「P type semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方(66ページ目) - Weblio英語例文検索

In the case of forming the p-type noncrystalline semiconductor film 3, there are the conditions of substrate temperature ≤210°C and reaction pressure ≥100 mTorr, more preferably, substrate temperature ≤180°C and reaction pressure ≥200 mTorr.例文帳に追加

ｐ型非晶質半導体膜３を形成する際の条件は、基板温度：２１０℃以下、反応圧力：１００ｍＴｏｒｒ以上、より好ましくは、基板温度：１８０℃以下、反応圧力：２００ｍＴｏｒｒ以上とする。 - 特許庁

A photoelectric element 10 comprises a light absorbing layer 16 being a p-type semiconductor layer, a buffer layer 18, and a window layer 20, and the light absorbing layer 16, the buffer layer 18, and the window layer 20 are provided in this order.例文帳に追加

ｐ型半導体層である光吸収層１６と、バッファ層１８と、窓層２０と、を備え、光吸収層１６、バッファ層１８及び窓層２０がこの順に設けられている光電素子１０。 - 特許庁

This Schottky barrier diode has an anode electrode, having unevenness on one surface, a p-type semiconductor layer which is jointed with a 1st region on the other surface of the anode electrode, an n-type semiconductor layer which is jointed with a 2nd region on the other surface of the anode electrode, and a cathode electrode and a projection part of the anode electrode is positioned above the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

一方の面に凹凸が付されたアノード電極と、アノード電極の他方の面の第１の領域に接合されたｐ型半導体層と、アノード電極の他方の面の第２の領域に接合されたｎ型半導体層と、カソード電極とを備えたショットキーバリアダイオードであって、アノード電極の凸部分が、ｐ型半導体層の上に位置するよう配置されているショットキーバリアダイオード等を提供する。 - 特許庁

In the power management semiconductor device or the analog semiconductor device including a CMOS, both gate electrodes of an NMOS and a PMOS in a CMOS are formed of a polycide structure which is a laminated structure of a P-type polysilicon and a high melting point metal silicide, and an insulation film is formed on the polycide structured-gate electrode.例文帳に追加

ＣＭＯＳを含むパワーマネージメント半導体装置やアナログ半導体装置において、ＣＭＯＳのゲート電極をＮＭＯＳ、ＰＭＯＳともにP型多結晶シリコンと高融点金属シリサイドの積層構造であるポリサイド構造とし、前記ポリサイド構造のゲート電極上に絶縁膜を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a p-type field effect transistor that includes a gate dielectric layer 108 formed on a semiconductor substrate, an oxygen-containing alloy layer 110 formed on the gate dielectric layer 108, a Re layer 112 formed on the oxygen-containing alloy layer 110, and a Re oxide layer 502 located between the gate dielectric layer 108 and the oxygen-containing alloy layer 110.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたゲート誘電体層１０８と、ゲート誘電体層１０８上に形成された酸素を含む合金層１１０と、酸素を含む合金層１１０上に形成されたRe層１１２と、ゲート誘電体層１０８と酸素を含む合金層１１０との間に位置するRe酸化物層５０２を含むp 型電界効果トランジスタを具備する。 - 特許庁

The number of p-type semiconductor layers in the nitride based semiconductor laser structure 200 is decreased by the p-n tunnel junction 220 to reduce dispersion loss, threshold current density thereby decreases to lower total series resistance, and higher growth temperature is obtained to improve structural quality of a laser.例文帳に追加

このｐ−ｎトンネル接合２２０により、窒化物系半導体レーザ構造２００におけるｐ型半導体層の数が減り、それによって分散損失が低減され、閾値電流密度が低下し、全体的な直列抵抗が低下すると共に、より高い成長温度が可能となることによってレーザの構造的な品質が向上する。 - 特許庁

A pyrimidopyrimidine oligothiophene derivative contains, at the center of the molecule of a pyrimidopyrimidine, a pyrimidopyrimidine having n-type semiconductor properties to which an oligothiophene having p-type semiconductor properties is bonded, and an organic thin film transistor using this organic semiconductor and its manufacturing method are provided.例文帳に追加

ｎ型半導体特性を有するピリミドピリミジンを分子の中心に含み、ｐ型半導体特性を有するオリゴチオフェンが前記ピリミドピリミジンに結合したピリミドピリミジンオリゴチオフェン誘導体、これを有機半導体として用いた有機薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a thermoelectric conversion module having high productivity and a laminated structure by further forming the electrodes 4 on main surfaces of the semiconductor elements 1 and 2, it is possible to reduce resistance between the p-type semiconductor element 1 and the electrode 4 and between the n-type semiconductor element 2 and the electrode, and thus, there is provided a thermoelectric conversion module having high conversion efficiency.例文帳に追加

生産性の高い、積層体構造の熱電変換モジュールにおいて、さらに半導体素子１，２の主面に電極４を形成することで、ｐ型半導体素子１およびｎ型半導体素子２と電極４との間の抵抗を低減することができ、変換効率の高い熱電変換モジュールを提供することができる。 - 特許庁

The method includes a first process for injecting N-type impurities in a dicing portion in a P-type semiconductor region, at the rear face of the semiconductor wafer; a second process for forming the first layer over the entire rear face of the semiconductor wafer; and a third process for forming the second layer, on the rear face of the first layer by a wet plating method.例文帳に追加

この方法は、半導体ウェハの裏面のＰ型の半導体領域のダイシング部に、Ｎ型の不純物を注入する第１工程と、半導体ウェハの裏面全体に第１層を形成する第２工程と、湿式めっき法によって第１層の裏面に第２層を形成する第３工程とを含んでいる。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element 1 includes: a substrate 110 formed of sapphire; a plurality of projections 115 formed of silicon nitride and each formed on the substrate 110 in an island-like shape; an intermediate layer 120 laminated on the substrate 110 and the plurality of projections 115; a base layer 130; an n-type semiconductor layer 140; a luminescent layer 150; and a p-type semiconductor layer 160.例文帳に追加

半導体発光素子１は、サファイアからなる基板１１０と、窒化珪素からなり基板１１０に島状に形成される複数の突起１１５と、基板１１０および複数の突起１１５に積層される中間層１２０、下地層１３０、ｎ型半導体層１４０、発光層１５０およびｐ型半導体層１６０とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device includes the switching element (TFT 12) which has a functional layer formed of an organic material and includes a source electrode 16 and a drain electrode 20, and a rectifying element (diode rectifying element 14) having a P type semiconductor portion 26 and an N type semiconductor portion 28 disposed between the source electrode 16 and drain electrode 20.例文帳に追加

半導体装置は、機能層が有機材料にて形成され、ソース電極１６とドレイン電極２０とを備えたスイッチング素子（ＴＦＴ１２）と、ソース電極１６とドレイン電極２０との間に配置されたＰ型半導体部２６及びＮ型半導体部２８を備えた整流素子（ダイオード整流素子１４）と、を含む。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a semiconductor substrate 101; an n-type well region 102 formed on the semiconductor substrate 101; and a p-channel MIS transistor which is formed on the n-type well region 102 and has a gate insulator film 104 and a gate electrode 120 including a lower gate electrode 105 and an upper gate electrode 106 formed on the lower gate electrode 105.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０１と、半導体基板１０１の上部に形成されたｎ型ウェル領域１０２と、ｎ型ウェル領域１０２上に形成され、ゲート絶縁膜１０４と、下部ゲート電極１０５、及び下部ゲート電極１０５上に形成された上部ゲート電極１０６を含むゲート電極１２０とを有するｐチャネル型ＭＩＳトランジスタとを備える。 - 特許庁

The light emitting diode comprises a metal oxide semiconductor having a protruding form with a circle-equivalent cross section diameter of 0.01-10,000 μm and a length of 0.1 μm or more and a metal compound semiconductor for coating the metal oxide semiconductor having the protruding form, wherein one of the semiconductors is of a p-type and the other is of an n-type.例文帳に追加

断面の円換算径０．０１〜１００００μｍ、かつ長さ０．１μｍ以上である突起形状を有する金属酸化物半導体と、突起形状を有する金属酸化物半導体を被覆する金属化合物半導体からなり、いずれか一方がｐ型、他の一方がｎ型であることを特徴とする発光ダイオード。 - 特許庁

A light-emitting diode contains n-type or p-type laminated gallium nitride compound semiconductor light-emitting elements; and fluorescent paints or fluorescent pigments that emit the visible light of wavelength longer than excitation wavelength through excitation, by the visible light emitted from the above gallium nitride compound semiconductor light-emitting elements to compensate the colors of the above gallium nitride compound semiconductor light-emitting elements.例文帳に追加

発光ダイオードは、ｎ型及びｐ型に積層されてなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子と、前記窒化ガリウム系化合物半導体発光素子からの可視光により励起されて、励起波長よりも長波長の可視光を出して前記窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の色補正をする蛍光染料又は蛍光顔料とを有する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the carbon nanotube sensor, the work functions of the semiconductor carbon nanotube material 2 and a metal are respectively measured under a measuring gas atmosphere and compared with the work function of the metal corresponding to a p-type or an n-type to select the semiconductor carbon nanotube material 2 large or small in work function and the semiconductor carbon nanotube material 2 is crosslinked between the metal electrodes.例文帳に追加

また、その製造方法は、半導体カーボンナノチューブ材料２と金属の仕事関数を測定ガス雰囲気下でそれぞれ測定し、ｐ型又はｎ型に応じて金属の仕事関数と比較して仕事関数の大きな又は小さな半導体カーボンナノチューブ材料２を選び、この金属電極間に架橋することを特徴とする。 - 特許庁

A light emitting diode comprises a gallium nitride based compound semiconductor light emitting device structured by lamination in n-type and p-type manners, and a fluorescent dye or a fluorescent pigment which is excited by visible light from the gallium nitride based compound semiconductor light emitting device and emits visible light of a wavelength longer than an excitation wavelength and carries out the color correction of the gallium nitride based compound semiconductor light emitting device.例文帳に追加

発光ダイオードは、ｎ型及びｐ型に積層されてなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子と、前記窒化ガリウム系化合物半導体発光素子からの可視光により励起されて、励起波長よりも長波長の可視光を出して前記窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の色補正をする蛍光染料又は蛍光顔料とを有する。 - 特許庁

Namely, in a nitride gallium light-emitting device, there are provided: the graphite strip 2 used as one electrode; an active layer put between an n-type gallium nitride semiconductor layer 3 and a p-type gallium nitride semiconductor layer 5 on a part or the whole of a front surface of the graphite strip; and a partial electrode 6 used as the other electrode in an outermost semiconductor layer.例文帳に追加

すなわち、窒化ガリウム系発光素子において、一方の電極となるグラファイトストリップと、該グラファイトストリップの表面の一部又は全面に、ｎ型窒化ガリウム半導体層とｐ型窒化ガリウム半導体層に挟まれた活性層と、前記最外層の半導体層に他方の電極となる部分電極と、を設けた線状発光素子である。 - 特許庁

As a photovoltaic element used is a photovoltaic element including as a component a laminate wherein an n-type impurity semiconductor silicon thin film and a p-type impurity semiconductor silicon thin film are bonded via an intrinsic semiconductor silicon thin film, and at least one of those silicon thin films is a silicon thin film containing chlorine atoms at a concentration of, for example, 0.005 to 5 atom.%.例文帳に追加

光起電力素子として、ｎ型不純物半導体であるシリコン系薄膜とｐ型不純物半導体であるシリコン系薄膜とが真性半導体であるシリコン系薄膜を介して接合され、且つこれらシリコン系薄膜の少なくとも１つが例えば０．００５原子％〜５原子％の濃度の塩素原子を含有するシリコン系薄膜である積層体を構成要素とする光起電力素子を使用する。 - 特許庁

The compound semiconductor light emitting element 100 includes: an Si-Al substrate 101; protection layers 120 formed on top and bottom surfaces of the Si-Al substrate 101; and a p-type semiconductor layer 104, an active layer 105, and an n-type semiconductor layer 106 which are sequentially stacked on the protection layer 120 formed on the top surface of the Si-Al substrate 101.例文帳に追加

、Ｓｉ−Ａｌ合金基板１０１と、このＳｉ−Ａｌ合金基板１０１の上面及び下面に設けられた保護層１２０と、このＳｉ−Ａｌ合金基板１０１の上面に設けられた保護層１２０上に順に積層されているｐ型半導体層１０４、活性層１０５及びｎ型半導体層１０６とを含む化合物半導体発光素子１００を提供する。 - 特許庁

The group III nitride-based semiconductor light emitting element has a light emitting part of pn junction double heterostructure obtained by forming a lower barrier layer 104 of n-type group III nitride-based semiconductor, a light emitting layer 105 of III nitride semiconductor, and a p-type upper barrier layer 106 sequentially on a crystal substrate 101.例文帳に追加

結晶基板１０１上に、ｎ形のＩＩＩ族窒化物半導体からなる下部障壁層１０４とＩＩＩ族窒化物半導体からなる発光層１０５とｐ形の上部障壁層１０６とを順次積層したｐｎ接合型ダブルヘテロ構造の発光部を有するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子において、上部障壁層を、ｐ形のリン化硼素（ＢＰ）系半導体とする。 - 特許庁

The fine light emitting element is constituted such that light is emitted by application of a voltage on a planar electrode, and the fine light emitting element is constituted such that semiconductor particles made of a 14-group semiconductor are situated in a position where a voltage is applied by the planar electrode consisting of a pair of P-type and N-type 14-group semiconductor formed on a substrate.例文帳に追加

プレーナ電極への電圧印加によって発光するように構成した微細発光素子であって、１４族半導体からなる半導体微粒子を基板上に形成された一対のＰ型とＮ型の１４族半導体からなるプレーナ電極によって電圧が印加される位置に配置するようにして前記微細発光素子を構成する。 - 特許庁

In the pigment sensitizing type photoelectric transducer, an electrode including a semiconductor layer with pigments held thereon and an electrode paired with the said electrode are located face to face via a solid-state charge transfer layer, the semiconductor layer is a p-type semiconductor layer, and the solid-state charge transfer layer includes an organic solid-state electron transfer material.例文帳に追加

色素が担持された半導体層を含む電極と、これと対をなす電極とを固体電荷輸送層を介して対向配置させた色素増感型光電変換素子であって、半導体層がｐ型半導体層であり、かつ、固体電荷輸送層が有機固体電子輸送性材料を含むことを特徴とする光電変換素子。 - 特許庁

A light emitting diode 10, having a semiconductor substrate 11 and a single hetero-structure formed thereon and having at least a p-type active layer 13 and an n-type clad layer 14, is formed by forming an absorption layer 12 for absorbing light emitted by a light emitting layer, and having secondary light emitting intensity lower than the semiconductor substrate 11 between the active layer 13 and the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１と、その上に形成された少なくともｐ型の活性層１３及とｎ型のクラッド層１４とを備えたシングルヘテロ構造の発光ダイオード１０において、活性層１３と半導体基板１１との間に、発光層で発光した光を吸収すると共に、半導体基板１１より二次発光強度が低い吸収層１２を形成することにより、発光ダイオード１０を構成した。 - 特許庁

An organic solar cell 1 includes: a first electrode 3 formed on a substrate; a photoelectric conversion layer 5 formed on the first electrode 3 and provided with a p-type semiconductor layer 5a whose material is a molybdenum oxide and an n-type semiconductor layer 5b whose material is an electron-accepting organic semiconductor; and a second electrode 7 formed on the photoelectric conversion layer 5 and paired with the first electrode 3.例文帳に追加

有機太陽電池１は、基板上に形成された第１電極３と、その第１電極３上に形成されており、モリブデン酸化物を材質とするｐ型半導体層５ａ及び、電子受容性有機半導体を材質とするｎ型半導体層５ｂを有する光電変換層５と、その光電変換層５上に形成されており第１電極３と対をなす第２電極７と、を有する。 - 特許庁

In the power semiconductor device as an IEGT, a p-type collector layer 13, an n-type buffer layer 14 and a n-type base layer 15 are formed on a collector electrode in this order, and a main cell 21 and a dummy cell 22 are alternately provided on an upper surface of the n-type base layer 15 along a direction parallel to the n-type base layer 15.例文帳に追加

ＩＥＧＴである電力用半導体装置において、コレクタ電極上にｐ型コレクタ層１３、ｎ型バッファー層１４、ｎ型ベース層１５をこの順に設け、ｎ型ベース層１５上に、ｎ型ベース層１５の上面に平行な方向に沿ってメインセル２１及びダミーセル２２を交互に設ける。 - 特許庁

A semiconductor substrate is equipped with a first semiconductor and a second semiconductor formed over the first semiconductor, the second semiconductor having either an impurity which exhibits P-type conductivity or first-impurity atoms which exhibit N-type conductivity and further having second-impurity atoms which bring the Fermi level of the second semiconductor having the first-impurity atoms near to the Fermi level of the second semiconductor having no first-impurity atoms.例文帳に追加

第１半導体と、第１半導体の上方に形成された第２半導体とを備え、第２半導体は、Ｐ型の伝導型を示す不純物またはＮ型の伝導型を示す第１不純物原子と、第２半導体が第１不純物原子を有する場合のフェルミ準位を、第２半導体が第１不純物原子を有しない場合のフェルミ準位に近づける第２不純物原子とを有する半導体基板を提供する。 - 特許庁

Since a group including hydrogen formed by decomposition of the organic compound including carbon, hydrogen, and oxygen effectively dissociates hydrogen coupled with Mg of the nitride semiconductor layer 12 and activates Mg, the nitride semiconductor layer 12 shows the p-type electric characteristic of low resistivity.例文帳に追加

炭素、水素および酸素からなる有機化合物が分解してできた酸素を含む基が、窒化物半導体層１２のＭｇと結合した水素を効率よく解離させ、Ｍｇを活性化させるため、窒化物半導体層１２が低抵抗率のｐ型の電気特性を示す。 - 特許庁

To provide a nitride-based semiconductor laser of high reliability and high output by forming a window region without deteriorating contact resistance, in a laser process where a nitrogen material gas containing a hydrazine derivative is used for crystal growth of p-type layer of a nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化物半導体のｐ型層の結晶成長にヒドラジン誘導体を含む窒素原料ガスを用いたレーザプロセスに於いてコンタクト抵抗を劣化させること無く窓領域を形成して、信頼性の高い高出力の窒化物半導体系レーザを得る。 - 特許庁

The photoelectric conversion material has an impurity-diffused region with zinc and/or cadmium diffused formed in the surface layer portion of a semiconductor thin film, comprising a p-type chalcopyrite compound semiconductor containing sulfur and/or selenium, thereby forming a pn junction.例文帳に追加

光電変換材は、硫黄および／またはセレンを含有するｐ型カルコパイライト型化合物半導体よりなる半導体薄膜の表層部分に、亜鉛および／またはカドミウムが拡散された不純物拡散領域が形成されており、これによってｐｎ接合が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

To smoothly move electric charges between an optical electrode and a counter electrode by improving electric contact between p-type semiconductor particles forming a charge transfer film of a photoelectric converting element or an oxide semiconductor porous film and the charge transfer film.例文帳に追加

光電変換素子の電荷移送膜を構成するｐ型半導体粒子間あるいは酸化物半導体多孔質膜と電荷移送膜との間の電気的接触を良好にし、光電極と対極との間の電荷移動が円滑に行われるようにすることにある。 - 特許庁

The ZnO-based p-type semiconductor crystal is preferably manufactured by an epitaxial growing method on the surface of a proximity semiconductor crystal layer having the in-plane lattice constant larger than that of the ZnO-based oxide crystal containing no Ag compound.例文帳に追加

ここで、このＺｎＯ系ｐ型半導体結晶は、Ａｇ化合物を含有しないこのＺｎＯ系酸化物結晶よりも大きな面内格子定数を有する直近半導体結晶層の表面において、エピタキシャル成長法により製造されることが好ましい。 - 特許庁

To reduce a threshold current in a nitride semiconductor device where an active layer having a nitride semiconductor containing In is held between p- and n-type cladding layers, and, especially, light emission is made at a wavelength of at least 440 nm.例文帳に追加

Ｉｎを含む窒化物半導体を有する活性層を、ｐ型クラッド層、ｎ型クラッド層とで挟まれた構造を有する窒化物半導体素子、特に波長４４０ｎｍ以上で発光するものにおいて、しきい値電流を低減させる構造とする。 - 特許庁

The insulating layer 20 is formed by oxidizing Al of high concentration contained in an AlAs layer formed on a p-type contact layer 13 of the semiconductor light detecting element 10, and stuck on the semiconductor laser element 40 with the metal layer 30.例文帳に追加

絶縁層２０は、半導体光検出素子１０のｐ型コンタクト層１３上に形成されたＡｌＡｓ層に含まれる高濃度のＡｌを酸化することにより形成されたものであり、金属層３０によって半導体レーザ素子４０に貼り合わされている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a surface emitting semiconductor laser element having a tunnel junction layer with a C-added p-type semiconductor layer on a GaInNAs containing active layer and attaining favorable optical characteristic and element characteristics and high element reliability.例文帳に追加

ＧａＩｎＮＡｓを含む活性層上にＣ添加のｐ型半導体層を有するトンネル接合層を備えており、良好な光学特性及び素子特性を実現でき素子信頼性の高い面発光半導体レーザ素子を製造する方法を提供する。 - 特許庁

B ion is directly implanted at high energy on the main surface side of a semiconductor substrate 1 in the direction of crystal axis of the semiconductor substrate 1 to cause ion channeling, by way of a specified resist pattern 3 to form a peak part in impurity concentration of a p-type well 4.例文帳に追加

Ｐ型ウェル４の不純物濃度のピーク部分を形成するために所定のレジストパターン３を介して、半導体基板１の主面側に直に高エネルギーでＢイオンをイオンチャネリングを起こすように半導体基板１の結晶軸の方向にイオン注入する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element having a structure of an active layer of an In-containing nitride semiconductor sandwiched between p- and n-type clad layers, especially, a threshold current reducing structure of a device emitting light at a wavelength of 450 nm or higher.例文帳に追加

Ｉｎを含む窒化物半導体を有する活性層を、ｐ型クラッド層、ｎ型クラッド層とで挟まれた構造を有する窒化物半導体素子、特に波長４３０ｎｍ以上で発光するものにおいて、しきい値電流を低減させる構造とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a p-type group III nitride semiconductor which is useful to the manufacture of a reliable light emitting device of the group III nitride semiconductor having low drive voltage and also little time variation of forward voltage in 1 μA.例文帳に追加

駆動電圧が低く、且つ、１μＡでの順方向電圧の時間的な変化量が少なく、信頼性の高いＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造に有用なＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The light absorption layer of the photodiode comprises a first semiconductor light absorption layer where a layer thickness WD is depleted, and a p-type neutral second semiconductor light absorption layer having a layer thickness of WA.例文帳に追加

フォトダイオードの光吸収層を、層厚Ｗ_Ｄの空乏化した第１の半導体光吸収層と、層厚Ｗ_Ａのｐ型中性の第２の半導体光吸収層とで構成し、Ｗ_ＡとＷ_Ｄの比率を、光吸収層内での全体のキャリア走行時間τ_ｔｏｔが最小となるように設定した。 - 特許庁

In the production process of the semiconductor device, a base 1 having a p-type semiconductor region 2 with nitrogen implanted in the upper face thereof is prepared, and a gate insulating film 5 and a gate electrode 6 are laminated in order sequentially on the base 1.例文帳に追加

本発明の一実施形態における半導体装置の製造方法は、窒素が上面内に注入されたｐ型の半導体領域２を有する下地１を準備し、この下地１上にゲート絶縁膜５およびゲート電極６をこの順で積層して形成する。 - 特許庁

Related to the photoelectric transducer structure formed on the surface, a p-type semiconductor layer 13 and an intrinsic semiconductor layer 14 contacting the surface are crystalline layers which mainly comprise crystal particles, grown as pillars, whose height is 100 nm or higher.例文帳に追加

該表面上に形成される光電変換素子構造において、該表面に接するｐ型半導体層１３、および真性半導体層１４は、柱状に成長した高さ１００ｎｍ以上の結晶粒により主として構成される結晶質層である。 - 特許庁

In the semiconductor device, a semiconductor region 13 having P^+ conductivity type opposite to that of an emitter layer 7 is provided in the vicinity of the corner part 11b of a cell 11 partitioned by a trench 4, as shown at (a).例文帳に追加

本発明の半導体装置では、（ａ）に示されるように、トレンチ４仕切られたセル１１の角部１１ｂの近傍に、エミッタ層７の導電型と反対の導電型、即ちＰ^+型の半導体領域１３を設けたことを特徴としている。 - 特許庁

An MIS transistor includes a gate insulating film 101 formed on a principal surface of an MIS semiconductor substrate 100, a gate electrode 102 formed on the gate insulating film 101, and a p-type channel doped layer 103 formed beneath the gate electrode 102 in the semiconductor substrate 100.例文帳に追加

ＭＩＳ型トランジスタは、ＭＩＳ型の半導体基板１００の主面に形成されたゲート絶縁膜１０１と、該ゲート絶縁膜１０１の上に形成されたゲート電極１０２と、半導体基板１００におけるゲート電極１０２の下方に形成されたＰ型のチャネル拡散層１０３とを有している。 - 特許庁

To provide a process condition for stacking a clad layer comprising p-type aluminum-gallium nitride on light emitting layer comprising a group III nitride semiconductor containing In without deterioration of the crystal quality of the light emitting layer to form a group III nitride semiconductor light emitting element excellent in light emitting efficiency.例文帳に追加

Ｉｎを含むＩＩＩ族窒化物半導体からなる発光層上に、ｐ型の窒化アルミニウムガリウムからなるクラッド層を、発光層の結晶品質を劣化させることなく積層することが可能となるための条件を示し、発光効率に優れたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

Also, a trench part 10 extended from the corresponding channel stopper layer 4 to the back face 2u is arranged at the surface 2s side of the semiconductor substrate 2 so that each p type semiconductor layer 3 and the periphery of the channel stopper layer 4 in the neighborhood can be completely surrounded.例文帳に追加

また、半導体基板２の表面２ｓ側には、各ｐ型半導体層３、及び、その近傍のチャンネルストッパ層４の周囲を完全に囲むように、対応するチャンネルストッパ層４よりも裏面２ｕに延びるトレンチ部１０が設けられている。 - 特許庁

To provide a p-type semiconductor polycrystalline thin film having a high hole mobility and capable of forming the film on a plastic substrate at low film forming temperature for a material of a semiconductor layer for a thin film transistor.例文帳に追加

薄膜トランジスタ用半導体層の材料として、高い正孔移動度を示すｐ形半導体多結晶薄膜を、かつ、低い成膜温度でのプラスチック基板上への成膜をも行うことのできるｐ形半導体多結晶薄膜を、提供する。 - 特許庁