「MAGNETRON」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

The mask blank is obtained by forming, on a substrate 11 made of synthetic quartz, a light-shielding layer 12 comprising TaN (with 84.0 atom% of Ta and 16.0 atom% of N in terms of a film composition ratio) to a film thickness of 43 nm by DC magnetron sputtering in a mixture gas atmosphere of xenon (Xe) and nitrogen (N) using Ta as a sputtering target.例文帳に追加

合成石英からなる基板１１上に、スパッタリングターゲットにＴａを用い、キセノン（Ｘｅ）と窒素（Ｎ）の混合ガス雰囲気で、ＤＣマグネトロンスパッタにより、ＴａＮ（膜組成比 Ｔａ：８４．０原子％，Ｎ：１６．０原子％）からなる遮光層１２を４３ｎｍの膜厚で成膜する。 - 特許庁

Composite magnetic material 44 mainly composed of flat metal magnetic material powder is installed respectively in a hollow part between respective inner conductor 41 used as a filament current supply line of a magnetron tube and an earthing hollow conductor 42 enclosing each inner conductor 41 individually.例文帳に追加

マグネトロン管のフィラメント電流供給用ラインとなるそれぞれの内部導体４１と各内部導体４１を個別に囲む接地用中空導体４２との間の中空部に、偏平状の金属磁性体粉末を主成分とする複合磁性体４４をそれぞれ設けている。 - 特許庁

In the process for depositing the Co containing oxide film, magnetron sputtering is performed by using of a metallic target where the magnetic flux density in the inner part is ≤0.2 T and the total content of Co and Fe is ≥80 atomic % to the whole metal when an external magnetic field is applied at 7.96 kA/m intensity.例文帳に追加

外部磁界を７．９６ｋＡ／ｍの強度で印加したときの内部の磁束密度が０．２Ｔ以下であり、ＣｏおよびＦｅの合計含有量が全金属に対して８０ａｔ％以上である金属ターゲットを用いて、マグネトロンスパッタリングを行うＣｏ含有酸化物膜の成膜方法。 - 特許庁

In this feed-producing device, a mincing part 2 for mincingly extruding a food A on a sheet 4, a drying part 14 for drying the food A by a magnetron 11 by moving the sheet 4 interlockingly with the extruded food A and a storage part 9 for storing dried food A dried in accordance with the movement of the sheet 4 are installed.例文帳に追加

シート４上に食品Ａをミンチ状に押し出すミンチ部２と、押し出される食品Ａと連動してシート４を移動させて食品Ａをマグネトロン１１により乾燥させる乾燥部１４と、シート４の移動に伴って乾燥された食品Ａが貯蔵される貯蔵部９を備えた。 - 特許庁

In a magnetron sputtering system, the transition sputtering is performed by supplying an inert gas and a reactive gas in respective desired flow rates into a vacuum chamber while adjusting the variation with time of discharge electric power or discharge admittance to be within ±10% and controlling the voltage of a sputter electric source.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング装置において、真空チャンバー内に不活性ガスと反応性ガスをそれぞれ所望の流量で供給し、放電電力、または放電アドミッタンスの時間変動を±１０％以内で行い、且つ該スパッタ電源の電圧を制御して遷移スパッタを行う。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a magnetic recording medium which can further enhance coercive force Hc or a reverse magnetic domain nucleation magnetic field Hn considering influence of a magnetic field utilized in magnetron sputtering on film-deposition of the magnetic recording medium.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリングにおいて利用される磁界が磁気記録媒体の成膜において及ぼす影響を鑑みて、さらに保磁力Ｈｃまたは逆磁区核形成磁界Ｈｎを向上させることが可能な磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

An inlet port 22 is formed at the lower side of a heating chamber side face to guide the heat of cooling after cooling the magnetron 15 into the heating chamber 11, and the heat of cooling is directly applied to food placed on the bottom face of the heating chamber 11 and then discharged to the outside from an outlet port of the heating chamber 11.例文帳に追加

マグネトロン１５を冷却した冷却熱を、加熱室１１の中に導くための吸気口２２を加熱室側面の下側に設けて、加熱室１１の底面にある食品に直接当ててから、加熱室１１の排気口から外に排出するものである。 - 特許庁

In a plurality of vanes 10 composing a cavity resonator of the magnetron, a U-shaped opening 11 is formed in a side face side, protrusion parts 13a and 13b and cutout parts 14a and 14b are formed in the U-shaped opening, and a pressure equalization ring 3 is connected to the cutout parts.例文帳に追加

マグネトロンの空洞共振器を構成する複数枚のベイン１０は、側面側がコ字状に開口部１１が形成され、このコ字状の開口部内に突起部１３ａ，１３ｂと切欠き部１４ａ，１４ｂとが形成されてこの切欠き部に均圧リング３が接続される。 - 特許庁

When the upper cup 19 is put inside from the opening 5a of a case body 2, a door 8 is closed and a start switch 31 is pressed, a magnetron 9 oscillates, the extraction liquid 39 is heated by electromagnetic waves, the functional filter 35 drips the extraction liquid 39 together with the rise of a temperature and it is accumulated in a cup 23.例文帳に追加

上カップ１９を筐体２の開口５ａから中に入れ、扉８を閉じてスタートスイッチ３１を押すとマグネトロン９が発振し電磁波によって抽出液３９を加熱し、温度の上昇とともに機能性フィルタ３５は抽出液３９を滴下させ、カップ２３にたまる。 - 特許庁

To improve the distribution of the thickness of a film on a substrate and to prevent the generation of particles from a cathode, in a magnetron cathode of a type in which a moving type magnet unit is arranged on the back side of a target, by making the center of the surface of the target flat and inclining the outer circumferential part toward the inside.例文帳に追加

移動式の磁石ユニットをターゲットの背面に配置したタイプのマグネトロンカソードにおいて、ターゲット表面の中央を平坦にして外周部を内側に向かって傾斜させることにより、基板上の膜厚分布を向上させると共に、カソードからのパーティクルの発生を防ぐ。 - 特許庁

Alternate current with variable pulse width is supplied to a high-voltage transformer 7 and high voltage is applied to an electrode of a magnetron 3 through full-wave double-voltage rectifying circuit 9, and, alternate current with all-time constant pulse width is supplied to a transformer 8 for heating cathode.例文帳に追加

このフルブリッジインバータ回路６から、高圧トランス７にパルス幅が可変の交流電力が供給されて、全波倍電圧整流回路９を介してマグネトロン３の陽極に高電圧を印可する一方、陰極加熱用トランス８に常にパルス幅が一定の交流電力が供給される。 - 特許庁

The selective patterning method includes a DC heating evaporation method, an ion beam evaporation method, a reactive ion beam evaporation method, a two-pole sputtering method, a magnetron sputtering method, a reactive sputtering method, a three-pole sputtering method, an ion beam sputtering method, an ion plating method, a hollow cathode beam method, an ion beam injection method and a plasma CVD method and the like.例文帳に追加

選択的パターニング方法は、直流加熱蒸着法、イオンビーム蒸着法、反応性イオンビーム蒸着法、２極スパッタ法、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、３極スパッタ法、イオンビームスパッタ法、イオンプレーティング法、ホローカソードビーム法、イオンビーム注入法及びプラズマＣＶＤ法などである。 - 特許庁

A magnetron cooling fin 200 has a large number of turbulence promoting protrusions 230 on one surface of a tabular body 210 having a through-hole for anode locking 210a and a plurality of locking pieces (221 to 226) expanded and bent toward outside edge parts.例文帳に追加

本発明に係るマグネトロン冷却フィン２００は、アノード係止用通孔２１０ａと縁部外側に拡張折り曲げられた複数の係止片（２２１〜２２６）とを有する平板形胴体２１０の一面に多数の乱流促進形突出物２３０を備えることを特徴とする。 - 特許庁

There are provided (a) an article including zinc sulfide or zinc selenide, and (b) a method for depositing a layer of alumina with a thickness of >20 μm on the zinc sulfide or zinc selenide at a deposition rate of ≥60 Å/min by a micro wave assisted magnetron sputtering.例文帳に追加

ａ）硫化亜鉛またはセレン化亜鉛を含む物品を提供し；並びに、ｂ）マイクロ波アシストマグネトロンスパッタリングによって、２０μｍを超える厚みのアルミナの層を硫化亜鉛またはセレン化亜鉛上に、６０Å／分以上の堆積速度で堆積させる；ことを含む方法。 - 特許庁

Further, the step of selectively recovering at least either one of a transformer, a magnetron and a condenser is preferably provided after the coarse crushing step.例文帳に追加

本発明の廃電子レンジの再資源化方法においては、前記粗破砕工程の前に、廃電子レンジからドアユニットを取り除く工程を含むことが好ましく、また前記粗破砕工程の後、トランス、マグネトロンおよびコンデンサから選ばれる少なくともいずれかを選択的に回収する工程を含むことが好ましい。 - 特許庁

To provide a door of a microwave oven in which sanitary problem is eliminated by preventing foreign matters from sticking to the gap between the bending part and the choke cover of the door frame and which can effectively shield the electromagnetic wave generated from the magnetron by appropriately adjusting the size of a capacitor.例文帳に追加

異物質がドアフレームのベンディング部とチョークカバー間のギャップにつかないようにして衛生上の問題点を解消し、且つ、キャパシタの大きさを適切に調節することで、マグネトロンから発生する電磁波を効果的に遮蔽し得るマイクロウエーブオーブンのドアを提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for manufacturing a highly efficient flexible copper film-laminated strip by improving adhesiveness between a polyimide strip and a thin metal film, and removing stress from copper films laminated through magnetron sputtering being a dry deposition process.例文帳に追加

ポリイミドフィルムと金属薄膜層との間の接着性を向上させ、乾式蒸着法であるマグネトロンスパッタリング法により形成された銅積層膜の応力を除去して、高効率の軟性銅箔積層フィルムを製造する軟性回路基板の製造装置及び方法を提供する。 - 特許庁

In the dual magnetron sputtering apparatus for depositing a film containing a target component to a substrate disposed in a vacuum chamber, by applying an AC voltage to two cathodes, an earth shield is disposed around each target, and the periphery of a cathode in the chamber is electrically insulated.例文帳に追加

２つのカソードに交流電圧を印加し、真空槽内に配置された基板にターゲット成分を含む膜を付着するデュアルマグネトロンスパッタリング装置において、各ターゲットの周囲にはアースシールドが設けられ、かつ、チャンバー内のカソードの周辺をアースと電気的に絶縁した。 - 特許庁

In the case of forming the fluoride optical thin film on the quartz substrate by the reactive DC magnetron sputtering, especially a 1st layer of a multilayer optical thin film is formed by a filming process with priority given to adhesiveness rather than to absorbong characteristics.例文帳に追加

本発明は、反応性ＤＣマグネトロンスパッタにおいて、フッ化物光学薄膜を石英基板に成膜する際、多層光学薄膜の特に第１層目の成膜プロセスを、膜の吸収特性よりも密着性を優先したものとして成膜を行うことを特徴とする。 - 特許庁

To provide an electrodeless lamp system in which a magnetron momentarily receives a high electric power by pulse driving to generate electromagnetic wave, and the plasma state of a valve is repeatedly activated by the generated electromagnetic wave to improve light efficiency, and its control method.例文帳に追加

パルス駆動により高い電力を瞬間的にマグネトロンに印加して電磁波を発振し、前記発振された電磁波によりバルブのプラズマ状態を繰り返して活性化することにより光効率を向上させる無電極ランプシステム及びその制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a high purity nickel or nickel alloy target for magnetron sputtering which has a high sputtering efficiency, and can make better the uniformity of film thickness and the ignition properties of plasma even in a production process using a 300 mm wafer, and to provide a production method therefor.例文帳に追加

３００ｍｍウエハを用いた製造プロセスにおいても、スパッタリング効率が高く、膜のユニフォーミティ（膜厚の均一性）とプラズマのイグニッション（点弧）性を良好にすることができるマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The organic light-emitting device has at least one light-emitting organic material layer between a first electrode and a second electrode, one of the first electrode and the second electrode is a multilayer structure, and each layer of the multilayer structure is sputtered by a DC magnetron.例文帳に追加

第１の電極と第２の電極との間に配置された少なくとも１つの発光性有機材料層を有し、前記第１の電極及び第２の電極の一方が多層構造であり、前記多層構造の各層がＤＣマグネトロンによりスパッタされた層である有機発光デバイスにつき開示する。 - 特許庁

A magnetron sputtering source has a means for generating a coating plasma, and at least one magnet arrangement 7 for generating a magnetic field for the purpose of influencing the coating plasma such that at least one plasma channel 8 is generated above one section of the surface 4' of the target 4.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング源はコーティング用プラズマを発生させるための手段と、磁場を発生させることでコーティング用プラズマに影響を与え、少なくとも１つのプラズマチャネル８をターゲット４の一部４´上方で発生させるための少なくとも１つの磁石配列７を備える。 - 特許庁

A heating cooker comprises a heating chamber for housing foods; a metal plate having a magnetron generating microwaves heating the food, electrically insulated from the heating chamber, and having a maximum length smaller than a wavelength of the microwaves; and a temperature sensor for measuring the temperature of the metal plate.例文帳に追加

食品を収納する加熱室と、前記食品を加熱するマイクロ波を発生するマグネトロンを備え、該加熱室と電気的に絶縁されており、該マイクロ波の波長よりも最大長さが小さい金属板と、該金属板の温度を計測する温度センサを設けたことを特徴とする加熱調理器。 - 特許庁

The circuit includes a high voltage transformer which boosts the voltage of a commercial power supply, a magnetron which generates a microwave by a high voltage from the transformer, and a compensation part which compensates a decrease in power factor due to a phase difference between the voltage and current of the transformer.例文帳に追加

商用交流電源の電圧を昇圧させる高圧変圧器と、前記高圧変圧器からの高圧によりマイクロ波を発振させるマグネトロンと、前記高圧変圧器の電圧と電流間の位相差による力率低下を補償する力率補償部とを含む。 - 特許庁

Thereby, current increase of a high voltage rectification circuit 8 caused by reduction of oscillation start voltage by a temperature rise of a magnetron 9 is estimated from the pulse width detected by the pulse width detection part 16, and the overheat of the protection target element can be certainly protected when the cooling is abnormal.例文帳に追加

これにより、マグネトロン９が温度上昇することによってその発振開始電圧が低下することに起因する高圧整流回路８の電流増加をパルス幅検出部１６の検出するパルス幅から推定し、冷却異常時には確実に保護対象素子の過熱保護ができる。 - 特許庁

A first underlayer 12a, a Cr-Mn layer 15, a second underlayer 12b, a magnetic recording layer 13 of a Co alloy and a carbon protective layer 14 are successively deposited by DC magnetron sputtering on a nonmagnetic substrate 11 of an aluminum alloy having an Ni-P plating layer in a circumferential direction.例文帳に追加

円周方向にＮｉ−Ｐメッキ層を有するアルミ合金の非磁性基体１１上に、第１下地層１２ａと、Ｃｒ−Ｍｎ層１５と、第２下地層１２ｂと、Ｃｏ合金の磁性記録層１３と、カーボン保護層１４とが順次ＤＣマグネトロンスパッタ成膜されている。 - 特許庁

When the upper cup 19 is put inside from the opening 5a of a case body 2 and a start switch 31 is pressed, a magnetron 9 oscillates, the extraction liquid 39 is heated by electromagnetic waves, the functional filter 35 drips the extraction liquid 39 together with the rise of a temperature and it is accumulated in a cup 23.例文帳に追加

上カッブ１９を筐体２の開口５ａから中に入れ、スタートスイッチ３１を押すとマグネトロン９が発振し電磁波によって抽出液３９を加熱し、温度の上昇とともに機能性フィルタ３５は抽出液３９を滴下させ、カップ２３にたまる。 - 特許庁

This cooker adopts a high speed hot air circulating heating system for heating matter to be cooked by forming a high speed hot air circulating air flow in a heating chamber and a high frequency heating system for high frequency-heating the matter to be cooked by a high frequency heating device containing a magnetron 4 and a high-voltage transformer 5.例文帳に追加

加熱室内に高速熱風循環気流を形成して被調理物を加熱する高速熱風循環加熱方式と、マグネトロン４，高圧トランス５を含む高周波加熱装置で被調理物を高周波加熱する高周波加熱方式とを採用した。 - 特許庁

When a door 11 is closed and the operation of a magnetron 13 is started, the extraction liquid 47 is heated inside an electromagnetic shield 17, extraction is accelerated, and the functional filter 43 passes the extraction liquid 47 through by temperature rise and drips it into a cup 31 for extraction reception from openings 25 and 29.例文帳に追加

扉１１を閉じてマグネトロン１３の動作を開始すると電磁シールド１７内で抽出液４７が加熱されて抽出が加速し、温度上昇により機能性フィルタ４３が抽出液４７を通過させ、開口２５，２９より抽出受け用カップ３１内に滴下させる。 - 特許庁

To provide a magnetron driving power source for an electrodeless light source capable of maintaining stable light emission, dispensing with a waiting time up to re-lighting without turning off the electrodeless light source lamp even when an instantaneous stop of the commercial power supply or an abnormal voltage drop are generated.例文帳に追加

商用交流電源の瞬時停電または異常電圧降下が発生した場合でも、無電極光源ランプを消灯することなく、再点灯までの待ち時間が不要な、安定した発光状態を維持できる無電極光源用マグネトロン駆動電源装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

When a magnetron drive terminating instruction is given, a control circuit 20 controls the inverter power supply circuit 16 so that an input current of the inverter power supply circuit 16 is set at the prescribed value not more than rated current values of the relay switches 15,18, thereafter the control circuit 20 controls the relay switches 15, 18 to be opened.例文帳に追加

制御回路２０は、マグネトロン駆動終了指令が発生したとき、インバータ電源回路１６の入力電流をリレースイッチ１５，１８の定格電流値以下の所定値とするようにインバータ電源回路１６を制御し、その後、リレースイッチ１５，１８を開放するように制御する。 - 特許庁

In another way, the NiAl orientation controlled film is formed on the glass substrate by the DC magnetron sputtering method, a first intermediate film of CoCr, a second intermediate film of CoCrMn and the CoCrPt magnetic film being formed thereon sequentially and a CN protective film being formed lastly.例文帳に追加

基板上に形成されたB2（CsCl）構造、L10(AuCu I)構造、あるいはL21(Cu2AlMn)構造を有する配向制御膜、該配向制御膜上に形成されたCo基合金を含む非磁性中間膜、該非磁性中間膜上に形成されたCo基合金を含む磁性膜を有することを特徴とする磁気記録媒体とする。 - 特許庁

The orthodontic material is manufactured by evacuating a chamber in a magnetron spattering apparatus in which the base material is set, lowering the temperature inside the apparatus to 150°C or lower, introducing Ar gas for etching, forming a film of Ti as an underlayer on the base material, and thereafter, introducing N_2 gas to form the TiN film.例文帳に追加

歯科矯正用材料の製造方法は、基材をセットしたマグネストロンスパッタリング装置のチャンパー内を排気して真空にし、装置内温度を１５０℃以下にしてＡｒガスを導入しエッチングし、機材に下地層としてＴｉを成膜し、その後、Ｎ_２ガスを導入してＴｉＮ膜を形成する。 - 特許庁

The piezoelectric thin film element 1 has such a structure that a platinum lower electrode 3, a first SrTiO_3 thin film 4, an (Na, K, Li)NbO_3 piezoelectric thin film 5, a second SrTiO_3 thin film 6, and a platinum upper electrode 7 are formed on an MgO substrate 2A in sequence by an RF magnetron sputtering method.例文帳に追加

この圧電薄膜素子１は、ＭｇＯ基板２Ａ上に、ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、白金下部電極３、第１のＳｒＴｉＯ_３薄膜４、（Ｎａ，Ｋ，Ｌｉ）ＮｂＯ_３圧電薄膜５、第２のＳｒＴｉＯ_３薄膜６および白金上部電極７を順次形成した構造を有する。 - 特許庁

A control means is mounted for switching the operation of a magnetron 8, a sheathed heater 3, an air flow circulating means 2 and a pump 6 when a predetermined rate of change of weight is achieved on the basis of a signal of a weight sensor 11 detecting the weight of the food during heating.例文帳に追加

加熱中の食品の重量を検知する重量センサ１１の信号を基に、予め設定された重量変化率に到達した時にマグネトロン８とシーズヒータを供３、気流循環手段２およびポンプ６の作動を切り換える制御手段を設けたものである。 - 特許庁

In the range A of one-third or more of a vane length L from this vane tip part 12a, at least one of the pole pieces is installed for the purpose of making a spacing B between a side end part 12b of the vane and the tip parts of the pole pieces to become within 0.015 λ (λ is oscillation wave length of magnetron).例文帳に追加

このベーン先端部１２ａからベーン長Ｌの１／３以上の範囲Ａにおいて、ベーンの側端部１２ｂとポールピースの先端部との間隔Ｂが０．０１５λ（λはマグネトロンの発振波長）以内となるように、ポールピースの少なくとも一方が設けられている。 - 特許庁

The target 16 used in a sputtering apparatus 10 having a magnetron unit 30 mainly consists of a magnetic material such as cobalt, and comprises at least a first part 16a and a second part 16b thicker than the first part.例文帳に追加

本発明は、マグネトロンユニット３０を有するスパッタリング装置１０において用いられるターゲット１６であって、コバルトのような磁性体材料を主成分として構成され、少なくとも、第１部分１６ａと、この第１部分よりも厚い第２部分１６ｂとを有したことを特徴としている。 - 特許庁

Part of microwave energy supplied from the rotary antenna 18 into the heating chamber 10 is approximately circulated via the joint portions to the wave guide portions 25, 26 and the heating chamber 10 to reduce the amount of the microwave energy to be reflected from the heating chamber 10 to the side of a magnetron 16.例文帳に追加

そして、回転アンテナ１８から加熱室１０内に供給されたマイクロ波エネルギの一部を結合部を介して導波部２５、２６と加熱室１０とを略循環させることにより、加熱室１０からマグネトロン１６側へ反射するマイクロ波エネルギ量を減少させることができる。 - 特許庁

The sputtering apparatus has a cylindrical target 123 equipped with a magnetron magnetic field forming means 122 and an anode 125 provided so as to plug one opening part of the target at the inside of a film deposition chamber, and deposits the thin film on a substrate opposing to the cylindrical target 123.例文帳に追加

成膜室の内部にマグネトロン磁場形成手段１２２を備えた円筒状ターゲット１２３と、該ターゲットの一方の開口部を塞ぐように設置されたアノード１２５と、を有し、前記円筒状ターゲットと対向する基板上に薄膜を堆積させるスパッタ装置を、つぎのように構成する。 - 特許庁

The microwave oven has a heating chamber 1 of a lengthwise and breadthwise symmetrical shape fitted with a vertical part 3c at the center of its top face and a waveguide 3 reaching a horizontal part 3a where a magnetron is mounted through a 45° bent part, and a stirrer wing 4 is made rotated on a center axis of the heating chamber.例文帳に追加

前後左右対称形状の加熱室１の天面中央に垂直部３ｃを有し、４５度曲げ部３ｂを経てマグネトロン５が取り付けられる水平部３ａに至る導波管３を設け、スタラー羽根４を加熱室中央軸上で回転させたものである。 - 特許庁

Therefore, even if a work processing device S happens to have no works to be irradiated on as the works W are only intermittently conveyed, or the like, maintenance of the microwave generating device 20 can be alleviated by minimizing a period for it to operate as in the case of a magnetron.例文帳に追加

したがって、ワークＷが間欠的に搬送されるなどして、被照射対象のワークＷが存在しない場合のあるワーク処理装置Ｓにおいて、マグネトロンなどのマイクロ波発生装置２０を稼働させる期間を最小限とし、該マイクロ波発生装置２０のメンテナンスを軽減することができる。 - 特許庁

This plasma etching apparatus 10 comprises a chamber 12 having an etching chamber 12a, an XYZ table 16 on which a silicon wafer 14 is loaded, an actuator 18 for the XYZ table 16, a nozzle 20A, and a magnetron 24 for generating a plasma from a process gas fed to the nozzle 20A.例文帳に追加

プラズマエッチング装置１０は、エッチング室１２ａを有するチャンバ１２と、Ｓｉウエハ１４が載置されるＸＹＺテーブル１６と、ＸＹＺテーブル１６の駆動部１８と、ノズル２０Ａと、ノズル２０Ａへ供給される処理ガスをプラズマ化するマグネトロン２４とから構成されている。 - 特許庁

Since the dew condensate is thus absorbed by the absorber 14, the dew condensate does not overflow even if the heating cooker 1 is tilted or moved, and there is no splashing on electric components such as a circuit board 16 and a magnetron 17, thus ensuring safety.例文帳に追加

このようにして、結露水は吸収体１４に吸収されるため、加熱調理器１を傾けたり、動かされることがあっても結露水が溢れ出ることがなく、回路基板１６やマグネトロン１７といった電気部品にかかることもなく、安全性を確保することができる。 - 特許庁

In this heating cooker 1 comprising a steam generator 40, a magnetron 91, a blower fan 28, a first pipe 61, an exhaust passage 67, a damper 68 and an exhaust duct 65, the blower fan 28 is switched on, and the exhaust passage 67 is opened by the damper 68 in performing the heating cooking by microwave.例文帳に追加

蒸気発生装置４０,マグネトロン９１,送風ファン２８,第１パイプ６１,排気通路６７,ダンパ６８および排気ダクト６５を備えた加熱調理器１において、マイクロ波で加熱調理を行う際に、送風ファン２８をオンし、ダンパ６８によって排気通路６７を開放する。 - 特許庁