「blocking voltage」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

An operation blocking circuit 22 turns the synchronous rectification element TR2 off when an output voltage from the separate power supply 16 is not higher than a predetermined level at the time of starting, for example.例文帳に追加

起動時などで別電源１６の出力電圧が所定値以下の場合に、同期整流素子ＴＲ２をオフさせる作動阻止回路２２を設ける。 - 特許庁

To provide an introducing terminal structure for feeding a high voltage to a corona pre-ionizing electrode, without increasing the size of the laser chamber and without blocking a laser gas from circulating.例文帳に追加

レーザチャンバーを大型化させず、かつ、レーザガスの循環を妨げることなくコロナ予備電離電極へ高電圧を供給するための導入端子構造。 - 特許庁

To provide a lateral semiconductor element which can be easily, manufactured technically and is manufacturable economically, by raising the blocking voltage within the component.例文帳に追加

構成要素内側のブロッキング電圧を高くし、しかし技術的に簡単に製造でき、経済的にも製造が可能なラテラル半導体素子を提供すること。 - 特許庁

To enhance the efficiency by blocking conduction of a switching element when the output voltage therefrom is high thereby suppressing generation of a spike current and power loss.例文帳に追加

スイッチング素子出力電圧が高いときにスイッチング素子を導通させないようにしスパイク電流の発生と電力損失を抑制し効率を上げる。 - 特許庁

To obtain a MOS gate power device, which is capable of lessening resisitivity in a drain region without decreasing its necessary voltage blocking capacity.例文帳に追加

必要な電圧阻止能力を減少すること無しにドレイン領域の抵抗率を減少させることができるＭＯＳゲートパワー素子を提供する。 - 特許庁

To suppress voltage imbalance of each element, in a power converter that is constituted, by connecting in series a plurality of reverse blocking type semiconductor elements.例文帳に追加

逆阻止型半導体素子を複数個直列接続して構成される電力変換装置における、各素子の電圧アンバランスを抑制し得るようにする。 - 特許庁

In a reverse blocking semiconductor element device, a groove is provided in a main wiring for soldering elements and facing an edge of the element to raise dielectric breakdown voltage and to ensure high breakdown voltage in the backward direction.例文帳に追加

また逆阻止半導体装置において、素子を半田付けする主配線には素子の端部に対向して溝を設けて端部と主配線間の絶縁破壊電圧を高くし、高い逆方向耐圧を確保する。 - 特許庁

To secure the traveling of a vehicle by promptly blocking a power supply when the vehicle comes into collision and without blocking the power supply when the vehicle does not actually come into collision, relating to a high-voltage system block device for an automobile.例文帳に追加

自動車の高電圧系遮断装置に関し、車両の衝突時には速やかに電源を遮断し且つ車両が実際に衝突していない場合には電源を遮断することなく車両の走行性を確保することができるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can improve controllability of dv/dt by a gate drive circuit during a turn-on switching period while maintaining a low loss and a high blocking voltage.例文帳に追加

低損失と高耐圧を保持しながら、ターンオンスイッチング期間中におけるｄｖ／ｄｔのゲート駆動回路による制御性を向上できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a lateral IGBT having an SOI structure and a manufacturing method thereof, wherein the turn-off loss is small and the blocking voltage is lowered.例文帳に追加

従来技術に比してターンオフ時の損失が少なく、同時に阻止電圧を低下させることのない、ＳＯＩ構造の横形ＩＧＢＴとその製造方法を提供すること - 特許庁

A blocking circuit assembly 100 for a high-voltage accumulator 102 in the vehicle is provided with a handle integrating a grip part 104a and a fuse holder part 104b as a single unit.例文帳に追加

車両内の高電圧蓄電装置102のための回路遮断組立体100に、グリップ部104aとヒューズ・ホルダー部104bとを一つのユニットとして一体化したハンドルを備える。 - 特許庁

In the semiconductor device 50, an element region including a semiconductor element and a voltage blocking region surrounding the element region are formed on a first semiconductor layer 2 of a first conductivity type.例文帳に追加

半導体装置５０は、第１導電型の第１半導体層２上に、半導体素子を含む素子領域と、素子領域を囲む電圧阻止領域とを備える。 - 特許庁

To obtain a semiconductor conversion circuit that uses a reverse blocking diode having a reduced forward voltage drop and a reverse recovery charge amount lower and smaller than a silicon high-speed diode.例文帳に追加

シリコン製の高速ダイオードよりも順電圧降下及び逆回復電荷量が低減された逆阻止用のダイオードが使用された半導体変換回路を得る。 - 特許庁

The voltage of the capacitor C6 for the direct-current blocking is biased to 0V by the voltage of the capacitor C7 for cancellation to eliminate the direct current, and a one-side dark discharge is prevented by preventing deviations of mercury in the fluorescent lamp FL due to moving.例文帳に追加

キャンセル用コンデンサC7の電圧が直流カット用コンデンサC6の電圧を０Ｖにするようにバイアスして、直流電圧をなくし、蛍光ランプFLの水銀の移動による片寄りを防止して片側暗放電を防止する。 - 特許庁

When the voltage drop state is ended for a short time by the above processing, the control is restarted, but when it is continued for a long time, the electric parking brake system appropriately copes with the voltage drop by blocking the restart of the control.例文帳に追加

上記の処理により、電圧低下状態が短時間で終わった場合には制御を再開するが、長時間継続した場合には制御の再開を阻止することで、電圧低下に適切に対処することができる。 - 特許庁

The control means determines that blocking with the solenoid drive circuit is abnormal at least on a condition that the voltage of a power supply terminal becomes a predetermined first voltage or less until the predetermined first time has lapsed since it commands blocking that blocks the power supply with the solenoid drive circuit and relay circuit.例文帳に追加

制御手段は、ソレノイド駆動回路およびリレー回路による電力供給を遮断する遮断指示を行ってから所定の第１時間が経過するまでの間に電力供給端子の電圧が所定の第１電圧以下となったことを少なくとも条件として、ソレノイド駆動回路による遮断が異常であると判定する。 - 特許庁

In the power inverter circuit that has a plurality of semiconductor switching devices on each arm and converts an input DC voltage into an AC voltage of any given frequency, a bidirectional switch having reverse blocking capability is connected between a voltage midpoint that divides an input DC voltage in half and a midpoint of one side arm of the semiconductor switching device.例文帳に追加

各アームに複数の半導体スイッチングデバイスを備え、入力直流電圧を任意の周波数の交流電圧に変換する電力変換回路であって、入力直流電圧を半分の電圧に分割する電圧中点と、半導体スイッチングデバイスの片側アームの中点との間に、逆阻止能力を有す双方向スイッチを接続する。 - 特許庁

The light blocking element is divided into a plurality of small areas, and configured to independently control a voltage applied to each small area having a liquid layer and an electrode so that the positions of light blocking areas 33a and 33b are changed according to the lens shift direction of an objective lens.例文帳に追加

遮光素子は、複数の小領域に分割され、対物レンズのレンズシフトの方向にともなって移動できるように遮光領域３３ａ、３３ｂの位置を変えられるように、液晶層と電極を有する各小領域に印加する電圧を独立に制御できるような構成とする。 - 特許庁

To provide a styrene-based resin-containing resin sheet/film suppressed in stickiness/blocking while maintaining its transparency/color tone, improved in antistaticity, especially frictional antistatic performance, under low humidities, with charge voltage half-life and frictional charge voltage proofness effect balanced therebetween.例文帳に追加

スチレン系樹脂を含む樹脂シート・フィルムの透明性・色調を保持し、べたつき・ブロッキングを抑え、低湿度下での帯電防止性、特に摩擦帯電防止性能の向上、帯電圧の半減期と摩擦帯電圧防止効果をバランスさせた樹脂シート・フィルム。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device and a method for its manufacturing, wherein a blocking breakdown voltage at a chip surface part is improved, while a current is prevented from flowing the chip surface part in measuring breakdown voltage characteristics, for preventing element breakages.例文帳に追加

チップ表面部の阻止耐圧を向上させるとともに、耐圧特性測定時にチップ表面部で電流が流れることを防ぐことができ、素子破壊を防止することができる半導体集積回路装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

By moving the blocking plate 14, the reverse bias voltage is applied to the other unit cells sequentially, and minute defects in each cell can be removed consequently.例文帳に追加

遮断板１４を移動させることにより、逆バイアス電圧が順次他のユニットセルへ移動して印加されていき、この逆バイアス電圧により各ユニットセルのすべての微小欠陥部を除去する。 - 特許庁

The desired high voltage gain and low noise figure are obtained within a desired range of frequencies using resistor feedback which has DC-blocking relating to the output of the amplifier.例文帳に追加

増幅器の出力に関連するＤＣブロッキングを有する抵抗フィードバックを用いて、所望の周波数範囲で所望の高電圧ゲインおよび低雑音指数を提供する。 - 特許庁

To decrease a threshold current and forward voltage and improved reliability in the nitride compound semiconductor light-emitting device where a current blocking layer is provided so as to stabilize the lateral mode.例文帳に追加

横モードを安定させるために電流阻止層を設けた窒化物系化合物半導体発光素子において、しきい値電流と順方向電圧を低減し、信頼性を向上する。 - 特許庁

To provide a blocking filter which easily changes the operating voltage for absorbing a lightning surge and which protects a domestic electrical device used for an electric light line communication from the lightning surge.例文帳に追加

雷サージを吸収するための動作電圧の変更を容易にすると共に、電灯線通信に用いられている家庭電気機器を雷サージから保護するブロッキングフィルタを提供する。 - 特許庁

To reduce the gate-collector capacity of a trench gate type semiconductor device without compromising the carrier storing effect and, in addition, to raise the collector-emitter reverse blocking voltage of the device.例文帳に追加

トレンチゲート型半導体装置において、キャリアの蓄積効果を損なうことなく、ゲート−コレクタ間容量を小さくし、かつコレクタ−エミッタ間の逆方向阻止電圧を高くすること。 - 特許庁

A reverse breakdown voltage for the reverse blocking IGBT can be secured while an optimal value in a trade-off of an ON-state voltage and a switching loss can be selected by performing an ion implantation for forming the diffusion layer 21 within the trench and an ion implantation for forming a collector layer 22, separately.例文帳に追加

また、溝内拡散層２１を形成するイオン注入とコレクタ層２２を形成するイオン注入を分けて行うことで、逆阻止ＩＧＢＴの逆耐圧を確保しながらオン電圧とスイッチング損失のトレードオフ上の最適値を選択することができる。 - 特許庁

When a lamp voltage comes to 400 V or less, lighting for fluorescent lamps FL1, FL2 is determined, a voltage induced in a sub-winding Tr2 is also reduced, a Zener diode ZD7 is brought into a reverse-blocking state, and the output of an inverter circuit 15 is lowered compared with that in a start time to light the lamps FL1, FL2.例文帳に追加

ランプ電圧が４００Ｖ以下になると蛍光ランプFL1 ，FL2 が点灯したと判断して、補助巻線Tr2dに誘起される電圧も低下し、ツェナダイオードZD7 が逆阻止状態になり、インバータ回路15の出力を始動時より低くして蛍光ランプFL1 ，FL2 を点灯させる。 - 特許庁

The comparing circuit 42 compares the signal detected by the detection part 41 with a reference voltage and drives the blocking circuit 34 when the detection output exceeds the reference voltage to block an input to the laser diode 35, which is prevented from deteriorating and damaging.例文帳に追加

比較回路４２は、検波部４１により検波された信号と基準電圧とを比較し、検波出力が基準電圧を超えると上記遮断回路３４を駆動してレーザダイオード３５への入力を遮断し、レーザダイオード３５の劣化、損傷を防止する。 - 特許庁

A reverse breakdown voltage Vr of a diode constituted between the anode contact region 8 and the drain/ cathode region 2 is made lower than an drain/source blocking voltage BVdss of a power MOS which is constituted of the drain/cathode region (NBL) 2, gate structure 18, and source region 5.例文帳に追加

アノードコンタクト領域８とドレイン・カソード兼用領域２との間に構成されるダイオードの逆方向降伏電圧Ｖrが、ドレイン・カソード兼用領域（ＮＢＬ）２、ゲート構造１８及びソース領域５からなるパワーＭＯＳのドレイン−ソース間耐圧ＢＶdssよりも低い。 - 特許庁

By blocking the two-way switch of a corresponding phase at a zero cross of each short-circuited current, a rise in voltage between terminals of a snubbering capacitor 6 is restrained, to enable the PWM cycloconverter to safely be stopped.例文帳に追加

この各短絡電流ゼロクロスで当該相の双方向スイッチを遮断することで、スナバ用キャパシタ６の端子間電圧上昇を迎えて、安全にＰＷＭサイクコンバータを停止できる。 - 特許庁

By applying a negative voltage to the light-blocking film 315 and the transparent conductive film 321, a P^++-type inversion region 329 is formed in a topmost part of the N-type photoelectric conversion region 303.例文帳に追加

この遮光膜３１５および透明導電膜３２１にマイナス電圧を印加することにより、Ｎ型光電変換領域３０３の表層部にＰ^++型反転領域３２９を形成する。 - 特許庁

In this radiation image detector, a hole injection blocking layer formed of an alloy of Sb_xS_100-x, 41≤x≤60 is formed between a first electrode layer 1 applied with a voltage and a recording photo-conductor layer 3.例文帳に追加

電圧が印加される第１の電極層１と記録用光導電層３との間に、Ｓｂ_ｘＳ_１００−ｘ、４１≦ｘ≦６０の合金から形成される正孔注入阻止層を設ける。 - 特許庁

In a non-photographic time, a control part prevents a camera lens 22 from being visualized by scattering incident lights to set a light blocking state not by applying any voltage to the light adjusting film of a lens hiding plate 23.例文帳に追加

非撮影時には、制御部は、レンズ隠し板２３の調光フィルムへの電圧印加は行わず、光遮断状態として入射光を散乱させ、カメラレンズ２２が視認されないようにする。 - 特許庁

When temperatures of the switching elements 21 to 22, 34 to 39 detected by the temperature sensitive diodes 41 exceed preset thresholds, a drive control unit 43 lowers an output voltage Vcc of the step-up/down converter 12 (hereinafter called a boosting voltage) to a voltage value (prescribed value) which can secure a blocking tolerated dose of each switching element 21 to 22, 34 to 39 at the highest use temperature.例文帳に追加

感温ダイオード４１で検出された各スイッチング素子２１〜２２，３４〜３９の温度が予め定められた閾値を超えた場合に、駆動制御部４３で、昇降圧コンバータ１２の出力電圧（以降、昇圧電圧と称す）Ｖｃｃを、各スイッチング素子２１〜２２，３４〜３９の最高使用温度時の遮断耐量を確保できる電圧値（所定値）まで下げる。 - 特許庁

When blocking power supply from the DC power supply 1 to a motor 4, a relay control device 8 determines whether an amount of voltage change after relay-off of the capacitor 2 is below a welding withstand-pressure value of SMR5G when voltage of the capacitor 2 is not reduced to a prescribed discharge completion voltage within a prescribed time-out time after turning off SMR5G.例文帳に追加

直流電源１からモータ４への電力供給を遮断する際、リレー制御装置８は、ＳＭＲ５Ｇをオフさせた後に所定のタイムアウト時間内にコンデンサ２の電圧が所定の放電完了電圧まで低下しなかった場合、コンデンサ２のリレーオフ後の電圧変化量がＳＭＲ５Ｇの溶着耐圧値以下であるか否かを判断する。 - 特許庁

In a reverse blocking semiconductor element, an only first termination for achieving a breakdown voltage of a forward direction is formed on a main surface, a second termination for achieving a breakdown voltage of a backward direction is formed in a first recess around an active region of the other main surface, and the high breakdown voltage of both forward and backward directions and high mass productivity are achieved.例文帳に追加

逆阻止半導体素子において、順方向耐圧達成用の第１のターミネーションのみを一方の主表面に形成し、逆方向耐圧達成用の第２のターミネーションは他方の主表面の活性領域の周囲に設けた第１の凹部の中に形成し、高い順逆両方向耐圧と高い量産性を実現する。 - 特許庁

To obtain a capacitor voltage division circuit capable of minimizing current consumption of a resistor by supplying a current to the resistor only after a voltage being applied to the capacitor exceeds a specified level and capable of shortening the charging time by blocking current supply to the resistor at the time of charging the capacitor.例文帳に追加

コンデンサに印加される電圧が規定電圧を超えるまでは抵抗体に電流を流さなくして、抵抗体の消費電流を最小限に抑えることができ、コンデンサの充電時には抵抗に電流が流れなくして充電時間の短縮を可能にするコンデンサ分圧回路を得る。 - 特許庁

The blocking voltage is swept, an a frequency component of the high-frequency voltage supplied to the energy filter by a detecting part 5-1 and/or double frequency component thereof are(is) detected based on the electron-multiplexed output to measure the energy loss spectrum by a measuring part 6.例文帳に追加

阻止電圧を走引させ、電子増倍された出力から、検出部５−１によりエネルギーフィルタに供給された高周波電圧の周波数成分及び／又はその２倍の周波数成分を検出することにより、測定部６でエネルギー損失スペクトルを測定する。 - 特許庁

To provide a power shut-off device combining an interlock means and a shock blocking means for interrupting the power supply of a high voltage battery appropriately at vehicle collision.例文帳に追加

インターロック手段と、車両の衝突事故が発生した際に高電圧バッテリの電力供給を適切に遮断する衝撃遮断手段と、を兼ね備えた電源遮断装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A transistor 21 and a diode 22 for blocking reverse current are provided in the power supply line to make the overcurrent detection, and a control circuit 30 detects overcurrent by using the foreword voltage fluctuation across the diode 22.例文帳に追加

トランジスタ２１と逆電流防止用のダイオード２２を電力供給ラインに設けて、このダイオード２２の順電圧の電圧変動を利用して過電流検出制御回路３０で過電流検出を行う。 - 特許庁

To ensure safety performance for surely blocking current-carrying before operation of a high-voltage component, to prevent occurrence of a procedure mistake of connecting a connector while a cover is detached even during service operation or the like, and to ensure high productivity as a simple and compact structure, in a safety structure for a high-voltage component.例文帳に追加

高電圧部品の保安構造において、高電圧部品の作業前に通電を確実に遮断する保安性を確保すること、サービス作業途中等でもカバーを外したままコネクタを結合する手順間違いの発生を防ぐこと、シンプル且つコンパクトな構造として高い生産性を確保することにある。 - 特許庁

In order to assure the safety of the power source and the battery life, the selecting circuit still further checks the power status independently, disables commands from PMU by blocking the flow of electric current into an internal battery from a high voltage battery to a low voltage battery connected in parallel.例文帳に追加

前記選択器回路は、さらに、電源の安全性と電池の寿命を保証するために、高電圧の電池から、並列に結合される低電圧の電池への内部電池の電流の流れを防ぐなどによって、独立して電力状況を検証し、ＰＭＵからの命令を無効にしたりする動作を行う。 - 特許庁

The PTC element 25 does not receive any damage because high-voltage is not applied, and the battery can sufficiently show the function for preventing wrong influence to the outside by blocking the output of current at the time of excessive temperature rise.例文帳に追加

ＰＴＣ素子２５は、高電圧が印加されないので、損傷を受けることが無く、本発明の電池は、過昇温時に電流の出力を遮断して外部への悪影響を防止する機能を十分に発揮することが可能となる。 - 特許庁

A gate voltage control circuit 60 is inserted, for example, between an abnormality detecting circuit 50 for detecting generation of abnormality, and a gate of an NMOS transistor M1 for blocking a current path led to a cell in the generation the abnormality.例文帳に追加

たとえば、異常の発生を検出する異常検出回路５０と、異常の発生時にセルにつながる電流パスを遮断するためのＮＭＯＳトランジスタＭ１のゲートとの間に、ゲート電圧制御回路６０を挿入する。 - 特許庁

In a sleeve 14, its cylindrical body is formed from three layers which are, in order from the inside, a base layer 14c having rigidity, a filter layer 14b for blocking toner passage, and a conductive layer 14b to which a developing bias voltage is applied.例文帳に追加

スリーブ１４は、その筒状体が３層で構成され、内側から剛性を有する網目状の基材層１４ｃ、トナーの通過を阻止するフィルター層１４ｂ、現像バイアス電圧を印加される導電層１４ａで構成される。 - 特許庁