「blocking voltage」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A first reverse-flow blocking diode 8 is connected so that the drive signal to the trigger means 7 of the timing pulse generating means 9 may be passed in forward direction and impression of a reverse voltage from the trigger means 7 to the timing pulse generating means 9 may be in reverse direction.例文帳に追加

タイミングパルス発生手段９のトリガ手段７への駆動信号を順方向に通過させ、かつトリガ手段７からタイミングパルス発生手段９へ逆電圧の印加には逆方向となるよう第１の逆流阻止ダイオード８を接続する。 - 特許庁

A clock input interface circuit 1 includes impedance matching/output voltage regulating resistances R11, R13, output voltage regulating resistances R12, R14, current stabilizing resistances R15, R16, an antireflection terminating resistance R17, DC level blocking capacitances C1, C2, RF bypass capacitances C3, C4, and current source transistors Q1, Q2.例文帳に追加

クロック入力インターフェース回路１は、インピーダンス整合・出力電圧調整抵抗Ｒ１１，Ｒ１３と、出力電圧調整抵抗Ｒ１２，Ｒ１４と、電流安定化抵抗Ｒ１５，Ｒ１６と、反射防止終端抵抗Ｒ１７と、ＤＣレベル阻止容量Ｃ１，Ｃ２と、ＲＦバイパス容量Ｃ３，Ｃ４と、電流源トランジスタＱ１，Ｑ２とから成る。 - 特許庁

Since a voltage follower 30 having a junction type FET input is inserted, an upper cut-off frequency being set by the DC blocking capacitor 34 and the input resistance of the DC voltmeter 22 becomes a very low value, and the voltage change in a long time equal to or more than several seconds can be precisely measured in a range approximate to the full scale of the DC voltmeter 22.例文帳に追加

直流阻止用コンデンサ３４と直流電圧計２２の入力抵抗による高域遮断周波数が、接合型ＦＥＴ入力のボルテージフォロワ３０を挿入していることからきわめて低い値となり、数秒以上の長時間の電圧変化を、直流電圧計２２のフルスケールに近いレンジで精度よく測定することができる。 - 特許庁

A surge blocker 60 for blocking the surge voltage generated at each accelerator 80 and transmitted through each cable 70 is provided between a common line 68 leading to the cable 20 inside the device 30 and each cable 70.例文帳に追加

分配装置３０内の直流高圧ケーブル２０につながる共通ライン６８と各直流高圧ケーブル７０との間に、各電子線加速器８０で発生して各直流高圧ケーブル７０を伝わって来るサージ電圧を阻止するサージブロッカー６０をそれぞれ設けた。 - 特許庁

A p-type polysilicon layer 11 is formed between a p-type collector region 10 of a reverse blocking IGBT and a collector electrode 13, so that spinkings can be prevented from invading from an Al collector electrode to the p-type collector region, to obtain a high breakdown voltage non-detectiveness ratio.例文帳に追加

逆阻止ＩＧＢＴのｐ型コレクタ領域１０とコレクタ電極１３の間にｐ型ポリシリコン層１１を形成することで、Ａｌのコレクタ電極からｐ型コレクタ領域へスパイキングが侵入すること防止し、高い耐圧良品率を得ることができる。 - 特許庁

To obtain an enclosed switchgear capable of enhancing insulation performance surely by blocking preceding discharge at a solid state insulator for ensuring insulation at the voltage applying part of a switchgear functional section including an interrupting section and a disconnecting section contained in an enclosed container filled with gas.例文帳に追加

ガスを充填した密閉容器に収納された遮断部および断路部を含む開閉装置機能部における電圧印加部分の絶縁を確保する固体絶縁物での先行放電を阻止し絶縁性能を的確に向上できる密閉型開閉装置を得る。 - 特許庁

When a start switch 16 is switched to the ON state, a main circuit switch 2 is switched to the ON state, and an AC power supply is supplied to an inverter 5 through a blocking coil 4 for high frequency component reduction, and the inverter 5 produces a high frequency power source and supplies it to an voltage adjuster 7.例文帳に追加

スタートスイッチ１６がオンされると、主回路スイッチ２がオンされ、交流電源が高周波成分低減用のブロッキングコイル４を介してインバータ５に供給され、インバータ５は高周波電源を作成して電圧調整器７に供給する。 - 特許庁

To provide a current-carrying control device of a table tap capable of preventing generation of fire or the like beforehand by appropriately blocking a supply voltage at earthquake, by a start setting of a vibration-sensing action corresponding to whether a tap main body is at a regular position or not.例文帳に追加

タップ本体が定常位置に有るか否かに応じた感振動作の開始設定により、地震の発生時には供給電圧を的確に遮断して火災等の発生を未然に防止することができるテーブルタップの通電制御装置を提供する。 - 特許庁

The active noise blocking circuit 1 which is a voltage conversion circuit is operated so as to supply only a DC current from a power source line in the direction of the logic elements Q1 and Q2 and is operated so as to block a high frequency current from the side of the elements Q1 and Q2 to a power source side.例文帳に追加

電圧変換回路である能動ノイズ阻止回路１は、電源ラインから論理素子Ｑ１，Ｑ２方向へＤＣ電流のみを供給するように動作し、素子：Ｑ１，Ｑ２側から電源側への高周波電流は阻止するように動作させる。 - 特許庁

Voltage is applied between the conductive and movable diaphragm electrodes 31, 32 for causing electrostatic attraction, and the movable diaphragm electrode 32 is attracted by the conductive electrode 31, thus opening or blocking the first sound pressure passage.例文帳に追加

これら導電電極３１と可動ダイアフラム電極３２との間への電圧印加を通じて静電引力を生じさせるとともに可動ダイアフラム電極３２を導電電極３１に吸着させることで、第１の音圧通路を開放、あるいは閉塞する。 - 特許庁

Remaining ions (cores of mist generated by charged particles of natural radiations or the like) inside the observation vessel 2 are removed by a direct-current high voltage applied between a heater 26 provided in an observation window plate 25 comprising double-layer type film glass for blocking the upper part of an observation box 1, and a bottom plate 3.例文帳に追加

観察ボックス１の上部を閉塞する２層式フィルムガラスから成る観察窓板２５内に設けたヒーター２６と底部プレート３との間に印加した直流高電圧で観察槽２内部に残存するイオン（自然放射線等の荷電粒子によって生じた霧滴の核）を除去する。 - 特許庁

To provide a power supply control device for vehicle, which has a shock blocking means which appropriately blocks power supply of a high voltage battery when collision of vehicles occurs, while achieving a means for easily detecting deformation of the PCU case and miniaturization of the detection means.例文帳に追加

ＰＣＵケースの変形を検出容易な手段及び検出手段の小型を実現すると共に、車両の衝突事故が発生した際に高電圧バッテリの電力供給を適切に遮断する衝撃遮断手段を有する車両用の電源制御装置を提供する。 - 特許庁

To provide a gas circuit breaker capable of enhancing an arc voltage and improving an arc blocking property in comparison with the conventional puffer-type gas circuit breaker even when an interval between a moving arc electrode and a fixed arc electrode is shortened.例文帳に追加

本発明は、可動アーク電極と固定アーク電極との間の距離を短く設定した場合であっても、従来のパッファ形ガス遮断器よりもアーク電圧を高めることができ、アークの遮断性能を向上させることができるガス遮断器を得ることを目的とするものである。 - 特許庁

To provide a semiconductor element in which the leak current level is low and the breakdown voltage is high during reverse blocking, on resistance is low and the output current is large during forward conduction, reverse recovery time is short at the time of interruption, and the peak surge current level is high.例文帳に追加

逆方向阻止時の漏れ電流が少なくかつ絶縁破壊電圧が高く、順方向導通時のオン抵抗が小さくかつ出力電流が大きく、遮断時の逆回復時間が短く、さらにはせん頭サージ電流値が高い半導体素子を、提供する。 - 特許庁

The high-impedance formation circuit 38 has a high-frequency coil 381 for increasing the impedance of the load circuit of the high-frequency power application part 39 and a direct current blocking capacitor 382 for retaining a self-bias voltage generated on electrodes 32, 33 by plasma.例文帳に追加

この高インピーダンス化回路３８は、高周波電力印加部３９の負荷回路のインピーダンスを大きくするための高周波コイル３８１と、プラズマによって電極３２，３３上に発生する自己バイアス電圧を保持するための直流阻止用コンデンサ３８２とを有する。 - 特許庁

A depletion layer is expanded from the floating-current blocking region 8 towards the n-type GaN layer 6 on turning off the semiconductor device, a potential is lowered in the n-type GaN layer 26 filled in the aperture 28, and the voltage is decreased across the front side and the back side of a gate-insulating film 20.例文帳に追加

半導体装置のオフ時に、浮遊電流ブロック領域８からｎ型のＧａＮ層６に向かって空乏層が広がり、アパーチャー２８を充填しているｎ型のＧａＮ層２６の電位が低下し、ゲート絶縁膜２０の表面と裏面の間にかかる電位差が減少する。 - 特許庁

This impedance measuring device wherein the LSI 50 for receiving a digital signal is used as a measuring object is equipped with the TDR oscilloscope 10, a connection tool 20 for connecting the LSI to be measured which is the measuring object circuit, a capacitance element C1 for direct-current voltage blocking, and a power supply device 30.例文帳に追加

本発明のインピーダンス測定装置は、デジタル信号を受信するＬＳＩ５０を測定対象とし、ＴＤＲオシロスコープ１０、測定対象回路である被測定ＬＳＩを接続する接続治具２０、直流電圧阻止用のキャパシタンス素子Ｃ１、及び電源装置３０を備える。 - 特許庁

The blocking insulation film is arranged between the source and drain junctions to prevent the phenomenon of short circuits, which are due to junction extension between the junctions in the bulk region, thereby providing better electrical characteristics of the semiconductor device, such as stabilized threshold voltage and reduced leakage current.例文帳に追加

このように半導体装置のソースとドレーンジャンクションとの間に遮断用絶縁膜が配置されて、ジャンクション拡張によるバルク領域でのジャンクション相互間のショート現象が防止でき、スレショルド電圧の安定性と漏れ電流の減少などの半導体装置の電気的な特性が改善される。 - 特許庁

The electric and electronic component sealing insulating resin comprises: a first resin layer comprising olefin series polymer for covering a high voltage coil treated with insulating varnish in a case; a second layer formed on the first resin layer and blocking up an opening side of the case to cut off outside air.例文帳に追加

絶縁樹脂を封止した電気・電子部品において、ケース内に絶縁ワニスで処理した高圧コイルを覆うオレフィン系ポリマからなる第１樹脂層と、この第１樹脂層の上に形成されてケースの開口部側を閉塞し外気を遮断する第２層とから構成されていることを特徴とする電気・電子部品。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a reverse-blocking insulated gate bipolar transistor which can reduce the occupation area ratio of an isolation region per chip, which becomes a problem even in the case of a thin wafer (semiconductor substrate) having a thickness of ≤150 μm, which can avoid the tradeoff between an on-voltage characteristic and turn-off loss, and also can reduce diffusion time.例文帳に追加

オン電圧特性とターンオフ損失とのトレードオフを回避できる１５０μｍ以下の薄いウェハ（半導体基板）の場合でも問題となる一チップあたりの分離領域の占有面積比率を小さくすることができ、拡散時間の短縮も図れる逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタの製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a silicon substrate achieving electrical isolation of a wide voltage region of 500 V or larger, in a manufacturing process allowing coexistence with STI and having an isolation structure for blocking the physical movement of metal to the depth of a through-electrode, while ensuring surface planarity and metal contamination gettering performance.例文帳に追加

表面平坦性と金属汚染ゲタリング機能を確保しながら、ＳＴＩと共存できる製造工程で５００Ｖ以上の広い電圧領域の電気的アイソレイションを実現するとともに、貫通電極全体の深さにいたる物理的な金属移動の阻止のためのアイソレイシヨン構造を有する。 - 特許庁

A controller 3 measures the blocking degree of the supply and exhaust channel in the water heater based on a fan actuation signal output when a combustion fan 2 driven under control by a DC voltage smoothed through the full-wave rectification of AC 100 V in a power source 1 is rotated at a fixed number of revolutions.例文帳に追加

制御部３は、電源部１がＡＣ１００Ｖを全波整流して平滑した直流電圧により燃焼ファン２を駆動して制御するとき、燃焼ファン２を所定の固定回転数で回転させたときに出力するファン駆動信号に基づいて給湯機における給排気通路の閉塞度を測定する。 - 特許庁

When a lithium secondary battery pack having reversed terminal arrangement is connected to a charger, an inverse voltage is not applied to a charging control IC in the charger interior so that the charging control IC does not generate abnormal exothermic heart and the charger is not broken to secure safety by detecting inverse voltage applied and electrically blocking a circuit that flows reverse current coming from the lithium secondary battery pack.例文帳に追加

上記充電装置において、端子配列が逆に配列されているリチウム二次電池パックが接続された場合においても、逆電圧が印加されたことを検出し、リチウム二次電池パックからの逆電流が流れる回路を電気的に遮断することより、充電装置内部の充電制御ＩＣへ逆電圧が印加されることが無く、充電制御ＩＣの異常な発熱も発生せず充電装置は破壊無く、安全を確保することができる。 - 特許庁

To provide a reverse blocking insulated gate type bipolar transistor for reducing the occupation area ratio of the isolation region per chip, which becomes a problem if the thickness of a thin wafer (semiconductor substrate) is equal to 150 μm or less, which can avoid the tradeoff between on voltage property and turn off loss, and also for shortening diffusion time, and its fabrication method.例文帳に追加

オン電圧特性とターンオフ損失とのトレードオフを回避できる１５０μｍ以下の薄いウェハ（半導体基板）の場合でも問題となる一チップあたりの分離領域の占有面積比率を小さくすることができ、拡散時間の短縮も図れる逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタおよびその製造方法の提供。 - 特許庁

In the enclosed switchgear where a switchgear functional section includes an interrupting section and a disconnecting section contained in an enclosed container filled with gas, a solid state insulator 50 for ensuring insulation at the voltage applying part of the switchgear functional section is provided with an insulation barrier 53 of the same material as the solid state insulator having a surface profile for blocking preceding discharge.例文帳に追加

ガスを充填した密閉容器に遮断部および断路部を含む開閉装置機能部が収納された密閉形開閉装置において、前記開閉装置機能部における電圧印加部分の絶縁を確保する固体絶縁物５０に先行放電を阻止する表面形状を持つ前記固体絶縁物と同じ材質の絶縁バリヤ５３を設ける。 - 特許庁

When an output signal OUT or an inverted output signal XOUT changes to a high voltage level, the substrate biasing transistors 5, 6 go to a non-conductive state, thereby blocking the input signal IN or the inverted input signal XIN from being given to the substrate of the signal inputting n-type transistors 1, 2, except when the signal changes.例文帳に追加

また、出力信号ＯＵＴ又は反転出力信号ＸＯＵＴが高電圧レベルに変化すると、前記基板バイアス用のトランジスタ５、６が非導通状態となるので、信号変化時以外は信号入力用のＮ型トランジスタ１、２の基板には入力信号ＩＮ又は反転入力信号ＸＩＮは与えられない。 - 特許庁

A liquid crystal blind 17 that a reduced projection exposure apparatus has is driven by a liquid crystal driving method to variably set an irradiation pattern of the irradiation light, and forms an optical opening section capable of controlling transmission and blocking of light by liquid crystal cell by application of a voltage to an electrode corresponding to the liquid crystal cell, so that the shape of an irradiation area can be optionally set.例文帳に追加

この縮小投影露光装置に備えられた液晶ブラインド１７は、液晶駆動方式で駆動されて照射光の照射パターンを可変設定し、各液晶セルに対応した電極への電圧印加で各液晶セル毎に光の透過、遮断を制御できる光学的開口部を成すため、照射領域の形状を任意に設定できる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a reverse blocking insulated-gate bipolar transistor having low ON-voltage and low switching loss characteristics whereby a high temperature heat treatment time under atmosphere of an oxygen required for forming an isolation layer can considerably be reduced, and the isolation layer can be formed without newly bringing in oxygen working as a cause to variations in the impurity concentration profile of a drift layer.例文帳に追加

分離層形成に必要な酸素雰囲気中で高温熱処理時間を大幅に短縮でき、ドリフト層の不純物濃度プロファイル変動の原因となる酸素を新たに取り込むことなく分離層を形成できる低オン電圧、低スイッチング損失特性を備える逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタの製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a structure for the power supply of a digital camera capable of power saving control, eliminating the need for blocking of the control by software or hardware so as to reduce the cost related to the development and eliminate the need for troublesome control of a block power supply, and capable of reproduction if the battery has a reproduction available battery voltage level even when photographing is disabled.例文帳に追加

省電力制御を可能にするとともに異常操作されたときなどの制御をソフトまたはハードによりブロックする必要がないようにして開発に係るコストを低減化し、ブロック電源供給の制御の煩わしさを無くし、撮影不能であっても再生可能電池電圧レベルであるならば、再生を可能にするディジタルカメラの電源構造を提供する。 - 特許庁

In an oil bath 21, an electrode device 25 to be applied with a high voltage and a grounded earth plate 26 are so disposed as to face each other, and an electric field blocking layer 22 formed on an insulating material is so disposed as to surround a frying region between the electrode device 25 and the earth plate 26.例文帳に追加

油槽２１内に、高電圧が印加される電極装置２５と、接地されたアース板２６とが互いに対向するように配置されると共に、電極装置２５とアース板２６との間のフライ領域を囲むように、絶縁性材料でなる電界遮断層２２が配置され、電極装置２５への高電圧印加によりフライ領域に高電圧微弱電流が発生する。 - 特許庁