「Photo Etching」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

MANUFACTURING METHOD OF PHOTO-ETCHING PRODUCT AND PATTERN BOARD FOR EXPOSURE USED FOR IT例文帳に追加

フォトエッチング製品の製造方法およびそれに用いる露光用パターン板 - 特許庁

A photo resist needs to be elaborated in order to carry out accurate dry-etching of the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極のドライエッチングを精度よく行なうため、フォトレジストに工夫を凝らす。 - 特許庁

The photo diode 12 is formed by dry-etching a photo diode formed on the top face of the support film 14 with the support film 14 as an etching stopper.例文帳に追加

フォトダイオード１２は、支持膜１４上面に設けられたフォトダイオードが、支持膜１４をエッチングストッパーとしてドライエッチングされることにより成形されたものである。 - 特許庁

To provide a novel etching method which can avoid great damage to a photo resist as an etching mask and can suitably remove an unwanted part of an anti-reflection film to be exposed from the photo resist.例文帳に追加

エッチングマスクとなるフォトレジストに大きな損傷を与えることなく該フォトレジストから露出する反射防止膜の不要部分を好適に除去し得る新規なエッチング方法を提供する。 - 特許庁

After the photo-resist 20 is sensitized, the unnecessary part of the photo-resist 20 is cleaned, and this surface acoustic wave element 10 is immersed in etching liquid in a state that the photo-resist 20 is deposited to a prescribed position.例文帳に追加

フォトレジスト２０が感光した後、フォトレジスト２０の不用部分を洗浄し、所定の位置にフォトレジスト２０が付着した状態で、エッチング液に弾性表面波素子１０を浸す。 - 特許庁

A desired number of through holes H are formed from the back of the silicon substrate 10 by photo assist electrolytic etching.例文帳に追加

シリコン基板１０裏面から、所望の数の貫通孔Ｈを、光アシスト電解エッチングにより形成する。 - 特許庁

A discrimination marking is formed by electric discharge machining or photo etching on an inner surface 10a of an entrance part of a turbine 10 as a turbocharger component.例文帳に追加

ターボチャージャ部品であるタービン１０にの入口部内面１０ａに、放電加工や、フォトエッチングによって識別刻印を形成する。 - 特許庁

One groove 13 is formed on a silicon substrate 11 by using a photo-lithography technology, for example, by executing etching meanderingly.例文帳に追加

シリコン基板１１上に、フォトリソグラフィ技術を用いて一本の溝１３を例えば蛇行状にエッチングして溝１３を形成する。 - 特許庁

To reduce and eliminate photo-etching steps, using a photoresist PR in a color filter substrate for a liquid crystal display device.例文帳に追加

液晶表示装置用の色フィルタ基板において、フォトレジストＰＲを用いる写真エッチング程の削減、排除が課題である。 - 特許庁

To easily determine etching conditions when transcribing grooves and pits formed in a photo-resist film on a substrate 1 onto the substrate.例文帳に追加

基板上のホトレジスト膜に形成された溝やピットをエッチングにより基板に転写する時に、容易にエッチング条件を求める。 - 特許庁

MASK FOR PHOTO-ELECTROCHEMICAL ETCHING, ITS FORMING METHOD AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

光電気化学エッチング用マスク、その形成方法及び光電気化学エッチング用マスクを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁

The pattern 107 constituted of a conductive film is etched by using the photo-resist pattern 110 as an etching mask so that a gate electrode 111 can be formed.例文帳に追加

フォトレジストパターン１１０をエッチングマスク用いて、導電膜でなるパターン１０７をエッチングし、ゲート電極１１１を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a metal circuit which has a low electric resistance value and is stable without performing a conventional photo process nor a conventional etching process.例文帳に追加

従来のフォトプロセス及びエッチングプロセスを行わず、電気抵抗値が低く、且つ安定的な金属回路の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Moreover, even if a machining object is a hard material difficult to cut, it can easily be provided with the marking by electric discharge machining or photo etching.例文帳に追加

また、放電加工やフォトエッチングで加工することにより、加工対象が切削困難な硬い材料であっても、刻印は簡便に付与できる。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent display device which can dispense with a photo-etching process for forming a spacer pattern and provide its manufacturing method.例文帳に追加

スペーサパターンを形成するための写真エッチング工程を排除する有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR PHOTO ETCHING AND METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAYS, UTILIZING THE SAME例文帳に追加

写真エッチング用装置及び方法、そしてこれを利用した液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法 - 特許庁

An outer shape of a crystal vibrating-reed is processed by photo-etching while a connection part 13 with a frame part 14 of a crystal wafer 11 is left.例文帳に追加

水晶振動片の外形をフォトエッチングにより水晶ウエハ１１の枠部１４との連結部１３を残して加工する。 - 特許庁

By etching the photo-sensitive glass substrate 12, the nonexposure part brought into a texture having many defects is removed.例文帳に追加

感光性ガラス基板１２をエッチングすることで欠陥が多い組織にされた非露光部分を除去する。 - 特許庁

To prevent Q factor deterioration caused by supporting, by avoiding vibrational energy from being leaked owing to the supporting in a small-sized photo-etching type AT-cut crystal vibrator.例文帳に追加

小型フォトエッチング型ＡＴカット水晶振動子の支持による振動エネルギ漏洩を回避し、支持によるＱ値の劣化を防止する。 - 特許庁

Since the through-hole 11a is formed by photo-etching, an array pitch is made about 0.5 to 0.7 times as large as the thickness (d) of the sheet 11b.例文帳に追加

フォトエッチングで貫通孔１１ａを形成するので、配列ピッチを薄板１１ｂの板厚ｄの０．５〜０．７倍程度にすることができる。 - 特許庁

The outer shape of the crystal vibrating-reed is processed by photo-etching while a connection section 13 with a frame section 14 of a crystal wafer 11 is left.例文帳に追加

水晶振動片の外形をフォトエッチングにより水晶ウエハ１１の枠部１４との連結部１３を残して加工する。 - 特許庁

The circuit conforming to the main pattern and the mark conforming to the sub-pattern are formed by the photo-etching using the second mask via a light shielding film layer 4.例文帳に追加

遮光膜層４を介し第２のマスクによる写真蝕刻を通じ、主パターンに従う回路部と、副パターンに従うマークとが形成される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a mold for photo imprinting economically without the need of a step of forming mask by photo lithography necessary when dry-etching a quartz substrate, a dry-etching step for the quartz substrate after that and the like.例文帳に追加

石英基板をドライエッチングする場合に必要な、フォトリソグラフィーによるマスクの形成工程、その後の石英基板のドライエッチング工程などが不要で、経済的に光インプリント用モールドを製造することが可能な方法を提供する。 - 特許庁

To provide a mask which can be used for a photo-electrochemical etching, can be worked finely, and has a resistance against an acid and an alkali, to provide a method for forming the mask and a manufacturing method for a semiconductor device using the mask for the photo-electrochemical etching.例文帳に追加

光電気化学エッチングに利用でき、微細加工が可能で、かつ、酸やアルカリに対して耐性があるマスクと、このマスクの形成方法と、この光電気化学エッチング用マスクを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for eliminating photo and etching process in a key forming process to prevent a misalignment in the following photo process.例文帳に追加

後続のフォト工程における誤整列を防止するためのキーの形成工程においてフォト及びエッチング工程を省略する方法を提供する。 - 特許庁

After an opening is formed in the oxide film 11 by photo-etching, an anisotropic etching step is carried out with a mask of the oxide film 11 to form a trench 12 in the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

そして、フォトエッチングにより酸化膜１１を開口させたのち、酸化膜１１をマスクとした異方性エッチングを施し、半導体基板１０にトレンチ１２を形成する。 - 特許庁

To selectively etch a group III nitride semiconductor by using a photo-electrochemical etching having advantages such as inexpensiveness of an etching apparatus itself, inexpensive running cost and excellent mass productivity.例文帳に追加

エッチング装置自体が安価であり、ランニングコストが低く、さらに、量産性に有利であるなどの利点を有する光電気化学エッチングによって、ＩＩＩ族窒化物半導体を選択エッチングする。 - 特許庁

Since the photo resist pattern having a tapered cross section is formed, the cross section of the low reflectivity film 2 can be etched into a tapered shape by anisotropic etching, and hence is improved in dimensional controllability than by isotropic etching.例文帳に追加

また、断面にテーパーを有するフォトレジストパターンを形成したため、異方性エッチングにより低反射率膜２の断面をテーパー状にエッチング可能となり、等方性エッチングに比べ寸法制御性が向上する。 - 特許庁

The color filter array 58 is subjected to etching using the photo resist layer 59 as a mask by using a dry etching device to form color filter array removed parts 61 at the boundaries from the first to third colored layers 41, 54 and 57.例文帳に追加

フォトレジスト層５９をマスクとしてカラーフィルタアレイ５８をドライエッチング装置でエッチング処理し、第１〜第３の着色層４１，５４，４６の境界にカラーフィルタアレイ除去部６１を形成する。 - 特許庁

Also, dry etching using mixed gas including isotropic etching gas made of SF_6 and anisotropic etching gas made of Cl_2 is carried out to a site above a photo-diode to form a vertically shaped opening whose lower edge has the minimum width which is 1 μm or less not following a tungsten grain.例文帳に追加

また、フォトダイオード上の部位には、ＳＦ_6からなる等方性エッチング・ガスとＣｌ_2からなる異方性エッチング・ガスを含む混合ガスを用いたドライ・エッチングを行なうことにより、下端の最小幅が１μｍ以下で、タングステン・グレインに沿わない、垂直形状の開口を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device that performs anisotropic dry-etching on an insulating film allowing for high selectivity with a photo-resist film and without causing an etching stop, the anisotropic dry-etching done when forming an upper contact with a large radius and a lower contact with a small radius.例文帳に追加

上部の径が大きく、下部の径が小さなコンタクトを形成する際に行う絶縁膜の異方性ドライエッチングを、フォトレジスト膜との選択性が高く且つエッチストップを生ずることなくエッチングする、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, a signal wiring layer 9 having the specific pattern is formed on the copper layer 1 by the photo process and etching, photo solder resist 10 is applied, patterning is made into a prescribed shape, and a via hole 11 for a soldering ball is formed by baking for curing.例文帳に追加

次に、他の銅層１にフォトプロセスとエッチングによって所定のパターンを有する信号配線層９を形成し、フォトソルダレジスト１０を塗布し、所定の形状にパターニングし、ベークを行って硬化させて半田ボール用のビア１１を形成する。 - 特許庁

In the method for patterning, a photo-curable resin 24 is applied on a face of the member 10 to be etched with the hollow 13 on which the dry etching is applied, and a mold 50 having a pattern corresponding to a mask 24a with taper-shaped side face to be formed on the member to be etched is pressed on the photo-curable resin.例文帳に追加

空洞１３を有する被エッチング部材１０のドライエッチングを施す面に光硬化性樹脂２４を付与し、被エッチング部材上に形成すべきテーパー形状の側面を有するマスク２４ａに対応したパターンを有するモールド５０を光硬化性樹脂に押し付ける。 - 特許庁

In case a photo etching method is used, the electrode and the black-colored strip are formed on a photo mask, photosensitive black-colored silver paste is printed on a glass plate, and the bus electrode and the black-colored strip are molded at one time by development and exposure.例文帳に追加

フォトエッチング法を用いる場合、フォトマスク上に電極および黒色ストリップを形成し、ガラス板上に感光性黒色銀ペーストを印刷し、現像および露光によってバス電極および黒色ストリップを一度に成型することを実現する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the color filter using first mixed gas and second mixed gas, the color filter is manufactured by a first stopper layer formation step, a colored layer formation step, a second stopper layer formation step, a photo resist layer formation step, an image formation step, a first etching step, a photo resist layer removal step and a second etching step.例文帳に追加

第１の混合ガスと第２の混合ガスとを用いたカラーフィルタの製造方法において、第１のストッパー層形成工程と、着色層形成工程と、第２のストッパー層形成工程と、フォトレジスト層形成工程と、画像形成工程と、第１のエッチング工程と、フォトレジスト層除去工程と、第２のエッチング工程とによりカラーフィルタを製造する。 - 特許庁

The method comprises: a process of forming a photo epoxy buffer layer having a groove pattern on the rear surface of a wafer substrate for marking scribe lines to be diced; a process of etching the substrate along the marking groove in the photo epoxy layer; and a process of cutting the wafer along the etching groove by a mechanical force from the front or rear surface to separate the wafer into singulated IC packages.例文帳に追加

ダイシングされるスクライブ線をマーキングするためにウエーハの基板の裏面に溝パターンを有するフォトエポキシバッファ層を形成する工程、フォトエポキシ層中のマーキング溝に沿って基板をエッチングする工程、表面または裏面から機械的な力によりエッチング溝に沿ってウエーハを切断し、個別のＩＣパッケージに分離する工程からなる。 - 特許庁

In the method of manufacturing the color filter using first mixed gas and second mixed gas, the color filter is manufactured by a stopper layer formation step, a colored layer formation step, a photo resist layer formation step, an image formation step, a first etching step, a second etching step and a photo resist layer removal step.例文帳に追加

第１の混合ガスと第２の混合ガスとを用いたカラーフィルタの製造方法において、ストッパー層形成工程と、着色層形成工程と、フォトレジスト層形成工程と、画像形成工程と、第１のエッチング工程と、第２のエッチング工程と、フォトレジスト層除去工程とによりカラーフィルタを製造する。 - 特許庁

In this method, after etching and the photo resist peeling, the magnetic field reinforcement type reactivity ion etching method is used for removing a residual substance.例文帳に追加

本発明の方法によれば、エッチング及びフォトレジスト剥離後、磁界強化型反応性イオンエッチング法を用いて残留物質を除去することにおいて、その反応条件は、弗素及び酸素を含む気体が反応気体として用いられ、圧力が１０〜５０mtorrで、磁界が２０〜１００ガウスである。 - 特許庁

To provide a novel compound for photoresist being used for performing precision-machining utilizing photo-lithography, a photoresist liquid using the compound for photoresist, and an etching method for etching a desired surface using the photoresist liquid.例文帳に追加

フォトリソグラフィを利用した微細加工を行うために使用される、新規なフォトレジスト用化合物、上記フォトレジスト用化合物を用いたフォトレジスト液、および上記フォトレジスト液を使用して、所望の表面をエッチングするエッチング方法の提供。 - 特許庁

A copper foil 23, which is combined with a polyamide tape 21, is smoothed by applying a first etching treatment (b) to the copper foil 23, then, a photo resist coating (d), a light exposure/developing (e), and a second etching treatment (f) are applied in order, for a specified pattern on a wiring layer 4 to be formed.例文帳に追加

ポリイミドテープ２１と複合化された銅箔２３に第１のエッチング処理（ｂ）を施すことにより銅箔２３の表面を平滑化した後、フォトレジスト塗布（ｄ）、露光・現像（ｅ）および第２のエッチング処理（ｆ）を順に施し、所定のパターンの配線層４を形成する。 - 特許庁

Next, while the pattern of the photo resist 14 is trimmed so as to be a predetermined thickness, length, the amount of protrusion L is made to be a predetermined amount or less, an etching mask of substantially L character shape is formed by etching an Si_3N_4 layer 13 making this as a mask.例文帳に追加

次に、フォトレジスト１４のパターンを所定の太さ、長さにトリミングするとともに、はみ出し量Ｌを所定量以下とし、これをマスクとしてＳｉ_3Ｎ_4層１３をエッチングして略Ｌ字状のエッチングマスクを形成する。 - 特許庁

An alignment mark 74a of a photo mask 71 and the alignment mark 15 are aligned, a resist film (a photosensitive film 56) formed on the one main surface of the conductive material 51 is exposed to form an etching mask, and the conductive material 51 is etched using the etching mask.例文帳に追加

フォトマスク７１のアライメントマーク７４ａとアライメントマーク１５とを位置合し、導電材料５１の１つの主面に形成したレジスト膜（感光性フィルム５６）を露光してエッチングマスクを形成し、そのエッチングマスクを用いて導電材料５１をエッチングする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a shadow mask by a photo- etching method, in which an etching-resistance resin layer is formed with no residual air bubbles in small holes when forming it in the small holes, resulting in no defective aperture of small holes.例文帳に追加

フォトエッチング法によりシャドウマスクを製造する方法にて、小孔側にエッチング耐蝕樹脂層を形成する際に、小孔内に気泡を残さずエッチング耐蝕樹脂層を形成し、小孔の孔径不良を発生させないシャドウマスクの製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the vicinity of the opposite end parts of a thin metal plate 61 parallel with the longitudinal direction of a lead frame, an exposed part 63 of the thin metal plate extending linearly in the longitudinal direction is formed as a dummy pattern by photo-etching simultaneously with formation of an etching resist layer 62.例文帳に追加

フォトエッチング法にて、リードフレームの長手方向と平行な金属薄板６１の両端部近傍に、長手方向に線状に延びる金属薄板の露出部６３をダミーパターンとして、エッチングレジスト層６２の形成と同時に金属薄板の両面上に形成すること。 - 特許庁

Since contact photo etching is conducted by using such a mask as to make an interlayer insulation film for protection in the chip corner section, excessive etching never goes beyond the interlayer insulation film for protection and thereby a predetermined area is obtained for the interlayer insulation film in the actual operation region.例文帳に追加

本発明では、チップコーナー部に保護用の層間絶縁膜が設けられるようなマスクを用いてコンタクトフォトエッチが行われるので、過剰エッチングは保護用層間絶縁膜で止まり、実動作領域の層間絶縁膜は所定の面積を確保できる。 - 特許庁