「and Ra」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a developing device which will not cause an image defect, while preventing the occurrence of filming by setting a center line average roughness Ra(μm) of the surface of a developer carrier to be Ra<0.3 μm, and to provide an image forming apparatus equipped with the device.例文帳に追加

現像剤担持体の表面の中心線平均粗さＲａ（μｍ）をＲａ＜０．３μｍとしてフィルミングの発生を防止しつつ、画像不良を引き起こさない現像装置、及びこれを備える画像形成装置を提供する。 - 特許庁

The arithmetic mean deviation Ra of the outer peripheral surface of the shaft 2a is not greater than 0.04 μm, and the arithmetic mean deviation Ra of both of the end surfaces 2b1, 2b2 of the thrust plate 2b is not greater than 0.04 μm.例文帳に追加

また、軸部２ａの外周面の算出平均偏差Ｒａは０．０４μｍ以下であり、スラスト板２ｂの両端面２ｂ１、２ｂ２の算出平均偏差Ｒａは０．０４μｍ以下である。 - 特許庁

Specifically, the work roll used in the first roll is preferably the dull roll having a surface roughness Ra of 0.8-1.4 μm, and the work rolls used in the last two stands are preferably the bright rolls each having a surface roughness Ra of ≤0.05 μm.例文帳に追加

特に、最初のスタンドで用いるワークロールは表面粗さＲａ０．８〜１．４μｍのダルロール、最後の２つのスタンドで用いるワークロールは表面粗さＲａ０．０５μｍ以下のブライトロールが好ましい。 - 特許庁

After a TMR area is inputted in a step S4, the MR ratio and RA in the MR/RA area (value) determined in the step S3 are set in a step S5.例文帳に追加

ステップＳ４でＴＭＲ面積を入力した後、ステップＳ５において、ステップＳ３で決定したＭＲ／ＲＡ領域（値）にあるＭＲ比，ＲＡを設定する。 - 特許庁

The surface roughness of the hardened layer 23 is formed to 0.1 μm or less in centerline average roughness Ra, and the DLC film 20 is formed into a thickness of 1.0 μm or less.例文帳に追加

硬化処理層23における表面粗さを、中心線平均粗さRaで０．１μｍ以下に形成し、ＤＬＣ膜20を、１．０μｍ以下の厚さに形成する。 - 特許庁

This protein is expressed specifically by synovial tissue and also accompanies the presence of an auto-antibody that recognizes this protein in rheumatoid arthritis (RA) patients.例文帳に追加

このタンパク質は滑膜組織に特異的に発現するとともに、慢性関節リウマチ（RA）患者において本タンパク質を認識する自己抗体の存在を伴う。 - 特許庁

Surface roughness Ra of a surface 21 in contact with the ceramic green sheet 8 of a porous sheet 16 and a grain diameter D50 of metal powder 22 in the conductive paste 17 are so selected that a relation of Ra≤D50 is held.例文帳に追加

多孔質シート１６のセラミックグリーンシート８に接触する表面２１の表面粗さＲａと導電性ペースト１７中の金属粉末２２の粒径Ｄ_50とが、Ｒａ≦Ｄ_50の関係を有するように選ばれる。 - 特許庁

The silicon carbide single crystal substrate has a volume resistivity of 0.001-0.012 Ωcm, and ≥90% of the entire substrate surface is coated with a silicon carbide single crystal surface having a surface roughness (Ra) of ≤1.0 nm.例文帳に追加

体積抵抗率が0.001Ωcm以上0.012Ωcm以下の炭化珪素単結晶基板であって、基板全表面の90%以上が、表面粗さ(Ra)1.0nm以下の炭化珪素単結晶面で覆われている炭化珪素単結晶基板である。 - 特許庁

In the hollow fiber membrane module, the hollow fiber membranes are built in the module case having fine irregularities at least at some part of the inner face, and average roughness (Ra) of the surface lies in the range of 0.001 μm≤Ra≤1 mm.例文帳に追加

中空糸膜が内側表面の少なくとも一部に微細な凹凸を有し、該表面の平均粗さ（Ｒａ）が０．００１μｍ≦Ｒａ≦１ｍｍであるモジュールケースに内蔵されていることを特徴とする中空糸膜型モジュール。 - 特許庁

The sliding surface 21 has a surface roughness Ra (μm) of 0.8 μm or less, and has a surface hardness H (Hv) in such a range as to satisfy (surface hardness H)≥500 (surface roughness Ra)+650.例文帳に追加

摺動面２１は、表面粗さＲａ（μｍ）が０．８μｍ以下であり、表面硬度Ｈ（Ｈｖ）が、（表面硬度Ｈ）≧５００（表面粗さＲａ）＋６５０を満たす範囲である。 - 特許庁

The arithmetic mean roughness Ra based on JIS of a surface on a PDP-treating-board touching side of the platen for calcination is made to satisfy 1.0 μm≤Ra≤5.0 μm, and the maximum height Ry based on JIS is made to satisfy 7 μm≤Ry≤20 μm.例文帳に追加

焼成用定盤の、ＰＤＰ処理基板と接する側の表面のＪＩＳに基づく算術平均粗さＲａを１．０μｍ≦Ｒａ≦５．０μｍとし、かつ、ＪＩＳに基づく最大高さＲｙを、７μｍ≦Ｒｙ≦２０μｍとなるようにする。 - 特許庁

In the humidifying operation of the humidity controller, a circulating operation for supplying second air as indoor air RA into a room at the time of starting and discharging first air as outdoor air OA out of the room is performed.例文帳に追加

調湿装置の加湿運転において、起動時に室内空気（RA）としての第２空気を室内へ供給して室外空気（OA）としての第１空気を室外へ排出する循環動作が行われる。 - 特許庁

The centerline average height (Ra) of the contact surface with the wire of the guide capstan is 0.05 μm or less and the centerline average height (Ra) of the contact surface with the wire of the driving capstan is 0.005 to 0.05 μm.例文帳に追加

案内キャプスタンのワイヤとの接触面の中心線平均表面粗さ（Ｒａ）が０．０５μｍ以下であり、かつ、駆動キャプスタンのワイヤとの接触面の中心線平均表面粗さ（Ｒａ）が０．００５〜０．０５μｍである。 - 特許庁

In the semiconductor-wafer supporting substrate made of sapphire, the average roughnesses (Ra) of center lines of the inner walls of a plurality of through holes formed in the surface of the substrate and the average roughness (Ra) of the center line of the outer peripheral side surface of the substrate are made not larger than 0.3 μm, to obtain a mirror finish.例文帳に追加

サファイア製の半導体ウェハ支持基板において、基板の面内に設けた複数の貫通穴の内壁および外周側面の中心線平均粗さ（Ｒａ）を０．３μｍ以下の鏡面仕上げとする。 - 特許庁

When the repeated fracture number is investigated using samples having surface roughness Ra of 0.040, 0.080, 0.120 and 0.180 μm, it is found that the repeated fracture number increases as the surface roughness Ra becomes smaller.例文帳に追加

表面粗さＲａが０.０４０μｍ、０.０８０μｍ、０.１２０μｍ、０.１８０μｍのサンプルを用いて繰返し破断回数を調べたところ、表面粗さＲａが小さいほど繰返し破断回数は大きくなった。 - 特許庁

In formula I, X1 and X2 are each a heteroatom or a halogen, Ra and Rb are each H, a halogen, cyano or an organic residue and X1 and X2, Ra and Rb, XI and Ra, or XI and Rb may bond to each other to form a cyclic structure.例文帳に追加

（一般式（Ｉ）中、Ｘ^１、Ｘ^２は各々独立して、ヘテロ原子又はハロゲン原子を表す。Ｒ^ａ、Ｒ^ｂは各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又は有機残基を表す。また、Ｘ^１とＸ^２、Ｒ^ａとＲ^ｂ、又はＸ^１とＲ^ａあるいはＲ^ｂとが互いに結合して環状構造を形成してもよい。） - 特許庁

High-frequency signals are supplied to paired electrodes 4A1 and 4A2, 4B1 and 4B2, and 4C1 and 4C2 respectively through resistors RA, RB, and RC and transformers 5A, 5B, and 5C.例文帳に追加

発振部１より高周波信号を抵抗Ｒ_A 、Ｒ_B 、Ｒ_C 、トランス５_A、５_B 、５_C を介して、それぞれ一対の電極４_A1、４_A2、４_B1、４_B2、４_C1、４__C2に加える。 - 特許庁

Also, the information processor is provided with a DRAM controller 7 for performing access to a DRAM 8 by designating the low address signal RA and the column address signal CA, and for, when access to the memory address whose low address signal RA is the same is continuously performed more than once, not designating the low address signal RA in the second and following access.例文帳に追加

また、ローアドレス信号ＲＡ、及びカラムアドレス信号ＣＡを指定してＤＲＡＭ８へのアクセスを行うと共に、ローアドレス信号ＲＡが同一であるメモリアドレスへのアクセスが複数回連続する場合、二回目以降のアクセスにおいてローアドレス信号ＲＡの指定を行わないＤＲＡＭコントローラ７を備えた。 - 特許庁

This substrate for bioassey comprises a detecting surface Ra which is formed in the reaction area R and to which a probe substance for detecting interaction between the substances is fixed, and a recessed portion area Rb formed at the circumference of the detecting surface Ra and comprising a bottom face portion at a position lower than an upper face of the detecting surface Ra.例文帳に追加

この反応領域Ｒ内に形成され、物質間の相互作用を検出するプローブ物質が固定される検出表面Ｒａと、該検出表面Ｒａの周辺に形成され、該検出表面Ｒａの上面よりも低い位置に底面部を備える凹部領域Ｒｂと、を備えるバイオアッセイ用基板を提供する。 - 特許庁

Thus, the reversed QR code Ra reversed in such a way can not be normally decoded since an error correction function does not normally work even if the QR code Ra is attempted to be read by a normal two-dimensional code reader since arrangement and arrangement direction of data code words and error correction codes are different from each other between the front and the rear in the reversed QR code Ra.例文帳に追加

これにより、表裏反転したＱＲコードＲａは、データコード語および誤り訂正コード語の配置や並びの方向が表裏では異なることから、このように表裏反転したＱＲコードＲａを、通常の二次元コードリーダで読み取ろうとしても誤り訂正機能は正常に働くことなく、正常にデコードできない。 - 特許庁

To provide a method for improving interaction between a scheduling request (SR) procedure and a random access (RA) procedure in a user equipment (UE), in order to prevent uplink transmission error or RA procedure failure that may occur when performing the RA procedure corresponding to the SR procedure and to provide a communication apparatus.例文帳に追加

ＵＥ（ユーザー端末）でスケジューリングリクエスト（ＳＲ）プロシージャに対応するランダムアクセス（ＲＡ）プロシージャーを実行するときに発生しうるアップリンク伝送エラーまたはＲＡプロシージャの失敗を防止するために、ＳＲプロシージャとＲＡプロシージャーの間の相互作用を改善する方法及び通信装置を提供する。 - 特許庁

The serial resonance circuit has resonance frequency that coincides with the resonance frequency of the parallel resonance circuit, wherein the inductance of the serial resonance circuit is Cb×Ra^2 and capacitance is Lb/Ra^2 when the inductance of the parallel resonance circuit is defined as Lb, capacitance as Cb and the resistance of the serial resonance circuit as Ra.例文帳に追加

直列共振回路は並列共振回路の共振周波数と一致した共振周波数を有し、並列共振回路のインダクタンスをＬｂ、キャパシタンスをＣｂとし、直列共振回路の抵抗をＲａとした場合、直列共振回路のインダクタンスはＣｂ・Ｒａ^２、キャパシタンスはＬｂ／Ｒａ^２である。 - 特許庁

The parallel resonance circuit 2 has a resonance frequency that coincides with the resonance frequency of the antenna 1, wherein inductance 21 of the parallel resonance circuit 2 is Ca×Ra^2 and capacitance 22 is La/Ra^2 when the inductance 11 of the antenna 1 is defined as La, capacitance 12 as Ca and resistance 13 as Ra.例文帳に追加

並列共振回路２は空中線１の共振周波数と一致した共振周波数を有し、空中線１のインダクタンス１１をＬａ、キャパシタンス１２をＣａ、抵抗１３をＲａとした場合、並列共振回路２のインダクタンス２１はＣａ・Ｒａ^２であり、キャパシタンス２２はＬａ／Ｒａ^２である。 - 特許庁

An information collection terminal 50 serving as a layout support device acquires movement routes (P1, P2, P3, P4) within an office Ra of respective users who use an image forming apparatus 20 disposed in the office Ra, and based on the movement routes according to the users, derives a recommended arrangement of the image forming apparatus 20 in the office Ra and displays it.例文帳に追加

情報収集端末５０は、オフィスＲａ内に設置された画像形成装置２０を使用するユーザのオフィスＲａ内での移動経路（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４）をユーザ別に取得し、該ユーザ別の移動経路に基づいて、オフィスＲａ内における画像形成装置２０の推奨配置を求めて表示する。 - 特許庁

In this semiconductor device A equipped with the circuit board 5 connected electrically to a semiconductor sensor 4, and having a plurality of trimming resistances Ra-Rf for adjusting the output from the semiconductor sensor 4, the trimming resistances Ra-Rf are disposed in rows on the circuit board 5, and the marginal region 11 for enabling trimming to each trimming resistance on both side is provided between the trimming resistances Ra-Rf.例文帳に追加

半導体式センサ４と電気的に接続され、半導体式センサ４からの出力を調整する複数のトリミング抵抗Ｒａ〜Ｒｆを有する回路基板５を備えた半導体装置Ａにおいて、トリミング抵抗Ｒａ〜Ｒｆを回路基板５に列状に配設するとともに、トリミング抵抗Ｒａ〜Ｒｆ間に、両側の各トリミング抵抗に対しトリミングを可能とする余白領域１１を備える。 - 特許庁

The delay adjusters 4 and 5 are provided with a plurality of resistors R and Ra different in resistance values and bypass wirings BH and BHa, respectively.例文帳に追加

遅延時間調整部４，５には、抵抗値の異なる複数の抵抗Ｒ，Ｒａ、およびバイパス配線ＢＨ，ＢＨａがそれぞれ設けられている。 - 特許庁

The surface hardness of the track surfaces 2a and 3a of the inner and outer rings 2 and 3 is Hv 720 or higher and the surface roughness thereof is Ra 0.015μm or higher.例文帳に追加

内外両輪２、３の軌道面２ａ、３ａの表面硬さをＨｖ７２０以上とし、表面粗さをＲａ０．０１５μｍ以下とする。 - 特許庁

A cross section Rc of the sheave and the cross section Ra of the balance weight are not superposed in forward and backward directions and in right and left directions in the shaft.例文帳に追加

綱車の断面Ｒｃと釣り合い重りの断面Ｒａとはシャフト内で前後方向および左右方向に重なっていない。 - 特許庁

This mobile station UE is equipped with an RACH procedure section 12 configured to attempt to detect an RA response for an RA preamble only by the DL carrier for a UL carrier from a plurality of DL carriers when CA is performed and the UL carrier transmits the RA preamble.例文帳に追加

本発明に係る移動局ＵＥは、ＣＡを行っている場合で、かつ、ＵＬキャリアにおいてＲＡプリアンブルを送信した場合に、複数のＤＬキャリアの中から、かかるＵＬキャリアに対応するＤＬキャリアでのみ、かかるＲＡプリアンブルに対するＲＡレスポンスの検出を試みるように構成されているＲＡＣＨ手順部１２を具備する。 - 特許庁

An RA output apparatus 102 calculates a second MTU by subtracting a prescribed part including part of VPN information on the basis of an MTU length of a WAN 200 side acquired by a VPN terminator 101, revises an MTU length included in RA information advertised to a LAN 102 into the second MTU, and advertises the RA information whose MTU length is revised to a LAN 103.例文帳に追加

ＶＰＮ終端装置１０１で取得されたＷＡＮ２００側のＭＴＵ長を元に、ＲＡ出力装置１０２がＶＰＮ情報の部分を含む所定の部分を差し引いて第２のＭＴＵを算出し、ＬＡＮ１０２にに広告するＲＡ情報に含まれるＭＴＵ長を第２のＭＴＵに変更し、ＭＴＵ長が変更されたＲＡ情報をＬＡＮ１０３に広告する。 - 特許庁

The planetarium apparatus includes: two video projectors PA and PB; relay lenses RA and RB; and a fisheye lens GL.例文帳に追加

プラネタリウム装置は、２台のビデオプロジェクタＰＡ，ＰＢ、リレーレンズＲＡ，ＲＢ、魚眼レンズＧＬを有する。 - 特許庁

Therefore, the signals of the surface roughness cancellation are realized by normalizing the signals of V(a) and V(b) by Ra and Rb and subtracting each other.例文帳に追加

よって、V(a)とV(b)の信号をそれぞれＲａ、Ｒｂで正規化して差し引くことにより、表面粗さの信号をキャンセルことを考える。 - 特許庁

The metal foil is stainless steel foil and has a glossiness Gs (45°) of at least 300 and below 500 and a surface roughness Ra of 100 nm or below.例文帳に追加

前記金属箔が、ステンレス箔であり、光沢度Ｇｓ（４５°）が３００以上５００未満で、表面粗さＲａが１００ｎｍ以下である。 - 特許庁

Deformation parts 27a, 27b, 27c and 27d are formed in the operation part 20, and distortion detection elements Ra, Rb, Rc and Rd are mounted on the upper faces of the deformation parts.例文帳に追加

前記動作部２０に変形部２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄが形成され、それぞれの変形部の上面に歪み検出素子Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄが取り付けられている。 - 特許庁

An integral similarity calculating part V43 calculates integral similarity Ra from the weights Wc and Wt and the similarity Rc and Rt.例文帳に追加

総合類似度算出部Ｖ４３はウェイトＷｃ，Ｗｔ及び類似度Ｒｃ，Ｒｔから総合類似度Ｒａを求める。 - 特許庁

According to an explanation, Sakura derives from 'Saku' (bloom) and 'Ra' of plural ending and originally referred to all plants which had dense flowers. 例文帳に追加

「サクラ」の名称の由来は、一説に「咲く」に複数を意味する「ら」を加えたものとされ、元来は花の密生する植物全体を指したと言われている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In formula (1), Ra, Rb, and Rc are each independently a hydrogen atom or a 1-20C alkyl group; and n is an integer of 0 to 12.例文帳に追加

（式中、Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃは、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０のアルキル基を表し、ｎは０〜１２の整数を表す。） - 特許庁

The foil is made of titanium or titanium alloy and the surface roughness of at least one surface is 0.05<Ra<1.0 and 0.3<Ry<7.0.例文帳に追加

チタンまたはチタン合金からなり、少なくとも一方の表面の表面粗さが０．０５＜Ｒａ＜１．０、０．３＜Ｒｙ＜７．０である。 - 特許庁

Surface roughnesses Ra of the PFA sheet and the PFA laminated polyimide sheet are respectively 0.01-0.05 μm and 0.7-0.8 μm therein.例文帳に追加

ここで、ＰＦＡシートおよびＰＦＡ積層ポリイミドシートの、夫々の表面粗さＲａは、０．０１〜０．０５μｍ、０．７〜０．８μｍである。 - 特許庁

A circumscribed circle Ra of diameter D1 and a core diameter circle Rb are formed by the rotating locus of the cutting edges 17 and an inscribed circle of diameter D2 inscribed on the bottom face 22, respectively.例文帳に追加

切刃１７の回転軌跡で径Ｄ１の外接円Ｒａを、底面２２で内接する径Ｄ２の内接円で心厚円Ｒｂを形成する。 - 特許庁

The tip 30 is equipped with the ball 50 and a holder 60 and the ball 50 is formed so that its surface roughness Ra is 0.010-0.080 μm.例文帳に追加

チップ20は、ボール50とホルダー60とを備え、ボール50は、その表面粗さＲａを、０．０１０μｍ以上０．０８０μｍ以下に形成される。 - 特許庁

The surface roughness of the roll is 5 μm Ra and 30 μm Rz or above and the friction coefficient is 0.22 or above.例文帳に追加

その表面粗さは５μｍＲａ、３０μｍ Ｒｚ以上であり、摩擦係数では０．２２以上である。 - 特許庁

An annunciator 10 measures a sound pressure level of background noise in rooms RA and RB by microphones 20A and 20B.例文帳に追加

報知装置１０は、マイクロホン２０Ａ，２０Ｂにより部屋ＲＡ，ＲＢにおける暗騒音の音圧レベルを求める。 - 特許庁

A node between temperature sensing resistors Rd2 and Ru2 is connected to a node between the sensing resistor Ra and the minus input terminal of the amplifier A.例文帳に追加

感温抵抗体Ｒｄ２とＲｕ２との接続点は感温抵抗体Ｒａと増幅器Ａのマイナス入力端子との間に接続される。 - 特許庁

Then one resist part Ra is formed by exposure and development and the corner part at the upper part of the end surface is hardened after made smooth by a resist flow.例文帳に追加

次いで、レジストの一方Ｒａを露光・現像により形成して、端面上部の角部をレジストフローによりなだらかとした後に硬化する。 - 特許庁