「Saturation voltage」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

In an AB class operational amplifier 100, all transistors configuring the AB class operational amplifier 100 in a low supply voltage are made to be operated within a saturation area by making threshold voltages of transistors M17, M18 for configuring an output stage 5 higher than the sum of saturation drain voltages of transistors configuring cascode connection stages 3, 4 connected to the output stage 5.例文帳に追加

ＡＢ級演算増幅器１００では、出力段５を構成するトランジスタＭ１７、Ｍ１８の閾値電圧を、前記出力段５に接続されたカスコード接続段３、４を構成するトランジスタの飽和ドレイン電圧の和よりも高くすることにより、低電源電圧においてＡＢ級演算増幅器１００を構成する全てのトランジスタを飽和領域内で動作させる。 - 特許庁

A charge voltage Vosc to a main capacitor C0 arranged in an oscillation high voltage pulse generator 12 of the oscillation laser 100 is constantly controlled so that the pulse energy Posc of the oscillation laser 100 becomes not less than lower the limit energy Es0 of an amplification saturation region.例文帳に追加

発振用レーザ１００のパルスエネルギーＰoscが増幅飽和領域の下限エネルギーＥs0以上になるように、発振用レーザ１００の発振用高電圧パルス発生器１２に設けられた主コンデンサＣ0への充電電圧Ｖoscを一定制御する。 - 特許庁

To provide a power supply circuit preventing the saturation of an output transistor without changing the voltage value of input signals even when the power supply voltage of the output transistor declines, and a power amplifier using the power supply circuit.例文帳に追加

出力トランジスタの電源電圧が低下した時にも、入力信号の電圧値を変更することなく、出力トランジスタの飽和を防止することができる電源回路及びこの電源回路を用いた電力増幅装置を提供する。 - 特許庁

To provide a DC-DC converter capable of realizing the miniaturization of a transformer for voltage conversion by eliminating fear of the drop of conversion efficiency caused by the saturation of the transformer for voltage conversion and also capable of enhancing the conversion efficiency by suppressing switching losses.例文帳に追加

電圧変換用トランスの飽和による変換効率の低下の恐れをなくして電圧変換用トランスの小型化を可能にすると共に、スイッチング損失を抑制して変換効率を高めることが可能なＤＣ−ＤＣコンバータを提供すること。 - 特許庁

A substrate voltage (clip voltage Vc) is set to an initial value, and image sensing operation is carried out by driving a solid-state image sensor while casting light of enough luminance to allow an storage charge amount of each photodiode to attain a saturation signal charge amount.例文帳に追加

基板電圧（クリップ電圧Ｖｃ）を初期値に設定し、各フォトダイオードの蓄積電荷量が飽和信号電荷量に達するのに十分な輝度の光を照射した状態で固体撮像素子を駆動して撮像動作を行わせる。 - 特許庁

The liquid crystal display element is further provided with, in particular, an alignment control circuit 14 for applying, in a non-picture display state, a constant alignment voltage having an absolute value larger than zero at a 70% of a saturation voltage or lower which maximizes the transparency of the smectic liquid crystal material.例文帳に追加

特にこの液晶表示素子はスメクチック液晶材料の透過率を最大にする飽和電圧の７０％以下で０よりも大きい絶対値を持つ一定の配向電圧を非画像表示状態においてスメクチック液晶材料全体に印加する配向制御回路１４をさらに備える。 - 特許庁

More particularly the electric power consumption can be reduced with substantially no degradation in display luminance by adjusting the cathode voltage Vc within a range where the operating point exists in a saturation region of a driving transistor 14 for driving the organic EL element 11, i.e., an anode voltage of the organic EL element exists.例文帳に追加

特に、有機ＥＬ素子１１を駆動する駆動トランジスタ１４の飽和領域に動作点、即ち有機ＥＬ素子のアノード電圧が位置する範囲内でカソード電圧Ｖｃを調整するようにして、表示輝度をほとんど低下させずに消費電力の低減を図ることが可能となる。 - 特許庁

In the control method of an induction current-collector during voltage saturation for achieving a high power factor with a voltage obtained by multiplying the instantaneous value of current by the circuit impedance, target value of output power is reduced by the difference between an upper limit and the measurement when the volrage exceeds the upper limit.例文帳に追加

電流瞬時値に回路インピーダンスを乗じた電圧にて高力率を達成する誘導集電装置の電圧飽和時の制御方法において、前記電圧が上限値を超える場合、前記上限値と実測値の差分により出力電力目標値を低減させる。 - 特許庁

The operating point shift circuit 25 comprises the fourth MOSFET 4 connected to the third MOSFET 3 in parallel and a voltage supply source 14 for supplying the fourth MOSFET 4 with a gate voltage which makes the fourth MOSFET 4 operate in a saturation region.例文帳に追加

この動作点シフト回路25は、第３のＭＯＳＦＥＴ３と並列接続される第４のＭＯＳＦＥＴ４と、第４のＭＯＳＦＥＴ４を飽和領域で動作させるゲート電圧を第４のＭＯＳＦＥＴ４に供給する電圧供給源14と、からなる。 - 特許庁

A voltage Vb to be applied to the negative terminal of the comparator 19 is a band-gap type reference voltage, and is set on the basis of the thermal voltages, the current ratio of the saturation currents of the transistors 11, 12, the ratio of the resistance values of resistors 21, 22, and the voltages between the bases and the emitters of the transistors.例文帳に追加

コンパレータ１９の−端子に印加される電圧Ｖｂは、バンドギャップ型基準電圧であり、熱電圧と、トランジスタ１１，１２の飽和電流の電流比と、抵抗２１，２２の抵抗値比と、トランジスタのベース−エミッタ間電圧と、に基づいて設定される。 - 特許庁

To correct the temperature of an infrared sensor that is used as a sensor for discovering the concentration of CO_2 gas, and to prevent saturation of an amplifier that amplifies a signal from the infrared sensor and fluctuations in direct-current output voltage of the amplifier, thereby correcting the direct-current output voltage of the amplifier to be zero.例文帳に追加

ＣＯ２ガス濃度値センサーに使用される赤外線センサーの温度補正を行い、また、赤外線センサーからの信号を増幅する増幅器の飽和と直流出力電圧の変動を防ぎ、増幅器の直流出力電圧をゼロに補正する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for forming a transparent conductive film having the excellent characteristics of electric resistivity by maintaining horizontal magnetic field intensity of ≥1,000 Gauss and making a sputtering voltage lower than the conventional saturation voltage.例文帳に追加

水平磁界強度を１０００Ｇａｕｓｓ以上に保持するとともに、スパッタ電圧を従来の飽和電圧よりも低下させて電気抵抗率の特性が優れた透明導電膜の製造方法及び製造装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

When the voltage of the variable voltage source Vc is decreased, inversely, the bias current of the second differential amplifier circuit 6 of a small gain is increased, the gain of the second differential amplifier circuit 6 is increased, the influence thereof is enlarged and the amplifier circuit of a high saturation input level is provided.例文帳に追加

可変電圧源Ｖｃの電圧を下げると逆に利得の小さい第２の差動増幅回路６のバイアス電流が増大し、第２の差動増幅回路６の利得が増大して、その影響が大きくなり飽和入力レベルの高い増幅回路となる。 - 特許庁

An erroneous intruder detection prevention means 4 comprising a low pass filter 41 and a level determination circuit 42 is provided for detecting a saturation state to cancel or suspend a determination that there is an intruder when a conversion voltage 30 converted in the voltage conversion part 3 is saturated.例文帳に追加

電圧変換部３にて変換された変換電圧３０が飽和した際に該飽和状態を検知して侵入者有りと判定しないか又は侵入者有りと判定するのを保留するためのローパスフィルター４１およびレベル判定回路４２からなる侵入者誤検知防止手段４を設けた。 - 特許庁

A voltage generation device includes first, second, and third input amplification sections, saturation prevention circuits disposed in the first, second, and third input amplification sections, respectively, current feedback means, voltage feedback means, an output amplification section, a diode switch and an output control section.例文帳に追加

本発明の電圧発生装置は、第１、第２、第３の入力増幅部と、第１、第２、第３の入力増幅部にそれぞれ設けられた飽和防止回路と、電流帰還手段と、電圧帰還手段と、出力増幅部と、ダイオードスイッチと、出力制御部を具備する。 - 特許庁

The phase correcting means 16 is used to increase the current command phase to weaken the voltage saturation to effecting the field control, when the power supply voltage drops, thereby the necessary motor output can be stably obtained without depending on power circumstances.例文帳に追加

この位相補正手段１６により、電源電圧が低下した場合は電流指令位相を大きくして弱め界磁制御を効かせる方向に作用させることで、電源事情に依存せず必要な電動機出力を安定して得ることができる。 - 特許庁

A MOS transistor is used as a muting transistor to thereby suppress voltage fluctuation of a muting transistor terminal when switching to a muting state in a built-in muting circuit since saturation voltage becomes large in the manufacturing process of a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

半導体集積回路の製造プロセスで飽和電圧が大きくなり、内蔵のミューティング回路におけるミューティング状態に切り換え時にミューティングトランジスタ端子の電圧変動を、ミューティングトランジスタにＭＯＳトランジスタを用いることで抑える。 - 特許庁

In a multistage power amplifier, in which a plurality of transistors including an input stage transistor and a last stage transistor are cascade connected, a minimum value of a collector voltage supplying to the last stage transistor is set to the value close to the saturation voltage of the last stage transistor.例文帳に追加

入力段トランジスタと最終段トランジスタとを含む複数のトランジスタが縦列接続された多段電力増幅器において、最終段トランジスタに供給するコレクタ電圧の最小値を、この最終段トランジスタの飽和電圧近傍の値に設定する。 - 特許庁

Further, when converting a comparison result in phase between an output signal of the current controlled oscillation circuit and the reference signal into oscillation frequency control voltage, upper limit voltage closer to an output of a regulator is limited in place of a positive voltage power supply Vcc common to the circuit to thereby prevent the voltage from moving to a saturation area that is an upper side of the linear area.例文帳に追加

さらに、電流制御型発振回路の出力信号と基準信号との位相の比較結果を発振周波数制御電圧に変換する際に、回路共通の正電圧電源Ｖccに代えてレギュレータの出力によりの上限電圧を制限することで、直線領域より上側の飽和領域にが移動しないようにする。 - 特許庁

A clamp voltage setting part 54 sets, in the state that a driving transistor 45 is ON, the base potential of a high side transistor 43 so that a potential higher than a ground potential by the sum of a saturation voltage Vsat and a voltage V1 set by the clamp voltage setting part 54 is applied to the base of the high side transistor 43.例文帳に追加

クランプ電圧設定部５４は、ハイサイドトランジスタ４３のベース電位を、駆動トランジスタ４５がＯＮの状態で、飽和電圧Ｖｓａｔと、クランプ電圧設定部５４で設定される電圧Ｖ１との和だけ接地電位に対して高い電位がハイサイドトランジスタ４３のベースに印加される。 - 特許庁

A transistor 22 is provided as a bias voltage generating means for generating a bias voltage Vig to be applied to the charge injection electrode 17 of a biphase driven type charge coupled device, the transistor 22 is operated in a saturation area, and a voltage Vgs between the gate and source of the transistor 22 is amplified by an operational amplifier 24 as the bias voltage Vig.例文帳に追加

２相駆動型の電荷結合素子の電荷注入電極１７に印加するバイアス電圧Ｖｉｇを発生するバイアス電圧発生手段としてトランジスタ２２を備え、該トランジスタ２２を飽和領域で動作させ、該トランジスタ２２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓをオペアンプ２４で増幅して前記バイアス電圧Ｖｉｇとする。 - 特許庁

The minimum voltage Vsmin being a saturation polarization point C is detected by sweeping voltage applied to at least one capacitor out of a plurality of ferroelectric capacitors 18 formed at each intersections of a plurality of word lines 14 and a plurality of bit lines 16 in the direction of lower voltage than power source voltage VDD by a tester 40.例文帳に追加

複数のワード線１４及び複数のビット線１６の各交点に形成される複数の強誘電体キャパシタ１８の少なくとも一つに印加される電圧を、テスタ４０によって、電源電圧ＶＤＤより低い方向にスイープさせて、飽和分極点Ｃとなる最小電圧Ｖｓｍｉｎを検出する。 - 特許庁

To provide a power conversion circuit that can prevent an on-pulse width from excessively being expanded with respect to an input voltage which is abruptly changed when the input voltage of a power conversion circuit is abruptly changed, and thereby can prevent the saturation of a transformer and an excessive rise of an output voltage.例文帳に追加

電力変換回路の入力電圧が急激に変化した場合に、この急激に変化した入力電圧に対してオンパルス幅が過剰に広がることを防ぐことができ、これによって、トランスの飽和や出力電圧の過剰な上昇を防止することができる電力変換回路を提供することを目的とする。 - 特許庁

Thereby, a Schottky barrier diode composing the SBD thermistor for detecting a change of a current flowing into the Schottky barrier diode configured by bringing a metal into contact with a semiconductor as a temperature change is driven by voltage in a range of ±0.1 V to be voltage in a voltage area of a non-saturation characteristic area.例文帳に追加

そのため、半導体に金属を接触させたショットキーバリアダイオードに流れる電流の変化を温度の変化として検出するショットキーバリアダイオード・サーミスタを構成するショットキーバリアダイオードを、非飽和特性領域の電圧領域の電圧である、±０.１Ｖの範囲内の電圧で駆動する。 - 特許庁

A short SW43 is provided for short-circuiting between the input side and the output side of a booster circuit 42 boosting a power supply voltage VCC supplied from the positive electrode side of a battery cell Vc5 to a drive voltage VCC1 for driving a MOS transistor in a buffer amplifier 30 in a saturation region to be supplied as a drive voltage.例文帳に追加

電池セルＶｃ５の正極側から供給される電源電圧ＶＣＣをバッファアンプ３０内のＭＯＳトランジスタを飽和領域で駆動させることができる駆動電圧ＶＣＣ１に昇圧して駆動電圧として供給する昇圧回路４２の入力側と出力側とを短絡させるショートＳＷ４３を備える。 - 特許庁

To solve the following problem that arises when an alternating current signal is added to a q-axis current command to forcedly produce a high-frequency torque ripple in a variable-speed driving device for synchronous motors: when a voltage component becomes higher than the outputtable maximum voltage of an inverter, voltage saturation occurs and thus it is impossible to accurately generate a current command.例文帳に追加

同期電動機の可変速駆動装置において、ｑ軸の電流指令に交流信号を加算して高周波のトルクリップルを強制的に発生させる場合、電圧成分がインバータの出力可能最大電圧よりも大きくなると電圧飽和が発生するため電流指令を正確に発生することができなくなる問題を有している。 - 特許庁

In this method for detecting an element exceeding a saturation voltage value and/or a withstand voltage value, a circuit diagram data 2 showing a circuit diagram where the element is used, and analysis result data 3 analyzing the terminal voltage of the element are given.例文帳に追加

飽和電圧値及び／又は耐圧電圧値を超えている素子を検出する飽和・耐圧違反素子の検出方法で、素子が用いられる回路図を示す回路図データ２と、素子の端子電圧を解析した解析結果データ３とを与えるとともに、飽和電圧値及び／又は耐圧電圧値条件１を与え、飽和電圧及び／又は耐圧電圧違反の素子については、これを回路図上で明示する飽和・耐圧違反素子の検出方法。 - 特許庁

When the AC voltage command supplied to the inverter 22 exceeds a PWM operation range to saturate the PWM signal, an electronic control unit 40 determines, as disturbance, the difference between a motor response to be generated corresponding to the saturation and the original motor response based on the AC voltage command, and adds the disturbance to the voltage command for correction.例文帳に追加

電子制御ユニット４０、インバータ２２に供給される前記交流電圧指令が、ＰＷＭ動作範囲を超えて、ＰＷＭ信号が飽和するときに、その飽和に応じて発生するモータ応答と交流電圧指令に基づく本来のモータ応答との差分を外乱と見なし、その外乱を前記電圧指令に加算して補正する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for controlling a motor that vector-controls an AC motor in which no overcurrent is generated under voltage saturation even if applied to a multi-pole high torque motor for precision controlling.例文帳に追加

ＡＣモータをベクトル制御するモータ制御装置及びその方法であって，多極の高トルクモータに対して適用した場合にも電圧飽和による過電流を発生させること無く，該モータを高精度に制御可能なものを提供すること。 - 特許庁

A polysilicon as an emitter diffusion source is buried in the trench and it is used as a part of an emitter electrode, capable of increasing the emitter area in the vertical direction as well as realizing lower saturation voltage and higher output without making a chip larger in size.例文帳に追加

エミッタ拡散源となるポリシリコンをトレンチに埋設してエミッタ電極の一部として活用することで、縦方向でのエミッタ領域の面積を増やすことができ、チップサイズを増大させずに低飽和電圧化および高出力化を実現できる。 - 特許庁

The drain saturation current IDSS of the junction field effect transistor and the lowest resonant frequency F0 of the vibrating film are then actually measured and polarizing processing is applied to the back electrode plate with the target charge voltage Vc corresponding to these two measured values.例文帳に追加

そして、接合型電界効果トランジスタのドレイン飽和電流ＩＤＳＳおよび振動膜の最低共振周波数Ｆ０を実測して、これら２つの実測値に対応する目標チャージ電圧Ｖｃで背面電極板に対する分極処理を行う。 - 特許庁

A dynamic loss of an IGBT element containing a free wheel diode is proportional to the product of turn on power loss and switching frequency, and static loss is proportional to the product of the current which flows into an IGBT element and the saturation voltage between the collector and emitter.例文帳に追加

フリーホイールダイオードを含むＩＧＢＴ素子の動損失はターンオン損失とスイッチング周波数との積に比例し、静損失はＩＧＢＴ素子に流れる電流と、そのコレクタ・エミッタ間の飽和電圧との積に比例する。 - 特許庁

The saturation voltage of a motor driving circuit for driving a zoom motor which moves a reflection mirror provided with a discharging tube away from and toward a lens is reduced by using field effect transistors as a plurality of switching elements which constitute the last stage of the motor driving circuit.例文帳に追加

放電管を備えた反射鏡をレンズに対して前後させるズームモータを駆動するモータ駆動回路の最終段を構成する複数のスイッチング素子として電界効果トランジスタを用いることにより、その飽和電圧を低下させる。 - 特許庁

To provide an angular velocity sensor capable of reducing zero-point variation by preventing saturation of a charge/voltage conversion and buffer amplifier while using a simple circuit structure to thereby improve angular velocity measurement accuracy.例文帳に追加

本発明は、簡単な回路構成を用いながら電荷／電圧変換およびバッファアンプの飽和を防止することにより、０点変動を低減させることができ、これにより、角速度の測定精度の向上を図ることができる角速度センサを提供することを目的とするものである。 - 特許庁

To provide a lightning arrester that stably supplies a predetermined voltage to a protected circuit-side terminal without incurring trouble due to an induced lightning surge by suppressing magnetic saturation of cores with simpler constitution and effectively reducing an impulse current flowing in from an input-side terminal.例文帳に追加

より簡素な構成で、コアの磁気飽和を抑制して、入力側端子から侵入するインパルス電流を効果的に低減し、誘導雷サージによる障害を生じることなく被保護回路側端子へ所定の電圧を安定して供給できる避雷器を提供することを目的とする。 - 特許庁

A resistance element with a fixed value and operation characteristics of the transistor represented as the source voltage which varies with time are represented while divided into a linear area wherein the current increases with variation of the gate potential and the saturation area wherein the gate potential is constant and the current gradually decreases.例文帳に追加

固定値の抵抗素子と、時間に対して変化する電源電電圧で表す前記トランジスタの動作特性を、ゲート電位の変化で電流が増加する直線領域とゲート電位一定で電流が漸減する飽和領域とに分けて表現するものである。 - 特許庁

To provide an insulated DC-DC converter that does not need to use a switching element of large voltage resistance as an auxiliary switch constituting an active clamp circuit by preventing a transformer from reaching magnetic saturation even if the DC-DC converter is restarted by soft start.例文帳に追加

再起動時にソフトスタートで起動してもトランスが磁気飽和に至るのを防止して、アクティブクランプ回路を構成する補助スイッチとして電圧耐量の大きなスイッチング素子を用いる必要のない絶縁形ＤＣ−ＤＣコンバータを提供する。 - 特許庁

Even when the power supply voltage of a power supply terminal 10 becomes low, an NMOS71 operates in a non-saturation state, and an output resistance ro71 of the NMOS71 becomes low, the power supply rejection ratio PSRR_LF is increased as an amplification degree Ao for a differential amplifier circuit 60 is increased.例文帳に追加

電源端子１０の電源電圧が低くなり、ＮＭＯＳ７１が非飽和動作し、ＮＭＯＳ７１の出力抵抗ｒｏ７１が低くなっても、差動増幅回路６０の増幅度Ａｏが大きければ、電源電圧変動除去比ＰＳＲＲ_LFも大きくなる。 - 特許庁

To provide a high voltage transistor of a flash memory which can obtain an uniform and constant saturation current independent of the number of contact holes, in a source/drain junction of a DDD structure which is made up of a high concentration impurity region and a low concentration impurity region surrounding it.例文帳に追加

高濃度不純物領域とこれを取り囲む低濃度不純物領域とからなるＤＤＤ構造のソース／ドレイン接合部においてコンタクトホールの個数と関係なく均一且つ一定の飽和電流を得ることが可能なフラッシュメモリ素子の高電圧トランジスタを提供する。 - 特許庁

The originally expected SN is achieved by driving the SBD thermistor at the unsaturated low voltage based on knowledge that the SN of the SBD thermistor is not increased by self-heating in a driving method using a conventional saturation area.例文帳に追加

本発明は、ＳＢＤサーミスタが、従来の飽和領域を使った駆動方法では自己発熱によりＳ／Ｎが高くならないという知見に基づき、ＳＢＤサーミスタを飽和に至らない低電圧で駆動することで本来期待されていたＳ／Ｎを実現できるようにしたものである。 - 特許庁

When the gain saturation occurs in the preamplifier 21 as a result of the detection, the gain of a differential amplifier 31 becomes low, DC feedback control is prevented from being unstable and the threshold voltage of an abnormal value is prevented from being outputted to the preamplifier 21.例文帳に追加

その検出の結果、前段アンプ２１が利得飽和を起こしている場合には、差動アンプ３１の利得は低くなり、ＤＣフィードバック制御が不安定になって異常な値のしきい値電圧が前段アンプ２１へ出力されるのを防止する。 - 特許庁

To provide a bipolar transistor that has a low saturation voltage between the collector and emitter, has a small size, and can be manufactured by a small number of processes, and to provide a semiconductor device in which the bipolar transistor and a MOS transistor are formed on the same substrate.例文帳に追加

コレクタ−エミッタ間飽和電圧が低く、サイズか小さく、少ない工程数で製造できるバイポーラトランジスタおよびこのバイポーラトランジスタとＭＯＳトランジスタとを同一基板上に形成した半導体装置を提供する。 - 特許庁

When the transistor M1 is conducted, transistors M1 and M2 are operated in a saturation area by a bias circuit which is outputted by a voltage output circuit 1, and the current of the node N2 also flows in a route from a power line VDD via the transistors M1 and M2 and the switch SW2.例文帳に追加

トランジスタＭ１が導通すると、電圧出力回路１が出力するバイアス電圧によりトランジスタＭ１およびＭ２が飽和領域で動作し、ノードＮ２の電流は、電源線ＶＤＤからトランジスタＭ１、Ｍ２およびスイッチＳＷ２を介した経路にも流れる。 - 特許庁

The saturation point of the amplifier 3 can be controlled so that a rapid amplitude envelope fluctuation inside the amplifier caused in the vicinity of a leading/trailing period of a transmission burst never passes through a phase fluctuation region by a increasing the power supply voltage Vd only for a short period before and after the steady burst.例文帳に追加

定常バースト前後の短期間のみ電源電圧Ｖｄを上昇させることにより、送信バースト立ち上がり／立ち下がり期間の近傍で生じる増幅器内部での急激な振幅エンベロープ変動が、位相変動領域をよぎらないように増幅器の飽和点を制御する。 - 特許庁

The transimpedance amplifier is provided with: a MOS transistor Q1 for receiving an input current and converting the received input current into a voltage depending on the magnitude of the current; and a MOS transistor Q2 connected to the MOS transistor Q1 as a load, and the MOS transistor Q1 is operated in a saturation region.例文帳に追加

この発明は、入力電流を受け取り、この受け取った入力電流の大きさに応じた電圧に変換するＭＯＳトランジスタＱ１と、このＭＯＳトランジスタＱ１の負荷として接続されるＭＯＳトランジスタＱ２とを備え、ＭＯＳトランジスタＱ１を飽和領域で動作させるようにした。 - 特許庁