「Saturation voltage」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

By applying the calculated substrate bias voltage to an n type semiconductor substrate 11, the fluctuation of a saturation electric charge amount accompanied by temperature fluctuation is prevented so that a blooming phenomenon that easily occurs at a high temperature can be prevented.例文帳に追加

求めた基板バイアス電圧をｎ型半導体基板１１に印加することにより、温度変動に伴う飽和電荷量の変動を防止し、高温時に発生しやすいブルーミング現象を防止することができる。 - 特許庁

Consequently, the N+ diffusion region 49 and N+ additional embedded layer 45 are connected surely together to lower the collector-emitter saturation voltage of the NPN transistor 31.例文帳に追加

そのことで、Ｎ^+型拡散領域４９とＮ^+型付加埋め込み層４５とは確実に連結され、ＮＰＮトランジスタ３１におけるコレクタ−エミッタ間飽和電圧が低減される。 - 特許庁

Thus, a collector- emitter voltage of the output TR 36 is always a VF (about 0.7 V) or over and the output TR 36 is active only in an active region so as to suppress production of waveform distortion accompanying saturation.例文帳に追加

これにより、出力トランジスタ３６のコレクタ・エミッタ間電圧は常にＶＦ（約０．７Ｖ）以上となり、出力トランジスタ３６は能動領域でのみ動作し、飽和に伴う波形歪みの発生を抑える。 - 特許庁

This structure maintains the high dynamic range available in the charge domain of the device, and avoids saturation caused by an inadequate voltage swing of the charge detection nodes (208) and amplifiers.例文帳に追加

この構造により、この装置の電荷領域内に高いダイナミック・レンジを保持し、また電荷検出ノード（２０８）と増幅器が不適当な電圧振幅により飽和するのを防ぐ。 - 特許庁

A high-concentration region 15 for reducing the saturation voltage VCE (sat) between the collector and emitter is formed so that a base region 13 of an NPN transistor 10 is surrounded.例文帳に追加

ＮＰＮトランジスタ１０のベース領域１３を囲むようにして、コレクタ−エミッタ間飽和電圧ＶCE（ｓａｔ）を低減させるための高濃度領域１５を形成した。 - 特許庁

The frequency by which the voltage value V_10 output from the integrating circuit 10 reaches to the threshold is counted by a counting circuit 40, based on the saturation signal output from the comparison circuit 20.例文帳に追加

比較回路２０から出力された飽和信号に基づいて、計数回路４０により、積分回路１０から出力された電圧値Ｖ_10が閾値に達した回数が計数される。 - 特許庁

An AE/WB control part 18 then calculates and sets a minimum value for an amplification factor of an analog image signal in an analog amplifier part 6 on the basis of the saturation voltage of the CCD 4A.例文帳に追加

その後、ＡＥ・ＷＢ制御部１８が、ＣＣＤ４Ａの飽和電圧に基づいてアナログ増幅部６におけるアナログ画像信号の増幅率の最小値を算出、設定する。 - 特許庁

To provide a linear motor capable of hardly receiving the influence of thrust force saturation, having much magnetic flux gathered by teeth having a coil wound therearound and decreasing harmonic components of an induction voltage.例文帳に追加

推力飽和の影響を受け難くすると共に、コイルの巻回されたティースの集める磁束が多く、誘起電圧の高調波成分を小さくすることのできるリニアモータを提供する。 - 特許庁

Then, when the acceleration voltage is made 15 kV, the condensing lens of two stages has magnetic saturation and sufficient reduction ratio can not be obtained, thereby, the auxiliary condensing lens 3 is inserted between a condensing lens (1) 4 and an anode.例文帳に追加

次に、加速電圧を１５ｋVにした場合、コンデンサレンズ2段ではもはや磁気飽和を起して十分な縮小率が得られないので、補助コンデンサレンズ３をコンデンサレンズ（１）４と陽極との間に挿入する。 - 特許庁

The gate drive integrated circuit detects power transistor non-saturation and protects a non-saturated transistor from a transitional excessive voltage by gently turning off a non-saturated transistor via a soft shut-down sequence.例文帳に追加

ゲートドライバ集積回路は、パワートランジスタ非飽和を検出し、ソフトシャットダウンシーケンスを介する非飽和トランジスタのなだらかなターンオフによって、非飽和になったトランジスタを過渡過剰電圧から保護する。 - 特許庁

A control circuit, according to the digital signal, controls a gate voltage of the third and fourth transistors so that the third and fourth transistors operate in a saturation region.例文帳に追加

制御回路は、前記デジタル信号に応じて、前記第３および第４のトランジスタが飽和領域で動作するように、前記第３および第４のトランジスタのゲート電圧を制御する。 - 特許庁

The n type MOSFETs N5, N6, and N7 suppress the variation in voltage at points Xa and Xb, and OUT due to defective saturation characteristics of the main n type MOSFETs N1, N2, and N4.例文帳に追加

ｎ型ＭＯＳＦＥＴ：Ｎ５、Ｎ６、Ｎ７は、メインのｎ型ＭＯＳＦＥＴ：Ｎ１、Ｎ２、Ｎ４の不良な飽和特性に基因する、点Ｘａ、点Ｘｂ、及びＯＵＴにおける電圧の変動を抑制する。 - 特許庁

the speed control system based on deviation of a head position can cope with saturation of VCM voltage and the constant speed mode, the double degree of freedom control system using the time function having smooth locus is adapted for a deceleration speed mode, and residual vibration can be suppressed.例文帳に追加

ＶＣＭ電圧飽和や等速モードには、ヘッド位置の偏差に基づく速度制御系で対応でき、減速モードには、滑らかな軌跡を有する時間関数を用いた２自由度制御系を適用し、残留振動を抑制できる。 - 特許庁

The second detector 17 and control circuits reduce an increase in the output voltage Vds of the final-stage transistor through the non-saturation type linear amplification in an antenna overload state.例文帳に追加

第２検波器１７と前記制御回路は、非飽和型の線形増幅でアンテナ過負荷状態に対して最終段トランジスタの出力電圧Ｖdsの増加を低減する。 - 特許庁

A light reception amount of a CCD line sensor 16 is reduced below a saturation point by controlling an electronic shutter, and a voltage signal outputted from the line sensor 16 is acquired as shading data.例文帳に追加

電子シャッタを制御してＣＣＤラインセンサ１６の受光量を飽和点以下に低減し、ＣＣＤラインセンサ１６から出力される電圧信号をシェーディングデータとして取得する。 - 特許庁

To accumulate stable saturation electrons and to make shutter voltage to be lower without complicating a layout of a circuit generating an intermediate potential pulse signal and its signal line.例文帳に追加

中間電位パルス信号を発生させる回路およびその信号線のレイアウトの複雑さを招くことなく、安定した飽和電子を蓄積でき、かつシャッタ電圧の低電圧化を実現する。 - 特許庁

To obtain a voltage compensated pixel circuit for an AMOLED display device, in which positive and negative threshold voltages can be compensated and a driving transistor can be driven always in a saturation region.例文帳に追加

正と負のしきい値電圧を補償でき、駆動トランジスタが常に飽和領域で動作できるＡＭＯＬＥＤ表示装置の電圧補償型画素回路を得る。 - 特許庁

To increase saturation current by reducing a channel length without lowering off-withstand voltage optimized by a trade-off relationship with on-resistance, in an LDMOS transistor.例文帳に追加

ＬＤＭＯＳトランジスタにおいて、オン抵抗とのトレードオフ関係で最適化されたオフ耐圧を低下させることなく、チャネル長を短くすることによって飽和電流を増加させる。 - 特許庁

To suppress gain variation in accordance with manufacturing dispersion, temperature fluctuation and supply voltage fluctuation or the like while assuring low noise characteristics and high saturation characteristics without mounting a step type variable attenuator.例文帳に追加

ステップ式可変減衰器を実装することなく、低雑音特性及び高飽和特性を確保しながら、製造ばらつき、温度変動や電源電圧変動などに伴う利得変化を抑制することができるようにする。 - 特許庁

To provide a power supply circuit for reducing a loss due to turnon, turnoff and a saturation voltage of a transistor as a chopper, and a loss (a copper loss) due a reactor.例文帳に追加

チョッパであるトランジスタのターン・オン／ターン・オフ及び飽和電圧によるロスが小さく、また、リアクトルによるロス（銅損）も小さい電源回路の提供。 - 特許庁

To provide a solid-state image pick-up device capable of performing read-out even at low voltage even if a pixel pitch is small, and the amount of a saturation signal is increased and maintained, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

小画素ピッチ、飽和信号量の増大、維持しても、低電圧でも読み出しを可能にした固体撮像装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To control an avalanche phenomenon in turnoff, improve the trade-off characteristic of saturation voltage-turnoff loss and RBSOA (Rutherford back scattering operation analysis), and control oscillation in turnoff in an IGBT (insulated gate bipolar transistor).例文帳に追加

ＩＧＢＴにおいて、ターンオフ時のアバランシェ現象を抑制し、飽和電圧−ターンオフ損失のトレードオフ特性およびＲＢＳＯＡを改善し、さらにはターンオフ時の発振を抑制すること。 - 特許庁

To provide a magnetic disk device capable of coping with the saturation of voice coil motor VCM voltage and a constant speed mode during seek operation and provided with a positioning control means including a seek control system in which caused vibration is small.例文帳に追加

シーク動作中にボイスコイルモータＶＣＭ電圧飽和や等速モードにも対応でき、発生する振動が小さいシーク制御系を含む位置決め制御手段を備えた磁気ディスク装置を提供する。 - 特許庁

To provide a technique of controlling a motor inverter using a d-axis current command value and a q-axis current command value while suppressing voltage saturation of the motor inverter.例文帳に追加

モータインバータの電圧飽和を抑えつつ、ｄ軸電流指令値、ｑ軸電流指令値を用いてそのモータインバータを制御するための技術を提供する。 - 特許庁

To provide a junction field effect transistor capable of easily controlling a threshold voltage and capable of easily controlling a saturation current density of a channel.例文帳に追加

閾値電圧を容易に制御することができ、チャネルの飽和電流密度を容易に制御することができる接合型電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

A voltage Va, to be applied to the + terminal of a comparator 19, is set on the basis of thermal voltages, the current ratio of the saturation currents of transistors 11, 12, and the ratio of the resistance values of resistors 23, 21.例文帳に追加

コンパレータ１９の＋端子に印加される電圧Ｖaは、熱電圧と、トランジスタ１１，１２の飽和電流の電流比と、抵抗２３，２１の抵抗値比と、に基づいて設定される。 - 特許庁

The Mg-based ferrite material includes Li, Na, K, Pb, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, or their combinations, wherein the saturation magnetization is 30 to 80 emu/g and the dielectric breakdown voltage is 1.5 to 5.0 kV.例文帳に追加

本発明のMg系フェライト材料は、Li, Na, K, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, またはそれらの組み合わせを含み、飽和磁化が30〜80emu/gであり、絶縁破壊電圧が1.5〜5.0 kVである。 - 特許庁

To permit the securing of an inductance capable of limiting a current by a coil L, and the suppression of breakage of a high voltage discharging lamp lighting device, even when a load (discharging lamp) is short-circuited and overcurrent is made to flow whereby the magnetic saturation of the coil L is generated.例文帳に追加

負荷（放電灯）が短絡して過電流が流れコイルＬが磁気飽和しても、コイルＬが電流を制限できるインダクタンスを確保でき、高圧放電灯点灯装置の破壊を抑制できるようにすることを目的とする。 - 特許庁

Alternatively, the reverse current avoiding capacitor D1 and a discharge diode D2 can be replaced with a lower saturation adverse current protecting circuit to decrease the capacity of the capacitor CBU while by increasing the power voltage.例文帳に追加

また、逆流防止用ダイオードＤ１、放電ダイオードＤ２を低飽和逆流防止回路に置き換えることによって、電源電圧を高くしてコンデンサＣＢＵの容量を小さくすることもできる。 - 特許庁

In the magnetic oscillation circuit where a semiconductor switching element is turned on/off repeatedly utilizing magnetic saturation of a core, a control winding N_C is applied to the core and an AC voltage source is connected in series with a main exciting winding N_1.例文帳に追加

磁心の磁気飽和を利用して半導体スイッチング素子のオン・オフを繰り返させる磁気発振回路において、磁心に制御巻線Ｎ_Ｃを施し、主励磁巻線Ｎ_１と直列に交流電圧源を接続する。 - 特許庁

To solve such a problem that an emitter area has to be enlarged for higher output and lower saturation voltage in a conventional structure so that an increase in cost due to larger size of a chip occurs.例文帳に追加

従来構造において、さらなる高出力化、低飽和電圧化を図るには、エミッタ面積を拡大しなければ成らず、チップサイズの増大を招くため、コストアップが生じる。 - 特許庁

To provide a method and device capable of detecting a saturation/ withstand voltage violation element, speedily and surely while preventing the omission of detection.例文帳に追加

飽和・耐圧違反の素子の検出を速やかに行え、検出漏れを防いで確実な検出が行える飽和・耐圧違反素子の検出方法、及び検出装置を提供する。 - 特許庁

In the active matrix EL display device, whether an OLED is driven at constant voltage drive or driven at constant current drive is determined according to whether a driving TFT is driven in a saturation region or driven in a linear region.例文帳に追加

ＯＬＥＤ素子を定電流駆動するか、定電圧駆動するかは駆動用のＴＦＴを飽和領域で駆動するか、線形領域で駆動するかで決まる。 - 特許庁

To provide a DC uninterruptible power-supply unit, that can unify an output voltage, can prevent saturation at an error amplification section, and can speedily and smoothly change output.例文帳に追加

出力電圧の均一化が図れ、また、誤差増幅部が飽和せず、高速かつ滑らかな出力の切替が可能となる直流無停電電源装置を提供する。 - 特許庁

Thereby, the reduction in VCE_(sat) of the low-saturation transistor and the suppression of the deterioration in the withstanding voltage can be achieved.例文帳に追加

コレクタ層の遷移領域の幅をコレクタ層厚みの７０％程度にすることで低濃度領域の幅の縮小と遷移領域の不純物濃度の増加を同時に実現できるので、Ｖ_CE(sat)の低下と体且つ劣化の抑制が実現できる。 - 特許庁

The number of turns of a winding may be determined so as to induce a magnetic flux as close in intensity to the saturation magnetic flux of the core 11 as possible, and a Hall element is capable of outputting a higher voltage and less affected by an offset.例文帳に追加

また、巻数の決定は、コア１１の飽和磁束にできるだけ近い値になるように決定すればよく、ホール素子１５の出力電圧も高い値が得られ、オフセットの影響を小さくできる。 - 特許庁

To control deterioration of response characteristic due to saturation of manipulation amount and generation of noise and vibration due to distortion of current waveform by conducting stable anti-windup, even in a motor including a large distortion in the induced voltage.例文帳に追加

誘起電圧の歪みが大きいモータにおいても、安定にアンチ・ワインド・アップを行い、操作量飽和による応答性の悪化、電流波形歪みによる騒音・振動の発生を抑制することを目的とする。 - 特許庁

Furthermore, a clamp circuit (222) is provided which clamps an output voltage of the transistor for power control so that the transistor doesn't enter the saturation region even in the case that the signal indicating the output level is set to a maximum level within its variable range.例文帳に追加

また、出力レベルを指示する信号がその可変範囲の最大レベルにされた場合にも、上記電源制御用トランジスタが飽和領域に入らないように制限するクランプ回路（２２２）を設けるようにした。 - 特許庁

A voltage supplied to the light emitting pixel is controlled in consideration with the characteristics of the saturation region of the driving transistor connected to the light emitting element constituting each pixel of the display, the video signal and the timewise change of the video signal as well.例文帳に追加

表示装置の各画素を構成する発光素子に接続される駆動トランジスタの飽和領域の特性、映像信号及び映像信号の時間的変化も考慮して発光画素へ供給する電圧を制御する。 - 特許庁

To provide a signal amplifier circuit wherein a dispersion in a saturation voltage being an output characteristic is small by making the effect of the manufacturing tolerance and the temperature dependence of each circuit component hardly received.例文帳に追加

各要素の製造バラツキや温度依存性の影響を受けにくくして、出力特性である飽和電圧のバラツキが小さい信号増幅回路を提供する。 - 特許庁

Thus, magnetic saturation in the output transformer 24 due to extreme increase in commercial power supply voltage is suppressed, and a small, lightweight, and inexpensive one can be adopted for the output transformer 24.例文帳に追加

これによって、商用電源電圧が極端に増大することによる出力変圧器２４の磁気飽和が抑制され、当該出力変圧器２４として小型かつ軽量で、しかも廉価なものを採用することができる。 - 特許庁

To provide a saturation detector determining whether an instrument current transformer is saturated or not without setting a reference value of a voltage or an excitation current at which the transformer is saturated.例文帳に追加

計器用変流器が飽和する電圧又は励磁電流という基準値を決めずに、計器用変流器の飽和の有無を判定する飽和検出器を得ることである。 - 特許庁

On the other hand, a generation condition of a simulation electric signal that can simulate a pulse light output waveform at a saturation ESD voltage is decided, and an electric signal is applied to the semiconductor laser device LD on the basis of this generation condition.例文帳に追加

一方、飽和ＥＳＤ電圧におけるパルス光出力波形を模擬できる模擬電気信号の生成条件を決定して、この生成条件に基づく半導体レーザＬＤに電気信号を印加する。 - 特許庁

Similarly, when the conduction state is switched to the nonconduction state, the FET 12 is turned off and then the FET 11 is turned off near the saturation voltage of the FET 11.例文帳に追加

同様に導通状態から非導通状態への切り替え時には、ＦＥＴ１２をオフさせた後に、ＦＥＴ１１の飽和電圧付近でＦＥＴ１１をオフさせる。 - 特許庁

To provide an ultracompact SEM using a permanent magnetic lens in which change of the number of stages of condensing lens can be achieved relatively easily according to an accelerating voltage due to magnetic saturation.例文帳に追加

本発明の課題は、永久磁石レンズを使用した超小型のSEMにおいては、磁気飽和により、加速電圧に応じてコンデンサレンズの段数を変更しなければならないが、比較的容易にこれを実現する方法を考案することにある。 - 特許庁