「MAGNETRON」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a means capable of attaining low temperature film deposition and high speed film deposition in magnetron sputtering of a dual form for making low temperature film deposition and high speed film deposition compatible, and thereby to obtain various inorganic crystal films being highly functional materials, on organic films at a low temperature and at high speed.例文帳に追加

低温成膜、高速成膜を両立させることができるデュアル形式のマグネトロンスパッタリングにおいて、低温成膜と、高速成膜を達成しうる手段を提供し、これによって有機フィルムの上に高機能性材料である例えば各種無機結晶膜を低温、高速で得ようというものである。 - 特許庁

In the magnetron cathode of the sputtering apparatus comprising the target, and a magnet unit disposed on a back side of the target and comprising a center magnet and an outer circumferential magnet, the target has a part inclined in the direction of a substrate and the outer circumferential magnet is higher than the center magnet on an outer circumferential part side of the target.例文帳に追加

ターゲットと、該ターゲットの裏側に配置され中心磁石及び外周磁石からなる磁石ユニットと、から構成されるスパッタリング装置のマグネトロンカソードにおいて、前記ターゲットは基板方向に傾斜する部分を有し、前記ターゲットの外周部側で前記外周磁石を中心磁石より高くしたことを特徴とする。 - 特許庁

The movable frame is fitted to a screw 16 extending to the direction vertical to the surface of the target and rotating by an electric motor 17, and the electric motor is connected to a controller 21 controlling the forward and backward rotation of the electric motor in accordance with the fluctuation of the discharge voltage of magnetron discharge generated on the surface of the target.例文帳に追加

可動フレームは、ターゲットの表面に対して垂直方向へ延び且つ電動機１７により回転される螺桿１６に取り付けられ、該電動機を、該ターゲットの表面上に発生するマグネトロン放電の放電電圧の変動に応じて該電動機の正逆回転を制御するコントローラ２１に接続した。 - 特許庁

An anisotropic etching process carried out by the use of a magnetron etching device and an ashing process for removing a fluorocarbon polymer 14 produced in the above etching process are repeatedly carried out three times or so, by which a contact hole 13 is provided to the interlayer insulating film 9 so as to extend to a source/ drain region 6.例文帳に追加

多結晶Ｓｉ膜１０および内壁膜１２ａをマスクとして、マグネトロンエッチング装置を用いた異方性エッチングと、このエッチングで生じたフロロカーボンポリマー１４を除去するアッシングとを３回程度繰り返し行うことにより、層間絶縁膜９にソース／ドレイン領域６に達するコンタクトホール１３を形成する。 - 特許庁

This high frequency magnetron sputtering apparatus comprises a vessel 11 with the inside evacuated by an exhaust mechanism 22, a target 16, a substrate holder 41, a gas feed mechanism 25 for feeding gas into the vessel, a high frequency feed mechanism 18 for feeding the high frequency to the target, and a electrostatic adsorption mechanism built in the substrate holder.例文帳に追加

この高周波マグネトロンスパッタリング装置は、排気機構２２により内部が減圧された容器１１、ターゲット１６、基板ホルダ４１、容器内にガスを供給するガス供給機構２５、ターゲットに高周波を与える高周波供給機構１８、基板ホルダに内蔵される静電吸着機構を備える。 - 特許庁

In the manufacturing method for the transparent conductive film, a zinc oxide doped with at least aluminum is used as a target 20 and the transparent conductive film is formed on a substrate 30 by a magnetron sputtering method using a sputter voltage with high frequency electric power superimposed on DC electric power.例文帳に追加

透明導電膜の製造方法において、少なくともアルミニウムがドープされた酸化亜鉛をターゲット２０として用い、水素を導入した雰囲気中で、直流電力に高周波電力を重畳したスパッタ電圧を用いたマグネトロンスパッタリング法により基体３０上に透明導電膜を形成する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the transparent conductive film, by using a magnetron sputtering in which a gas having carbon dioxide 50 vol% or less added in hydrogen or argon is used as a carrier gas, a carbon film of which the refractive index is controlled to 1.35-1.85 is formed on a transparent conductive oxide layer having zinc oxide as a main component on the transparent substrate.例文帳に追加

水素またはアルゴンに二酸化炭素を５０体積％以下添加したガスをキャリアガスとして使用するマグネトロンスパッタにより、透明基板上に酸化亜鉛を主成分とする透明導電酸化物層の表面に屈折率を１．３５〜１．８５に制御したカーボン膜を形成することが可能となる。 - 特許庁

When producing the strongly bonded vapor deposition film by providing at least the vapor deposition layer comprising the inorganic oxide on at least one side of the film base material comprising the plastic material, plasma post-treatment using magnetron discharge is applied to the surface of the vapor deposition layer under treatment unit pressure of 8-100 Pa.例文帳に追加

プラスチック材料からなるフィルム基材の少なくとも一方の面に、無機酸化物からなる蒸着層を少なくとも設けてなる蒸着フィルムを製造方するに際し、蒸着層形成後にその表面にマグネトロン放電を使用したプラズマ後処理を処理ユニット圧力８Ｐａ〜１００Ｐａにて施す。 - 特許庁

The magnetron includes a back plate 22 having a target supporting surface for supporting a target T, a magnet unit 209, a first oscillation mechanism for oscillating the magnet unit 209 in the back-proximal direction (the first direction), and a second oscillating mechanism for oscillating the magnet unit 209 in the right-to-left direction (the second direction).例文帳に追加

該マグネトロンカソードは、ターゲットＴを支持するためのターゲット支持面を有する裏板２０２、マグネットユニット２０９と、マグネットユニット２０９を裏手前方向（第１の方向）に揺動させる第１揺動機構と、マグネットユニット２０９を左右方向（第２の方向）に揺動させる第２揺動機構とを有する。 - 特許庁

In a positive electrode current control circuit 30, a transistor Q31 is switched on by rise of a pulse signal to be inputted into an input terminal IN, and FET Q40 is switched on, and a current flows in a primary coil N1 of the transformer 41, and the induced voltage in the secondary coil N2 of the transformer 41 is applied to the negative electrode 52 of the magnetron 50.例文帳に追加

陽極電流制御回路３０は、入力端子ＩＮに入力されるパルス信号の立ち上がりによってトランジスタＱ３１がオンし、ＦＥＴ Ｑ４０がオンし、トランス４１の１次コイルＮ１に電流が流れ、トランス４１の２次コイルＮ２の誘起電圧がマグネトロン５０の陰極５２に印加される。 - 特許庁

Since a dense film with low absorption and tight adhesion cannot be obtained in the case the object 9 to be treated lies under no-heating or low temperature, the object 9 to be treated in the process of the film deposition is irradiated with neutral grains and negative ions generated by magnetron sputtering in which high frequency is applied on a target 4 as assists.例文帳に追加

被処理物９が無加熱あるいは低温であると、低吸収かつ緻密で密着性の良い膜を得ることができないため、ターゲット４に高周波を印加するマグネトロンスパッタリングによって発生した中性粒子および負イオンをアシストとして成膜中の被処理物９に照射する。 - 特許庁

The apparatus is provided with a magnetron 11, a high-voltage DC stabilized power source 12, a directional coupler 18 for branching a portion 1a of a microwave 1, an attenuator 19 for attenuating the branched microwaves, and a phase-locked loop circuit 10 including a reference signal transmitter 13, a phase comparator 14 and an anode current control computing element 20.例文帳に追加

マグネトロン１１と、高圧直流安定化電源１２と、マイクロ波１の一部１ａを分岐する方向性結合器１８と、分岐したマイクロ波を減衰する減衰器１９と、基準信号発信器１３と位相比較器１４とアノード電流制御演算器２０とを有する位相同期回路１０とを備える。 - 特許庁

The lower end parts of the first lead wire 32a and the second lead wire 32b each are electrically connected to the mating side through a board 7, and the other end parts thereof are electrically connected to the heater of a magnetron, and the first lead wire 32a is held by the bobbin 9 so as to penetrate the magnetic circuit of the core 48.例文帳に追加

これら第１のリード線３２ａおよび第２のリード線３２ｂは下端部が基板７を介して相手側に電気的に接続され且つ他端部がマグネトロンのヒータに電気的に接続されたものであり、第１のリード線３２ａはコア４８の磁路を貫通するようにボビン９に保持されている。 - 特許庁

The plasma generating device is provided with a magnetron which generates microwave, a first waveguide, a cable having a tip part to emit microwave, an electrode having a base part to capture the microwave emitted from the tip part of the cable, and a nozzle having an opening for blowing off plasma.例文帳に追加

マイクロ波を発生させるマグネトロンと、第１導波管と、マイクロ波を放出する先端部とを備えるケーブルと、ケーブルの先端部から放出されたマイクロ波を捕捉する基端部を備える電極と、プラズマを吹き出すための開口部を備えるノズル体とを備えることを特徴とするプラズマ生成装置。 - 特許庁

The UV varnish heating device used for heating the UV varnish for making a crimping type booklet DM before crimping is a microwave heating device with a magnetron, and a selective and homogeneous heating of UV varnish applied on a plurality of respective papers composing the booklet is carried out.例文帳に追加

紫外線硬化型（ＵＶ）ニスを使用した圧着型の小冊子形式のＤＭを圧着前に加熱するＵＶニス加熱装置において、前記ＵＶニス加熱装置は、マグネトロンを有するマイクロ波加熱装置であって、前記小冊子を構成する複数の紙面に夫々塗工されたＵＶニスを選択的に均一に加熱する。 - 特許庁

Since the power supply for driving the magnetron of this high-frequency heating device is constituted so that on-time ratio between the first semiconductor switching element 3 and the second semiconductor switching element 6 can be arbitrarily set, the current of the diode constituting the first semiconductor switching element 3 can be minimized.例文帳に追加

本発明の高周波加熱装置のマグネトロン駆動電源は、駆動回路は第１の半導体スイッチング素子３と第２の半導体スイッチング素子６のオン時間比率を任意に設定できるように構成されるため、第１の半導体スイッチング素子３を構成するダイオードの電流を極小化することができる。 - 特許庁

A first and second flywheel diodes 5 and 6 and a first and second rectification diodes 3 and 4 are accommodated into one package, thus effectively using a diode in a diode bridge 14, eliminating the need for incorporating the diode into semiconductor switches 7 and 8, and hence inexpensively realizing a power supply for magnetron drive.例文帳に追加

第１及び第２のフライホイルダイオード５、６と第１及び第２の整流ダイオード３、４を一つにパッケージに収めることにより、ダイオードブリッジ１４内のダイオードを有効に用いることができ、しかも半導体スイッチ７、８にダイオードを内蔵させる必要がなくなるため、マグネトロン駆動用電源を安価に実現できる。 - 特許庁

To provide a magnetron for adjusting microwave output without degrading the whole magnetic flux density distribution, minimizing the projection amount from the outside surface of a yoke in adjusting the microwave output and dispensing with preparing one with strong magnetism from the beginning as a permanent magnet.例文帳に追加

全体の磁束密度分布を悪化させることなくマイクロ波出力の調整ができ、またマイクロ波出力の調整において、継鉄の外側表面からの突出量を最小限に抑えることができると共に、永久磁石に最初から磁力の強いものを用意する必要のないマグネトロンを得る。 - 特許庁

In a laser where laser gas is pumped through discharge, one or more discharge spaces 13 for pumping laser gas through discharge are defined by the cooling faces of cooling plates 4, and a magnetron 8 generating microwave is employed as the pumping source of the discharge spaces 13.例文帳に追加

レーザ気体の励起を放電により行うレーザ装置であって、放電によってレーザ気体の励起が行われる１またはそれ以上の放電空間１３が、冷却板４の冷却面により挟まれて形成され、この放電空間１３の励起源としてマイクロ波を発生するマグネトロン８を用いている。 - 特許庁

This is the organic light emitting device which is provided with at least one light emitting organic material layer arranged between a first electrode and a second electrode, in which either one of the first and the second electrodes is multi-layered, and in which respective layers of the multi-layered structure are the layers sputtered by a DC magnetron.例文帳に追加

第１の電極と第２の電極との間に配置された少なくとも１つの発光性有機材料層を有し、前記第１の電極及び第２の電極の一方が多層構造であり、前記多層構造の各層がＤＣマグネトロンによりスパッタされた層である有機発光デバイスにつき開示する。 - 特許庁

A high-pressure power source 12 and a magnetron 12, having a function of oscillating microwaves, to be transmitted through the coaxial cables 181, 182, are housed inside a case 14, and microwaves are radiated from the case 14 to a lamp house 21, where the electrodeless lamp 22 is housed via the coaxial cables 181, 182.例文帳に追加

発振されたマイクロ波を発振するマグネトロン１２を内蔵した高圧電源１２から同軸ケーブル１８１，１８２を伝送できるマイクロ波に変換する機能を筐体１４に収納し、筐体１４から同軸ケーブル１８１，１８２を介して無電極ランプ２２が収容されたランプハウス２１に放射させる。 - 特許庁

An oven 8 incorporates therein plane antennas 6a-6c for irradiating an object 7 to be heated with a microwave from a magnetron 1, for receiving a wave H reflected on the object 7 to be heated and reading an optimum beam from a memory in accordance with received information so as to control an irradiating beam S based on the read information.例文帳に追加

マグネトロン１からのマイクロ波を被加熱物７に照射する平面アンテナ６ａ〜６ｃをオーブン８内に備え、上記被加熱物７からの反射波Ｈを受信し、この受信した情報に応じて記憶部より最適ビームを読み出して、この読み出した情報にもとづいて照射ビームＳを制御した。 - 特許庁

A target-shutter arrangement (8, 8') is designated so that when covered, the distance between the shutter (8) and the target (12) is less than 35 mm, thus allowing ignition and operation of a magnetron or cathode spark discharge behind the target, but preventing ignition of auxiliary plasma when the target (8) is turned off.例文帳に追加

さらに、ターゲット・シャッタ構成（８，８′）が、覆われた状態でシャッタ（８）とターゲット（１２）との間隔が３５ｍｍよりも小さく、こうして上記ターゲットの背後でマグネトロンまたは陰極のスパーク放電の点火および動作が可能となり、他方ではターゲット（８）をオフにした際に副プラズマの点火が防止されるように構成される。 - 特許庁

A magnetic circuit 10 of a magnetron electrode is designed as "the magnetic circuit 10 in which a central perpendicular magnet 101, an inside parallel magnet 103, an outside parallel magnet 104, and a peripheral perpendicular magnet 102 are arranged" from the central part of a target 2 toward the peripheral part, and the inside parallel magnet 103 is brought close to the target 2.例文帳に追加

マグネトロン電極の磁気回路１０を、ターゲット２の中央部から外周部へ向かって「中心垂直磁石１０１、内側平行磁石１０３、外側平行磁石１０４、外周垂直磁石１０２を配置した磁気回路１０」として、内側平行磁石１０３をターゲット２に近づける。 - 特許庁

To provide a microwave oven, preventing heat generation and spark due to high frequency between a mover and a cookware and between the mover and the wall face of a cooking chamber by stopping the operation of a magnetron during a period when the mover is operated to move the cookware in the cooking chamber from an initial position to a cooking position, and its control method.例文帳に追加

調理室内の調理器具を初期位置から調理位置に移動させる移動装置が作動しているうちにはマグネトロンの作動を停止させて、移動装置と調理器具間、及び移動装置と調理室の壁面間での高周波による発熱及びスパークを防止する電子レンジ及びその制御方法を提供する。 - 特許庁

When the weight increase data is set up by a weight increase setting part of the weight of things to be heated 16, the heating condition for the things to be heated of a standard weight is changed by increasing the output of the microwave leaving the operating time as it is, and the magnetron 5 is driven based on the changed heating condition.例文帳に追加

又被加熱物量増量設定部１６により増量情報が設定された場合、標準量の被加熱物に対する加熱条件を、運転時間をそのままとしてマイクロ波出力を増大するように変更し、この変更した加熱条件に基づいて前記マグネトロン５を駆動する - 特許庁

According to this, the life of the magnetron 13 can be extended by performing the impedance matching between the microwave and the electrodeless lamp, and the flexibility of the setting position of the casing 14 can be also improved since the length of the waveguide 16 located outside of the casing 14 and the lamp house 20 can be changed.例文帳に追加

これにより、マイクロ波と無電極ランプとのインピーダンスの整合を行ってマグネトロン１３の長寿命化を図るとともに、筐体１４とランプハウス２０の外にある導波管１６の長さを変えることができることから筐体１４の設置場所の自由度の向上を図ることができる。 - 特許庁

A catalyst formed by coating activated carbon or a carrier of a high dielectric constant with nanometer scale titanium dioxide, is filled into a heat-resistant ceramic tube or a glass tube 16 disposed in a carrier of a reactor, disposed between irradiation bodies 15' of a magnetron microwave oscillator 15 of the heat-resistant ceramic tube or glass tube 16, and irradiated with microwave.例文帳に追加

ナノメータースケールの二酸化チタンにより活性炭または高誘電率の担体を被覆した触媒を、反応槽のキャリア内に配置された耐熱セラミック管（またはガラス管）１６内に充填し、耐熱セラミック管（またはガラス管）１６のマグネトロンマイクロ波発振器１５の照射体１５‘ の間に配置してマイクロ波を照射する。 - 特許庁

To reduce a higher harmonic distortion of the power supply generated in a phase in the vicinity of 0°and 180° in which an instant voltage of a commercial power supply becomes the lowest regarding a high frequency heating power supply device to drive a magnetron such as a microwave oven.例文帳に追加

本発明は電子レンジのようなマグネトロンを駆動する高周波加熱電源装置に関するものであり、商用電源の瞬時電圧が最も低くなる０度および１８０度付近の位相において発生する高次数の電源高調波歪を軽減する周波数変調方式を提供する。 - 特許庁

The sound generated accompanied by the spark is detected by a microphone 10, signal processing is performed while switching filters 21-1, 21-2, 21-3, 21-4 by a signal processing means 13 having a group of filters 20 of various characteristics, and the determination of the spark and the control of the motion of a magnetron 1 are performed by a microcomputer 14 as a spark determining means.例文帳に追加

スパークに伴い発生する音をマイクロフォン１０で検出し、特性の異なるフィルタ群２０を有する信号処理手段１３でフィルタ２１−１，２１−２，２１−３，２１−４を切換えて信号処理を行い、スパーク判定手段であるマイクロコンピュータ１４により、スパーク判定、マグネトロン１の動作制御を行う。 - 特許庁

The target for the magnetron sputter is obtained by inserting targets of columnar pin shape formed of the same material for a transparent conductive film as the target or other conductive material for the transparent conductive film in a large number of holes in a disk-shaped target formed of a material for the transparent conductive film having a large number of holes opened therein in a completely filling manner.例文帳に追加

多数の穴の開いた透明導電膜用材料からなる円盤状ターゲットに、ターゲットと同一透明導電膜用材料または他の透明導電膜用導電材料からなる円柱ピン形状のターゲットを多数の穴に完全充填するよう挿入させたことを特徴とする。 - 特許庁

After an interlayer insulation film 10, the underlying layer 11a of a conductive film for lower electrode, and the like, are formed on a substrate 1, a Pt film having a thickness in the range of 50-500 nm, e.g. about 175 nm, is formed as the overlying layer 11b of the conductive film for lower electrode on the underlying layer 11a by DC magnetron sputtering.例文帳に追加

基板１上に層間絶縁膜１０及び下部電極用導電膜の下側層１１ａ等を形成した後、下側層１１ａ上に下部電極用導電膜の上側層１１ｂとして厚さが５０ｎｍ〜５００ｎｍ、例えば約１７５ｎｍのＰｔ膜をＤＣマグネトロンスパッタ法により形成する。 - 特許庁

H_2 gas is introduced during film formation of an Si layer 3 having a high compression stress, in a process for manufacturing the multilayered film reflecting mirror by film-forming Mo layers 2 and the Si layers 3 alternately on a substrate 1, by a magnetron spattering device, to contain the hydrogen in the Si layer 3, and the compression stress in the film is thereby reduced.例文帳に追加

マグネトロンスパッタ装置によって、基板１上にＭｏ層２とＳｉ層３を交互に成膜し、多層膜反射鏡を製作する工程において、圧縮応力の大きいＳｉ層３の成膜中にＨ_2 ガスを導入し、Ｓｉ層３に水素を含有させることで、膜内の圧縮応力を低減する。 - 特許庁

A primary heating is performed until the detected value of a humidity sensor detecting the humidity of steam discharged from a cooking chamber reaches a pre-set reference value and, after the detected value reaches the reference value, a secondary heating is performed at an output level lower than the output level of magnetron in the primary heating in a pre-set period.例文帳に追加

調理室から排出される水蒸気の湿度を感知する湿度センサーの検出値が前もって設定された基準値に到達するまで１次加熱を行い、前記基準値に到達した後、前記１次加熱でのマグネトロンの出力レベルより低い出力レベルで前もって設定された期間中に２次加熱を行う。 - 特許庁

By detecting such a sign that the high voltage transformer 21 may locally cause abnormal heat generation, or generation of corona discharge, since operation of the magnetron 24 can be stopped before the high voltage transformer 21 locally generates heat, accidental heat generation of the high voltage transformer can be prevented.例文帳に追加

このように高圧トランス２１が局部的に異常発熱しようとする兆候すなわちコロナ放電の発生を検出できるようにすることで、高圧トランス２１が局部的に異常発熱する以前にマグネトロン２４の動作を停止させるように対処しているから、高圧トランスの万一の異常発熱を阻止できるようになる。 - 特許庁

An ultraviolet ray irradiation unit 10A is constituted by housing an electrodeless lamp 12, in which discharge medium emitting ultraviolet ray by microwave generated by a magnetron 13 is enclosed, in a lamp house 11 having an electromagnetic shield function, and by arranging a screen 21 irradiating ultraviolet ray outside from under the lamp house 11.例文帳に追加

電磁シールド機能を有するランプハウス１１に、マグネトロン１３が発生するマイクロ波により紫外線を発光させる放電媒体が封入されている無電極ランプ１２を収納し、ランプハウス１１の下方から外部に紫外線を照射させるスクリーン２１を配置して紫外線照射部１０Ａを構成する。 - 特許庁

The extrusion molded radiating fin 2 and an auxiliary radiating fin 25 are provided with a fitting part in order to form an insertion block together, so that radiation effect is enforced; a set with low cooling performance, the auxiliary radiation fin 25 can be mounted; and by making the power source for driving magnetron common to various sets, productivity can be enhanced.例文帳に追加

押し出し成形の放熱フィン２と、補助放熱フィン２５に嵌め合い部分を構成させ、挿入ブロック化して放熱効果を強化することによって、冷却性能の悪いセットに関しては補助放熱フィン２５を装着し、マグネトロン駆動用電源3共用化して生産性向上が図れる。 - 特許庁

The magnetron plasma magnetic field generator comprises a dipole ring magnet, having a plurality of columnar anisotropic segment magnets disposed in a ring state, and each of the segment magnets is split in the length direction of the ring magnet, and the temperature of the divided segment magnet is controlled.例文帳に追加

本発明は、複数の柱状の異方性セグメント磁石をリング状に配置したダイポールリング磁石を備えたマグネトロンプラズマ用磁場発生装置に関し、上記複数のセグメント磁石の夫々は、上記ダイポールリング磁石の長さ方向に２分割され、分割されたセグメント磁石の温度を夫々制御する構造を有する。 - 特許庁

In this magnetron 11 composed by using a vane type resonator, the fundamental frequency of emitted microwaves is set to 5,800 MHz±75 MHz; and the installation number of a plurality of plate-like vanes 17 radially arranged on the inside surface of a positive electrode cylindrical body 13 is set in the range of 14 to 22.例文帳に追加

ベイン型共振器で構成されているマグネトロン１１において、放出するマイクロ波の基本周波数は５，８００ＭＨｚ±７５ＭＨｚに設定すると共に、陽極筒体１３の内周面に放射状に配列された複数枚の板状ベイン１７の装備数を１４〜２２個の範囲に設定する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a magnetron device in which the top end of the doughnut shape protrusions can be efficiently machined in the manufacture of a cathode body in which one or more of doughnut shape protrusions having the top end (outer circumference) protruded are formed integrally on the outer circumference of a metallic cylinder coaxially with the central axis of the cylinder.例文帳に追加

先端（外周縁）を尖らせた、一つ以上のドーナツ状突起を、金属製円筒の外周に、円筒の中心軸と同軸に、一体形成してなる、陰極体を製造する際において、ドーナツ状突起の先端を効率よく加工することができる、マグネトロン装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a cooker, this electric or electronic equipment, plural types of operation times of a magnetron can be set by a microcomputer, dot indicators 91 to 919 correspond to each operation time, and when one of these plural types is set as a set time, the dot indicator corresponding to this set time lights or blinks.例文帳に追加

本発明の電気又は電子機器である加熱調理器では、マイコンで設定し得るマグネトロンの運転時間は複数種あってそれぞれにドット表示器９１〜９１９が対応しており、その複数種のうちの１つが設定時間として設定されると該設定時間に対応するドット表示器が点灯又は点滅する。 - 特許庁

The surfaces of the smooth electrodes (412, 422) manufactured by the DC magnetron reactive sputtering process enables relatively strong polarization and less fatigue and less imprint with aging, in ferroelectric thin-film capacitors (400, 500) used for electronic memories (600, 700, 800).例文帳に追加

本発明のＤＣマグネトロン反応性スパッタリングプロセスによって製造された平滑電極（４１２、４２２）の表面は、電子メモリ（６００、７００、８００）に使用される強誘電体薄膜キャパシタ（４００、５００）において、エージングするにつれ、比較的強力な分極、より小さい疲労およびより小さいインプリントを、可能にする。 - 特許庁

Since supporting arms 3, 4 of a cathode are fixed in an end part wall 18 of a radial extension part located toward a cathode end part of the radial extension part than other end parts, the cathode of the magnetron having the radial extension part for housing cathode terminals 6, 7 is supported on shorter cathode supporting arms 3, 4 than conventional ones.例文帳に追加

カソードの支持アーム３、４は、他端部に対するよりも放射状延長部のカソード端部のほうの近くに位置する放射状延長部の端部壁１８内に取り付けられているので、これまでよりも、より短いカソード支持アーム３、４上にカソードターミナル６、７を収納するための放射状延長部を有するマグネトロンのカソードが支持されている。 - 特許庁

This organic LED display device having a plurality of organic LED elements each consisting of a thin film transistor, a pixel electrode, at least an organic LED layer and the counter electrode laminated on a substrate comprises a polymer protecting layer formed between the counter electrode and the organic LED layer, the counter electrode being deposited by DC magnetron sputtering.例文帳に追加

基板上に、薄膜トランジスタと、画素電極と、少なくとも有機ＬＥＤ層と、対向電極とを積層した複数の有機ＬＥＤ素子を有する有機ＬＥＤ表示装置において、対向電極と有機ＬＥＤ層との間に形成された高分子保護層を備え、対向電極がＤＣマグネトロンスパッタリング法により成膜されていること。 - 特許庁

The cooker comprises a first cooling fan 4F for cooling the magnetron 4, a first fan motor 4M for driving the first cooling fan 4F, a second cooling fan 5F for cooling the high-voltage transformer 5, a second fan motor 5M for driving the second cooling fan 5F, and a hot air circulating motor 6M used for forming the hot air circulating air flow.例文帳に追加

マグネトロン４を冷却するための第１冷却ファン４Ｆ、その第１冷却ファン４Ｆを駆動する第１ファンモータ４Ｍ、高圧トランス５を冷却するための第２冷却ファン５Ｆ、その第２冷却ファン５Ｆを駆動する第２ファンモータ５Ｍ、熱風循環気流の形成に用いる熱風循環用モータ６Ｍを設けた。 - 特許庁