「Memory type」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

An on-chip memory 104 is divided into a plurality of sub-areas S which adjoin one another and are sectioned having data kinds of the same type respectively.例文帳に追加

オンチップメモリ１０４は，互いに隣接し，それぞれが同じタイプのデータ種別を有するように区分された複数のサブ領域Ｓに分割されている。 - 特許庁

To improve the processing speed of a parallel program by generating the parallel program actualizing optimum data decentralization with respect to decentralized common memory type parallel computers.例文帳に追加

分散共有メモリ型並列計算機において、最適なデータ分散を実現する並列プログラムを生成し、並列プログラムの処理速度を向上させる。 - 特許庁

To provide an effective data storage method and data reading method when using a NAND type flash memory as an image data storage means of a game machine.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリを遊技機の画像データ記憶手段として用いる場合に、有効なデータ記憶方法およびデータ読み出し方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a NAND type flash memory which can form distribution of thresholds to also a negative side, while suppressing increase of current and increase of a precharge period.例文帳に追加

電流増加やプリチャージ時間の増加を抑えつつ、負側にも、しきい値の分布を形成することが可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリを提供する。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus of a cleaning blade-less type which is superior so that a high-quality print image is continuously obtained in a state of being free of image memory even when printing a number of sheets.例文帳に追加

多数枚プリントしても画像メモリが無く、継続して高品質のプリント画像が得られる優れたクリーニングブレードレスの画像形成装置の提供。 - 特許庁

To suppress a peak current and a supply-voltage drop in QPW operation in a NAND-type multivalued flash memory capable of the QPW operation.例文帳に追加

ＱＰＷ動作が可能なＮＡＮＤ型の多値フラッシュメモリにおいて、ＱＰＷ動作の際のピーク電流と電源電圧降下とを抑制できるようにする。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device and a depletion type MOS transistor, which improve a breakdown voltage of a transistor and improve operation reliability.例文帳に追加

トランジスタの耐圧を向上し、動作信頼性を向上出来る不揮発性半導体記憶装置及びディプレッション型ＭＯＳトランジスタを提供すること。 - 特許庁

To solve the problem that an FG-type NAND memory cell array, which is made fine, has potential interference between proximity cells and becomes unstable in operation due to malfunction, depending on the circumstances.例文帳に追加

微細化されたＦＧ型ＮＡＮＤメモリセルアレイでは、近接セル間で電位干渉が生じ、動作が不安定になり、場合によっては誤動作する。 - 特許庁

To provide a dot matrix type display device which suppresses an increase in power consumption, has shortened rewriting time and includes a display material layer having a memory property.例文帳に追加

消費電力の増加を抑制し、かつ書換え時間を短縮した、メモリ性を有する表示材料層を有するドットマトリクス型表示装置の実現。 - 特許庁

To provide a driving method in a memory-type ferroelectric liquid crystal panel, which does not cause screen flickering due to a reset operation in every update of image data.例文帳に追加

メモリ性のある強誘電性液晶パネルにおいて、画像データの更新毎にリセット動作による画面のちらつきのない駆動方法を提供する。 - 特許庁

To provide an external indicator that is capable of utilizing client/server type asynchronous communication for communication with a field apparatus even in low memory resource situations.例文帳に追加

少ないメモリ資源においても、フィールド機器との通信にクライアント／サーバー型の非同期通信を利用することを可能とする外部指示計を実現する。 - 特許庁

To enable a bit line capacity and a precharge electric power to be cut off at a data writing operation in a NAND type flash memory and to efficiently perform the data writing.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリで、データ書き込み時のビット線容量及びプリチャージ電力を削減でき、また、データ書き込みを効率的に行う。 - 特許庁

In a stacked type semiconductor memory device using the variable resistor film, a trench 2a is formed in an interlayer insulating film 2 of the perimeter of a conductive pattern 4.例文帳に追加

可変抵抗膜を用いたスタック型の半導体メモリ装置において、導電パターン４の周辺の層間絶縁膜２に溝２ａを形成する。 - 特許庁

To provide a monolayer type electrophotographic photoreceptor which can effectively suppress an exposure memory and is highly sensitive, and to provide an image forming apparatus using the same.例文帳に追加

露光メモリを効果的に抑制できるとともに、高感度である単層型電子写真感光体及びそれを用いた画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a resistance change type memory device capable of preventing disturbance caused by the flowing of reverse element current at the end time of a low resistance operation.例文帳に追加

低抵抗化動作の終了時に、逆向きの素子電流が流れディスターブが発生することを防止した抵抗変化型メモリデバイスを提供する。 - 特許庁

A UIM card 200 is mounted on a telephone body 100, and an application program main part P2 is stored in a non-volatile type memory 221 on the side of UIM card 200.例文帳に追加

電話機本体１００にＵＩＭカード２００を装着し、ＵＩＭカード２００側の不揮発性メモリ２２１に、アプリケーションプログラム本体Ｐ２を格納する。 - 特許庁

A memory section 120 in the control apparatus stores a work content-worker type relationship table T0 and a work content-equipment operation relationship table T1.例文帳に追加

制御装置の記憶部１２０には、作業内容−作業者種別関係表Ｔ０と、作業内容−機器動作関係表Ｔ１とを記憶している。 - 特許庁

To reduce operational voltage of data writing/erasing of a MONOS type nonvolatile memory cell, and to make operational speed of the data writing/erasing higher.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型不揮発性メモリセルのデータ書込み／データ消去の動作電圧を低減し、または、データ書込み／データ消去の動作速度を高速化する。 - 特許庁

A main program code to be used for the control of the terminal by a CPU 11 is stored in a low-speed ROM 14 being an inexpensive NAND type flash memory.例文帳に追加

ＣＰＵ１１が端末装置の制御に用いる本体プログラムコードを、低価格のＮＡＮＤ型フラッシュメモリである低速ＲＯＭ１４に格納している。 - 特許庁

Furthermore, the control section 21 acquires data relating to a registration number, an application type, and the standard number of purchase lottery tickets registered in a memory 51 of a cash card 50.例文帳に追加

更に、制御部２１は、キャッシュカード５０のメモリ５１に記録された登録ナンバー、申込タイプ、基準購入枚数に関するデータを取得する。 - 特許庁

A cellular phone 17 with a photographing function is equipped with a non-contact information transmission-type recording medium 19 which is freely detachable from an external memory mounting part 18.例文帳に追加

撮影機能付き携帯電話１７は外部メモリ装着部１８に着脱自在な非接触情報伝達型の記録メディア１９を備えている。 - 特許庁

A controller 11 of the storage type water heater 1 determines boiling temperature based on the history data of past intensive load stored in a memory 12.例文帳に追加

貯湯式給湯装置１のコントローラ１１は、メモリ１２に格納されている過去の集中的な負荷の履歴データに基づいて、沸き上げ温度を定める。 - 特許庁

To make it possible to stably read and verify a negative threshold cell in a NAND type flash memory in which the negative threshold cell is present.例文帳に追加

本発明は、負の閾値セルが存在するＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、負の閾値セルの安定した読み出しおよびベリファイができるようにする。 - 特許庁

To simplify a management system by eliminating necessity for a management apparatus to manage a memory address corresponding to each type and each production version of an image forming apparatus.例文帳に追加

管理装置が画像形成装置の種類、製造バージョン毎に対応するメモリアドレスを管理しておく必要がなく、管理体系を簡素化する。 - 特許庁

To provide a synchronizing type DRAM which can lighten a burden of a system side by bearing one part of control performed normally by the system side (microcomputer side) by a memory side.例文帳に追加

システム側（マイコン側）が通常行っていた制御をメモリ側が一部負担し、システム側の負担を軽減することができる同期型ＤＲＡＭを提供する。 - 特許庁

To improve data locality and to accelerate the processing speed of parallel programs in parallelizing consecutive sequence programs in a distributed shared memory type parallel computers.例文帳に追加

分散共有メモリ型並列計算機において、逐次プログラムを並列化する際、データローカリティを高めて、並列プログラムの処理速度を高速化する。 - 特許庁

To display data on a memory type liquid crystal panel using a liquid crystal driver IC with a low withstand voltage even when negative display and positive display are periodically performed.例文帳に追加

ネガポジ表示を周期的に行なった場合でも、低耐圧の液晶ドライバＩＣを用いてメモリ性液晶パネルにデータ表示を良好に行なう。 - 特許庁

A capacitor consisting of a lower electrode 8, a capacitance insulation film 9, and a cell-plate-type upper electrode 10 is formed on a memory cell region Rmem of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１のメモリセル領域Ｒmemに、下部電極８と容量絶縁膜９とセルプレート型の上部電極１０からなるキャパシタを形成する。 - 特許庁

To read or write data depending on the type thereof while utilizing the memory resource effectively and saving the labor unnecessary for the user.例文帳に追加

メモリ資源の有効活用化を図ると共に、ユーザにとって不要な手間を省きつつ、データの種類に応じたデータの書き込み又は読み出しを可能とする。 - 特許庁

To provide a VLIW type microprocessor equipped with a dynamic compiler to reduce overhead, and to reduce a memory capacity for storing an object code after scheduling.例文帳に追加

動的コンパイラを備えるVLIW型マイクロプロセッサにおいて、オーバーヘッドを低減することや、スケジューリング後のオブジェクト・コードを格納するためのメモリ容量を抑えること。 - 特許庁

Then an n-type ion implantation region n1 is formed by performing ion implantation dp01 on the principal surface s1 below the side of the memory gate insulating electrode MG1.例文帳に追加

その後、メモリゲート電極ＭＧ１の側方下部の主面ｓ１にイオン注入ｄｐ０１を施してｎ型イオン注入領域ｎ１を形成する。 - 特許庁

To provide a dispersed and shared memory type multi-processor system capable of improving the performance of the whole system by reducing the load on a bus and increasing the hit rate of a cache.例文帳に追加

バスへの負荷を減らし、キャッシュのヒット率を上げてシステム全体の性能を向上可能な分散共有メモリ型マルチプロセッサシステムを提供する。 - 特許庁

To relieve more bit errors of a WL end cell being adjacent to a block selection gate transistor in a NAND type flash memory.例文帳に追加

本発明は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、ブロック選択ゲートトランジスタに隣接するＷＬ端セルのビットエラーをより多く救済できるようにする。 - 特許庁

To speed up read and write of a negative threshold cell in a NAND type flash memory wherein the negative threshold cell is present.例文帳に追加

本発明は、負の閾値セルが存在するＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、負の閾値セルの読み出しおよび書き込みをより高速化できるようにする。 - 特許庁

Upon receiving the data write command, the FIFO type memory S3 stores the required line average concentration based on the continuous input data from an analog divider S2.例文帳に追加

データ書込み指令を受けると、ＦＩＦＯ型メモリＳ３は、除算器Ｓ２からの連続的な入力データから必要なライン平均濃度を記憶する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of writing continuous data over a plurality of row addresses while using a one-write type SRAM element for a storage element.例文帳に追加

記憶素子に１ライト型SRAM素子を用いながら、複数のロウアドレスにまたがる連続データの書き込みを可能とする半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of securing a sufficient operation margin even though a bit line potential is made low voltage during a reading operation of a current value change type memory cell.例文帳に追加

電流値変化型メモリセルの読み出し動作時に、ビット線電位を低電圧化しても十分な動作マージンを確保可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a NAND-type flash memory in which distribution of threshold values can be formed in a negative side while suppressing increment of current and increment of a pre-charge time.例文帳に追加

電流増加やプリチャージ時間の増加を抑えつつ、負側にも、しきい値の分布を形成することが可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリを提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a power supply voltage control circuit for controlling the power supply voltage of a plurality of static type memory cells being a potential difference between a power supply line and a source line.例文帳に追加

電源線とソース線との電位差である複数のスタティック型メモリセルの電源電圧を制御する電源電圧制御回路を具備する。 - 特許庁

To provide a resistance variation type nonvolatile memory device that makes forming efficient by lowering a forming voltage, and reduces a reset current, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

フォーミング電圧を下げ、フォーミングを効率化し、リセット電流を低減した抵抗変化型の不揮発性記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a spin transfer type MTJ-MRAM (magnetic random access memory) cell that can keep a switching magnetic field without increasing switching current and cell size.例文帳に追加

スイッチング電流およびセルサイズの増大という不都合を伴うことなくスイッチング磁界を確保し得るスピントランスファー型ＭＴＪ−ＭＲＡＭセルを提供する。 - 特許庁

In the case that the idle capacity of the image memory 20 is less, the image whose storage period is expired is deleted according to the priority set in response to the image type.例文帳に追加

画像メモリ２０の空き容量が少ない場合、画像種別に応じて設定された優先順位に従い、保存期間が経過した画像から削除する。 - 特許庁

To provide a link device which can reduce the load of the execution of an execution type program on a virtual machine and reduce the capacity of a memory needed for the execution.例文帳に追加

仮想マシンでの実行形式プログラムの実行の負荷を低減し実行に要するメモリの容量を小さくすることのできる、リンク装置を提供する。 - 特許庁

In addition, the CPU 13 selects the guide broadcast information d2 of a type according to the remaining time from the memory 12 and outputs it to a broadcast device 4.例文帳に追加

また、このＣＰＵ１３は、残り時間に応じた種類の案内放送情報ｄ２をメモリ１２から選択して放送装置４に出力する。 - 特許庁

A restoration program for IC is read from the IC card 2, whereby setting data on the ICs to be restored of a flash-memory type PLA (programmable logic array) or the like, can be rewritten.例文帳に追加

ＩＣカード２からＩＣ修復プログラムを読み込み、フラッシュメモリタイプのＰＬＡなどの修復対象のＩＣの設定データを書き直すことができる。 - 特許庁