「QUANTUM EFFECT」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

FIELD-EFFECT TRANSISTOR HAVING QUANTUM-WAVE INTERFERENCE LAYER例文帳に追加

量子波干渉層を有した電界効果トランジスタ - 特許庁

in quantum mechanics, a particle phenomenon called tunneling effect 例文帳に追加

トンネル効果という,量子力学系における粒子の現象 - EDR日英対訳辞書

FIELD EFFECT SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING MULTIDIMENSIONAL CONFINEMENT QUANTUM WELL例文帳に追加

多次元閉じ込め量子井戸を有する電界効果型半導体装置 - 特許庁

SPIN-INJECTION MAGNETIZATION-REVERSAL MAGNETO-RESISTANCE ELEMENT USING QUANTUM SIZE EFFECT例文帳に追加

量子サイズ効果を用いたスピン注入磁化反転磁気抵抗素子 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING ZINC OXIDE ULTRAFINE PARTICLE HAVING QUANTUM SIZE EFFECT例文帳に追加

量子サイズ効果を有する酸化亜鉛超微粒子の製造方法 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR FORMING SAMPLE BY QUANTUM EFFECT ATOMIC SEPARATION例文帳に追加

量子効果原子剥離による試料作成方法及び装置 - 特許庁

The thin film is thick enough to cause a quantum size effect.例文帳に追加

薄膜の厚さは、量子サイズ効果が起こる程度の厚さとされている。 - 特許庁

To enhance a carrier's capture effect relating to a quantum dot optical semiconductor element without changing the size of a light absorption quantum dot.例文帳に追加

量子ドット光半導体素子に関し、光吸収用量子ドットのサイズを変更することなく、キャリアの捕獲効率を高める。 - 特許庁

Quantum dots varying in volume are formed on a substrate 711 to generate quantum levels at which state density functions are nearly equaled to each other and a resonance effect is induced between the quantum levels to bond a quantum level of a first quantum dot 712 to quantum levels of a plurality of second quantum dots 713.例文帳に追加

体積が異なる各量子ドットを基板７１１上に形成することにより、状態密度関数がほぼ等しくなる量子準位を作り出し、これらの間で共鳴効果を起こさせることにより、第１の量子ドット７１２の量子準位と、複数の第２の量子ドット７１３の量子準位とを結合させる。 - 特許庁

The laminated insulation layer has a first insulation layer, a quantum effect layer provided on the first insulation layer and having a barrier height lower than that of the first insulation layer, and a second insulation layer provided on the quantum effect layer and having a barrier height higher than that of the quantum effect layer.例文帳に追加

前記積層絶縁層は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に設けられ、前記第１絶縁層よりもバリアハイトが低い量子効果層と、前記量子効果層上に設けられ、前記量子効果層よりもバリアハイトが高い第２絶縁層と、を有する。 - 特許庁

Meanwhile, in the case where the mean particle size of the heat-treated ZnO quantum dots is equal to or less than 10 nm, since a quantum size effect is manifested, and the light emission efficiency is enhanced, it becomes possible to apply to a quantum dot laser by utilizing this property.例文帳に追加

一方、熱処理されたＺｎＯ量子ドットの平均粒径が１０ｎｍ以下の場合は、量子サイズ効果が発現し、かつ発光効率が向上することから、この性質を利用して量子ドットレーザへの応用が可能となる。 - 特許庁

The first quantum dot 12 and the second quantum dot 13 varying in sizes are formed on a substrate 11 composed of a conductive crystal and a resonance effect is induced between the quantum levels at which state density functions are equaled to each other, allowing the exciton existing within the first quantum dot 12 to be implanted into the quantum level of the second quantum dot 13.例文帳に追加

導電性の結晶により構成される基板１１上に、大きさの異なる第１の量子ドット１２及び第２の量子ドット１３を形成して状態密度関数が互いに等しくなる量子準位間で共鳴効果を起こさせ、第１の量子ドット１２内に存在する励起子を第２の量子ドット１３の量子準位へ注入させる。 - 特許庁

PEAPOD STRUCTURE AND QUANTUM EFFECT DEVICE USING THE SAME, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ピーポッド構造およびそれを用いた量子効果素子およびその製造方法 - 特許庁

To provide such a quantum effect element that is extremely small in element occupation area and low in power consumption.例文帳に追加

素子専有面積が極めて小さく、且つ、低消費電力の量子効果素子を実現できるようにする。 - 特許庁

To realize an easy, useful and reasonable constitution concerning a photon number counting device and a quantum effect measuring device.例文帳に追加

フォトン数計数装置および量子効率測定装置に関し、簡便で安価な構成を実現する。 - 特許庁

First and second quantum dots 12 and 13 having different sizes are formed on a substrate 511 made of a conductive crystal to cause a resonance effect between quantum levels when their state density functions become the same, so that excitons excited within the first quantum dot 12 according to the wavelength of light emitted from the illumination optical system 518 are injected to the quantum level of the second quantum dot 13.例文帳に追加

導電性の結晶により構成される基板５１１上に、大きさの異なる第１の量子ドット１２及び第２の量子ドット１３を形成して状態密度関数が互いに等しくなる量子準位間で共鳴効果を起こさせ、照射光学系５１８から照射される光の波長に応じて第１の量子ドット１２内で励起された励起子を第２の量子ドット１３の量子準位へ注入させる。 - 特許庁

As a result, when biased of the whole multiple quantum well layer is carried out forward or backward, high speed translocation of carriers (usually holes) is enabled by tunnel effect, from energy level of one quantum well layer which is adjacent to the quantum dot to energy level of adjacency quantum well of the other side through energy level in the quantum dot.例文帳に追加

多重量子井戸層全体を，順方向ないし逆方向にバイアスしたとき，量子ドットに接する一方の量子井戸層のエネルギー準位から，量子ドット内エネルギー準位を経由して，他方の隣接量子井戸のエネルギー準位へ，トンネル効果でキャリヤ（通常は正孔）を高速に移動させることが可能となる。 - 特許庁

A first quantum dot 22 and a second quantum dot 23 which have different sizes are provided on a substrate 21, thereby causing a resonant effect between quantum levels in which status density functions become equal to each other and amplifying the light to be incident in response to reverse distribution generated by implanting exciters into the quantum level of the second quantum dot 23.例文帳に追加

大きさの異なる第１の量子ドット２２及び第２の量子ドット２３を基板２１上に設けることにより、状態密度関数が互いに等しくなる量子準位間で共鳴効果を起こさせ、第２の量子ドット２３の量子準位に励起子を注入させることにより生成される反転分布に応じて入力される光を増幅する。 - 特許庁

A first quantum dot 22 and a second quantum dot 23 which have different sizes are provided on a substrate 21, thereby causing a resonant effect between quantum levels in which status density functions become equal to each other and resonating light emitted on the basis of reverse distribution generated by implanting exciters into the quantum level of the second quantum dot 23 and further performing optical oscillation.例文帳に追加

大きさの異なる第１の量子ドット２２及び第２の量子ドット２３を基板２１上に設けることにより、状態密度関数が互いに等しくなる量子準位間で共鳴効果を起こさせ、第２の量子ドット２３の量子準位に励起子を注入させることにより生成される反転分布に基づいて放出された光を共振させ、さらに光発振させる。 - 特許庁

Light stimulated from the inner quantum well layer 5a with the greater forbidden band width is made incident on the outermost quantum well layers 5b, 5c with the smaller forbidden band width and absorbed in them so that the stimulated emission effect can be improved.例文帳に追加

禁制帯幅の大きい内側の量子井戸層５ａから生じた光が、禁制帯幅の小さい最も外側の量子井戸層５ｂ，５ｃに入射して吸収され、誘導放出効果を高めることができる。 - 特許庁

The material with large interaction between light and electron has strong triggering power of an exciter while the quantum confinement effect bearing quantum dot is posed to generate a strong light emission.例文帳に追加

光と電子の大きな相互作用を持つ物質は励起子の起動子強度が大きく、さらに量子ドットを担持させた量子閉じ込め効果とあいまって、強い発光が生じる。 - 特許庁

An optical modulator 15 is used, which uses quantum confinement Stark effect of the multi-quantum well of a semiconductor and is characterized by λS-λPL<60 nm, where λS is the wavelength of light which is superposed on a signal, and λPL is the wavelength corresponding to the energy difference between quantum levels of electrons and positive holes of the multi-quantum well.例文帳に追加

半導体の多重量子井戸における量子閉じ込めスタルク効果を利用した光変調器１５を用い、信号を乗せる光の波長をλ_S、多重量子井戸の電子と正孔の量子準位間のエネルギー差に相当する波長をλ_PLとしたとき、λ_S−λ_PL＜６０ｎｍであることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a gallium nitride-based light-emitting diode (LED) device, which allows maximizing an effect of improving external quantum efficiency.例文帳に追加

外部量子効率の改善効果を極大化させ得る窒化ガリウム系発光ダイオード（ＬＥＤ）素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The super fine semiconductor having an alkyl fluoride derivatives as a ligand has absorption and emission characteristics which can be controlled by quantum effect of the semiconductor crystalline particles.例文帳に追加

フッ化アルキル誘導体を有機配位子として結合してなる半導体超微粒子を用いて上記課題を解決する。 - 特許庁

QUANTUM SIZE EFFECT MICRO ELECTRON GUN AND PLANE DISPLAY DEVICE USING THE SAME, PRODUCTION METHOD OF PLANE DISPLAY例文帳に追加

量子サイズ効果型微小電子銃及びこの電子銃を使用した平面型ディスプレイ装置並びにその製造方法 - 特許庁

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR TYPE QUANTUM DOT LIGHT-EMITTING ELEMENT AND LIGHT-RECEIVING ELEMENT, PHOTOELECTRON INTEGRATED CHIP USING THE SAME, AND DATA PROCESSOR例文帳に追加

ＭＯＳ電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子および受光素子、これらを利用した光電子集積チップおよびデータ処理装置 - 特許庁

To provide an inorganic nanoparticle which is composed of a skutterudite compound and in which development of a quantum effect can be expected and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

本発明は、スクッテルダイト化合物であり、量子効果の発現が期待できる無機ナノ粒子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve internal quantum effect by decreasing series resistance and increasing the carrier density of a light emission layer.例文帳に追加

直列抵抗を減らすと共に発光層でのキャリア密度を上げ、内部量子効果を向上させることを可能とする。 - 特許庁

QUANTUM DOT FIELD EFFECT TRANSISTOR, MEMORY ELEMENT AND OPTICAL SENSOR USING SAME, AND INTEGRATED CIRCUIT USING THEM例文帳に追加

量子ドット電界効果トランジスタ、それを用いたメモリ素子及び光センサ及びそれらの集積回路 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element with improved properties whose active layer has a structure in which a quantum effect is suppressed.例文帳に追加

活性層を量子効果が抑制される構造とすることにより、特性が向上される半導体発光素子の提供。 - 特許庁

To provide a device simulation method by which the quantum effect of an inverted layer in a high-grate voltage area can be expressed better.例文帳に追加

ゲート電圧が高い領域での反転層量子効果をより良く表現できるデバイスシミュレーション方法を提供する。 - 特許庁

For bringing the pulverized compound and the like infinitely close to have true density, the particle size of the compound is preferably 1 μm or smaller at which a quantum effect appears.例文帳に追加

真密度に限りなく近似させるには、粒径は、量子効果が出現する１μｍ以下が好ましい。 - 特許庁

In such a manner, dimensions of the island-shaped parts 105a are set to be not larger than spread of a wave function of electrons, and accordingly, a quantum effect is obtained.例文帳に追加

このように、島状部分１０５ａの寸法を電子の波動関数の広がり以下とすることで、量子効果が得られるようになる。 - 特許庁

To inexpensively provide a compact quantum point contact in the same level as the manufacturing process of a field effect transistor.例文帳に追加

電界効果トランジスタの製造工程と同程度で、しかも小型の量子ポイントコンタクトを安価に提供する。 - 特許庁

By saving the dimensions of the island-shaped parts 105a to be not larger than widening of an electronic wave function, a quantum effect is obtained.例文帳に追加

このように、島状部分１０５ａの寸法を電子の波動関数の広がり以下とすることで、量子効果が得られるようになる。 - 特許庁

To provide MOS field effect transistor type quantum dot light-emitting element and light-receiving element, manufacturing method of the MOS field effect transistor type quantum dot light-emitting element, and photoelectron integrated chip that utilizes the light-receiving/emitting element, as well as data processor.例文帳に追加

ＭＯＳ電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子および受光素子の提供、ＭＯＳ電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子の製造方法の提供、かかる受発光素子を利用した光電子集積チップ、データ処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The MOS field effect transistor type quantum dot light-emitting element comprises a semiconductor substrate, a tunnel SiO_2 layer formed on the semiconductor substrate, a quantum dot which includes Ge nucleus within Si shell formed on the tunnel SiO_2 layer, a control SiO_2 layer formed on the quantum dot and tunnel SiO_2 layer, and a gate electrode layer formed on the control SiO_2 layer.例文帳に追加

ＭＯＳ電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子は、半導体基板と、該半導体基板上に形成されたトンネルＳｉＯ_２層と、該トンネルＳｉＯ_２層上に形成されたＳｉ殻内にＧｅ核を内包した量子ドットと、該量子ドット上及び前記トンネルＳｉＯ_２層上に形成されたコントロールＳｉＯ_２層と、該コントロールＳｉＯ_２層上に形成されたゲート電極層と、を有する。 - 特許庁

The liquid crystal display device comprises an optical control part having a liquid crystal to modulates ultraviolet rays and an electrode to drive the liquid crystal and a luminous layer 17 which emits light by the ultraviolet rays passing the optical control part and includes a self light-emitting quantum dot having a quantum confinement effect with the ultraviolet inorganic phosphor.例文帳に追加

紫外線を変調する液晶及び液晶を駆動する電極を備える光制御部と、光制御部を通過した紫外線により発光し、紫外線無機蛍光体と量子孤立効果を有する自発光量子ドットを含む発光層とを備える液晶表示装置である。 - 特許庁

To provide a gallium-nitride-based LED element of perpendicular structure for maximizing the improvement effect of an external quantum efficiency and securing high-output characteristics by improving a current dispersion effect.例文帳に追加

外部量子効率の改善効果を極大化し、電流分散効果を向上させて高出力特性を確保する垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子を提供する。 - 特許庁

To provide: a device which achieves wavelength conversion by using a Purcell effect and a photonic band gap effect in a coupling system between a quantum dot and a resonator; a wavelength conversion method; and a single photon generation device.例文帳に追加

量子ドットと共振器の結合系におけるパーセル効果とフォトニックバンドギャップ効果を用いることで、波長変換を実現する装置および波長変換方法および単一光子発生装置を提供する。 - 特許庁

A simulation method for a semiconductor device has a step for determing a Fermi energy of the semiconductor device when assuming that it has no potential and the neutrality condition of its charge is satisfied, and ignoring any quantum many-body effect in it; and a step for using the Fermi energy to determine the ionization rates of its donor and acceptor when considering the quantum many-body effect in it.例文帳に追加

電位が無く、かつ電荷の中性条件が成立すると仮定し、量子多体効果を無視した場合のフェルミエネルギーを求めるステップと、前記フェルミエネルギーを用いて、量子多体効果を考慮したドナーおよびアクセプターのイオン化率を求めるステップと、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

Tunneling state density by the quantum-mechanical tunneling effect through a Schottky barrier potential of the Schottky source/drain MOSFET is calculated.例文帳に追加

ショットキー・ソース／ドレインＭＯＳＦＥＴのショットキー障壁ポテンシャルの、量子力学的トンネル効果によるトンネル状態密度を計算する。 - 特許庁

To provide ultrafine semiconductor particles having hydrophilicity, nonspecific adsorptivity to a biosubstance, and light-absorbing and emitting characteristics controlled by the quantum effect of the semiconductor crystals.例文帳に追加

親水性、生体物質への非特異吸着性、及び該半導体結晶の量子効果により制御された吸発光特性を有する半導体超微粒子を提供する。 - 特許庁

The substrate having the arrangement of metal dots can be used for a quantum device using a single electron tunneling effect such as a single electron transistor and a single electron memory.例文帳に追加

この金属ドットを配列させた基板は、単一電子トランジスタや単一電子メモリ−のような単一電子トンネル果を利用した量子素子に用いることができる。 - 特許庁

To freely adjust the threshold voltage Vth of a fined element in spite of a scaling rule on a field effect semiconductor device having a multidimensional confinement quantum well.例文帳に追加

多次元閉じ込め量子井戸を有する電界効果型半導体装置に関し、スケーリング則に拘わらず、微細化した素子のしきい値電圧Ｖ_thを自由に調整する。 - 特許庁