PRINCIPALを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 8364件
The piezoelectric film 16 contains aluminum nitride as a principal component, the lower electrode 15 and the upper electrode 17 contain molybdenum as a principal component, and the vibrating part 121 includes at least a part of an insulating layer 13, bonded to the piezoelectric layered body structure 14, containing silicon nitride as a principal component.例文帳に追加
圧電体膜16は窒化アルミニウムを主成分とするものであり、下部電極15および上部電極17がモリブデンを主成分とするものであり、振動部121は圧電積層構造体14に接合された窒化シリコンを主成分とする絶縁層13の少なくとも一部を含んでなる。 - 特許庁
In exciting electrodes formed on a principal surface of a piezoelectric substrate, the exciting electrodes formed at least on one principal surface of the piezoelectric substrate are shaped asymmetrical by using a center axis bisecting a longer side on the principal surface of the piezoelectric substrate and a center axis bisecting the short side for a reference.例文帳に追加
圧電基板主面上に形成する励振電極において、該圧電基板の主面上の長辺を二等分する中心軸と短辺を二等分する中心軸とを基準として、前記圧電基板の少なくとも一方の主面上に形成する励振電極の形状を非対称とした。 - 特許庁
That is, the inching mechanism obtains a principal point moving position and the imaging direction by referencing an inching rotation center position being a rotary center of the rotary mirror 121 and a rotary center position (rough rotation center position) of the panning or tilt drive section, and the position of the lens principal point (principal point position).例文帳に追加
即ち、回転ミラー121の回転中心である微動回転中心の位置(微動回転中心位置)と、パン或いはチルト駆動部の回転中心の位置(粗動回転中心位置)と、レンズ主点の位置(主点位置)とを参照して、主点移動位置や撮像方向が求まる。 - 特許庁
The difference between Shingon Esoteric Buddhism (Tomitsu) and Tendai Esoteric Buddhism (Taimitsu) is that while Tomitsu advocates its doctrine with Dainichi nyorai being its principal image, Taimitsu takes the stance of Hokke ichijo with Shakamunibutsu of Kuon-jitsujo (eternal life of the Buddha), which is the principal image of Hokke-kyo sutra, being its principal image. 例文帳に追加
なお真言密教(東密)と、天台密教(台密)の違いは、東密は大日如来を本尊とする教義を展開しているのに対し、台密はあくまで法華一乗の立場を取り、法華経の本尊である久遠実成の釋迦牟尼仏としていることである。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
The extension electrode 7 is secured to the first crystal connection terminal 5a through a bump 8, such that the second principal surface of the crystal piece 2 opposes the first principal surface of the IC chip 1, thereby holding the crystal piece 2 in parallel with the first principal surface of the IC chip.例文帳に追加
水晶片1の第2の主面がICチップ1の第1の主面に対向するようにして、引出電極7がバンプ8によって第1の水晶接続端子5aに固着することによって、水晶片2がICチップ1の第1の主面に平行に保持される。 - 特許庁
A photodetector PS of the OCT device, consisting of a semiconductor of a first conductivity type, includes a silicon substrate 1, where while having a first principal plane 1a and a second principal plane 1b both facing each other; a semiconductor layer 3 of the second conductivity type is formed at the side of first principal plane 1a and a charge forwarding electrode 5 arranged on the first principal plane 1a to forward the charge generated.例文帳に追加
OCT装置の光検出器PSは、第1導電型の半導体からなり、互いに対向する第1主面1a及び第2主面1bを有すると共に第1主面1a側に第2導電型の半導体層3が形成されたシリコン基板1と、第1主面1a上に設けられ、発生した電荷を転送する電荷転送電極5と、を備えている。 - 特許庁
A semiconductor wafer 11 is divided by using the modified regions 3, the semiconductor wafer 11 having one-side principal surface and the other-side principal surface on the side opposite thereto, wherein modified regions 3 formed by multiphoton absorption and extending in a predetermined direction parallel to the one-side principal surface exist in the inside, and cracks reaching the one-side principal surface from the modified regions 3 are formed in parallel to the predetermined direction.例文帳に追加
一方主面およびその反対側の他方主面を有し、多光子吸収により形成され該一方主面に平行な所定方向に延びる改質領域3が内部に存するとともに、該改質領域3から該一方主面に達する亀裂が該所定方向と平行に形成された半導体ウェハ11を、該改質領域3を利用して分断する。 - 特許庁
The semiconductor device 79 comprises warpage correction layers 13, 14 formed on at least one selected from the first principal surface 31A side of the first semiconductor substrate 31, the first principal surface 45A side of the second semiconductor substrate 45, a second principal surface 31B side of the first semiconductor substrate 31 and a second principal surface 45B side of the second semiconductor substrate 45.例文帳に追加
そして、第1半導体基体31の第1主面31A側、第2半導体基体45の第1主面45A側、第1半導体基体31の第2主面31B側、及び、第2半導体基体45の第2主面45B側から選ばれる少なくとも1つ以上に形成されている反り補正層13,14を備える半導体装置79を構成する。 - 特許庁
The communicating member 3 is connected to an opening formed to the principal surface 25 of the cooling pipe 2.例文帳に追加
連通部材3は、冷却管2の主面25に形成された開口部に接続されている。 - 特許庁
In addition, a SAW electrode 21 is formed on one of the principal planes of the base 11.例文帳に追加
また基部11の一方の主面上にSAW電極21を形成するようにした。 - 特許庁
A silicon substrate 16 with a pressure sensitive diaphragm 16a is joined on to the principal plane 11b.例文帳に追加
主面11b上には、感圧ダイヤフラム16aを有するシリコン基板16が接合されている。 - 特許庁
On a second principal plane 116 of the electronic circuit chip 104, an optical fiber 117 is mounted.例文帳に追加
電子回路チップ104の第2主面116上には光ファイバ117が載置されている。 - 特許庁
The glass substrate 1 consists of a quartz glass material the principal surface and the side face of which are precisely polished.例文帳に追加
ガラス基板1は、主表面及び側面が精密研磨された石英ガラス材料からなる。 - 特許庁
A buffer 107 is provided between the principal compressing mechanism 3 and the motive energy recovery unit 7.例文帳に追加
主圧縮機構3と動力回収ユニット7との間には、バッファ107が設けられている。 - 特許庁
The inside front parts 36 have one principal part 42 and one peripheral part 44, respectively.例文帳に追加
内側正面部36は、それぞれ、1個の主要部42と1個の周辺部44とを有する。 - 特許庁
A control determination section 24 utilizes the delay profile to detect a principal wave and an interference wave.例文帳に追加
制御判定部24は、遅延プロファイルを利用して、主波および干渉波を検出する。 - 特許庁
To align the focus position of a light beam onto the principal plane of a substrate with high precision in each main scanning.例文帳に追加
各主走査において光ビームの合焦位置を基板の主面上に精度よく合わせる。 - 特許庁
A recess is formed on the principal surface, and the adhesive layer is not arranged at the recess.例文帳に追加
前記主面には、凹部が形成されており、前記凹部には、前記粘着層が配置されていない。 - 特許庁
To accurately extract a principal part in a document file corresponding to a search query, as an excerpt sentence.例文帳に追加
検索クエリに対応した文書ファイルの要点部分を的確に抜粋文として抽出する。 - 特許庁
The ceramic member 10 has first holes 47 and 81 which open on a second principal plane 12.例文帳に追加
セラミック部材10には、第2主面12にて開口する第1の穴47,81が設けられる。 - 特許庁
To efficiently form a liquid reservoir as desired between the principal plane of a substrate and the tip of a slit nozzle.例文帳に追加
基板の主面とスリットノズルの先端との間に、所望の液溜まりを効率よく形成する。 - 特許庁
Covering the element 1 and wiring 5, a sealing member 10 is provided on the principal plane 46a.例文帳に追加
素子1および配線5を覆って封止部材10が主面46a上に設けられている。 - 特許庁
A concentrically shaped texture 31 is formed on the principal surface of the NiP based alloy layer 3.例文帳に追加
また、このNiP系合金層3の主表面に同心円状のテクスチャー31を形成する。 - 特許庁
A sealing layer 13 is formed on the principal surface of the substrate to seal the electric element 11.例文帳に追加
封止層13は、電気素子11を封止するように基板の主面上に形成されている。 - 特許庁
The logistic hubs are provided at a plurality of points under the overpass of a high-speed way in the suburbs of principal cities.例文帳に追加
主要都市の近郊など高速道路の複数地点の高架下に物流ハブを設ける。 - 特許庁
This regulation applies if a person (an agent) acts on behalf of another person (the principal). 例文帳に追加
本条規則は,ある者(「代理人」)が別の者(「本人」)の代理として行為する場合に適用する。 - 特許庁
The principal ingredient of the polyphenol is catechins composed of epigallocatechin gallate, tannin or protocyanidin.例文帳に追加
ここで、ポリフェノールの主成分が、エピガロカテキンガレート、タンニン又はプロトシアニジンからなるカテキン類である。 - 特許庁
Preferably, the circuit board further includes a second metal plate 3 provided on the other principal plane of the dielectric substrate.例文帳に追加
前記誘電体基板の他主面に第2の金属板3をさらに有することが好ましい。 - 特許庁
When a frame to be printed is selected from the frame selection menu, principal image data are read from the memory card.例文帳に追加
コマ選択画面からプリントするコマを指定すると、メモリカードから本画像データが読み込まれる。 - 特許庁
On the first principal surface of the semiconductor substrate 10, a light transmitting support substrate is arranged.例文帳に追加
半導体基板10の第1の主面上には光透過性支持基板が配置されている。 - 特許庁
- Products that combine derivatives, deposits, etc. without the guarantee of the full principal repayment at maturity 例文帳に追加
・ デリバティブ等と預金等との組合せによる満期時に全額返還される保証のない商品 - 金融庁
A radiation ray protection film 12 is formed on a principal surface of the IC chip 3 other than the circuit formation surface.例文帳に追加
ICチップ3の回路形成面でない方の主面に、放射線保護膜12を形成する。 - 特許庁
The dielectric composition is composed of a crystal phase of CaWO_4 as a principal component and contains Pb and Ge as secondary components.例文帳に追加
CaWO_4 の結晶相を主成分とし、副成分としてPbおよびGeを含む。 - 特許庁
An n-type GaN-based semiconductor layer 15 is disposed on the principal plane 13a of the support 13.例文帳に追加
n型GaN系半導体層15は支持体13の主面13a上に設けられる。 - 特許庁
A collector electrode 32 is formed on a second principal surface of the n-type semiconductor substrate 10.例文帳に追加
n型半導体基板10の第2の主面上にコレクタ電極32が形成されている。 - 特許庁
An anode body is in a foil shape having a principal surface PL extending in one direction D1.例文帳に追加
陽極体は、一の方向D1に延在する主面PLを有する箔状のものである。 - 特許庁
A slit 6 is formed on one principal surface of the substrate 3 which is opposed to the resistor 1.例文帳に追加
上記抵抗体1に対向する基板3の主表面にはスリット6が形成されている。 - 特許庁
A striped insulating film 26 is formed between a principal surface of the Si substrate 10 and a buffer layer 60-1.例文帳に追加
Si基板10の主面とバッファ層60-1との間にストライプ状絶縁膜26が形成されている。 - 特許庁
In the nitride semiconductor light-emitting element, the second principal surface 101b serves as a light extraction surface.例文帳に追加
また、第二の主面101bが光取り出し面とする窒化物半導体発光素子である。 - 特許庁
A integrated circuit 2 is formed at a first principal plane (that is, the front surface) side of a silicon substrate 1.例文帳に追加
集積回路2がシリコン基板1の第1主面(いわゆる表面)側に形成されている。 - 特許庁
On a principal surface side of the optical device 10, a p-type electrode 15 and an n-type electrode 16 are provided.例文帳に追加
光デバイス10の主面側には、p電極15,n電極16が設けられている。 - 特許庁
In addition, each reflector 120 has a principal reflecting surface generally having a shape of a paraboloid of revolution.例文帳に追加
また、各リフレクタ120は、略回転放物面状の主反射面を有するものとなっている。 - 特許庁
The terminal 7 has a protrusion 7c that projects from the first principal surface 3a to the inside of the base plate 3.例文帳に追加
端子7は、第1主面3aから基板3内に突出する突部7cを有している。 - 特許庁
The external terminal electrode 41 of the first principal plane 13 is constructed in a multilevel structure having level difference portions 53.例文帳に追加
第1主面13の外部端子電極41は、段差部53を有する多段構造である。 - 特許庁
A second conductivity-type collector layer 24 is formed on a secondary principal plane of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加
第2導電型のコレクタ層24が半導体基板11の第2主面に形成されている。 - 特許庁
The groups on the principal component plane show differences in operation state among process treatment apparatuses.例文帳に追加
上記主成分平面上のグループは、プロセス処理装置の運転状態の違いを表している。 - 特許庁
The other principal surface of the plate 12 is connected to an inner ring 1 through a bearing 14.例文帳に追加
プレート12の他方の主面は、内輪1に対してベアリング14を介して接続されている。 - 特許庁
The principal components of glass that constitutes the layer 3 can be Si, Al, B, Ca and O.例文帳に追加
更に、層3を構成するガラスはSi、Al、B、Ca及びOを主成分とすることができる。 - 特許庁
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