「avalanche current」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device with its electric characteristics protected from variation due to avalanche performance by not allowing the avalanche current to pass near the gate electrodes of a power MOS field effect transistor or the like during avalanche performance, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

パワーＭＯＳ電界効果トランジスタ等のアバランシェ動作時の電流経路をゲート電極近傍ではないものとして、アバランシェ動作による電気的特性の変動を防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

For this reason, an avalanche current can be easily flowed from the buried second-conductivity-type region 53 to the contact second-conductivity-type region 52, thereby improving the avalanche resistance.例文帳に追加

このため、アバランシェ電流を埋込第２導電型領域５３からコンタクト第２導電型領域５２に流しやすくすることができ、アバランシェ耐量を向上させることができる。 - 特許庁

The circuit for detecting the magnifying factor is equipped with an avalanche photodiode 11, a photodiode which is located so as to receive the same amount of light to the avalanche photodiode and has no magnifying operation, and a comparison means which is located so as to output an amount of current corresponding to the difference between the magnified current outputted from the avalanche photodiode and the current outputted from the phtodiode.例文帳に追加

アバランシェフォトダイオードと、アバランシェフォトダイオードと同一光量を受光するように設けられ、増倍作用を有しないフォトダイオードと、アバランシェフォトダイオードから出力された倍増電流とフォトダイオードから出力された電流との差分に対応する電流量を出力するように設けられた比較手段とを具備する。 - 特許庁

A current signal converted with the avalanche photodiode 1 is led out as a signal current from a signal current output terminal 7, and a current signal converted with the photodiode 8 is led out as a monitor current from a monitor current output terminal 9.例文帳に追加

そして、アバランシェフォトダイオード１によって変換された電流信号を信号電流として信号電流出力端子７から取り出し、フォトダイオード８によって変換された電流信号をモニタ電流としてモニタ電流出力端子９から取り出す。 - 特許庁

To increase avalanche resistance in a lateral MOS thyristor triggered by a charging current to a MOS capacitance.例文帳に追加

ＭＯＳキャパシタンスへの充電電流でトリガーをかける横型ＭＯＳサイリスタにおいて、アバランシェ耐量の増大を図る。 - 特許庁

Avalanche breakdown arises under the bottom faces of the base diffusion regions 17a, however, avalanche current does not flow in a high-resistance portion immediately below source diffusion regions 21 of the base diffusion regions 17a, resulting in a high breakdown voltage.例文帳に追加

ベース拡散領域１７ａ底面下でアバランシェ降伏が生じ、ベース拡散領域１７ａのソース拡散領域２１直下の高抵抗部分をアバランシェ電流が流れないので、破壊耐量が高い。 - 特許庁

To provide an avalanche photodetector with a high saturation output, high gain bandwidth product, low noise, high reaction speed, and low dark current.例文帳に追加

高い飽和出力、高い利得バンド幅積、低ノイズ、高い反応速度、低い暗電流のアバランシェ光検出器の提供。 - 特許庁

To provide a photoelectric detector using an avalanche photo diode which operates stably in a region of a large current amplification factor.例文帳に追加

電流増幅率の高い領域で安定して作動するアバランシェフォトダイオードを使用した光電検出器を提供する。 - 特許庁

For example, an angular projecting part of the channel region is eliminated by interlinking the short sides of rectangular channel regions and avalanche resistance is enhanced because concentration of avalanche current to a corner part is eliminated.例文帳に追加

例えば長方形のチャネル領域の短辺同士を連結することにより、チャネル領域の角のように突出した部分がなくなり、角部へのアバランシェ電流の集中がなくなるのでアバランシェ耐量が向上する。 - 特許庁

Detecting efficiency is improved by making the light receiving element into an avalanche photodiode multiplying a current generated by a photoelectric conversion.例文帳に追加

受光素子を光電変換で生じる電流を増倍させるアバランシェフォトダイオードとすることにより、検出効率を向上させる。 - 特許庁

To improve the avalanche resistance of a semiconductor device while so suppressing its on-resistance as to be made small, in the semiconductor device having its vertically flowing main current.例文帳に追加

主電流が縦方向に流れる半導体装置において、オン抵抗を小さく抑えながらアバランシシェ耐量を向上させる。 - 特許庁

The resistance of the resistor 23 is adjusted so that a voltage being a product of the resistance of the resistor 23 and a current supplied through the avalanche diode 21 when the collector- emitter voltage exceeds the breakdown voltage of the avalanche diode 21 exceeds a threshold voltage of the IGBT 2 or more.例文帳に追加

抵抗２３の値は、コレクタ・エミッタ間電圧がアバランシェダイオード２１の耐圧を越える時に流れる電流と抵抗２３との積で与えられる電圧がＩＧＢＴ２のしきい値電圧以上となる様に、調整される。 - 特許庁

To provide a current amplifying element capable of directly amplifying current using avalanche multiplication, and balancing between a high current amplification factor and a low S/N ratio in a linear mode operation, to provide a current amplifying circuit, and to provide a photodetection device.例文帳に追加

なだれ増倍を利用して電流を直接増幅することが可能であると共に、リニアモード動作において高い電流増幅率と低いＳ／Ｎとを両立させることができる電流増幅素子、電流増幅回路及び光検出デバイスを提供する。 - 特許庁

At a high temperature, the protective transistor 20 decreases in threshold to 0 V or below to be turned on, and takes partial charge of a part or the whole of an avalanche current of the output transistor.例文帳に追加

高温の場合、保護トランジスタ２０は、閾値が０Ｖ以下に低下してオンし、出力トランジスタのアバランシェ電流の一部又は全部を分担する。 - 特許庁

To simultaneously achieve a low dark current, a low noise, and a wide band in an avalanche photo diode that plays an important role in optical communication technique.例文帳に追加

光通信技術において重要な役割を果たすアバランシェフォトダイオードにおいて、低暗電流、低雑音、広帯域を同時に実現することを目的とする。 - 特許庁

To provide a high sensitivity low dark current avalanche photodiode by combining a compound semiconductor and Si, and to provide its fabricating process.例文帳に追加

化合物半導体とＳｉとを組み合わせた低暗電流で高感度・高速なアバランシェホトダイオードおよびその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To prevent development of spark discharge caused by the self-increase of electron avalanche by avoiding the local concentration of a discharge current in order to continue stable corona discharge.例文帳に追加

安定したコロナ放電を継続させるため、放電電流の一箇所集中を避け、電子雪崩の自己増加に依る火花放電への進行を防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing avalanche current during reverse bias application from concentrating on near a gate electrode, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

逆バイアス印加時のアバランシェ電流がゲート電極付近に集中してしまうことを防止できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To protect an avalanche photo diode(APD) even on the occurrence of a sudden change in optical input power with respect to an APD bias circuit that receives an optical signal and converts it into a current.例文帳に追加

光信号を入力して電流に変換するＡＤＰバイアス回路に関し、光入力パワーの急変時に於いてもＡＰＤを保護する。 - 特許庁

An APD 15B receives luminous flux more than the PD 15A via the lens 3B and the light guide 5B and converts it into a current by the avalanche effect.例文帳に追加

ＡＰＤ１５Ｂはレンズ３Ｂとライトガイド５Ｂを介して、ＰＤ１５Ａより多くの光束を受光し、アバランシェ効果により電流に変換する。 - 特許庁

To provide an insulation gate field-effect transistor with vertical field plate structure capable of alleviating concentration of an avalanche current caused by a parasitic bipolar transistor.例文帳に追加

縦型のフィールドプレート構造を有する絶縁ゲート電界効果トランジスタにおいて、寄生バイポーラトランジスタによるアバランシェ電流の集中を緩和する。 - 特許庁

Thus, the dark current hardly flows and hence a mounted assembly provided with the semiconductor device having the mesa-structured avalanche photodiode can be manufactured without specific hermetical sealing.例文帳に追加

したがって、特に気密封止することなくメサ型構造のアバランシェフォトダイオードを有する半導体装置を備えた実装体を作製することが可能になる。 - 特許庁

In this semiconductor, since a concentrated current flows through the p-type avalanche, the device is turned off surely, without causing latch-up phenomenon.例文帳に追加

本実施の形態の半導体装置では集中した電流がｐ型アバランシェを流れるので、ラッチアップが生じることなく確実にターンオフできる。 - 特許庁

To enable an avalanche photodiode playing a very important roll in optical communication techniques to have a low dark current, low noises, and a wide band.例文帳に追加

光通信技術において重要な役割を果たすアバランシェフォトダイオードにおいて、低暗電流、低雑音、広帯域を同時に実現することを目的とする。 - 特許庁

To provide a current amplifying element capable of directly amplifying current using avalanche multiplication, and satisfying both high sensitivity and the speediness of a response speed in a linear mode operation.例文帳に追加

なだれ増倍を利用して電流を直接増幅することが可能であると共に、リニアモード動作において、高感度と応答速度の速さとを両立させることができる電流増幅素子を提供する。 - 特許庁

To essentially prevent flow of an avalanche breakdown current between the gate and drain without deteriorating performance of an element, in a current controlled power element having U-shaped insulating electrodes.例文帳に追加

Ｕ字型の絶縁電極を有する電流制御型パワー素子において、従来の素子の性能を保持しながら、本質的にゲート／ドレイン間にアバランシェ降伏電流が流れない半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus including a PIN diode causing a larger avalanche current to flow by intentionally changing a current distribution within the plane of the diode corresponding to the direction of an off angle.例文帳に追加

ダイオードの面内の電流分布をオフ角の方向に応じて意図的に変えることにより、より大きなアバランシェ電流を流すことができるようにしたＰＩＮダイオードを含む半導体装置を提供する。 - 特許庁

The current flowing in the avalanche photodiode is forcibly shut off for a given length of time by a shuttoff circuit 4 when the current flowing in the avalanache photodiode is detected by a current detecting circuit 2 and the current determined by a determining circuit 3 exceeds the predetermined theshold.例文帳に追加

電流検知回路２によりアバランシェフォトダイオードに流れる電流を検知し、判定回路３によりその電流が所定の閾値を越えたか否かを判定し、電流が閾値を越えた場合に、遮断回路４により、一定時間、強制的にアバランシェフォトダイオードに流れる電流を遮断する。 - 特許庁

Since an avalanche yield current flows mainly through the low-resistance layer 2, the potential unevenness in the semiconductor layer 3 is reduced, and the injecting amounts of the change into cells becomes equal to each other.例文帳に追加

アバランシェ降伏電流は主に低抵抗層２を介して流れるため、半導体層３の電位ムラが低減され、電荷注入量がセル間で均一化する。 - 特許庁

Further, an avalanche current is made to flow directly from the p-type body region 70 to a source electrode via the p^+-type region 60 rather than the n^+-type source region 50.例文帳に追加

そして、アバランシェ電流を、ｐ型ボディ領域７０からｎ＋型ソース領域５０を介さずに、ｐ＋型領域６０を介してソース電極に直接流す。 - 特許庁

The control unit 5 generates a power supply voltage P1, at which the avalanche multiplication factor of the APD 11 becomes a desired value, based on the output current I2 from the PIN-PD 13.例文帳に追加

制御部５は、ＰＩＮ−ＰＤ１３からの出力電流Ｉ２に基づいて、ＡＰＤ１１のアバランシェ増倍率が所望の値となる電源電圧Ｐ１を生成する。 - 特許庁

To increase response speeds of an electric current signal, and improve yield of an ion electric current in a gas amplifying method ion electric current detection type SEM in which a secondary electron image can be obtained even in a low vacuum condition by utilizing an electron avalanche by a residual gas in a sample room.例文帳に追加

試料室内の残留ガスによる電子なだれを利用することで、低真空条件でも二次電子像を取得できるガス増幅式イオン電流検出型SEMにおいて、電流信号の応答速度の高速化およびイオン電流の収量の向上を図る。 - 特許庁

With this structure, when the excess voltage is applied on an output terminal, the protection element 1 is turned on before the MOS transistor 15, and thereby the MOS transistor 15 is protected from an avalanche current.例文帳に追加

この構造により、出力端子に過電圧が印加された際に、ＭＯＳトランジスタ１５よりも保護素子１の方が先にオン動作し、アバランシェ電流からＭＯＳトランジスタ１５が保護される。 - 特許庁

As for the photoconductor, for example, a photoconductor having a current amplifying a mechanism by the avalanche effect is used, and c-Si, a-Se, a-SiC or the like can be used.例文帳に追加

この光導電体としては、例えばアバランシェ効果による電流増幅機構を有するものがあり、具体的にはｃ−Ｓｉ、ａ−Ｓｅ、又はａ−ＳｉＣ等を用いることができる。 - 特許庁

The device is provided with structures 13 which become resistance components when avalanche current flows in a sub-area if an area where current density is uniform is set to be a main area, and an area where it is not uniform to be the sub-area at the time of forward conduction along pn junction.例文帳に追加

ｐｎ接合に沿って順方向通電の際に、電流密度が均等な領域をメインエリアとし、不均等な領域をサブエリアとした場合に、サブエリア内にアバランシェ電流が流れた際に抵抗成分となる構造１３を設ける。 - 特許庁

The trenches 3 and 4 are alternately provided, so that a current flowing when an avalanche occurs can be set uniform in distribution, and the protective diode can be reduced in electrical resistance and also improved in ESD resistance at the same time.例文帳に追加

また、トレンチ３とトレンチ４を交互に形成することで、アバランシェ時に流れる電流の分布を均一にすることができて、保護ダイオードの抵抗の低減と相まってＥＳＤ耐量を向上できる。 - 特許庁

By this constitution, a super- lattice amplifying layer can be reduced in film thickness without deteriorating a multiplication factor and increasing a dark current, and the avalanche photodiode can be improved in response speed and reduced in operating voltage.例文帳に追加

この構成により、増倍率を低下させることなく、さらには暗電流を増やすことなく、超格子増倍層の膜厚を薄くすることが可能となり、応答速度を速くできるうえに動作電圧も低くできる。 - 特許庁

An identification circuit 41 compares a current signal s50 resulting from converting a current flowing through an avalanche photodiode APD into a voltage with a threshold V_TH2 for detecting an initial very small current to provide an output of a first identification signal s60 and a signal s62 resulting from delaying the signal s60 by a time τ to a reset terminal of a D-FF circuit 60.例文帳に追加

識別回路４１は、アバランシェ・フォトダイオードＡＰＤに流れる電流を電圧変換した電流信号ｓ５０と初期微少電流を検出するためのしきい値Ｖ_TH2とを比較して第１識別信号ｓ６０を出力し、それを時間τだけ遅延した信号ｓ６２をＤーＦＦ回路６０のリセット端子へ出力する。 - 特許庁

To enhance breakdown voltage and avalanche resistance by preventing concentration of avalanche current to a corner of the channel region of cell structure of an FET having a square second conductivity channel region in the surface layer of a first conductivity semiconductor substrate, a heavily doped well region in the central part thereof, a first conductivity source region in the surface layer, and an MOS structure on the surface.例文帳に追加

第一導電型の半導体基板の表面層に、方形の第二導電型チャネル領域、その中央部に高不純物濃度のウェル領域、表面層に第一導電型ソース領域、さらに表面上のＭＯＳ構造を備えたＦＥＴのセル構造のチャネル領域の角部へのアバランシェ電流の集中を防ぎ、耐圧、アバランシェ耐量を向上させる。 - 特許庁

Thus, when an avalanche current flows from a breakdown spot on the curved part B1 by turning round the high resistance non-diffused corner region 16, a voltage drop occurs along the curved part B1 to move the breakdown spot to the linear part B2.例文帳に追加

このため、曲線部Ｂ１上の降伏箇所から、アバランシェ電流が、高抵抗の非拡散コーナー領域１６を回り込んで流れると、曲線部Ｂ１に沿って電圧降下が生じることにより、降伏箇所を直線部Ｂ２へ移動させることができる。 - 特許庁

An ESD surge current applied to an electrode 81 flows in the layer 41, is introduced to the layer 20 by avalanche breakdown at the pn junctions constituted by the layer 11 and the layer 20, and is recovered to an electrode 83 through the layer 30.例文帳に追加

電極８１へ印加されたＥＳＤサージ電流は、ドレイン層４１へ流れ、ドリフト層１１とＥＳＤサージ回収層２０とが成す上記ＰＮ接合でのアバランシェブレークダウンによってＥＳＤサージ回収層２０へ導かれ、トップコンタクト層３０を介して電極８３へ回収される。 - 特許庁

In the semiconductor light-receiving element (APD: avalanche photodiode) 11, a low carrier-concentration or undoped InP tunnel-current suppression layer 24 is formed between an n-InGaAsP optical absorption layer 23 and an n-InP multiplication layer 25, and the concentration of carriers near a hetero-interface is suppressed.例文帳に追加

半導体受光素子（ＡＰＤ）１１では、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層２３とｎ−ＩｎＰ増倍層２５との間に、低キャリア濃度又はノンドープのＩｎＰトンネル電流抑制層２４が形成されているため、ヘテロ界面近傍でのキャリア濃度が抑えられる。 - 特許庁

To provide a planar type semiconductor device in which a horizontal direction of a depletion layer near a guard ring region is easily broadened, an electric field near a corner of a main junction region is sufficiently alleviated, and a concentration of an avalanche current to the corner is prevented to improve a withstand voltage.例文帳に追加

ガードリング領域近傍における空乏層の水平方向の広がりやすくして、主接合領域の隅部近傍の電界を十分に緩和させ、アバランシェ電流の当該隅部への集中を防止することにより、耐圧を向上させたプレーナ型半導体装置を提供することを目的すること。 - 特許庁