「Memory type」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

In the write operation of the NAND-type flash memory, a row decoder applies a first voltage lower than a voltage applied to a control gate of other memory cells of a NAND string to a control gate of a first memory cell adjacent to a drain side selection gate transistor in NAND strings to cut off an area between the other memory cells of the NAND strings and the drain side selection gate transistor.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの書き込み動作時において、ロウデコーダは、ＮＡＮＤストリングのうちドレイン側選択ゲートトランジスタに隣接する第１のメモリセルの制御ゲートに、ＮＡＮＤストリングの他のメモリセルの制御ゲートに印加される電圧よりも低くい第１の電圧を、前記ＮＡＮＤストリングの他のメモリセルと前記ドレイン側選択ゲートトランジスタとの間をカットオフするように、印加する。 - 特許庁

To obtain an NROM type memory array of such a structure as adjacent memory units MU share a diffusion bit line interposed between in which generation of a through current path is blocked at the time of reading or writing data simultaneously from or into two memory transistor cells.例文帳に追加

隣接するメモリユニットＭＵがその間にある拡散ビット線を共有する構成であるＮＲＯＭ型メモリアレイにおいて、２個のメモリトランジスタセルを同時に読み出すあるいは書込む場合に貫通電流パスが生じるため本発明は、かかる貫通電流パスの生成を阻止するＮＲＯＭ型メモリアレイを提供することを目的とする。 - 特許庁

Further, the semiconductor memory device includes: a plurality of binary-valued memory cells disposed on the main plane of the semiconductor substrate along a second direction in parallel to the main plane; and a third semiconductor region of a second conductive type, selectively disposed on the surface of the semiconductor substrate between each binary-valued memory cell.例文帳に追加

さらに、前記半導体基板の前記主面上に設けられ、前記主面に対して平行な第２の方向に沿って設けられた複数の２値記憶セルと、前記２値記憶セルの間の前記半導体基板の表面に選択的に設けられた第２導電形の第３半導体領域と、を備える。 - 特許庁

After the charge, a selected memory cell is connected to the bit line, the reference bit line is connected to a reference voltage generating circuit, and a voltage differential type sense amplifier amplifies difference voltage between voltage of the bit line decreased by discharge of the selected memory cell and voltage of the reference bit line generated by the reference voltage generating circuit, to thereby read out memory cell data.例文帳に追加

その後、選択されたメモリセルがビット線に導通され、リファレンスビット線が参照電圧生成回路に導通され、電圧差動型センスアンプが、メモリセルの放電により低下するビット線の電圧と参照電圧生成回路によって発生するリファレンスビット線の電圧との差電圧を増幅して、メモリセルデータを読み出す。 - 特許庁

A micro-computer 1 is formed in the approximately same size as or smaller than a card-type data storage memory 2, the memory 2 is disposed while being laminated in the micro-computer 1, and an imaging means and (or) sound recording means for storing images or (sounds) is disposed while being connected to the memory via the micro-computer.例文帳に追加

超小型コンピュータ１をデータ保存用のカード型のメモリー２と略同サイズ又は小サイズに形成し、メモリー２を超小型コンピュータ１に積層配置すると共に、超小型コンピュータを介してメモリーに画像又は（及び）音声を保存するための撮像手段又は（及び）録音手段を接続配置した。 - 特許庁

An image storage device is configured with a built-in type large capacity memory that can store a plurality of image data, a card slot that is used to extract image data from a loaded card memory, and a control means that automatically turns on a power supply of the device, in response to the loading of the card memory to the card slot.例文帳に追加

画像蓄積装置において、複数の画像データを記憶可能な内蔵型大容量メモリと、挿入されるカードメモリ内の画像データを吸上げるカードスロットと、前記カードスロットにカードメモリが挿入されることに応答して装置の電源を自動的にオンする制御手段とを有する構成とした。 - 特許庁

The n EEPROM cells for memory are used for writing a data wherein the data is written into one EEPROM cell for memory every time when the data of the flash type EEPROM is rewritten and the data is written into X cells within a plurality of EEPROM cells for memory when rewriting is performed X (X=1-n) times.例文帳に追加

ｎ個の記憶用ＥＥＰＲＯＭセルは、データの書込み用で、フラッシュ型ＥＥＰＲＯＭの書き換えが１回実施される毎にひとつの記憶用ＥＥＰＰＲＯＭセルにデータが書き込まれ、書き換えをＸ（Ｘ＝１〜ｎ）回実施時に複数の記憶用ＥＥＰＲＯＭセルの内のＸ個のセルが書き込まれる。 - 特許庁

To provide a technique for achieving a memory cell structure in which the temperature of a diode does not easily rise even when the temperature of phase change materials rises in a non-volatile storage device having a phase change memory configured of cross point type memory cells obtained by combining storage elements made of phase change materials with selection elements made of diodes.例文帳に追加

相変化材料からなる記憶素子とダイオードからなる選択素子とを組み合わせたクロスポイント型のメモリセルによって構成される相変化メモリを備えた不揮発性記憶装置において、相変化材料を高温にしてもダイオードが高温になりにくいメモリセル構造を実現することのできる技術を提供する。 - 特許庁

A transfer origin address and a transfer destination address and the number of transfer data are set for a secure memory I/F 212, so that the secure memory I/F 212 can decide presence of illegal access in data transfer processing based on predetermined content, and quickly confirm the validity of access for each transfer memory type.例文帳に追加

セキュアメモリＩ／Ｆ２１２に対して、転送元アドレスと転送先アドレスと転送データ数を設定することにより、セキュアメモリＩ／Ｆ２１２が予め定めた内容に基づいてデータ転送処理時における不正アクセス発生の有無を判定し、転送メモリ種別毎のアクセスの正当性を高速に実行することができる。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory 10 includes a memory cell 11 storing complementary data, complementary bit lines BLT, BLB connected to the memory cell 11, a pre-charge circuit 60 pre-charging the complementary bit line to the prescribed potential, a latch type sense amplifier 70, and a current control circuit 50 connected to the complementary bit lines.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリ１０は、相補データを記憶するメモリセル１１と、メモリセル１１に接続された相補ビット線ＢＬＴ，ＢＬＢと、その相補ビット線を所定の電位にプリチャージするプリチャージ回路６０と、ラッチ型センスアンプ７０と、相補ビット線に接続された電流制御回路５０と、を備える。 - 特許庁

A pixel unit 1 is structured with a non-volatile memory transistor MT formed in a p-type well 12 of a silicon substrate 10 to include a floating gate 14 and a control gate 16 and selection gate transistors ST1, ST2 formed in both sides of each memory transistor MT through common use of such memory transistor MT and diffusion layer 17.例文帳に追加

画素ユニット１は、シリコン基板１０のｐ型ウェル１２に形成された、浮遊ゲート１４と制御ゲート１６を持つ不揮発性メモリトランジスタＭＴと、このメモリトランジスタＭＴと拡散層１７を共有して各メモリトランジスタＭＴの両側に形成された選択ゲートトランジスタＳＴ１，ＳＴ２とから構成される。 - 特許庁

The technique maintains compatibility with a static random access memory (SRAM) having a wide byte and a flash memory having a fixed input output byte by selectively activating the byte of data being inputted and outputted and changes a program using the nonvolatile ferroelectric register in a software type method.例文帳に追加

このような本発明は、入出力されるデータのバイトを選択的に活性化させワーイドバイトを有するＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）、及び固定された入出力バイトを有するフラッシュメモリとの互換性を維持することができ、不揮発性強誘電体レジスタを利用してソフトウェア的な方法でプログラムを変更することができるようにする。 - 特許庁

To obtain a non-volatile memory circuit in which write-in voltage is low, data can be read out at high speed and surely even if difference of threshold values between an enhancement state and a depression state of a non-volatile memory element is small, and rewriting can be performed many times, in a non-volatile memory circuit of FLOTOX type.例文帳に追加

ＦＬＯＴＯＸ型の不揮発記憶回路において、書き込み電圧が低く、不揮発性メモリ素子のエンハンスメント状態とデプレッション状態のしきい値の差が小さくても、データを高速かつ確実に読み出すことができ、また書き換え可能な回数の多い不揮発性記憶回路を得ること。 - 特許庁

The printer is arranged such that when start of processing a second type job data is designated during processing of first type job data, data receiving rate of an NW-I/F circuit 21a for receiving the first type job data is altered to a lower rate and then the second type job data is processed by utilizing the free area of a memory at that moment in time.例文帳に追加

印刷装置を、第１ジョブデータの処理中に第２種ジョブデータの処理の開始が指示された場合、第１種ジョブデータを受信するためのＮＷ−Ｉ／Ｆ回路２１ａのデータ受信速度がより低い速度に変更された後、メモリのその時点における空き領域を利用して当該第２種ジョブデータの処理が行われるように、構成しておく。 - 特許庁

An organic molecular memory according to one embodiment comprises: a first conductive layer; a second conductive layer; and an organic molecule layer provided between the first conductive layer and the second conductive layer, and including a charge storage type molecular chain or a resistance change type molecular chain, the charge storage type molecular chain or the resistance change type molecular chain including a condensed polycyclic group.例文帳に追加

実施の形態の有機分子メモリは第１の導電層と、第２の導電層と、第１の導電層と第２の導電層との間に設けられ、電荷蓄積型分子鎖または抵抗変化型分子鎖を含み、電荷蓄積型分子鎖または前記抵抗変化型分子鎖が縮合多環系の基を備える有機分子層と、を備えている。 - 特許庁

Besides, in order to determine configuration data, a memory communication control part 220a has a configuration data table beforehand composed of machine type codes and the records of configuration data corresponding to these machine type codes and only when a received machine type code is matched with a machine type code described in the configuration data table, correspondent configuration data are determined.例文帳に追加

またコンフィグレーションデータの決定のために予めメモリ通信制御部２２０ａに機種コードとその機種コードに対応するコンフィグレーションデータのレコードから構成されているコンフィグレーションデータテーブルを持たせておき、受信した機種コードがコンフィグレーションデータテーブルに記載されている機種コードと一致する場合にのみ対応するコンフィグレーションデータを決定する。 - 特許庁

An organic molecular memory according to one embodiment comprises: a first conductive layer; a second conductive layer; and an organic molecule layer provided between the first conductive layer and the second conductive layer, and including a resistance change type molecular chain or a charge storage type molecular chain, the resistance change type molecular chain or the charge storage type molecular chain including an electron attractive group.例文帳に追加

実施の形態の有機分子メモリは、有機分子メモリは第１の導電層と、第２の導電層と、第１の導電層と第２の導電層との間に設けられ、抵抗変化型分子鎖または電荷蓄積型分子鎖を含み、抵抗変化型分子鎖または電荷蓄積型分子鎖が電子吸引基を備える有機分子層とを備えている。 - 特許庁

To provide an automatic booting system and a method for reading a booting instruction code in an XIP type or Non-XIP type flash memory to a CPU of a computer system in order to solve various problems by a conventional technology.例文帳に追加

従来の技術による諸問題を解決するため、コンピューターシステムのＣＰＵにＸＩＰ型またはＮｏｎ−ＸＩＰ型フラッシュメモリーにおけるブーティング命令コードを読み出させる自動ブーティングシステム及び方法を提供する。 - 特許庁

The cuff type actuator 4 is recovered circularly by a wire 6 of shape memory alloy so as to wind the electrode device 3 around the nerve fascicle 2, and the electrode device 3 and the cuff type actuator 4 are wound around the nerve fascicle 2.例文帳に追加

カフ型アクチュエータ４は、形状記憶合金のワイヤ６によって、電極デバイス３を、神経束２に巻き付けるように円形に復帰し、神経束２に対して、電極デバイス３およびカフ型アクチュエータ４が巻き付けられる。 - 特許庁

For an insulated gate type field effect transistor inside a memory cell array (1), the transistor of a gate insulating film (Tox1) thicker than the gate insulating film (Tox2) of the insulated gate type field effect transistor of peripheral circuits (3, 4 and 5) is utilized.例文帳に追加

メモリセルアレイ（１）内の絶縁ゲート型電界効果トランジスタには、周辺回路（３，４，５）の絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート絶縁膜（Ｔｏｘ２）よりも膜厚の厚いゲート絶縁膜（Ｔｏｘ１）のトランジスタを利用する。 - 特許庁

An interface program 1c providing the interface is installed in the onboard equipment 1, and a history memory device 34 stores type information of the interface which corresponds to a type of the interface program 1c and user information by associating them with each other.例文帳に追加

インターフェースを提供するインターフェースプログラム１ｃを車載機１に設け、インターフェースプログラム１ｃの種類に対応するインターフェースの種類情報及びユーザ情報を関連づけて履歴記憶手段３４に記憶させる。 - 特許庁

A changeover notice ATM cell generating section 133 generates a changeover notice ATM cell to inform a receiver side terminal of an AAL type of a changeover destination when a memory read/change detection section 132 detects a change in the AAL type.例文帳に追加

切替通知ＡＴＭセル生成部１３３は、メモリ読出／変化検出部１３２によってＡＡＬタイプの変化が検出されると、切替先のＡＡＬタイプを受信側端末に通知するために切替通知ＡＴＭセルを生成する。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device includes a step of forming a p-type well region 2 and an element isolation region 3 in a p-type silicon substrate 1 in a transistor forming region for the memory, and then a step of forming a gate insulating film 4 and a gate electrode 5 on an active region.例文帳に追加

メモリ用トランジスタ形成領域におけるＰ型シリコン基板１にＰ型ウェル領域２及び素子分離領域３を形成した後、活性領域上にゲート絶縁膜４及びゲート電極５を形成する。 - 特許庁

A printer 1 with a scanner comprises an image reading sensor 5, a controller IC 21 for controlling the printer 1 with a scanner, and a memory 22 storing machine type identification data indicating a corresponding relationship between a reference voltage value of the image reading sensor 5 and the machine type.例文帳に追加

スキャナ付プリンタ１は、画像読取センサ５と、スキャナ付プリンタ１を制御するコントローラＩＣ２１と、画像読取センサ５の基準電圧値と機種との対応関係を示す機種識別データを記憶したメモリ２２とを備える。 - 特許庁

The gradation correcting part 15 reads the correction point corresponding to the set original type and image quality adjustment type and the correction quantity from the memory, and executes the gradation correction of the density of the input image based on the correction point and the correction quantity.例文帳に追加

階調補正部１５は、設定された原稿種類及び画質調整種類に対応する補正点及び補正量をメモリから読み出し、入力画像の濃度を補正点及び補正量に基づいて階調補正する。 - 特許庁

The channel portion of the N-channel transistor A is used in common with a P-type drain 7a of the P-channel transistor B, and the channel portion of the P-channel transistor B is used in common with an N-type source 5b of the N-channel transistor A to make the memory cell highly integrable.例文帳に追加

ＮチャネルトランジスタＡのチャネル部とＰチャネルトランジスタＢのＰ型ドレイン７ａとを共用すると共に、ＰチャネルトランジスタＢのチャネル部とＮチャネルトランジスタＡのＮ型ソース５ｂとを共用することによって高集積化する。 - 特許庁

To provide a scatter reflection type display body which imparts a wide-viewing angle without producing color drift and with which the tightness of a black color is sufficiently visible in a black display in the scatter reflection type display body with memory properties.例文帳に追加

本発明の目的は、メモリー性のある散乱反射型表示体において、色ずれを生じない広い視野角を与え、かつ黒色表示において黒の締まりが十分に視認できる散乱反射型表示体を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory element, which has the same functions as those of a booster gate, in the case of an MONOS type or an MNOS type and in which the number of manufacturing processes is not increased.例文帳に追加

例えばＭＯＮＯＳ型あるいはＭＮＯＳ型といった不揮発性の電気的書き換えが可能な半導体メモリ素子であって、ブースター・ゲートと同じ機能を有し、しかも、製造工程が増えることのない半導体メモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit equipped with a flip-flop type memory cell such as an SRAM, which reduces cycle time and power consumption, further suppresses increase in the area thereof while preventing data destruction of a non-selection memory cell during write circle.例文帳に追加

ＳＲＡＭのようなフリップフロップ型メモリセルを備えた半導体集積回路において、書込みサイクル時の非選択メモリセルのデータ破壊を回避しつつ、サイクルタイムを短縮し、かつ消費電力を低減し、さらに、面積増大を抑制できるようにする。 - 特許庁

When the SID signal indicates it own telephone number, the facsimile machine conducts no memory reception for the information received in the ring-type multiple address reception mode, but when the SID signal indicates a telephone number different from its own telephone number, the facsimile machine conducts memory reception.例文帳に追加

ここで、ＳＩＤ信号が自機電話番号を示すときには、リング型同報受信モードにより受信する情報に対してメモリ受信を行わなず、ＳＩＤ信号が自機電話番号と異なる電話番号を示すときには、メモリ受信を行う。 - 特許庁

This memory card holder 1 has a spread type notebook shape having panels 2 and 3 connected by a hinge part 4 and is provided with a holder part 9 having a recessed part for storing a liquid crystal display 5, a determination key 6, a cursor key 7, and a memory card 8.例文帳に追加

メモリカードホルダ１は、パネル２と３とがヒンジ部４によって結合された見開き式のブック型形状を有しており、液晶表示装置５、決定キー６、カーソルキー７、メモリカード８を収納するための凹部をなすホルダ部９を備えている。 - 特許庁

A camera controller 26 calculates power information required for transferring and recording the all data in a buffer memory 21 to/in the recording medium 30 referring to a selected recording mode, a type of the recording medium 30 and a buffer size of the buffer memory 21.例文帳に追加

カメラコントローラ２６は、設定されている記録モード、記録メディア３０の種類、およびバッファメモリ２１のバッファサイズに応じてバッファメモリ２１内のデータを全て記録メディア３０へ転送・記録するために必要な電力情報を算出する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory including flip-flop type memory cells such as 1-port SRAM or 2-port SRAM in which read and write operations are simultaneously performed, wherein a static noise margin and a write level are simultaneously improved.例文帳に追加

１ポートＳＲＡＭや、読出しおよび書込みの動作が同時に行なわれる２ポートＳＲＡＭのようなフリップフロップ型メモリセルを備えた半導体記憶装置において、スタティックノイズマージンの改善と書き込みレベルの改善とを同時に実現できるようにする。 - 特許庁

The state checking part 241 of the flash memory part 221 enables a multiplexer 262 to write on the conditions that data are not written to the NOR-type flash memory 204 and a mode selection signal line 209 designates ROM writing.例文帳に追加

フラッシュメモリ部２２１の状態確認部２４１はＮＯＲ型フラッシュメモリ２０４にデータが書き込まれていないことおよびモード選択信号線２０９がＲＯＭ書きを指定していることを条件としてマルチプレクサ２６２が書き込みを可能にする。 - 特許庁

Therefore, the voltage VPW of the P-type well PW and the voltage VWL of all the word lines WL in memory blocks MB not to be erased vary simultaneously, so that the threshold voltage of the memory cells MC not to be erased is prevented from varying.例文帳に追加

したがって、Ｐ型ウェルＰＷの電圧ＶＰＷと消去非対象のメモリブロックＭＢの全ワード線ＷＬの電圧ＶＷＬとが同時に変化するので、消去非対象のメモリセルＭＣのしきい値電圧が変化するのを防止できる。 - 特許庁

A memory cell in the memory cell array is provided with a floating gate type cell transistor CT for storing charges in a floating gate to store data, and a selection gate transistor having a drain connected to the source of the cell transistor and a source connected to a source line SL.例文帳に追加

上記メモリセルアレイ中のメモリセルは、フローティングゲートに電荷を蓄積してデータを記憶するフローティングゲート型のセルトランジスタＣＴと、ドレインが上記セルトランジスタのソースに接続され、ソースがソース線ＳＬに接続された選択ゲートトランジスタとを有する。 - 特許庁

To achieve a large capacity by improving a charge storage density in a semiconductor memory element containing a so called MONOS type structure memory cell having a tunnel insulating film, a charge storage film, a blocking film and a gate electrode on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上において、トンネル絶縁膜、電荷蓄積膜、ブロッキング膜及びゲート電極を有する、いわゆるＭＯＮＯＳ型構造のメモリセルを含む半導体記憶素子において、その電荷蓄積密度を向上させ、大容量化を達成する。 - 特許庁

The maleimide groups of the resultant polyfunctional maleimide compound is combined with a compound bearing functional group that can form a crosslink bond through the Diels-Alder type thermally reversible reaction to obtain the shape memory property and the shape memory resin having excellent reformability.例文帳に追加

この多官能マレイミド化合物のマレイミド基とディールス・アルダー型熱可逆性反応により架橋を形成し得る官能基を有する化合物と組み合わせることで、形状記憶性及び再成形性に優れた形状記憶性樹脂が得られる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a ferroelectric memory with which a ferroelectric memory composed of a highly-oriented PZT (a perovskite- type ferroelectric) thin film can be formed on a (111) plane by low-temperature firing, and damage on the transistors or the like formed in the same substrate can be avoided.例文帳に追加

（１１１）面に高配向したＰＺＴ薄膜からなる強誘電体メモリを低温焼成で形成することができ、他の同一基板に作り込まれるトランジスタ等へのダメージを回避した強誘電体メモリの製造方法を提供する。 - 特許庁

After a memory circuit is initialized, the display of an operating part is cleared, and the CML of an NCU is turned off, and information corresponding to a ring type multi-address transmission number including color transmission information is registered, and the telephone number of its own equipment is registered in the memory circuit (S14).例文帳に追加

メモリ回路を初期化した後、操作部の表示をクリアし、ＮＣＵのＣＭＬをオフし、さらにカラー伝送情報を含むリング型同報送信ナンバーに対応した情報を登録し、次いでメモリ回路に自機の電話番号を登録する（Ｓ１４）。 - 特許庁

To prevent wear by contacting of a contact part of a card to the contacts of the connector contacted to the contact part, in the connector equipped with a memory card, which is a thin board type plastic card, such as a credit card, prepaid card, or the like, with IC memory.例文帳に追加

本発明は、ＩＣメモリを有したクレジットカード・プリペイドカード等の薄板体プラスチックカードであるメモリーカードを装着するコネクタであって、カードのコンタクト部と、該コンタクト部に当接するコネクタのコンタクトとの接触による摩耗を防ぐことが課題である。 - 特許庁

The electronic nail 10 attached to a nail has an antenna part 110 for receiving electric power and sending and receiving data, a memory-type display, a control circuit part, and a memory circuit part in which nail identification information about the size of the electronic nail is recorded.例文帳に追加

爪に取り付けられる電子ネイル１０は、電力を受信しデータを送受信するためのアンテナ部１１０と、自己保持型のディスプレイと、制御回路部と、この電子ネイルのサイズに関するネイル識別情報が記録されたメモリ回路部とを備える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a reliable non-volatile semiconductor memory which has a more pointed end part of a floating gate which is beneficial for electric charge emission in a split gate-type flash memory cell and enables to increase the number of rewriting.例文帳に追加

スプリットゲート型のフラッシュメモリセルにおける電荷放出に有利なより尖鋭化したフローティングゲート端部を有し、書き換え可能回数をいっそう向上させる高信頼性の不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The circuit for counting the number of times of rewrite operation comprising an EEPROM cell gate voltage generating circuit 44 for memory, n write/read circuits 15-17, and n EEPROM cells 41-43 for memory counts rewrite operation of a flash type EEPROM and stores the count.例文帳に追加

記憶用ＥＥＰＲＯＭセルゲート電圧生成回路４４と、ｎ個の書き込み読み出し回路１５〜１７と、ｎ個の記憶用ＥＥＰＲＯＭセル４１〜４３とを有し、フラッシュ型ＥＥＰＲＯＭの書き換え回数を計数し、その計数値を記憶する。 - 特許庁

In the memory device having a floating gate type memory cell array transistor, a boosting ratio of a boost voltage-generating circuit is set to be variable so that a value of a boost voltage for driving a word line at the read time is constant in accordance with a level of a source voltage.例文帳に追加

フローティングゲート型のメモリセルアレイトランジスタを有するメモリデバイスにおいて、電源電圧のレベルに応じて読み出し時のワード線駆動用の昇圧電圧値が一定になるように、昇圧電圧発生回路の昇圧比を可変設定する。 - 特許庁