「bi a」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

This epoxy resin obtained by reaction between a bi(s)phenol type epoxy resin and bi(s)phenol has an epoxy equivalent of ≥5,000 and ≤30,000 g/Eq.例文帳に追加

ビ（ス）フェノール型エポキシ樹脂とビ（ス）フェノールとの反応によりえられる、エポキシ当量が５，０００ｇ／当量以上３０，０００ｇ／当量以下であるエポキシ樹脂。 - 特許庁

The target 101 is a sintered compact composed of Bi particulates 102 in which bismuth (Bi) is metal-bonded and Ti particulates 103 in which titanium (Ti) is metal-bonded.例文帳に追加

ターゲット１０１は、ビスマス（Ｂｉ）が金属結合したＢｉ微粒子１０２とチタン（Ｔｉ）が金属結合したＴｉ微粒子１０３とより構成された焼結体である。 - 特許庁

To provide a Pb-free low carbon free-cutting steel having machinability more satisfactory than that of the conventional Pb free-cutting steel, and having hot workability more satisfactory than that of the conventional Bi free-cutting steel.例文帳に追加

従来のPb快削鋼よりも良好な被削性を有し、熱間加工性が従来のBi快削鋼よりも良好なPbを含まない低炭素快削鋼の提供。 - 特許庁

Whereas, two independent data transmission/reception circuits 37 and 39 are also provided in a B system, and synchronization signals SNC_BI and SNC_BII are transferred only in the B system.例文帳に追加

一方、Ｂ系においても、２つの独立したデータ送受信回路３７，３９を設け、Ｂ系内部だけで同期信号ＳＮＣ_BI，ＳＮＣ_BIIをやり取りする。 - 特許庁

The starting materials AI, BX are reacted in a solvent in which one of the reaction products BI, AX is dissolved and the other is not dissolved to produce the objective different alkali salts BI of iodine.例文帳に追加

反応生成物ＢＩ,ＡＸのいずれか一方が溶解しいずれか他方が溶解しない溶媒中で原料ＡＩ,ＢＸを反応させてヨウ素の異なるアルカリ塩ＢＩを製造する。 - 特許庁

Sn-Zn-Bi alloy having Bi content of less than 3% is used as the soldering paste, and a paste combining two or more kinds of solder powder is suitable for the soldering paste.例文帳に追加

なお、はんだペーストとしては、Ｂｉ含有量が３％未満のＳｎ−Ｚｎ−Ｂｉ系合金を用い、好適には２種類以上のはんだ粉末を組み合わせてペースト化したものを用いる。 - 特許庁

The induction absorptive material is formed of at least one oxide of metals selected from the group consisting of Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Mo, Ru, In, Sn, Sb, Ta, W, Re, Os, Ir, and Bi and a transparent substrate.例文帳に追加

Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Mo, Ru, In, Sn, Sb,Ta, W, Re, Os, Ir,およびBiからなる群から選ばれた少なくとも１種の金属の酸化物と透明基板とから形成される誘導吸収材料。 - 特許庁

The structural material is constituted by jointing a Sn-Ag-Bi base solder, reliable as the Pb-free solder with an electrode applying Sn-Bi base layer on the surface.例文帳に追加

本発明は、Ｐｂフリーはんだとして有力なＳｎ−Ａｇ−Ｂｉ系はんだを、表面にＳｎ−Ｂｉ系層を施した電極と接続したことを特徴とする。 - 特許庁

An Sn-In alloy, an Sn-Bi alloy, an Sn-Zn alloy, an Sn-Zn-Bi alloy, or In whose solidus temperature becomes 200°C or less is used as a Pb-free solder 4.例文帳に追加

Ｐｂフリーはんだ４として、固相線温度が２００℃以下となるＳｎ−Ｉｎ系合金、Ｓｎ−Ｂｉ系合金、Ｓｎ−Ｚｎ系合金、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ系合金もしくはＩｎを用いる。 - 特許庁

The Bi-based superconductive tape wire 21 is arranged on an outer layer of the superconductive shield layer 4, and a Y-based superconductive thin film wire 11 is arranged inside the Bi-based superconductive tape wire 21.例文帳に追加

そのＢｉ系超電導テープ線材２１は、超電導シールド層４の外側の層に配設され、Ｂｉ系超電導テープ線材２１の内側にＹ系超電導薄膜線材１１が配設される。 - 特許庁

To provide an efficient and stable method for manufacturing at low cost a bismuth type high temperature superconductor of Bi-2223 single phase or Bi/Pb-2223 single phase and being free of the second phase.例文帳に追加

第２相が存在しない Bi-2223単相あるいはBi/Pb-2223単相のビスマス系高温超電導体を低コストで能率良く安定製造できる手段を提供する。 - 特許庁

To eliminate the defect of secondary recrystallization easy to be caused in a Bi-added grain-oriented silicon steel sheet, to stably improve its magnetic properties and to realize good film deposition as well.例文帳に追加

Biを添加した方向性電磁鋼板で生じ易い二次再結晶不良をなくして、磁気特性の安定した向上を図ると共に、良好な被膜の形成も併せて実現する。 - 特許庁

The surface-treated steel sheet is characterized in that particulate Bi is stuck on the surface of a steel sheet and rust preventive oil is applied on the particulate Bi in an amount of 0.5-2.0 g/m^2.例文帳に追加

粒子状Ｂｉが鋼板表面に付着し、その上に防錆油が０．５〜２．０ｇ／ｍ^２塗油されていることを特徴とする表面処理鋼板。 - 特許庁

The Bi-substituted rare earth iron garnet single crystal is lead-free, contains ≥0.91-≤2.68 atppm Pt and further contains ≥2.54-≤4.0 atppm of at least one element chosen from Mn or a group 2 element.例文帳に追加

Bi置換希土類鉄ガーネット単結晶にPbを含有させず且つPtを含有させ、更に、Mn又は第2族元素の少なくとも1つの元素を添加すると共に、その含有量を2.54atppm以上4.0 atppm以下に設定し、且つ、Pt含有量を0.91atppm以上2.68atppm以下に設定する。 - 特許庁

The ceramics contains SrBi4Ti4O15 crystal which is a lamellar bismuth compound containing Sr, Bi, Ti and Fe, wherein, molar ratio of elements: Sr/(Sr+Bi)=(1-x)/5, Fe/(Ti+Fe)=x/4, 0.1≤x≤0.6.例文帳に追加

ビスマス層状化合物であるＳｒＢｉ_4Ｔｉ_4Ｏ_15型結晶を含み、Ｓｒ、Ｂｉ、ＴｉおよびＦｅを含有し、これらの元素のモル比が Ｓｒ／（Ｓｒ＋Ｂｉ）＝（１−ｘ）／５、 Ｆｅ／（Ｔｉ＋Ｆｅ）＝ｘ／４ で表され、かつ、 ０．１≦ｘ≦０．６ である圧電セラミックス。 - 特許庁

This tetragonal BiCoO_3 can be produced by mixing Bi_2O_3 and a Co oxide so that the ratio of Bi to Co becomes 1:1 and reacting the resulting mixture at 1,000-1,300°C under pressure of 3-10 GPa.例文帳に追加

この正方晶BiCoO_3は、BiとCoの比が1:1となるようにBi_2O_3とCo酸化物を混合し、温度が1000℃〜1300℃、圧力が3GPa〜10GPaの条件で反応させることにより製造することができる。 - 特許庁

To provide an ITS on-vehicle terminal system with a bi-directional communicating function that can bi-directionally communicate and exchange information between vehicles.例文帳に追加

車両間で双方向通信を行うことができ、情報交換を行うことができる双方向通信機能付きＩＴＳ車載端末システムを提供すること。 - 特許庁

The light limiting material consists of a transparent substrate and oxides of at least one kind of metal selected from among Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Mo, Ru, In, Sn, Sb, Ta, W, Re, Os, Ir and Bi (but except VO2).例文帳に追加

透明基板とTi，V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Cu，Zn，Nb，Mo，Ru，In，Sn，Sb，Ta，W，Re，Os，IrおよびBiからなる群から選ばれた少なくとも１種の金属の酸化物(但し、VO_2 を除く)とから形成される光制限材料。 - 特許庁

The Pb-free solder connecting structure comprises an Sn-Ag-Bi solder, which is reliable as a Pb-free solder connected to an electrode executed on its surface with an Sn-Bi layer.例文帳に追加

本発明は、Ｐｂフリーはんだとして有力なＳｎ−Ａｇ−Ｂｉ系はんだを、表面にＳｎ−Ｂｉ系層を施した電極と接続したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a channel change method in bi-directional communication system that can set an optimum channel (frequency) used for upstream or downstream communication in the bi-directional communication system.例文帳に追加

本発明は、双方向通信システムにおいて、上りまたは下りの通信に使用する最適なチャネル（周波数）を設定するすることのできる双方向通信システムにおけるチャネル変更方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

When abnormal end is caused in bi-directional communication with the external device 20, the operation clock of a non-contact IC card 11 is decreased by one stage in the case of the next communication, and bi-directional communication with reduced power consumption can be executed.例文帳に追加

外部装置２０との間の双方向通信の際に異常終了が生じた場合は、その次の通信の際に非接触ＩＣカード１１の動作クロックを１段階引き下げて、消費電力の少ない双方向通信を実施する。 - 特許庁

The solder is an Sn-Ag-Bi-In based solder including 0.1 wt.% or more to 5 wt.% or less of Bi, more than 3 wt.% and less than 9 wt.% of In, and a balance of Sn, Ag and unavoidable impurities.例文帳に追加

はんだは、Ｂｉを０．１重量％以上５重量％以下、Ｉｎを３重量％より多く９重量％未満含み、残部がＳｎ、Ａｇ及び不可避的不純物からなるＳｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｉｎ系はんだである。 - 特許庁

A control means 124 sets the stepping motor 114 to bi-phase or one-phase excitation state to set the stepping motor 110 to either one-phase or bi-phase excitation state.例文帳に追加

制御手段１２４は、ステッピングモータ１１０を１相または２相励磁状態とするときは、ステッピングモータステッピングモータ１１４を２相または１相励磁状態とする。 - 特許庁

Each normal and tangential direction vector and each angle at the start point and the end point are interpolated, to determine normal and tangential direction vectors Vnori, Vtani and angles (ai), (bi) at the interpolation point, and thereby a tool direction vector Vti at the interpolation point is determined.例文帳に追加

始点、終点における法線、接線方向ベクトル及び角度を補間して補間点の法線、接線方向ベクトルＶnori,Ｖtani及び角度ai，biを求め、これにより、補間点の工具方向ベクトルＶtiを求める。 - 特許庁

To obtain a recorder capable of bi-directional recording in which color difference occurring during bi-directional recording is minimized by switching the gamma correction parameters between going stroke recording and returning stroke recording.例文帳に追加

双方向記録が可能な記録装置において、往路記録時と復路記録時とで異なるγ補正パラメータに切り替えることで、双方向記録時に発生する色差を最小に抑えるようにする。 - 特許庁

Pure Sn, Sn-Bi, Sn-Ag, Sn-Zn or Sn-Cu may be electroplated, or a three-element alloy composed of any two elements among Bi, Ag, Zn and Cu and one element Sn may be electroplated.例文帳に追加

純Ｓｎ、Ｓｎ‐Ｂｉ、Ｓｎ‐Ａｇ、Ｓｎ‐Ｚｎ又はＳｎ‐Ｃｕの何れかを電気鍍金してもよく、Ｂｉ、Ａｇ、Ｚｎ又はＣｕの何れか二元素とＳｎとの三元素合金を電気鍍金してもよい。 - 特許庁

(2) In this manufacturing method of the optical recording medium relating in (1), the recording layer is made of a Bi oxide or of the Bi oxide and the oxide of at least one element selected from the group consisting of B, Cu, Fe and Zn.例文帳に追加

（２）記録層がＢｉ酸化物、又は、Ｂｉ酸化物とＢ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｚｎから選ばれる少なくとも一つの元素の酸化物からなる（１）記載の光記録媒体の製造方法。 - 特許庁

The Bi-based superconductive tape wire 21 is arranged on a layer at the inside of the superconductive conductor layer 2, and Y-based superconductive thin film wires 11, 11 are arranged outside the Bi-based superconductive tape wire 21.例文帳に追加

そのＢｉ系超電導テープ線材２１は、超電導導体層２の内側の層に配設され、Ｂｉ系超電導テープ線材２１の外側に、Ｙ系超電導薄膜線材１１，１１が配設される。 - 特許庁

The Bi oxy compound is obtained preferably by: bringing a solution containing Bi ions and/or oxy bismuth ions into contact with the solid polymer electrolyte; ion-exchanging the whole or a part of protons of acid radical of the solid polymer electrolyte with Bi ions or oxy bismuth ions; bringing the solid polymer electrolyte into contact with water or a basic solution; and then precipitating the Bi ions or oxy bismuth ions as a Bi oxy compound.例文帳に追加

Ｂｉオキシ化合物は、Ｂｉイオン及び／又はオキシビスマスイオンを含む水溶液と、固体高分子電解質とを接触させ、固体高分子電解質の酸基のプロトンの全部又は一部をＢｉイオン又はオキシビスマスイオンでイオン交換し、次いで前記固体高分子電解質と、水又は塩基性水溶液とを接触させ、Ｂｉイオン又はオキシビスマスイオンをＢｉオキシ化合物として沈殿させることにより得られるものが好ましい。 - 特許庁

The Bi-base superconductor contains (Bi, Pb) 2223 as a superconducting phase and has a first critical temperature of 110.0 K or above, at which temperature a magnetic susceptibility measured in a state in which a magnetic field is applied in a direction parallel with a c axis of the (Bi, Pb) 2223 and standardized at 95 K is -0.001.例文帳に追加

本Ｂｉ系超電導体は、超電導相として（Ｂｉ，Ｐｂ）２２２３を含むＢｉ系超電導体であって、（Ｂｉ，Ｐｂ）２２２３のｃ軸に平行な方向に磁場が印加されている状態で測定され９５Ｋで規格化された磁化率が−０．００１となる第１の臨界温度が１１０．０Ｋより高い超電導体である。 - 特許庁

The monoclonal antibody is prepared by using a synthetic peptide having a sequence corresponding to amino acid number 110-132 of the rat SR-BI, a synthetic peptide having a sequence corresponding to amino acid number 144-163 of the rat SR-BI or a protein obtained by bonding a part of amino acid number 192-439 of the rat SR-BI with the Fc region of human immunoglobulin as an immunogen.例文帳に追加

ラットＳＲ−ＢＩのアミノ酸番号１１０〜１３２に相当する配列を持つ合成ペプチド、ラットＳＲ−ＢＩのアミノ酸番号１４４〜１６３に相当する配列を持つ合成ペプチド、あるいはラットＳＲ−ＢＩのアミノ酸番号１９２〜４３９部分をヒト免疫グロブリンのＦｃ領域に結合させたタンパク質を免疫原として作製される。 - 特許庁

At the initial time of warm-up control, foot mode is executed at first, a first linear bi-level mode is executed for timer time t1 when a prescribed condition is met, a fixed bi-level mode for maintaining a uniform upper and lower air blow-out quantity rate is executed for timer time t2, and a second linear bi-level mode is executed.例文帳に追加

ウォームアップ制御の初期時に、最初にフットモードを実行し、所定の条件が成立した時に、第一リニアバイレベルモードをタイマ時間ｔ１だけ実行し、上下吹出風量割合を一定に維持した固定バイレベルモードをタイマ時間ｔ２だけ実行し、第二リニアバイレベルモードを実行する。 - 特許庁

The positive pole active material for the battery is powder comprising a particle containing the crystal of a compound comprising Ag, Bi and O (oxygen) or the crystal of a compound comprising Ag, Bi and M (M represents a transition metal), wherein Bi is dispersed in the whole area of the particle, and the angle of rest of the powder is not larger than 50 degree.例文帳に追加

Ａｇ，ＢｉおよびＯ（酸素）からなる化合物の結晶，またはＡｇ，Ｂｉ，Ｍ（Ｍは遷移金属を表す）およびＯからなる化合物の結晶を有し且つ粒子内全域にＢｉが分散している粒子からなる粉体であって，安息角が５０度未満の粉体からなる電池用正極活物質である。 - 特許庁

To realize the management of a person staying in a room in a security area and bi-directional communication with a person staying in a room beyond a stay enabling time at low costs.例文帳に追加

セキュリティエリアにおける在室者管理および超過在室者との双方向の通信を安価なコストで実現する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a bonded structure in which a Bi-based intermetallic compound is contained and dispersed in a junction between a semiconductor element and an electrode.例文帳に追加

半導体素子と電極との接合部にＢｉ系金属間化合物を含有し、分散している接合構造体の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Even when a foot mode is selected by a target blowing-out temperature, a bi-level mode is selected when a human body solar radiation quantity is equal to or more than a predetermined value.例文帳に追加

目標吹き出し温度からフットモードが選択されるときでも、人体日射量が所定値以上のときは、バイレベルモードとする。 - 特許庁

The thermoelectric semiconductor is formed of a composition to which Cu: 0.001 to 0.1 wt.% and at least one of Te and Se: 0.005 to 1.0 wt.% are externally added as dopants to the thermoelectric semiconductor material whose base material is a material selected from among Bi-Te group, Bi-Se group and Bi-Te-Se group.例文帳に追加

熱電半導体は、Ｂｉ−Ｔｅ系、Ｂｉ−Ｓｅ系、Ｂｉ−Ｔｅ−Ｓｅ系から選択された材料を基材とする熱電半導体材料に対して、Ｃｕ：０．００１〜０．１重量％、ＴｅまたはＳｅのうちの少なくとも一方：０．００５〜１．０重量％をドーパントとして外付けで添加した組成で形成されている。 - 特許庁

The antistatic resin composition comprises a thermoplastic resin containing a hydrophilic polymer and a small amount of a bi or more valent metal salt.例文帳に追加

親水性ポリマーを含む熱可塑性樹脂からなる制電性樹脂に、少量の２価以上の金属塩を配合する。 - 特許庁

In a fourth step, a second precursor ferroelectric film 43 is then formed with a compound containing Sr, Bi and Ta as a material.例文帳に追加

そして、第４工程ではＳｒ、Ｂｉ、及びＴａ含有の化合物を材料とした第２前駆強誘電体膜４３を形成する。 - 特許庁

A processor unit ui consists of a program memory ai, a control part bi, an arithmetic part ci and a register file di (i=1, 2, 3, 4).例文帳に追加

プログラムメモリａｉ、制御部ｂｉ、演算部ｃｉ、レジスタファイルｄｉ（ｉ＝１，２，３，４）によりプロセッサユニットｕｉが構成される。 - 特許庁

To provide a copper-based sliding material in which coarsening of a Bi phase in a Cu alloy layer produced by a continuous sintering process is suppressed, and which has excellent fatigue resistance.例文帳に追加

連続焼結法にて作製されるＣｕ合金層中のＢｉ相の粗大化を抑制し、耐疲労性に優れた銅系摺動材料を提供する。 - 特許庁

To provide a new bi-functional phosphorus-containing compound usable as a monomer for a flame-retardant resin, and a method for producing the same.例文帳に追加

難燃性樹脂のモノマーとして使用できる新規な２官能性リン含有化合物及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a binarization period, a reference voltage Vref is set to VBI and the output of a comparator 60 is inputted to a binarized result storage part BINL.例文帳に追加

二値化期間においては、基準電圧ＶｒｅｆをＶ_BIに設定し、比較器６０の出力を二値化結果記憶部ＢＩＮＬに入力する。 - 特許庁

To provide a lid structure of a type being both attachable and detachable while being able to bi-parting in a container such as an accessory case having a lid.例文帳に追加

小物入れなどの蓋付き容器において、着脱及び左右両開きが可能な蓋構造を提供する。 - 特許庁

A data line driving circuit 130 is provided with a shift direction selecting section 131, a bi-direction shift register section 132, and a logical operation section 133.例文帳に追加

データ線駆動回路１３０は、シフト方向選択部１３１、双方向シフトレジスタ部１３２、および論理演算部１３３を備える。 - 特許庁