場を低減させることができる。 - 特許庁
To provide a magnetron sputtering apparatus which realizes such a magnetic field shape as to enable plasma to be generated in a wide region over the surface of a target, enhances a use efficiency of a target material, and can inhibit dust and abnormal electrical discharge, and to provide a sputtering method using the apparatus.例文帳に追加
プラズマをターゲット表面の広範囲に発生させることが可能な磁場形状を実現し、ターゲット材料の利用効率を向上させ、ダストや異常放電を抑制することを可能とするマグネトロンスパッタ装置、および当該装置を用いたスパッタリング方法を提供する。 - 特許庁
To provide a power supply device for a lighting system using microwaves capable of emitting the light generated from an electric bulb in the lighting system stably by supplying a stable power to a magnetron in the lighting system so that the flicker phenomenon is removed.例文帳に追加
マイクロ波を利用した照明装置内のマグネトロンに安定した電源を供給してフリッカー現象を除去することで、照明装置内の電球から発生する光を安定的に放射し得るマイクロ波を利用した照明装置の電源供給装置を提供しようとする。 - 特許庁
This method comprises: a previous process where a chromium layer is deposited on the basis material in a magnetron sputtering system; and an after process where the temperature of the basis material is held at 100-200°C and a CrN layer is deposited on the above Cr layer in an arc discharge ion plating system.例文帳に追加
本発明は、マグネトロンスパッタ装置において基材上にクロム層を形成する前行程と、アーク式イオンプレーティング装置において基材の温度を100〜200℃に保持して前記Cr層の上にCrN層を形成する後行程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁
This method comprises arranging one or more microwave antennas along a traveling direction of the substrate to be thin-film-deposited and/or the opposite direction, in a plasma sputtering apparatus using a magnetron, and forming assisted plasma in the proximity of the surface of the substrate by irradiating the surface of the substrate with a microwave.例文帳に追加
マグネトロンを用いたプラズマスパッタリング装置内に、薄膜を堆積する基板の進行方向及び/又はその反対方向に向って一つ又はそれ以上のマイクロ波アンテナを配置して、基板表面上にマイクロ波を放射して基板表面近傍に支援プラズマを形成する。 - 特許庁
To provide a DC magnetron sputtering reactor for sputtering copper, its use, a shield or the like for enhancing self-ionized plasma(SIP) sputtering at low pressure, and a method for applying copper coating to a narrow via or trench by using SIP for a first copper layer.例文帳に追加
銅をスパッタリングするための直流マグネトロンスパッタ反応器、その使用方法、低圧での自己イオン化プラズマ(SIP)スパッタリングを増進させるシールド等、及び第1の銅層のためにSIPを使用して狭くて深いビアまたはトレンチ内へ銅をコーティングする方法を提供する。 - 特許庁
In the target used for a magnetron sputtering apparatus, a backing plate 12 made of a CoCr alloy that is a material having a flux permeability higher than that of the target plate 11 is joined to a side opposite to the sputtering surface of the target plate 11 composed of Co base sintering alloy containing Cr and Pt.例文帳に追加
マグネトロンスパッタリング装置に用いられるターゲットであって、Cr及びPtを含むCo基焼結合金により構成されたターゲット板11のスパッタ面とは反対側に、該ターゲット板11よりも磁束透過率の高い材料である、CoCr合金からなる裏当て板12を接合した。 - 特許庁
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