「capacitance method」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a thin film transistor device and the manufacturing method of the same, reduced in fluctuation of a parastic capacitance between the gate and the source of a TFT even when a positional deviation is generated in the process of exposure.例文帳に追加

露光工程で位置ずれが発生してもＴＦＴのゲート・ソース間の寄生容量の変動が少ない薄膜トランジスタ装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a display apparatus having a high aperture ratio and an auxiliary capacitor of a large capacitance, and to provide a method for manufacturing the display apparatus, without increasing the manufacturing steps.例文帳に追加

高い開効率と大容量の補助容量を有する表示装置と製造工程を増やすことなくその表示装置を製造する方法とを提供する。 - 特許庁

To provide an aluminum foil for electrolytic capacitor in which the number of elements to be controlled is reduced and high capacitance is attained, and a method of manufacturing a thin sheet for the same.例文帳に追加

管理元素数が少なく、高い静電容量の得られる電解コンデンサ用アルミニウム硬質箔およびこの硬質箔用の薄板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an organic-device manufacturing method that prevents the occurrence of a parasitic capacitance and a leak path due to spreading, scattering or erroneous dropping or the like of a solution.例文帳に追加

溶液の広がりや飛散若しくは誤滴下等による寄生容量やリークパスの発生を防止することのできる有機デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, which has a multilayered wiring structure, capable of decreasing in wiring capacitance and possessing high electromigration resistant-properties, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

多層配線構造において、配線容量を低減しつつ、高いエレクトロマイグレーション耐性を有する半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a porous carbon with a large electrostatic capacitance, the porous carbon obtained by the manufacturing method, the porous carbon for an electric double layer capacitor obtained by the manufacturing method and the electric double layer capacitor using the porous carbon.例文帳に追加

静電容量の大きい多孔質炭素の製造方法、及び、該製造方法により得られた多孔質炭素、並びに、該製造方法により得られた電気二重層キャパシタ用多孔質炭素、及び、これを用いた電気二重層キャパシタを提供する。 - 特許庁

To provide an electrostatic capacitance-type input device, a method of testing the electrostatic capacitance-type input device capable of reliably detecting whether or not a short circuit is formed in the electrodes used for detecting an input position without using a large-scale test device, and a driving device for an electrostatic-type input device capable of implementing such a test method.例文帳に追加

大掛かりな検査装置を用いなくても、入力位置検出用の電極が断線しているか否かを確実に検出することのできる静電容量型入力装置、該静電容量型入力装置の検査方法、およびかかる検査方法を実現可能な静電容量型入力装置用駆動装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a solid electrolytic capacitor, which is superior in electrical characteristics and is large in capacitance, by a method wherein a solid electrolyte layer consisting of conductive molecules, which are dense and even, is formed in the interior of a wound capacitor element, and a method of manufacturing the capacitor.例文帳に追加

巻回型のコンデンサ素子の内部に、緻密で均一な導電性高分子からなる固体電解質層を生成し、電気的特性に優れかつ大容量の固体電解コンデンサの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an inexpensive aluminum alloy material for an electrolytic capacitor having high electrolytic capacitance, a method for producing the same, a method for producing an electrode material for an electrolytic capacitor, an anode material for an electrolytic capacitor, and an aluminum electrolytic capacitor.例文帳に追加

高静電容量で安価な電解コンデンサ用アルミニウム合金材及びその製造方法、電解コンデンサ用電極材の製造方法、電解コンデンサ用陽極材並びにアルミニウム電解コンデンサを提供する。 - 特許庁

To provide a method for the production of a porous carbon material having high electrical capacitance and high energy density and suitable as an electrode material for an electric double layer capacitor by an industrially applicable alkali activation method.例文帳に追加

アルカリ賦活法により工業的にも実施しうる方法であり、電気二重層キャパシタ用電極材料として好適な、静電容量が高く、高エネルギー密度の多孔質炭素材料を得る方法の提供。 - 特許庁

The process management method includes steps of: (A) calculating wiring resistance and wiring capacitance in a condition where manufacturing dispersion of the width and thickness of the wiring is represented by points on a predetermined equal probability circle of a joint probability density function; and (B) specifying a variation range RNG of the wiring resistance and the wiring capacitance caused by the manufacturing dispersion based on the calculated wiring resistance and wiring capacitance.例文帳に追加

そのプロセス管理方法は、（Ａ）配線の幅及び厚さの製造ばらつきが同時確率密度関数の所定の等確率円上の点で表されるという条件の下で、配線抵抗及び配線容量を算出するステップと、（Ｂ）算出された配線抵抗及び配線容量に基づいて、製造ばらつきに起因する配線抵抗及び配線容量の変動範囲ＲＮＧを規定するステップとを含む。 - 特許庁

The capacitive touche panel performing charge/discharge control of stray capacitance of a plurality of detection electrodes and detecting a detection electrode wherein the stray capacitance increases by approach of an input operation body from a change of potential of the detection electrode, allows selection control of any of the charge control and the discharge control of the stray capacitance, and selects one optimum control method according to the operation environment.例文帳に追加

複数の検出電極の浮遊容量を充放電制御し、検出電極の電位の変化から入力操作体が接近して浮遊容量が増加する検出電極を検出する静電容量式タッチパネルであって、浮遊容量を充電制御若しくは放電制御のいずれでも選択制御可能とし、動作環境に応じて最適な一方の制御方法を選択する。 - 特許庁

The method for manufacturing solid electrolytic capacitor comprises the steps of chemically forming a capacitance element base material formed of a metal material having a valve function, chemically reforming such capacitance element base material, and forming a solid electrolyte layer by impregnating a polymerized monomer and an oxide agent to the capacitance element base material.例文帳に追加

弁作用金属からなるコンデンサ素子基材を化成する工程と、このコンデンサ素子基材に修復化成を行う工程と、このコンデンサ素子基材に重合性モノマーと酸化剤を含浸させて固体電解質層を形成する工程とを有する固体電解コンデンサの製造方法において、固体電解質層を形成する工程の前に、コンデンサ素子基材を所定濃度のポリビニルアルコール溶液に浸漬する工程を備える。 - 特許庁

To provide an electrooptical device in which an opening ratio of a pixel is not lowered even when an auxiliary capacitance is arranged on the pixel, an electronic appliance, and a method for manufacturing the electrooptical device.例文帳に追加

補助容量を設けた場合でも、画素の開口率が低下することのない電気的光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To aim at reducing the number of part items and mounting area of the part items by a method, wherein chip parts, having satisfactory high frequency property and the multilayer ceramic capacitor part of large and small capacitance.例文帳に追加

高周波特性が良く、大容量と低容量の積層セラミックコンデンサ部を有した１チップ部品とし、実装時の部品点数及び実装面積低減を図ることである。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where varactors that can be set wide in a capacitance-variable range and CMOS devices are mixedly mounted even when a gate is shortened in length, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ゲート長が短縮された場合にも、容量可変範囲を大きく確保しうるバラクタを備えたバラクタ・ＣＭＯＳデバイス混載の半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a substrate having a built-in capacitor for manufacturing a large capacitance capacitor with the high accuracy, the high reliability, excellent high frequency characteristics and an excellent mass productivity.例文帳に追加

高精度かつ高信頼性の高周波特性に優れる大容量コンデンサを基板内部に作製可能で、量産性に優れたコンデンサ内蔵基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an activated carbon which is usable as an electrode material to manufacture an electric double layer capacitor of large capacitance and low resistance at low temperature, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

低温において大容量かつ低抵抗の電気二重層キャパシタを製造するための電極材料として使用できる活性炭、およびその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor which reduces a parasitic capacitance generated between an umbrella part of a gate electrode of T-type structure and a diffusion layer, and to provide a method of manufacturing the field-effect transistor.例文帳に追加

Ｔ型構造のゲート電極の傘部と拡散層の間に生じる寄生容量を低減した電界効果トランジスタ及びその電界効果トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device and a method of manufacturing the same capable of forming flash cells and capacitive elements within a single chip, and also easily forming the capacitive elements each having a different capacitance value.例文帳に追加

フラッシュセルと容量素子を同一チップ内に形成でき、しかも容量値の異なる複数の容量素子を容易に形成できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, reducing a junction capacitance to be generated between a source or a drain and a substrate while restraining manufacturing cost, and also to provide a semiconductor device.例文帳に追加

製造コストを抑えつつ、ソース又はドレインと基板との間に生じる接合容量を低減できるようにした半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a variable capacitor suitable for achieving a stable initial value of a capacitance and achieving a low voltage driving, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

安定した初期静電容量値を実現するのに適し且つ低駆動電圧化を図るのに適した可変キャパシタ、および、そのような可変キャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of obtaining high capacitance, and preferably, capable also of realizing a large number of residual polarized charges, even if further miniaturization is made, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

微細化が進められても高い容量を得ることができ、好ましくは高い残留分極量をも得ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a porous valve metal film having a large surface area, its manufacturing method, and a film capacitor whose film is used as an anode and has a large density of capacitance.例文帳に追加

表面積の大きい多孔質バルブ金属薄膜およびその製造方法、並びにその薄膜を陽極体として利用した容量密度の大きい薄膜キャパシタを提供する。 - 特許庁

To provide a reflection type phase shifter capable of suppressing variations in insertion losses in phase shift by suppressing a change in an equivalent resistance of a varactor diode due to a change in an inter-terminal capacitance and to provide a control method thereof.例文帳に追加

端子間容量変化に伴うバラクタダイオードの等価抵抗の変化を抑制し、移相変化時の通過損失を変動を抑え得る反射型移相器を得る。 - 特許庁

To provide a method of driving an ink jet head which can prevent the influence of suspension capacitance, prevent discharging performance from degrading due to increase in the number of discharging nozzles, and drive numerous nozzles simultaneously.例文帳に追加

浮遊容量の影響を防止するとともに、吐出ノズル数の増大による吐出性能低下を防止し、同時に多数ノズル駆動可能なインクジェットヘッド駆動方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electro-optic device for improving the yield by preventing leakage in a capacitance and for achieving process reduction in a process of producing a substrate.例文帳に追加

容量部のリークを防止することによって歩留まりを向上させ、基板製造工程における工程短縮化が実現できる電気光学装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device having increased auxiliary capacitance and TFTs to which characteristics are given in compliance with operation rates and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

補助容量の増加が図られ、且つ、動作率に応じた特性が与えられたＴＦＴを有する液晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

According to such a method, a capacitance can be increased, reducing not-open contacts, and the leanings of the storage nodes can also be decreased.例文帳に追加

このような方法によりノットオープン（ｎｏｔ ｏｐｅｎ）コンタクトは減少させながら、キャパシタンスを増加させることができ、ストレージノードの傾き（ｌｅａｎｉｎｇ）も大きく減少させることができる。 - 特許庁

To provide a multilayer circuit board wherein the reliability of connection is ensured between the circuit board and a mounted circuit element, a parasitic capacitance is reduced, and measures against noise are taken; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

実装される回路素子との接続信頼性が確保され、更に、寄生容量の低減およびノイズ対策が施された多層の回路基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a capacitor capable of increasing the capacitance by ensuring a wide capacitor area even if microfabrication of transistors progresses, and to provide a method of fabricating the same.例文帳に追加

トランジスタの微細化が進展しても、広いキャパシタ面積を確保し、容量を増大させることが可能なキャパシタを備える、半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a dual-damascene interconnect capable of sufficiently protecting a surface of a lower conductive layer, high in reliability, and small in interconnect capacitance.例文帳に追加

下層導電層の表面を十分保護することができ、信頼性が高く、配線容量が小さなデュアルダマシン配線を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a calibration method for inertial drive actuator capable of performing high-accuracy position detection, regardless of the magnitude of an electrostatic capacitance, and to provide an inertial drive actuator device.例文帳に追加

静電容量の大きさに拘わらず、精度の高い位置検出を行うことのできる慣性駆動アクチュエータのキャリブレーション方法及び慣性駆動アクチュエータ装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a method of manufacturing a semiconductor device which can prevent an increase in the parasitic capacitance of a field effect transistor while eliminating a problem with lift-off performance or the erosion of a T-shaped gate electrode.例文帳に追加

リフトオフ性の問題やＴ型ゲート電極の侵食が無く、電界効果トランジスタの寄生容量の増大を防ぐことができる半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

To form more micro-projections and recessed parts on the surface of a silicon than in the conventional method, and to make a capacitor electrode to have large capacitance and to manufacture various quantum effect element.例文帳に追加

本発明の課題はシリコン表面に従来法以上に微細な凹凸を形成し、キャパシタ電極の高容量化及び種々の量子効果素子の製造を可能にすることである。 - 特許庁

To provide a surface acoustic wave device having an interdigital electrode type capacitive element with a low resistance and high capacitance accuracy and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

この発明は、低抵抗でかつ容量値精度が高いインタデジタル電極型の容量素子を有する新規な弾性表面波装置及びその製造方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a carbonaceous material for the polarized electrode of an electric double-layer capacitor for obtaining high capacitance with a small amount of variation, and to provide a method for manufacturing the polarized electrode.例文帳に追加

ばらつきが少なくかつ高い静電容量を得ることができる電気二重層キャパシタの分極性電極用炭素材および分極性電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a field effect transistor for increasing a gain by reducing the capacitance between a gate and a drain, and to provide a semiconductor device and a method for manufacturing the field effect transistor.例文帳に追加

ゲート・ドレイン間の静電容量を低減することによって、ゲインを増大させた電界効果トランジスタ及び半導体装置並びに電界効果トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method, capable of improving the resistance to scratches and to chemicals of a surface shape recognizing surface (fingerprint recognizing surface), without causing capacitance values to be reduced.例文帳に追加

静電容量値を低下させずに、表面形状認識面（指紋認識面）のスクラッチ耐性や耐薬品性を改善できる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can increase the surface area of a lower electrode forming a concave type capacitor to increase the capacitance of an MIM structure, and also to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

コンケーブ型キャパシタを構成する下部電極の表面積を増大させ、ＭＩＭ構造のキャパシタンスを高めることのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a multilayered electronic component whose capacitance is improved, whose variation is reduced and which exhibits a high connecting strength between inner electrode layers and outer electrodes, and to provide a method of its manufacturing.例文帳に追加

静電容量の向上とばらつきの低減を図ると同時に、内部電極層と外部電極との接続強度の高い積層型電子部品およびその製法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing a short-circuit occurred between a capacitor and a bit-line-contact, and assuring a satisfactory capacitance of the capacitor; and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

キャパシタとビット線コンタクトとの間で発生するショートを抑制しつつ、キャパシタの十分な容量を確保することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a fault point locating method and system for achieving a highly precise fault point locating in an excellent practical calculation level under no influence of capacitance or charging current.例文帳に追加

静電容量や充電電流の影響を受けることなく、実用性に優れた計算レベルで高精度な事故点標定を実現する事故点標定方法およびそのシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which an overlying metal interconnection is formed so as not to cause damage to an underlying metal interconnection, and parasitic capacitance between interconnections is reduced; and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

下層の金属配線のダメージがなく上層の金属配線が形成され、かつ、配線間の寄生容量が低減された半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with a capacitor element capable of increasing its CUB structure in capacitance without providing an additional manufacturing process, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

製造工程を追加することなく、ＣＵＢ構造におけるキャパシタ容量を増加させることが可能な容量素子を備えた半導体装置及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁