「atomic force microscope」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

In the separator material for fuel cell, the Au plating layer 2-20 nm in thickness and 0.5-1.5 nm in arithmetic surface roughness (Ra) measured in a crystal grain of a metal substrate by an atomic force microscope is formed on a surface of the metal substrate.例文帳に追加

金属基材の表面に、厚み２〜２０ｎｍで、かつ前記金属基材の結晶粒内において原子間力顕微鏡により測定した算術表面粗さ（Ｒａ）が０．５〜１．５ｎｍであるＡｕめっき層が形成されている燃料電池用セパレータ材料である。 - 特許庁

To provide an NC-AFM capable of stably performing approach and the surface observation of a sample with proper resolving power even with respect to any sample in a non-contact atomic force microscope and the operation program thereof.例文帳に追加

本発明は非接触原子間力顕微鏡及び非接触原子間力顕微鏡の動作プログラム関し、どのような試料においても、適した分解能で安定にアプローチ及び試料表面観察をすることができるＮＣ−ＡＦＭを提供することを目的としている。 - 特許庁

In the atomic force microscope that separates the light from a light source 21 into S-polarized light and P-polarized light by a lotion prism 28 to measure the relative displacement of the article 1 to be inspected and the cantilever 12, the function for measuring the displacement of the cantilever 12 by using a reference mirror 63 as a measurement standard is provided.例文帳に追加

光源２１からの光をローションプリズム２８によってＳ偏光とＰ偏光に分離して、被検物１とカンチレバー１２との相対変位を計測する原子間力顕微鏡において、参照ミラー６３を計測基準としてカンチレバー変位を計測する機能を設ける。 - 特許庁

The backcoat layer has an average surface roughness ranging from 15 to 25 nm, as measured by an atomic force microscope, and a density of protrusions equal to or greater than 50 nm in height ranges from 1 to 50 pieces/mm^2 on the backcoat layer surface, as measured by a three-dimensional surface roughness meter with a contact needle.例文帳に追加

原子間力顕微鏡で測定したバックコート層表面の平均表面粗さは１５〜２５ｎｍの範囲であり、かつ触針式三次元表面粗さ計により測定したバックコート層表面の高さ５０ｎｍ以上の突起密度は１〜５０個／ｍｍ^2の範囲である。 - 特許庁

A process waste 5, produced in mechanical processing with an atomic force microscope probe 3, is irradiated with a gas cluster ion beam 1, having energy that will not damage a normal pattern 6 or a glass substrate 7, but which can remove the process waste 5 which is weakly depositing thereon, so as to remove the waste by sputtering effects.例文帳に追加

原子間力顕微鏡探針３による機械加工で発生した加工屑５を正常パターン６やガラス基板７にはダメージを与えないが弱く付着した加工屑５は除去できるようなエネルギーを持ったガスクラスターイオンビーム１を照射してスパッタ効果で除去する。 - 特許庁

A measuring mode is set to a tapping mode, when observing the semi-solid substance in the semi-solid state with the solid substance existing by an atomic force microscope, and a shape and a state of the solid substance existing in the semi-solid substance are evaluated based on phase information obtained by the tapping mode.例文帳に追加

固体物質が存在する半固体状態のままの半固体状物質を原子間力顕微鏡にて観察する場合、測定モードをタッピングモードに設定し、半固体状物質中に存在する固体物質の形状および状態をタッピングモードにより得られる位相情報で評価する。 - 特許庁

When the surface form of the substrate 21 is measured in the measurement range of four quarters whose one side is 5μm by using an atomic force microscope, the number of ridges of textures which are observed at a position higher than the average line of measured roughness curve by 1.5nm is 200 or less.例文帳に追加

同情報記録媒体用ガラス基板２１の表面形状を、原子間力顕微鏡を使用し、１辺が５μｍ四方の測定範囲内で測定したとき、測定された粗さ曲線の平均線よりも１．５ｎｍ高い位置で観測されるテクスチャーの尾根の数は２００個以下である。 - 特許庁

(2) Alternatively, the composite yarn comprises the modified cross-section regenerated cellulose fibers having 1.1-10 degree of modified cross section of the fibers, 10-50 nm fiber surface roughness parameter Ra measured under the atomic force microscope and containing 0.2-5 wt.% of a fine powder having 0.05-10 μm 50% average particle diameter.例文帳に追加

(2) 繊維の異型度が１．１〜１０で、原子間力顕微鏡で測定した繊維表面粗度パラメーターＲａが１０〜５０ｎｍであり、５０％平均粒径が０．０５〜１０μｍである微粉末を０．２〜５重量％含む異型断面再生セルロース繊維を含有する複合糸。 - 特許庁

In an atomic force microscope wherein an optical lever system is adopted, a light emitting element 8 is provided on the back side of a cantilever 5, and a light receiving device 9 is directly irradiated with light from the light emitting element 8, to thereby suppress decline of light receiving sensitivity of the light receiving device 9 caused by reflection of unintended light.例文帳に追加

光てこ方式を採用した原子間力顕微鏡において、発光素子８をカンチレバー５の背面側に設け、発光素子８から直接受光装置９に光を照射することで、意図しない光の反射による受光装置９の受光感度の低下を抑制する。 - 特許庁

The method of evaluating the vapor deposition film measures a phase change by scanning vibratingly a probe of an atomic force microscope on a vapor deposition film surface of an optical member having the vapor deposition film on a base material, and evaluates the vapor deposition film, based on the measured phase change.例文帳に追加

基材上に蒸着膜を有する光学部材の該蒸着膜表面上で、原子間力顕微鏡の探針を振動させながら走査して位相変化を測定し、測定された位相変化に基づいて前記蒸着膜を評価する蒸着膜評価方法。 - 特許庁

This new topograph measuring method and its device are characterized by detecting the electrostatic force working between the cantilever and the sample, and feeding back a cantilever bias potential at which the electrostatic force becomes minimum to the cantilever, in the noncontact type atomic force microscope for scanning the sample surface by the cantilever to execute measurement, while maintaining an attraction gradient between the cantilever and the sample constant.例文帳に追加

本発明による新トポグラフ測定方法およびその装置は、カンチレバーと試料間の引力勾配を一定に維持しながらカンチレバーで試料表面を走査することにより計測する非接触型原子間力顕微鏡において、カンチレバーと試料間に作用する静電気力を検出し、該静電気力が最小となるカンチレバーバイアス電位をカンチレバーにフィードバックすることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method to easily measure phase difference by using a scanning atomic force microscope(AFM) without peeling a resist 1 during manufacturing a Levenson type phase shift mask, and to provide a method for manufacturing phase shift mask such that the manufacture process of a Levenson phase shift mask can be significantly reduced by using the above method for measuring the phase difference.例文帳に追加

レベンソン位相シフトマスクの製造途中にレジスト１を剥離せずに、走査型原子間力顕微鏡(AFM)を用いて簡便に位相差を測定する方法を提供し、この位相差測定方法を用いてレベンソン位相シフトマスクの製造プロセスを大幅に短縮することが可能になる位相シフトマスク製造方法を提供する。 - 特許庁

A surface of a glass substrate containing SiO_2 as main component is polished by a polishing slurry including colloidal silica having an average primary particle size of at most 50 nm, an acid and water, and having pH adjusted to be in a range of 0.5-4, so that the surface roughness Rms measured by an atomic force microscope becomes not higher than 0.15 nm.例文帳に追加

平均一次粒子径が５０ｎｍ以下のコロイダルシリカ、酸および水を含み、ｐＨが０．５〜４の範囲になるように調整してなる研磨スラリーを用いて、ＳｉＯ_２を主成分とするガラス基板の表面を、原子間力顕微鏡で測定した表面粗さＲｍｓが０．１５ｎｍ以下になるように研磨する。 - 特許庁

For an organic EL element 100 obtained by successively laminating a substrate-side electrode 4, an organic EL layer 6 and a counter electrode 8 on one side of an element substrate 2, an increase rate of an area measured through an atomic force microscope to a projected area in a direction perpendicular to an electrode surface of the substrate-side electrode is controlled to lower than 1.1%.例文帳に追加

素子基板２の片面に基板側電極４、有機ＥＬ層６、対向電極８を順次積層してなる有機ＥＬ素子１００において、基板側電極の電極面に垂直方向の投影面積に対する原子間力顕微鏡で測定した面積の増加率を１．１％未満にする。 - 特許庁

The texture 13 of a low frequency component obtained by measuring a 10 μm square range by an atomic force microscope has 10 to 200 nm width W, 2 to 10 nm height H and the ratio (Rp/RMS) of the maximum height Rp to root-mean-square roughness RMS of not more than 15.例文帳に追加

原子間力顕微鏡で１０μｍ四方の範囲を測定して得られる低周波成分のテクスチャー１３の幅Ｗは１０〜２００ｎｍ、テクスチャー１３の高さＨは２〜１０ｎｍ、テクスチャー１３の自乗平均粗さＲＭＳに対する最大山高さＲｐの比（Ｒｐ／ＲＭＳ）は１５以下である。 - 特許庁

In the transparent conductive base material, where the base material, a reflection prevention film, and the transparent conductive film are laminated in this order, the reflection prevention film is made of aluminum-doped zinc oxide, and the average surface roughness (Ra) of the reflection prevention film by an atomic force microscope is 1.0 nm or smaller.例文帳に追加

基材、反射防止膜及び透明導電膜が、この順で積層されてなる透明導電性基材であって、前記反射防止膜がアルミドープ酸化亜鉛からなり、かつ原子間力顕微鏡による前記反射防止膜の平均面粗さ（Ｒａ）が１．０ｎｍ以下であることを特徴とする透明導電性基材。 - 特許庁

To provide a technique capable of measuring accurately a topograph relative to even the sample surface whose accurate surface topograph measurement is difficult by a conventional method, by overcoming a defect that the accurate surface topograph can not be measured because an attraction detected by a cantilever tip includes both an interatomic force and an electrostatic force when executing the surface topograph measurement by a conventional noncontact type atomic force microscope.例文帳に追加

本発明は、従来の非接触型原子間力顕微鏡による表面トポグラフ計測の際に、カンチレバー先端で検出される引力には原子間力と静電気力の両方が含まれるために正確な表面トポグラフを計測できないという欠点を克服し、従来法では正確な表面トポグラフ計測が困難であった試料表面に対しても、そのトポグラフを正確に計測する技術を提供するものである。 - 特許庁

A intensive wet blasting operation is applied to a coating film of a CVD coated cutting tool equipped with a TiC_XN_Y layer containing a cemented carbide as base material and having a low tensile stress level of 50-390 Mpa and Al_2O_3 having a high surface smoothness with a mean Ra 0.12 μm or below as measured by the atomic force microscope (AFM) technique.例文帳に追加

超硬合金を母在とし、５０〜３９０Ｍｐａの低引張応力レベルを有するＴｉＣ_ＸＮ_Ｙ層と、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）技術によって測定される平均Ｒａが０．１２μｍ以下の高い表面平滑度を有するＡｌ_２Ｏ_３と備えるＣＶＤ被覆切削工具の被膜に、非常に激しい湿潤吹き付け処理を施す。 - 特許庁

While the surface of channels of a field effect transistor is being scanned by a probe, the surface potential of the channels and potentials by trap charge just beneath the probe at each point are measured through potential measurement using an atomic force microscope, and the local mobility is calculated from the measured potentials, and further the distribution of mobility is obtained based on the mobilities calculated at each point.例文帳に追加

探針で電界効果トランジスタのチャンネル表面を走査しながら、各点において探針直下のチャンネルの表面電位およびトラップ電荷による電位を、原子間力顕微鏡を用いた電位測定により測定し求めた電位から局所的な移動度を算出し、さらに各点で算出された移動度に基づいて移動度分布を求める。 - 特許庁

To prevent reattachment of chips produced during modification by removal to a substrate in a step of removing defective portions remaining so as to be different from a state expected by design against a design in a light shielding film Cr, an absorbing film TaN, a phase film MoSi left without being removed in the process and the substrate Qz by using a probe of an atomic force microscope.例文帳に追加

プロセス工程で除去されず残ってしまった遮光膜Ｃｒ、吸収膜ＴａＮ、位相膜ＭｏＳｉ、や基板Ｑｚの設計とは異なり残留した欠陥部分を原子間力顕微鏡の探針を用いて除去する工程において、除去修正時に発生する削り屑の基板への再付着を防止する。 - 特許庁

To provide a signal detection apparatus enabling simplification of a mechanism for detecting the displacement of a probe and simplification of the arrangement of a detection system even if a plurality of probes are in use, thus enabling a space saving, a scanning atomic force microscope constructed of the detection apparatus, and a signal detection method.例文帳に追加

プローブ変位検出のための機構を簡単化することができ、また複数のプローブを用いる場合においても検出系の構成を簡便化することができ、省スペース化を図ることが可能な信号検出装置、該信号検出装置によって構成した走査型原子間力顕微鏡、および信号検出方法を提供する。 - 特許庁

In the easily lubricating polyamide laminate film comprising a film layer made of a binder resin and provided on at least one side surface of a polyester film, a mean value of a roughness according to an AFM(atomic force microscope) on an outer surface of the film layer is 3 to 20 nm and specks of roughness are 5 to 70%.例文帳に追加

ポリエステルフィルムの少なくとも片面に、バインダー樹脂からなる皮膜層を設けた積層フィルムであって、皮膜層の外表面のＡＦＭ（原子間力顕微鏡）による粗さの平均値が３〜２０ｎｍで、且つ、粗さの斑が５％以上７０％以下であることを特徴とする易滑性積層フィルムおよびそれを用いた磁気記録媒体。 - 特許庁

In this tapping mode atomic force microscope (AFM) system 10, the probe 22 is excited at an excitation frequency other than the probe's first natural frequency to produce a response signal manifesting a grazing bifurcation between "non-collision" and "collision" states of the AFM system, so that an additional characteristic frequency component is generated in the "collision" state.例文帳に追加

タッピングモード原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）システム１０において、プローブ２２は、プローブの１次固有振動数以外の加振周波数にて励振され、ＡＦＭシステムの「非衝突」状態と「衝突」状態との間のグレイジング分岐を明示する応答信号を作り出し、その結果、付加的な特性周波数成分が「衝突」状態において創出される。 - 特許庁

In a method for manufacturing the electrophotographic photoreceptor obtained by sequentially stacking at least an intermediate layer, a charge generating layer and a charge transport layer on a conductive support, the intermediate layer contains a thermoplastic resin and a microscopic ten-point average roughness obtained by shape observation through an atomic force microscope is ≤3.2 μm.例文帳に追加

導電性支持体上に、少なくとも中間層、電荷発生層、電荷輸送層が順次積層されて成る電子写真用感光体の製造方法において、前記中間層が熱可塑性樹脂を含有し、且つ、原子間力顕微鏡による形態観察をして得られた微視的な十点平均粗さが３．２ｎｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a new cantilever for processing, wherein a great number of fine grooves are simultaneously processed with high accuracy by probes as a great number of cutting blades, in order to drastically shorten a process time for forming fine shapes by using functions of an atomic force microscope on a three-dimensional surface including a curved face.例文帳に追加

曲面を含んだ３次元形状の表面に原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）の機能を利用して微細形状を形成するときの加工時間を大幅に短縮することを目的とし、そのために多数の切れ刃となるプローブ（探針）によって多数の微細溝を同時に高精度で加工できる新規な加工用カンチレバーを工夫すること。 - 特許庁

The atomic force microscope (AFM) 102 includes also an electric power source 130 for impressing a potential between the first tip 302 and the second tip 304, at least one mechanism 108 for generating relative motion between a probe and the surface 131, and at least one sensor 132 for detecting a current flowing between the first tip 302 and the second tip 304.例文帳に追加

該原子間力顕微鏡(102)は更に、第１の先端部(302)と第２の先端部(304)との間に電位を印加する電圧源(130)と、表面(131)とプローブ(106)との間の相対的な運動を生じさせる少なくとも１つの機構(108)と、第１の先端部(302)と前記第２の先端部(304)との間に流れる電流を検出する少なくとも１つのセンサ(132)とを含む。 - 特許庁

In the method, a pulse voltage VB is applied to a material 3 having a ferroelectric thin film 1 by a conductive needle 2 by using an atomic force microscope, the amplitude of the pulse voltage VB is changed by a voltage applying means when a film thickness change of the ferroelectric thin film 1 is measured, and also a detecting output is measured through a lock-in amplifier 4.例文帳に追加

原子間力顕微鏡を用いて導電性針２によって強誘電体薄膜１を有する試料３にパルス電圧Ｖ_B を印加し、強誘電体薄膜１の膜厚変化分を測定する際に、パルス電圧Ｖ_B の振幅を電圧印加手段によって変化させるとともに、検出出力をロックインアンプ４を通して測定する。 - 特許庁

An atomic force microscope 3 is prepared, and a cantilever 4 having the head on which a probe 6 is formed is mounted on a substrate 4a to form a cantilever combination 8, and an oscillation member 7 is driven to oscillate with a characteristic frequency of the cantilever 4, and a voltage corresponding to the frequency change Δf of the oscillation frequency from the characteristic frequency is detected by a frequency change detector 19.例文帳に追加

原子間力顕微鏡３を準備し、探針６が先端に形成されたカンチレバー４を基体４ａに、取付けてカンチレバー組合せ体８を構成し、振動部材７を駆動してカンチレバー４の固有振動数で発振し、振動周波数の固有振動数からの周波数変化Δｆに対応する電圧を周波数変化検出器１９によって検出する。 - 特許庁

In the case of measuring the surface area of the cured product subjected to desmear processing in a measuring region having a size of 100 μm×100 μm by using an atomic force microscope when the cured product subjected to the desmear processing by using the thermosetting film is obtained, the surface area of the cured product subjected to the desmear processing in the measuring region is 20000 μm^2 or larger.例文帳に追加

上記熱硬化性フィルムを用いたデスミア処理された硬化物を得たときに、原子間力顕微鏡を用いて、１００μｍ×１００μｍの大きさの測定領域における上記デスミア処理された硬化物の表面積を測定した場合に、測定領域における上記デスミア処理された硬化物の表面積が２００００μｍ^２以上である。 - 特許庁

wt. by size-exclusion chromatography is about 200 to about 300 kDa; (b) spherical particles having diameters of about 10 to about 20 nm by atomic force microscope observation are contained; (c) a detectable GM1 ganglioside is not contained; and (d) apoptosis-like cell death is induced to cultured cells.例文帳に追加

ＧＭ１ガングリオシドの存在下でインビトロで形成される可溶性毒性アミロイドβアセンブリーであって、（ａ）サイズ排除クロマトグラフィによる見かけの分子量が約２００〜約３００kDaであること；（ｂ）原子力間顕微鏡観察による直径が約１０〜約２０nmである球状粒子を含むこと；（ｃ）検出可能なＧＭ１ガングリオシドを含まないこと；及び（ｄ）培養細胞に対してアポトーシス様細胞死を誘導すること、を特徴とするアセンブリー。 - 特許庁

In this extremely fine magnetic recording medium and its manufacturing method, non-oxidized regions enclosed by oxidized regions and oxidized regions enclosed by non-oxidized regions are arranged as an array by applying oxidation processing to the surface of a substrate which consists of magnetic material whose magnetic property is changed by oxidation by using an atomic force microscope under a wet atmosphere, and 1-bit information is made recordable in each region.例文帳に追加

酸化により磁気特性の変化する磁性材料からなる表面に対して、湿潤雰囲気下で原子間力顕微鏡を用いて酸化処理を施すことにより、酸化領域に囲まれた未酸化領域又は未酸化領域に囲まれた酸化領域をアレイ状に配し、前記各領域に１ｂｉｔの情報を記録可能とした、極微細な磁気記録媒体およびその製造方法。 - 特許庁

A surface area ratio ▵S^50 obtained from three-dimension data obtained by 512×512 point-measuring the 50 μm SQUARE of a surface by using an atomic force microscope and a steepness degree (a)45^50(0.2-2)例文帳に追加

原子間力顕微鏡を用いて、表面の５０μｍ□を５１２×５１２点測定して求められる３次元データより得られる表面積比ΔＳ^５０と、同じく表面の５０μｍ□を５１２×５１２点測定して求められる３次元データより波長０．２μｍ以上２μｍ以下の成分を抽出して得られる急峻度ａ４５^５０（０．２−２） とが、次の関係式［１］を満たすことを特徴とする平版印刷版用支持体。 - 特許庁

To detect, in a method detecting particles containing infinitesimal fission materials contained in a collected swipe sample by the fission track method, the particles containing the fission materials in a short time and easily by eliminating sophisticated measuring techniques using special apparatus such as an atomic force microscope and eliminating effects in which the shape of the core of a fission track depends on the surface shape of the particles.例文帳に追加

採取したスワイプ試料中に含まれる極微量核分裂性物質を含む粒子をフィッショントラック法によって検出する手法において、原子間力顕微鏡のような特殊な装置を用いた高度な測定技術を必要とせず、また、フィッショントラックのコアの形状が粒子の表面形状に依存する影響をなくして、短時間で容易に核分裂性物質を含む粒子を濃縮度別に検出する。 - 特許庁

In the atomic force microscope, the cantilever control device 1 is constituted of: the cantilever 10 having the probe 12; an actuator 20 for causing the self-oscillation of the cantilever 10; an oscillation speed detector 30 for detecting the oscillation speed of the cantilever 10; a displacement calculator 32 for calculating the oscillation displacement of the cantilever 10 and a controller 40 for forming a signal for driving the actuator 20.例文帳に追加

原子間力顕微鏡において、探針１２を有するカンチレバー１０と、カンチレバー１０を自励振動させるアクチュエータ２０と、カンチレバー１０の振動速度を検出する振動速度検出器３０と、カンチレバー１０の振動変位を算出する変位算出器３２と、アクチュエータ２０を駆動するための信号を生成する制御器４０とから、カンチレバー制御装置１を構成し、フィードバック制御信号Ｓを（Ｋ−Ｇ・ｘ^2）・ｄｘ／ｄｔとする。 - 特許庁

The present invention relates to a film thickness evaluation method for measuring the distribution of film thickness of an insulation thin film by using an atomic force microscope which applies a variable DC voltage between a sample and a probe held by a cantilever.例文帳に追加

試料と、カンチレバーに保持された探針との間に可変直流電圧を印加する原子間力顕微鏡を用いて、絶縁性薄膜の膜厚分布を測定する膜厚評価方法で、試料の測定領域に電圧を変化させて印加するとともに、発生電流および絶縁破壊電圧を測定し、前記測定領域のうち任意の１点の膜厚を基準値として、各測定点の絶縁破壊電圧および（１）式の関係に基づいて、前記測定領域内の相対膜厚の分布を求めることとする。 - 特許庁

Reflectance and adhesion with a sealing material are improved by making surface roughness Ra in measurement by a stylus surface roughness meter to be 0.010 μm or above and surface roughness Sa in measurement by an atomic force microscope to be 50 nm or below in the LED component material.例文帳に追加

金属基材上の、少なくとも片面もしくは両面に、一部もしくは全面に、電析によりめっき皮膜を析出させた後に、前記めっき皮膜の表面平滑化を加工して得られる、ＬＥＤ用部品材料において、針式表面粗さ計による測定での表面粗さＲａを０．０１０μｍ以上であり、かつ原子間力顕微鏡による測定で表面粗さＳａが５０ｎｍ以下であることで、反射率と封止材との密着性を向上させたことを特徴とするＬＥＤ用部品材料。 - 特許庁

The black defect correction technique of the mask comprises recognizing the position of a black defect section of the mask by an atomic force microscope (AFM), moving the probe of the AFM upward of the black defect position, and removing the black defect by electrochemical reaction in the state of interposing an electrolyte between the probe and the black defect section as both electrodes and further comprises confirming the removal of the black defect by the AFM.例文帳に追加

本発明のマスク黒欠陥修正手法は、原子間力顕微鏡によってマスクの黒欠陥部位置を把握し、前記黒欠陥位置上方に前記原子間力顕微鏡の探針を移動させ、前記探針と前記マスク黒欠陥部を両電極とし電解液を介在させた状態で電気化学的反応により前記黒欠陥を除去するものであって、更に前記原子間力顕微鏡によって前記黒欠陥の除去を確認するものである。 - 特許庁