「Memory Cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(78ページ目) - Weblio英語例文検索

An oblique line is a region used as one memory cell, and the memory cells, not shown, are integrated in an array form with the oblique line formed as a unit region.例文帳に追加

斜線部が１つのメモリセルに使われる領域であって、この斜線部領域を単位領域としてアレイ状にメモリセル（図示せず）が集積される。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory whose life can be extended by averaging use state for each memory cell, and to provide a rewrite control method thereof.例文帳に追加

メモリセル単位で使用状況を平均化することにより長寿命化を図ることのできる半導体メモリ及びその書換制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a magnetic memory element which is free from an adverse influence on a peripheral region other than a memory cell region, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

メモリセル領域以外の周辺領域に悪影響を与えることがない、磁気メモリ素子を有する半導体装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

Therefore, the memory cell can be protected against damage caused by etching of an oxide film, so that a semiconductor non-volatile memory excellent in characteristics can be obtained.例文帳に追加

このため、酸化膜エッチングによってメモリセルにダメージを与えることがなく、良好な特性を有する半導体不揮発性メモリを得ることができる。 - 特許庁

The memory control device controls the predetermined memory cell to store write information according to the address information and write instruction information including write information.例文帳に追加

メモリ制御装置は、アドレス情報及び書込用情報を含む書込指示情報に応じて、上記特定されたメモリセルに書込用情報を保持させる。 - 特許庁

To provide a memory apparatus which can suppress the decrease of readout margin due to fluctuation in reference potential while reducing the area of a memory cell array.例文帳に追加

メモリセルアレイの面積を縮小しながら、リファレンス電位の変動に起因する読み出しマージンの減少を抑制することが可能なメモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory for outputting information containing reliability of bit data while outputting the bit data read out from a memory cell.例文帳に追加

メモリセルから読み出されたビットデータを出力しつつ、該ビットデータの信頼性を含む情報を出力することが可能な不揮発性半導体メモリを提供する。 - 特許庁

A magnetoresistive access memory (MRAM) cell array device which can realize a resistive intersection memory (RXPtM) device comprises a chip (i.e., substrate) in which an array of the MRAM cells is formed.例文帳に追加

抵抗性交点メモリ（RXPtM）デバイスに具現化することが可能な磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)セルアレイデバイスは、MRAMセルのアレイが形成されるチップ（すなわち、基板）を含む。 - 特許庁

To provide an efficient writing/reading/erasing operation system in a nonvolatile semiconductor memory having a side wall control type memory cell structure.例文帳に追加

側壁コントロール型メモリセル構造を有する不揮発性半導体記憶装置において、効率の良い、書き込み、読み出し、消去動作方式を提供する。 - 特許庁

In data reading, the memory reads the data by amplifying a current corresponding to the data of memory cell 1 appearing on the bit line with the bipolar transistor 6.例文帳に追加

そして、データの読み出し時に、ビット線ＢＬに現れるメモリセル１のデータに対応する電流をバイポーラトランジスタ６により増幅してデータを読み出す。 - 特許庁

To provide a compact semiconductor memory device fully utilizing characteristics of a plurality of types of non-volatile memories having different memory cell configurations.例文帳に追加

異なるメモリセル構成を持つ複数種類の不揮発性メモリの特性を最大限に活用できると共に、小型化が可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory which can discriminate easily whether each memory cell group is normal or not while shortening the test time.例文帳に追加

各メモリセルグループが正常か否かを容易に判定することができ、かつテスト時間の短縮化を図ることが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To shorten the access time of a semiconductor memory having a redundant circuit for relieving the defect of a memory cell area.例文帳に追加

本発明は、メモリセル領域の不良を救済するための冗長回路を有する半導体メモリに関し、アクセス時間を短縮することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device that achieves suppression of deterioration in writing characteristics without deteriorating characteristics of peripheral circuits other than a memory-cell transistor element.例文帳に追加

モリセルトランジスタ素子以外の周辺回路の特性を低減させることなく、書込み特性の劣化を抑制した半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a miniaturized semiconductor memory device capable of suppressing degradation of current drive capability of a cell transistor and dispersion of signals for each memory cells.例文帳に追加

セルトランジスタの電流駆動能力の劣化を抑制し、メモリセルごとの信号のばらつきを抑制し、かつ、微細化された半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which a faulty memory cell can be specified and relieved when a standby current failure occurs due to small leakage.例文帳に追加

微小なリークによるスタンバイ電流不良が生じた場合に、不良メモリセルを特定し救済することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor memory device 100, when data is written in a memory cell 3, a first switch circuit 8 is turned ON while a second switch circuit 9 is turned OFF.例文帳に追加

半導体記憶装置１００は、メモリセル３にデータを書き込む場合は、第１のスイッチ回路８がオンするとともに第２のスイッチ回路９がオフする。 - 特許庁

This semiconductor memory 5 has an interface 10, a memory cell array 11, a YUV-RGB conversion circuit 121, an α blend circuit 122 and a control circuit 124.例文帳に追加

半導体メモリ５は、インタフェース１０、メモリセルアレイ１１、ＹＵＶ−ＲＧＢ変換回路１２１、αブレンド回路１２２および制御回路１２４を有する。 - 特許庁

To provide an inexpensive semiconductor memory device provided with an FET having a back gate that can be controlled independently from a front gate as a memory cell.例文帳に追加

フロントゲートとは独立に制御可能なバックゲートを有するＦＥＴをメモリセルとして備え、かつコストの低廉な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The memory cell 27m is capable of independently storing/reading information in the memory function members 27mr and 27m1 of both sides of the gate electrode.例文帳に追加

メモリセル２７ｍは、ゲート電極の両側のメモリ機能体２７ｍｒ、２７ｍｌにおいて、夫々独立した情報の記憶及び読出しが可能である。 - 特許庁

This semiconductor device uses structure in which an output terminal 40c of a switching element 40 is connected to a terminal 20b by which write-in of data of a memory element 20 is performed, as a memory cell.例文帳に追加

記憶素子２０のデータ書き込みを行う端子２０ｂにスイッチング素子４０の出力端子４０ｃを接続した構造をメモリセルとして用いる。 - 特許庁

Each of the non-volatile memories 21-0, 21-1 includes a plurality of pages each of which is composed of a plurality of memory cells, and each memory cell can store N bits (N is a natural number of ≥2).例文帳に追加

不揮発性メモリは、それぞれが複数のメモリセルからなる複数のページを含み、各メモリセルは、Ｎビット（Ｎは２以上の自然数）を記憶可能である。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device such that the operating speed of a cell transistor is fast and variation in threshold is small, and to provide a method of manufacturing the nonvolatile semiconductor memory device.例文帳に追加

セルトランジスタの動作速度が速く、しきい値の変動が小さい不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A ferroelectric memory 30 is provided with a memory cell block MCB, a sense amplifier SA0, SA1, and SAn-1, isolation transistors, and column selection transistors.例文帳に追加

強誘電体メモリ３０にはメモリセルブロックＭＣＢ、センスアンプＳＡ０、センスアンプＳＡ１、センスアンプＳＡｎ−１、分離トランジスタ、及びカラム選択トランジスタが設けられる。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a flash memory element capable of improving reliability by accurately matching electric connection between a segment transistor and a memory cell area.例文帳に追加

セグメントトランジスタとメモリセル領域間の電気的接続を正確に整合させて、信頼性を向上し得るフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a storage cell for a memory element, a phase change type memory element in which operating current is decreased and high integration is achieved, and its forming method.例文帳に追加

動作電流を減少させて高集積化に適する、記憶素子のための貯蔵セル、ならびに相変化記憶素子及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

Sense amplifiers 17, 18 are arranged respectively between a bit line BL1 of a memory cell block in which memory cells 29 are arranged and adjacent bit lines BL0, BL2.例文帳に追加

メモリセル２９を配置したメモリセルブロックのビット線ＢＬ１と、隣接ブロックのビット線ＢＬ０，ＢＬ２との間に、それぞれセンスアンプ１７，１８を介設する。 - 特許庁

To enable data write in only one selected memory cell even if a low voltage power source is used while data of non-selected memory cells are satisfactorily held.例文帳に追加

非選択メモリセルのデータを良好に保持しながら、低電源電圧であっても、１つの選択メモリセルのみについてデータ書き込みを可能にする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which read and write operation can be performed by access of only one time, even when data of bit width toward a memory cell array are read and writen from an address on a middle way.例文帳に追加

途中のアドレスからメモリセルアレイの行方向のビット幅分のデータを読み書きする場合でも、１回のアクセスでよい半導体記憶装置を得る。 - 特許庁

A data management section 106 compares the data held by the nonvolatile memory cell 103 and volatile memory cells 104, 105 to determine whether matching is obtained or not.例文帳に追加

データ管理部１０６は、不揮発性メモリセル１０３、揮発性メモリセル１０４、１０５が保持するデータを比較し、整合が取れているか否かを判断する。 - 特許庁

To provide a non-volatile memory device, in which a memory cell size is reduced, and low-voltage operation and low-current operation are realized, and to provide a method for producing the device.例文帳に追加

メモリセルサイズを小さくし、かつ低電圧動作及び低電流動作を実現した不揮発性記憶装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To make it possible to predict such yield that can cope with a case when a fuse used for redundancy relief of a memory cell is shared for a plurality of memory circuits.例文帳に追加

メモリセルの冗長救済に用いるヒューズを複数のメモリ回路について共有化した場合に対応した歩留まり予測を可能にする。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory in which over-erasion is not caused even if a memory cell is replaced in the direction of word line, and which has good relieving efficiency.例文帳に追加

ワード線方向にメモリセルを置換しても過剰消去が生じず、且つ救済効率の良い不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A memory cell CM 11 is provided with a pair of transistors MT1, MT2 for memory constituted so as to be positive-fed back mutually through a partner transistor.例文帳に追加

メモリセルＭＣ１１は、相手のトランジスタを介して相互に正帰還がかかるよう構成された一対の記憶用トランジスタＭＴ１，ＭＴ２を備えている。 - 特許庁

A memory cell array block 310 of the MRAM 300 is arrayed with a plurality of magnetic memory cells 311 at the intersection points of word lines, digit lines and bit lines.例文帳に追加

ＭＲＡＭ３００の、メモリセルアレイブロック３１０には、ワードライン、デジットライン、及びビットラインの交差点に複数個の磁気メモリセル３１１が配列される。 - 特許庁

The non-volatile memory cell has a variable magneto-resistance element as a memory element to store information with the non-volatile mode according to a resistance value of the variable magneto-resistance element.例文帳に追加

この不揮発性メモリセルは、記憶素子として、可変磁気抵抗素子を有し、可変磁気抵抗素子の抵抗値に応じて情報を不揮発的に記憶する。 - 特許庁

Programming voltage is applied to a DRAM memory cell consisting of word lines, bit lines, transistors, and capacitive storing devices to fully employ the functions of a non-volatile memory.例文帳に追加

不揮発性メモリの機能を発揮させるために、プログラミング電圧をワード線、ビット線、トランジスタ、および容量記憶デバイスからなるＤＲＡＭメモリ・セルに印加する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device, of which the satisfied operational performance can be secured by constituting hierarchized memory cell arrays and arranging the memory cells with high density.例文帳に追加

階層化されたメモリセルアレイを構成し、メモリセルを高密度に配置して良好な動作性能を確保可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory circuit which incorporates a test circuit having less number of circuits and in which a defective memory cell can be detected surely for a less test time.例文帳に追加

少ない回路数でテスト回路を内蔵して、少ないテスト時間で不良メモリセルを確実に検出できる半導体記憶回路を提供する。 - 特許庁

To provide a voltage generating circuit capable of preventing the threshold distribution of a memory cell from being spread by a temperature change in a flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリにおいて温度変化によるメモリセルのしきい値分布が広がるのを抑制できる電圧発生回路を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory in which area per single memory cell is reduced and the constitution of a reference voltage generating circuit is simplified.例文帳に追加

１メモリセル当たりの面積を小さくできる上に、基準電圧発生回路の構成の単純化が実現できる不揮発性記憶装置の提供。 - 特許庁

To provide a memory capable of suppressing an increase in current consumption (power consumption) and a long access time of a memory cell.例文帳に追加

消費電流（消費電力）が増加するのを抑制するとともに、メモリセルのアクセス時間が長くなるのを抑制することが可能なメモリを提供する。 - 特許庁

To enable analysis of light emission and heat generation and the like, in a state where a desired memory cell is selected, even if the operation of a peripheral circuit is stopped in a memory circuit.例文帳に追加

メモリ回路における周辺回路を動作停止状態としても所望のメモリセルを選択した状態で、発光、発熱解析等を行える。 - 特許庁

To restrain the deterioration of write speed of a flash memory by suppressing bird's beak generated in an interlayer film interposed between a floating gate and a control gate for a memory cell.例文帳に追加

メモリセルの浮遊ゲートと制御ゲートとの間に介在する層間膜において生ずるバーズビークを抑えて、フラッシュメモリの書き込み速度の低下を抑制する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a memory element in which the unit cell area of a memory element, having resistance change layer as a storage node, can be reduced to less than 4F^2.例文帳に追加

抵抗変化層をストレージノードとして備えるメモリ素子の単位セル面積を４Ｆ^２未満に減らせるメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁