「Saturation voltage」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

In this current driving circuit, transistors 7, 9 which operate respectively in a linear region (non-saturation region) are provided between sources of transistors 6, 8 constituting a current mirror circuit and a power source line 1 to reduce the effect due to dispersion in threshold voltage of the transistors 6, 8.例文帳に追加

カレントミラー回路を構成するトランジスタ６，８のソースと電源線１との間に、線形領域（非飽和領域）で動作するトランジスタ７，９を設け、トランジスタ６，８のしきい値電圧のばらつきによる影響を低減する。 - 特許庁

A target charge voltage Vc of a back electrode plate suited to obtain a predetermined target sensitivity is preset in accordance with a drain saturation current IDSS of a junction field effect transistor and a lowest resonant frequency F0 of a vibrating film.例文帳に追加

所定の目標感度を得るのに適した背面電極板の目標チャージ電圧Ｖｃを、接合型電界効果トランジスタのドレイン飽和電流ＩＤＳＳおよび振動膜の最低共振周波数Ｆ０に応じて予め設定しておく。 - 特許庁

The fault control circuit of the gate drive integrated circuit manages the shortage of a supply voltage and the protection of the non-saturation of a transistor and can communicate with a plurality of gate drive integrated circuits in a polyphase system using an exclusive local network.例文帳に追加

ゲートドライバ集積回路の障害制御回路は、供給電圧不足およびトランジスタ非飽和の保護を管理し、専用ローカルネットワークを使用する多相システムにおける複数のゲートドライバ集積回路と通信することができる。 - 特許庁

A light detector is provided with a photodiode whose anode is connected to a reference voltage, an initialization MOS transistor connected between the cathode of the photodiode and a first power supply voltage for setting the cathode as the first power supply voltage in an initialization phase, and a means for setting the cathode of the photodiode as a saturation voltage near the reference voltage just before the initialization phase for measuring the voltage of the cathode of the photodiode.例文帳に追加

光検出器は、アノードを基準電圧に接続した光ダイオードと、光ダイオードのカソードと第１供給電圧の間に接続されて該カソードを初期化フェーズの間第１供給電圧に設定する初期化ＭＯＳトランジスタと、該光ダイオードのカソードの電圧を測定するための、該光ダイオードのカソードを初期化フェーズの直前に前記基準電圧に近い飽和電圧に設定する手段を有する。 - 特許庁

The amplifier further includes a clamp stage connected to said clamp stage for supplying a saturation signal to at least one for clamping the output of the first output transistor to the higher clamp voltage (a) and clamping the output of the second output transistor to the lower clamp voltage (b).例文帳に追加

更に、本増幅器は、該クランプ段へ接続されており、（ａ）第一出力トランジスタの出力が上側クランプ電圧へクランプされ（ｂ）第二出力トランジスタの出力が下側クランプ電圧へクランプされる少なくとも一方に対して飽和信号を供給するクランプ段を包含することが可能である。 - 特許庁

A diode is connected between the reference terminal of a regulator circuit and the power supply line of an error amplifier, so that the operating currents of the error amplifier can be supplied from the reference terminal, and a resistance is connected between the power supply line of the error amplifier and the collector of an output transistor, so that the collector voltage of the output register can be decreased to a saturation voltage.例文帳に追加

レギュレータ回路のリファレンス端子とエラーアンプの電源供給ラインとの間にダイオードを接続することにより、リファレンス端子からエラーアンプの動作電流を供給し、エラーアンプの電源供給ラインと出力トランジスタのコレクタとの間に抵抗を接続することにより、出力トランジスタのコレクタ電圧を飽和電圧まで下げる。 - 特許庁

To enable a high electron mobility transistor to increase a gate voltage swing range by improving the scattering of a stress caused by a mismatched heterogeneous contact surface lattice, to cause a drain saturation current to produce a phenomenon of step-up increase, and further to generate a working area region of voltage-compliant multiple-stage extrinsic transconductance amplification.例文帳に追加

不均質接面格子ミスマッチによる応力の散乱を改善して、ゲート電圧振幅の範囲を増加し、また、ドレーン飽和電流に、ステップアップ増加する現象を起こさせ、更に、電圧順応性のある多段階外因相互コンダクタンス増幅ワーキング・エリア域の高電子移動度トランジスタを形成することを課題とする。 - 特許庁

In this memory device, in which ferroelectric memory cells (10) are arranged between word lines (W1-m) and bit lines (B1-n), at the time of read-operation, the prescribed voltage being higher than a positive anti-potential and lower than polarization saturation voltage can be applied between a selected word line and a selected bit line.例文帳に追加

ワード線（Ｗ１〜ｍ）とビット線（Ｂ１〜ｎ）との間に強誘電体メモリセル（１０）が配置されたメモリ装置であって、リード動作時に、強誘電体キャパシタ（１０）の正の抗電位より高く分極飽和電圧より低い所定の電圧を、選択されたワード線と選択されたビット線との間に印加可能に構成されている。 - 特許庁

An OR-circuit 6 detects a minimum voltage from the RGB drive signals Rout, Gout and Bout and inputs them to a comparator circuit 5, the circuit 5 compares them with the reference voltage Vref of a linear operation point before the amplification saturation of the circuit 2, and the comparison results are transmitted as an amplification factor control signal 8 from an integrating circuit 4 to the circuit 1.例文帳に追加

このＲＧＢドライブ信号Ｒｏｕｔ，Ｇｏｕｔ，Ｂｏｕｔから最小電圧を論理和回路６で検出して比較回路５に入力し、この比較回路５が終段増幅回路２の増幅飽和前のリニア動作点の基準電圧Ｖｒｅｆと比較され、この比較結果が積分回路４から初段増幅回路１へ増幅率制御信号８として送出される。 - 特許庁

Under a reading condition suitable for a color mode, when an output voltage of a CCD 47 may reach a saturation voltage in a monochromatic mode, an extinction filter 61 is inserted into an incident optical path to the CCD 47 when implementing the monochromatic mode, and the extinction filter 61 is removed from the incident optical path when implementing the color mode.例文帳に追加

カラーモードで適切な読取条件では、モノクロモードにおいてＣＣＤ４７の出力電圧が飽和電圧に達してしまう場合、モノクロモード実行時は減光フィルタ６１をＣＣＤ４７への入射光路中に挿入し、カラーモード実行時には減光フィルタ６１を入射光路から外す。 - 特許庁

In the image display system containing a light-emitting element having a plurality of photosensors, each photosensor comprises the PIN diode, including an N-type dope semiconductor region, a P-type dope semiconductor region and an intrinsic semiconductor region formed therebetween, and an isolated control gate covering the intrinsic semiconductor region, wherein the isolated control gate provides the PIN diode, having controllable electrical characteristics with respect to saturation photocurrent under a saturation voltage.例文帳に追加

複数の光センサを有する発光素子を含む画像表示システムであって、各光センサは、Ｎ型ドープ半導体領域、Ｐ型ドープ半導体領域と、その間に形成された真性半導体領域を含むＰＩＮダイオード、及び前記真性半導体領域を覆う絶縁された制御ゲートを含み、前記絶縁された制御ゲートは、飽和電圧下の飽和光電流に対して制御可能な電気特性を有するＰＩＮダイオードを提供するシステム。 - 特許庁

The compensation circuit 8 compensates for the saturation quantities of two phases which are saturated by moving the virtual neutral point potential to be equal when two of the three phase voltage command values are saturated or when one of the three phase voltage command values is saturated and a difference between the maximum value and the minimum value of the three phase voltage command values is larger than a DC voltage value of DC power.例文帳に追加

インバータ部４を構成する半導体スイッチング素子をオン／オフ制御するスイッチング信号としてのパルス幅変調信号を演算、出力する制御部６に、３相の相電圧指令値の内２相が飽和した場合、または３相の相電圧指令値の内１相が飽和し、かつ３相の相電圧指令値の最大値と最小値との差が前記直流電力の直流電圧値よりも大きい場合に、仮想中性点電位を移動させ飽和した２相の飽和量が等しくなるように補正する補正回路８を備えた。 - 特許庁

Although a limiting resistor for preventing inrush current to the capacitor C which is in discharge state at the time of start is not provided in a load driver 100, the controller 20 controls the gate voltage of a power MOSFET 40 in the system main relay SMR3 in a saturation region within such a range as the power MOSFET 40 does not exceed the maximum rated power.例文帳に追加

ここで、この負荷駆動装置１００においては、起動時に放電状態にあるコンデンサＣへの突入電流を防止するための制限抵抗が設けられていないところ、制御装置２０は、システムメインリレーＳＭＲ３のパワーＭＯＳＦＥＴ４０が最大定格電力を超えない範囲であって、かつ、飽和領域で動作するようにパワーＭＯＳＦＥＴ４０のゲート電圧を制御する。 - 特許庁

By adjusting a voltage level of a reset gate of the FD amplifier part in the case that the dynamic range in a signal processing circuit after CCD output is smallest compared to a maximum value of saturation signals in a pixel part and a transfer part and the dynamic range of the FD amplifier part, the dynamic range of the FD amplifier part is controlled and adjusted.例文帳に追加

画素部および転送部における飽和信号の最大値と、ＦＤアンプ部のダイナミックレンジに対し、ＣＣＤ出力以後の信号処理回路におけるダイナミックレンジが最も小さい場合には、ＦＤアンプ部のリセットゲートの電圧レベルを調整することにより、ＦＤアンプ部のダイナミックレンジを制御して調整する。 - 特許庁

The voltage applied from a power source 20 to a flame rod 1 is set so that the flame current flowing through flame 3 may come close to saturation, and the flame resistance is raised to be larger than the resistance value of the insulator adhering to the flame rod and the burner, whereby the influence of the insulator has on the output of the flame rod is reduced.例文帳に追加

電源部２０からフレームロッド１に印加する電圧を、炎３を通して流れる炎電流が飽和に近づくように設定し、これにより炎抵抗を高くしてフレームロッドやバーナーに付着する絶縁体の抵抗値より大きくすることにより、絶縁体がフレームロッド出力に与える影響を少なくする。 - 特許庁

This semiconductor device 101 includes a plurality of semiconductor switch elements 11 and 12 in which a switching loss and a saturation voltage loss are mutually different, a selection driving part 51 for selecting either of the plurality of semiconductor switch elements 11 and 12 to drive the selected semiconductor switch element, and a case K for containing the plurality of semiconductor switch elements 11 and 12 and the selection driving part 51.例文帳に追加

半導体装置１０１は、スイッチング損失および飽和電圧損失が互いに異なる複数の半導体スイッチ素子１１，１２と、複数の半導体スイッチ素子１１，１２のいずれかを選択し、選択した半導体スイッチ素子を駆動する選択駆動部５１と、複数の半導体スイッチ素子１１，１２および選択駆動部５１を収容するケースＫとを備える。 - 特許庁

A switching power supply device 300 turns off a switch 10 to activate a resistor 11 during starting-up of the switching power supply device and under abnormal high temperature conditions, limits current flowing through a choke coil 8 with a voltage drop across the resistor 11, prevents overcurrent due to saturation of the choke coil 8, and thus can prevent destruction of a switching element 5.例文帳に追加

スイッチング電源装置３００が起動するとき、及び異常高温状態のときにスイッチ１０をオフさせることで抵抗１１をアクティブとし、抵抗１１での電圧降下によりチョークコイル８に流す電流を制限し、チョークコイル８の飽和による過電流を防止し、スイッチング素子５等の破壊を防ぐことができる。 - 特許庁

The impurity density of a p-base region of each cell which constitutes each IGBT chip is increased, the threshold voltage of the gate is set high, and a collector saturation current of each IGBT chip is suppressed to three times as high as rated current or below in order to increase the breaking current of an IGBT pack 20 (semiconductor device) for performing turn-off wherein the IGBT chips 1 are stored.例文帳に追加

ＩＧＢＴチップを構成する各セルのｐベース領域の不純物濃度を高くして、ゲートしきい値電圧を高く設定し、ＩＧＢＴチップのコレクタ飽和電流値を定格電流の３倍以下に抑制し、ＩＧＢＴチップ１が収納されたＩＧＢＴパック２０（半導体装置）のターンオフ可能遮断電流の向上を図る。 - 特許庁

To lower the collector-emitter saturation voltage for an NPN transistor of a semiconductor device by surely connecting an N+ diffusion area as a collector lead-out region to an N+ additional embedded layer formed between 1st and 2nd epitaxial layers.例文帳に追加

半導体装置のＮＰＮトランジスタにおいて、コレクタ導出領域となるＮ^+型拡散領域と第１エピタキシャル層と第２エピタキシャル層との間に形成されるＮ^+型付加埋め込み層とを確実に連結させることで、ＮＰＮトランジスタにおけるコレクタ−エミッタ間飽和電圧を低減させることを目的とする。 - 特許庁

To ensure accuracy of condition monitoring of an alternating current or protective measurement in an electric power system and electric power equipment by detecting an alternating current flowing in and an alternating voltage of a conductor such as a bus of the electric power system and an electric wire of the electric power equipment via a small, light and inexpensive structure free of an iron core saturation phenomenon at high current detection.例文帳に追加

小型，軽量かつ安価で大電流検出時の鉄心飽和現象のない構成により、電力系統の母線や電力機器の電線等の導体を通流する交流の電流，電圧を検出してその交流の状態監視又は電力系統，電力機器の保護計測を精度よく行う。 - 特許庁

In the CMOS image sensor provided with photodiodes PD and a plurality of transistors for transferring electric charges stored in the photodiodes to one column line, a gate electrode of at least one of the transistors is provided with a voltage drop means for dropping a gate voltage received by the gate electrode of the transistor to extend the saturation region of the transistor.例文帳に追加

フォトダイオードと、該フォトダイオードに蓄積された電荷を１つのカラムラインに転送する複数のトランジスタを備えるＣＭＯＳイメージセンサにおいて、前記トランジスタのゲート電極に入力されるゲート電圧を降下させ、前記トランジスタの飽和領域を拡張させるため、前記複数のトランジスタの少なくともいずれか１つのトランジスタのゲート電極に電圧降下手段を備えるＣＭＯＳイメージセンサを提供する。 - 特許庁