「Read-write」に関連した英語例文の一覧と使い方(81ページ目) - Weblio英語例文検索

Thus, a semiconductor memory device can adjust a selected word line voltage level according to fluctuations in threshold value voltage of a memory cell transistor without using a different power supply line and can stably write/read data even under a low power supply voltage without complicating a power supply line.例文帳に追加

トランジスタメモリセルトランジスタのしきい値電圧の変動に応じて選択ワード線電圧レベルを、別電源系統を用いることなく調整することができ、電源系統を複雑化することなく、低電源電圧下においても安定にデータの書込／読出を行うことのできる半導体記憶装置を実現することができる。 - 特許庁

The wobble component extraction method has reflected light consisting of low-output laser light 20 for read and high-output laser light 22 for write and makes low-output laser light 20 and high-output laser light 22 of reflected light continuous in the case of the discontinuous light quantity to extract wobble components 1.例文帳に追加

反射光が読み出し時の低出力レーザー光２０と書き込み時の高出力レーザー光２２とで構成されて、光量が不連続である場合に、該反射光の低出力レーザー光２０と高出力レーザー光２２を連続してウォブル成分１を抽出することを特徴としたウォブル成分抽出方法である。 - 特許庁

After stored data of memory cells MC11-MCm1 connected to a word line WL1 are transferred simultaneously to read-registers Rreg-1 to Rreg-m, stored data of memory cells MC12-MCm2 connected to a word line WL2 are transferred simultaneously to write-registers Wreg-1 to Wreg-m.例文帳に追加

ワード線ＷＬ１に接続されているメモリセルＭＣ１１〜ＭＣｍ１の格納データがリードレジスタＲｒｅｇ−１〜Ｒｒｅｇ−ｍに一斉に転送された後，ワード線ＷＬ２に接続されているメモリセルＭＣ１２〜ＭＣｍ２の格納データがライトレジスタＷｒｅｇ−１〜Ｗｒｅｇ−ｍに一斉に転送される。 - 特許庁

When a microcomputer 13 receives a CM discrimination signal from a CM discrimination circuit 12, the microcomputer 13 outputs a control signal to control the setting of the long time mode to a motor drive circuit 14, a magnetic head changeover switch circuit 7, and a control pulse read write circuit 16 so as to shift the tape running to the long time mode.例文帳に追加

ＣＭ判別回路１２からＣＭ判別信号が、マイクロコンピュータ１３に入力されると、長時間モードとなるように制御信号が出力され、モータ駆動回路１４、磁気ヘッド切換えスイッチ回路７、コントロールパルス読み書き回路１６に供給され、テープ走行を長時間モードに移行させる。 - 特許庁

If there are no such registrations, a content ID corresponding to the header information displayed on the display device 1 associated with the information read/write device 2 is written to the IC tag 6 as an undelivered content ID, and then content corresponding to the header information is written to the IC tag 6.例文帳に追加

一方、登録されていないならば、当該情報読書き装置２に対応付けられている表示装置１が表示中の見出し情報に対応するコンテンツＩＤを未配信コンテンツＩＤとしてＩＣタグ６に書込み、それから、当該見出し情報に対応するコンテンツをＩＣタグ６に書き込む。 - 特許庁

The memory includes a circuit 800 as the directed auto-refresh memory bank selecting part configured to simultaneously select a first of the at least two memory banks for read or write operation and a second of the at least two memory banks for directed auto-refresh.例文帳に追加

上記メモリは、上記少なくとも２つの各メモリバンクの内における、読み出し書き込み動作のための第１のメモリバンクと、上記少なくとも２つの各メモリバンクの内における、指定自動リフレッシュのための第２のメモリバンクとを同時に選択するように構成された、指定自動リフレッシュメモリバンク選択部としての回路８００を含んでいる。 - 特許庁

To provide a magnetic head which has a floating surface protective film made of only a thin carbon film maintaining a stable adhesion property without using a thin silicon film in order to thin the floating surface protective layer while reducing the dead layer as much as possible on the ion injection read/write element, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

磁気ヘッド浮上面保護膜の薄膜化を推進するため、珪素薄膜を使用しないで、密着性を保ち、かつ、イオン入射によるリード/ライト素子へのデッドレーヤ形成を極力排除した炭素薄膜のみからなる浮上面保護膜をもつ磁気ヘッド及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

There are performed processing of shifting the font data or data of the figure according to the bit position set in a working register, processing of masking data read out of the display storage device according to the set address and bit position, and processing of generating write data by ORing the shifted data and masked data.例文帳に追加

作業レジスタによって、設定されたビット位置に応じてフォントデータまたは図形のデータをシフトさせる処理、設定されたアドレスおよびビット位置に応じて表示用記憶装置から読み出されたデータをマスクする処理、およびシフトされたデータとマスクされたデータとをＯＲ処理して書き込みデータを生成する処理が行われる。 - 特許庁

To obtain a non-volatile memory circuit in which write-in voltage is low, data can be read out at high speed and surely even if difference of threshold values between an enhancement state and a depression state of a non-volatile memory element is small, and rewriting can be performed many times, in a non-volatile memory circuit of FLOTOX type.例文帳に追加

ＦＬＯＴＯＸ型の不揮発記憶回路において、書き込み電圧が低く、不揮発性メモリ素子のエンハンスメント状態とデプレッション状態のしきい値の差が小さくても、データを高速かつ確実に読み出すことができ、また書き換え可能な回数の多い不揮発性記憶回路を得ること。 - 特許庁

Then, an up/down counter circuit 52 controls an output buffer size on the basis of the compared result of the voltage comparator circuit 51 synchronously with the system clock CK and in a specified operating state such as read, write or Nop activating an OE signal, an updating control register circuit 53 updates output buffer size data.例文帳に追加

そして、アップ／ダウンカウンタ回路５２は、システムクロックＣＫに同期して、電圧比較回路５１の比較結果に基づいて出力バッファサイズを制御し、更新制御レジスタ回路５３は、ＯＥ信号が活性化するリードやライトあるいはノップ（Ｎｏｐ）といったの特定のオペレーティング状態になると、出力バッファサイズデータを更新する。 - 特許庁

To provide a wireless identification (RFID) tag with detection function for an unauthorized carrying out which can be attached to merchandise etc., that can write/read out individual data of the merchandise etc., which are the objects of identification without contact, and can detect the carrying out of the merchandise etc., without legitimate reason.例文帳に追加

商品等に取付けることができ、識別対象物である商品等の個々のデータを非接触で書込み／読出しすることのできる無線周波識別(ＲＦＩＤ)タグであって、商品等が正当な理由無く持出されることを検知する不正持出し検知機能付きのＲＦＩＤタグを提供する。 - 特許庁

When fitting of an external memory 20 is detected, the information processor 10 decides whether it is in a read mode capable of reading a file out of the information processor 10 and writing it to the external memory 20 or it is in a write mode capable of reading the file out of the external memory 20 and writing it to the information processor 10.例文帳に追加

外部メモリ２０の装着が検知されると、情報処理装置１０からファイルを読み出して外部メモリ２０に書き込むことのできる読取モードであるか、外部メモリ２０からファイルを読み出し、情報処理装置１０に書き込むことのできる書込モードであるかを、情報処理装置１０は判断する。 - 特許庁

Buffer memories 3, 5 for a data signal from the STM1 signal to the VC3 signal are placed in parallel for configuring a sole stage, and the write control of the buffer memories 3, 5 is made, on the basis of a result of an AU(administrative unit) pointer processing, and read control is conducted according to the result of staff information processing in the VC3.例文帳に追加

ＳＴＭ１信号からＶＣ３信号に至るデ−タ信号用のバッファメモリ３，５を並列に配置して唯一１段とし、そのバッファメモリ３，５の書込み側制御をＡＵポインタ処理結果に基づいて行い、読出し側制御をＶＣ３内のスタッフ情報処理結果に基づいて行っている。 - 特許庁

To provide an information editing device or the like which can prevent a mis-recognition by a user relative to the condition able to perform editing processes and can effectively perform a truly required editing process in the case where the user conducts edition of recorded information that is already recorded on a DVD-R of a direct-read-after-write type.例文帳に追加

追記のみが可能なＤＶＤ−Ｒに既に記録されている記録情報を編集する場合に、使用者が当該編集処理の可能状況について誤認識することを防止すると共に、真に必要な編集処理を有効に実行することが可能な情報編集装置等を提供する。 - 特許庁

In the nonvolatile memory incorporating a memory element for which data read/write can be executed electrically by a control signal supplied through a plurality of terminals, a switch means is constituted on a connection wire for supplying a predetermined control signal from a memory element control terminal of a connector side connector to the memory element.例文帳に追加

複数の端子を介して供給される制御信号によって電気的にデータの読み出しと書き込みとが実行可能なメモリ素子を搭載した不揮発性メモリにおいて、メモリ側コネクタのメモリ素子制御端子から上記メモリ素子に所定の制御信号を供給する接続線上にスイッチ手段を構成する。 - 特許庁

When a defective sector is included in a disk access range on a disk 11 designated by a read/write command from a host, in a stage that a head 12 reaches the defective sector included in the disk access range, a CPU 17 interrupts a disk access for data transfer between the disk access range and a data buffer 251.例文帳に追加

ＣＰＵ１７は、ホストからのリード／ライトコマンドの指定するディスク１１上のディスクアクセス範囲に欠陥セクタが含まれている場合、ヘッド１２がディスクアクセス範囲に含まれている欠陥セクタに到達した段階で、当該ディスクアクセス範囲とデータバッファ２５１との間のデータ転送のためのディスクアクセスを中断する。 - 特許庁

In the case that the same data are stored in the cache storage part 380 while being made to correspond to the identifier corresponding to the contents of the data specified by the index included in a read/write request upon cache mishit, an index registration part 320d registers the identifier in the table 330 in association with the index.例文帳に追加

インデックス登録部３２０ｄは、キャッシュミスヒット時、読み書き要求に含まれているインデックスの指定するデータの内容に対応する識別子に対応付けて、同一のデータがキャッシュ格納部３８０に格納されている場合、当該識別子を、このインデックスに対応付けてテーブル３３０に登録する。 - 特許庁

In the ferroelectric memory device, an operation process to execute any one of data read, data rewrite, or data write is repeatedly performed to at least one selected cell 18a of a plurality of ferroelectric memory cell 18 formed at each intersection point of a plurality of word lines 14 and a plurality of bit lines 16.例文帳に追加

強誘電体記憶装置では、複数のワード線１４及び複数のビット線１６の各交点に形成される複数の強誘電体メモリセル１８の少なくとも一つの選択セル１８ａに対して、データ読み出し、データ再書き込み及びデータ書き込みのいずれか一つを実施する動作工程が繰り返し行われる。 - 特許庁

The image formation device has a rewritable first memory connected to the microprocessor through the bus and a second memory controlled by electromagnetic coupling with a read write unit, and the microprocessor operates based on a transfer means that transfers the data stored in the second memory to the first memory and the first memory rewritten with the transfer means.例文帳に追加

マイクロプロセッサにバス接続された書き換え可能な第１のメモリと、リードライトユニットとの電磁結合により制御される第２のメモリを備え、前記第２のメモリに記憶されたデータを前記第１のメモリに転送する転送手段と、前記転送手段によって書き換えられた前記第１のメモリに基づいて前記マイクロプロセッサが動作する。 - 特許庁

To provide a method of controlling a noncontact IC card capable of surely performing a data read processing and a data write processing particularly by sufficiently assuring the access time of the IC card in the method of controlling the IC card for communicating, at no contact, with a communicated equipment and receiving a power supply at no contact.例文帳に追加

本発明は通信対象機器に対し、非接触で通信を行うと共に、非接触で電源供給を受けるＩＣカードの制御方法に関し、特にＩＣカードのアクセス時間を充分確保し、データ読出し処理及びデータ書込み処理を確実に行うことができる非接触ＩＣカードの制御方法を提供するものである。 - 特許庁

Since pre-charge voltage VBP can be lowered even when the second voltage VPP is lowered and the 'H' level memory write-in potential is reduced by generating bit line pre-charge voltage VBP by referring to the first voltage VDD and the second voltage VPP, the 'H' level read-out margin can be increased.例文帳に追加

第１の電圧ＶＤＤ及び第２の電圧ＶＰＰを参照することによってビット線プリチャージ電圧ＶＢＰを発生することにより、第２の電圧ＶＰＰが小さくなって”Ｈ”レベルメモリ書き込み電位が減少した際にもプリチャージ電圧ＶＢＰを低くすることができるため、”Ｈ”レベル読み出しのマージンを大きくすることができる。 - 特許庁

A matrix circuit is formed by using a drain in a write-in transistor, a gate in a read-out transistor, and a plurality of memory cells to which either of electrode of the drain and a capacitor is connected.例文帳に追加

書き込みトランジスタのドレインと読み出しトランジスタのゲート、および、前記ドレインとキャパシタの一方の電極を接続した記憶セルを複数用いて形成されたマトリクスにおいて、書き込みトランジスタのゲートを書き込みワード線に、書き込みトランジスタのソースを書き込みビット線に、読み出しトランジスタのソースとドレインとを、それぞれ、読み出しビット線及びバイアス線に接続する。 - 特許庁

The read/write pulse generation device has an edge trigger type first pulse generation circuit for generating and outputting a first pulse signal on the basis of the first frequency division signal, and an edge trigger type second pulse generation circuit for generating and outputting a second pulse signal on the basis of the second frequency division signal, having the same configuration as the first pulse generation circuit.例文帳に追加

リード／ライトパルス発生装置は、第１の分周信号に基づいて、第１のパルス信号を発生し出力する、エッジトリガタイプの第１のパルス発生回路と、第２の分周信号に基づいて、第２のパルス信号を発生し出力する、第１のパルス発生回路と同じ構成を有するエッジトリガタイプの第２のパルス発生回路と、を有する。 - 特許庁

In a non-volatile semiconductor memory 10 which can write, erase, and read information electrically, deterioration of a memory cell 11 is detected by comparing a erasing time Te required to erase information of the memory cell 11 with a reference erasing time Ti stored previously in a reference erasing time memory 15, and progress of deterioration is suppressed.例文帳に追加

本発明は、電気的に情報の書き込み、消去、読み出しが可能な不揮発性半導体記憶装置１０において、メモリセル１１の情報消去に要した消去時間Ｔ_eと、予め基準消去時間メモリ１５に記憶された基準消去時間Ｔ_iとを比較することでメモリセル１１の劣化を検出し、該劣化の進行を抑制する構成である。 - 特許庁

The read/write control means includes content writing means for writing A/V signals for the contents transmitted from the higher-level CPU section 2 into the optical disk 24 in real time, and management information temporarily storing means for temporarily storing management information for the contents in the nonvolatile memory 23 during operation of the content writing means.例文帳に追加

このリードライト制御手段は、さらに上位ＣＰＵ部から送信されるコンテンツのＡＶ信号をリアルタイムに光ディスク２４に書き込む処理を行うコンテンツ書込み手段と、コンテンツ書込み手段が作動しているときに、コンテンツの管理情報を不揮発性メモリ２３に一時的に記憶する処理を行う管理情報一時記憶手段とを備えている。 - 特許庁

The MP 267 stores information about the received data in the trace data storage memory 202 as trace data, and, once adaptability to the requirements for sending trace data is detected, issues a write command to the storage control system so that the trace data stored in the trace data storage memory 202 are read and sent to the storage control system 106A.例文帳に追加

ＭＰ２６７は、受信したデータに関する情報をトレースデータとしてトレースデータ格納メモリ２０２に格納し、トレースデータ送信条件に適合したことが検出されたならば、記憶制御システムにライトコマンドを発行し、トレースデータ格納メモリ２０２に格納されているトレースデータを読み出して記憶制御システム１０６Ａに送信する。 - 特許庁

This storage device has a CPU 110 for executing control on read/write of data to a magnetic disk 21, a PLL circuit 11 for generating a clock signal of a plurality of frequencies, and an OR circuit 104 for selecting a frequency of a clock signal to be supplied to the CPU 110 from the plurality of frequencies according to a control object of the CPU 110.例文帳に追加

磁気ディスク２１へのデータのリード／ライトに関する制御を行うＣＰＵ１１０と、複数の周波数のクロック信号を生成するＰＬＬ回路１１と、ＣＰＵ１１０の制御対象に応じて、該ＣＰＵ１１０へ供給すべきクロック信号の周波数を、複数の周波数の中から選択するオア回路１０４とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor memory device includes a mode register control unit configured to receive address signals, a mode register write signal, and a mode register read signal, and generate a flag signal and at least one output information signal, and a global input/output line latch unit for transferring the output information signal to a global input/output line in response to the flag signal.例文帳に追加

アドレス信号、モードレジスタ書込み信号及びモードレジスタ読取り信号を受信し、フラグ信号及び少なくとも一つの出力情報信号を生成するモードレジスタ制御部と、前記フラグ信号に応答して前記出力情報信号をグローバル入出力ラインに伝達するグローバル入出力ラインラッチ部とを含む構成とした。 - 特許庁

To provide a device, method, and program for WORM (write once read many) information recording and reproduction with which different contents are reproduced when a plurality of optical disks where the same contents as some specified contents are recorded are reproduced and a computer-readable program storage medium where the program for WORM information recording and reproduction is recorded.例文帳に追加

ある特定のコンテンツと同一のコンテンツを記録した複数の光ディスクを再生した場合に、それぞれ異なる内容が再生される追記情報記録再生装置、追記情報記録再生方法、追記情報記録再生プログラム及び、追記情報記録再生プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能なプログラム格納媒体を提供すること。 - 特許庁

To provide a hard disk drive device which can suppress a rise in temperature inside the device without newly preparing a fan motor etc. in the hard disk drive device 3 in which a disk 7 rotary driven by a spindle motor 8 and a head 11 which performs write/read of data to/from the disk 7 are housed in a sealed state inside of a device main part 4.例文帳に追加

装置本体４の内部に、スピンドルモータ８によって回転駆動されるディスク７と、このディスク７に対しデータの書き込み／読み出しを行なうヘッド１１と、が密閉状態で収容されてなるハードディスクドライブ装置３において、新たにファンモータ等を設けることなく装置内部の温度上昇を抑制できるハードディスクドライブ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a planar or solid recording medium which has a frame line or a ruled line for layout drawn beforehand, wherefrom the ruled line can be erased easily by only irradiating it with light and whereon recording can be made with easiness to write and read so that a letter space, a line space or the like conforms with the intended layout after the ruled line is erased, and a usage thereof.例文帳に追加

予めレイアウト用の枠線や罫線が引いてあり、この罫線に光を照射するだけで容易に罫線を消すことができ、罫線消去後、文字間隔、行間隔等が予め意図したレイアウトに沿うように、書きやすく読みやすく記録できる、平面又は立体記録媒体及びその使用方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a DRAM semiconductor memory in which a high speed operation can be realized which securing operation margin by dissolving the restriction of connection relation between a pair of bit lines and a pair of data buses by a column selection gate in a DRAM of a direct sense system, and optimizing independently the internal timing control at the read-out and the internal timing control at the time of write-in.例文帳に追加

ダイレクトセンス方式のＤＲＡＭにおけるコラム選択ゲートによる、ビット線対とデータバス対との接続関係の制約を解消するとともに、読み出し時の内部タイミング制御と書き込み時の内部タイミング制御とを独立して最適化することで、動作マージンを確保しながら高速動作を実現できるＤＲＡＭ半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

This system comprises a location management means for managing access point information for access points of wireless LAN and the locations of the access points, a database for storing the locations of the access points in association with regional information, and an access means for permitting the read/write of the regional information stored in the database only via the access point associated with the regional information concerned.例文帳に追加

無線ＬＡＮのアクセスポイントと、アクセスポイントの所在地に関するアクセスポイント情報を管理する所在地管理手段と、アクセスポイントの所在地と地域情報とを関連付けて記憶するデータベースと、データベースに記憶された地域情報は、該地域情報に関連付けられたアクセスポイントを経由した場合のみに読み書き可能とするアクセス手段とを備える。 - 特許庁

In the latter case, the write start position of information in the system area is shifted by a certain number of sectors by cylinders, and thus the state that multiplexed information in the system area cannot be read at all due to a single medium flaw is prevented and multiplexed information in the system area can be updated without latency.例文帳に追加

また、システムエリアの情報を、後者の場合においては、システムエリアの情報を書き込む開始位置をシリンダ毎にある一定セクタ分ずらすことによって、単一なメディアの傷では多重化したシステムエリアの情報が全て読めなくなることはなくなり、多重化したシステムエリアの情報を回転待ち無しに更新することが可能となる。 - 特許庁

The sequencer for a driver IC receives a trigger from the CPU 110, a trigger from a sequencer 113 for a VCM (voice coil motor) or a servo mark detection signal, executes a command string stored in an RAM 115a and makes read access and write access to a driver IC 124 to thereby measuring acceleration, temperature, and counter electromotive voltage that occurs in the voice coil motor, or the like.例文帳に追加

ドライバＩＣ用シーケンサは、ＣＰＵ１１０からのトリガ、ＶＣＭ用シーケンサ１１３からのトリガ、又はサーボマーク検出信号を受けて、ＲＡＭ１１５ａに記憶されたコマンド列を実行し、ドライバＩＣ１２４に対してリードアクセス及びライトアクセスを行うことにより、加速度の測定、温度の測定、ボイスコイルモータに生じる逆起電圧の測定等を行う。 - 特許庁

In the auxiliary cell array 2, write-in and read-out of 1/2 VBLH is performed for the memory cell, decision by majority of sense output of an auxiliary sense amplifier circuit 9 is performed by a decision by majority circuit 11, a high level potential VDWLH supplied to a dummy word line driving circuit 5 is generated by a VDWLH generating circuit 13 in accordance with the result.例文帳に追加

補助セルアレイ２において、メモリセルに１／２ＶＢＬＨの書き込みと読み出しを行い、多数決回路１１により補助センスアンプ回路９のセンス出力の多数決をとって、その結果に応じてＶＤＷＬＨ発生回路１３によりダミーワード線駆動回路５に供給される高レベル電位ＶＤＷＬＨを発生させる。 - 特許庁

Three or more non-contact type IC chips 1 each of which has an information storage part and an antenna part 2 for transmitting/receiving data in a non-contact state are arranged so as to simultaneously read out/write data, three or more non-contact type IC chips 1 are grouped, data are dispersedly recorded, and the system is provided with an error correction function.例文帳に追加

情報記憶部を有する３つ以上の非接触式ＩＣチップ１，…，１と、非接触式でデータの送受信を行なうアンテナ部２とを同時に読み書き可能であるように配置して、３つ以上の非接触式ＩＣチップ１，…，１をグループ化しデータを分散して記録するとともにエラー訂正機能を備えるようにしている。 - 特許庁

To provide an optical disk mounting mechanism of an optical disk device capable of stabilizing the write-in or read-out of data with respect to the optical disk with less surface wobbling of the optical disk at a low cost by figuring for improving the verticality of the optical disk mounting surface to a rotary shaft of a motor with the simple structure and the simple process.例文帳に追加

簡単な構成及び簡単な工程で、モータ回転軸に対する光ディスク装着面の垂直度を向上させる面出しを行い、もって低コストで光ディスク面振れが少なく光ディスクに対するデータ書き込み又は読み取りの安定化を図ることが可能な光ディスク装置の光ディスク装着機構を提供する。 - 特許庁

When the contents of both the flags, are for instance, '0', on the other hand, the prevent read retry flag and the prevent write retry flag corresponding to respective partitions are detected from MIC and their contents are discriminated; when both the flags indicate, e.g. '0', operation mode is set which permits the partition corresponding to the retry permission to be retried (S005).例文帳に追加

また各フラグの内容が例えば共に「０」とされていた場合は、各パーティションに対応したプレベントリードリトライフラグとプレベントライトリトライフラグをＭＩＣから検出し内容判別を行い、双方のフラグが例えば共に「０」とされていた場合、リトライ許可に該当するパーティションに対してリトライを許可する動作モードが設定される（Ｓ００５）。 - 特許庁

Since the electronic device (electronic camera 10) acting as an external storage device is provided with an initializing inhibit means that inhibits the initializing processing of the recording medium 26 according to an instruction from a host computer 40, the electronic device can inhibit the initializing processing of the recording medium while permitting information read/write from/to the electromagnetic 26 loaded to the electronic device.例文帳に追加

外部記憶機器として機能する電子機器（電子カメラ１０）は、ホストコンピュータ４０からの指示による記録媒体２６の初期化処理を禁止する初期化禁止手段を備えたので、電子機器に装着された記録媒体２６に対して情報の読み書きを許可しつつ、記録媒体の初期化処理を禁止することが可能となる。 - 特許庁

For example, when digital information compressed by a compression method and stored in a flash memory 4 is fast-forwarding-reproduced, frame data for calculating parameters for calculating parameters of the frame data are taken out together with frame data for reproduction being an object of fast forwarding reproduction by a data read-out/write-in section 5a, and transferred to a RAM 7a.例文帳に追加

例えば，フラッシュメモリ４内に上記のような圧縮方法で圧縮，格納されたディジタル情報を早送り再生する際に，データ読出書込部５ａによって，早送り再生の対象とする再生用フレームデータと共に，そのフレームデータのパラメータを算出するためのパラメータ算出用フレームデータを取り出し，ＲＡＭ７ａに転送する。 - 特許庁

To provide a method for recording additional information about an imaging environment, while associating the additional information with the information of a decoding/reproducing unit, when information about a plurality of decoding/reproducing units is contained within information in a read/write unit for a recording medium, in a method for recording image data obtained by imaging by an imaging device on the recording medium.例文帳に追加

撮像素子により撮像して得た画像データを記録媒体に記録するものであって、記録媒体に対する読み書き単位内の情報内に、複数の復号再生単位の情報が含まれる場合において、撮像環境についての付加情報を、復号再生単位の情報についての対応が取れるように記録する方法を提供する。 - 特許庁

The data migration device 1 is provided with a data migration means 12 for migrating data from a first storage device 3 to a second storage device 4 in response to a write/read instruction, erasing data of the first storage device 3 after data migration and erasing all of the data of the first storage device 3 when all data migration is completed.例文帳に追加

データ移行装置１は、書き込み、読み出し命令に応じて第１ストレージ装置３から第２ストレージ装置４へデータの移行を行い、データ移行後に第１ストレージ装置３のデータの消去を行い、全データ移行完了時には第１ストレージ装置３のデータを全て消去した状態とするデータ移行手段１２を備える。 - 特許庁

A clock-synchronized memory is provided with an AL setting register 132 used for setting a value (front-loaded latency) specifying a supply cycle of a read or write command, and a delay control circuit 126 for delaying internal control signals MAE, WBE by the prescribed cycle time in accordance with a value set to the AL setting register 132.例文帳に追加

クロック同期型のメモリにおいて、読出しまたは書込みコマンドの投入サイクルを指定する値（前倒しレイテンシ）を設定可能なＡＬ設定レジスタ１３２と、ＡＬ設定レジスタ１３２に設定された値に応じて所定のサイクル時間だけ内部制御信号ＭＡＥ，ＷＢＥを遅延させるための遅延制御回路１２６とを備える。 - 特許庁

The processing is also to read the data from the corresponding position of the temporary storage means when there is a reading request to the storage device during the period until the storage device can be used, and also to write back the data with the writing request to the storage device from the temporary storage means in response to the information stored in the table after the storage device becomes usable.例文帳に追加

また、記憶装置が使用可能となるまでの間に、記憶装置への読み込み要求があった場合、一時記憶手段の該当位置からデータを読み込み、記憶装置が使用可能となった後に、テーブルに記憶された情報に従って一時記憶手段から記憶装置へと書き込み要求があったデータを書き戻す処理を行う。 - 特許庁