「capacitance method」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a solid electrolytic capacitor having superior transient response and a large capacitance by laminating a plurality of capacitor elements on an insulating substrate and sharing a current circuit of each of the capacitor elements, and to provide a method for manufacturing the solid electrolytic capacitor.例文帳に追加

絶縁基板に複数のコンデンサ素子を積層し、各コンデンサ素子の電流回路を共通にすることで、過渡応答性が良好で、かつ、大容量の固体電解コンデンサ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming an insulation film for semiconductor devices, especially, a tantalum oxide film for gate insulation films and capacitance insulation films, etc. of semiconductor devices, which has a high reaction speed even at low growth temperatures and a high productivity.例文帳に追加

成長温度が低温でも反応速度が早く、生産性の高いゲート絶縁膜やキャパシタンスの容量絶縁膜等に用いられる半導体装置用絶縁膜、特に酸化タンタル膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an HBT with its speed increased by improvements relative to short-circuiting between the base electrode and the emitter electrode forward mesa section and relative to overetching of the backward mesa section B for a reduction in capacitance between the base electrode and the collector electrode.例文帳に追加

ベース電極とエミッタ電極間の順メサ部の短絡と、逆メサ部Ｂの部のオーバエッチングを改善し、ベースコレクタ間容量を低減して、高速化を図ったＨＢＴの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a junction field-effect transistor which can be manufactured by reducing the parasitic capacitance between the electrode and the substrate without forming a void or crack at the electrode section.例文帳に追加

電極部分にボイドやクラックを形成することなく、電極と基板間の寄生容量を低減して製造可能な接合電界効果トランジスタなどを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide: a semiconductor wafer allowing a compound semiconductor layer to be thickly formed on a substrate, and capable of reducing parasitic capacitance generated in a buffer region; a semiconductor element; and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

基板上に化合物半導体層を厚く形成することができ、バッファ領域内に生じる寄生容量を低減することができる半導体ウェーハ、半導体素子、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing aluminum electrode foil for an electrolytic capacitor, which is hardly influenced by reactant gas generated by electrolysis and can stably control a current density and has a large capacitance and can reduce the variation.例文帳に追加

電解によって発生する反応ガスによる影響が少なく、安定した電流密度制御ができ、静電容量大で、バラツキを小さくできる電解コンデンサ用アルミニウム電極箔の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor memory element capable of securing misalignment margin in contact hole formation in an active area even on a high integrated memory element and decreasing junction capacitance and leak current.例文帳に追加

高集積メモリ素子でも活性領域におけるコンタクトホール形成時のミスアラインマージンを確保でき、かつ接合キャパシタンス及び漏れ電流を減少させることができる半導体メモリ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an image processing apparatus, image processing method and image processing program in which image data are compressed less than or equal to fixed capacitance while reducing the effect of image quality deterioration and data transfer or recording can be performed.例文帳に追加

画質の劣化の影響を小さくして、画像データを一定容量以下に圧縮してデータ転送や記録を行なうことができる画像処理装置、画像処理方法及び画像処理プログラムを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a reduced parasitic capacitance between its wiring layers and sidewall insulation films of the wiring layers in which contact holes can be formed easily, and to provide manufacturing method therefor.例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法に関し、配線層間の寄生容量を低減し、また、コンタクトホールの形成が容易な配線層の側壁絶縁膜を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a porous metal thin film, having a large surface area and effective for the improvement of a capacitor or the static capacitance of the capacitor or effective for obtaining high performance of a catalyst electrode, and to provide a manufacturing method thereof as well as the capacitor.例文帳に追加

大きな表面積を有し、コンデンサやキャパシタの静電容量の向上や、あるいは触媒電極の高性能化に有効な多孔質金属薄膜およびその製造方法、ならびにコンデンサの提供。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device capable of reducing the number of masks to simplify fabrication process and, at the same time, capable of increasing capacitance of a storage capacitor without adding a mask process, and to provide a method for fabricating the liquid crystal display device.例文帳に追加

マスク数を減少させて製造工程を単純化すると共に、マスク工程を追加することなくストレージキャパシタの容量を増加させた液晶表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a piezoelectric oscillator which can be used as not only a piezoelectric oscillator but also a piezoelectric resonator, can reduce its manufacturing cost, and can reduce unwanted parasitic capacitance, and to provide a method of manufacturing the piezoelectric oscillator.例文帳に追加

圧電発振器のみならず圧電振動子としても兼用でき、製造コストを抑えることができ、不要な寄生容量を低減することができる圧電発振器および圧電発振器の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which the parasitic capacitance is reduced between the collector region and the semiconductor substrate by a simplified process using a low-cost semiconductor substrate.例文帳に追加

製造工程を簡素化しつつ安価な半導体基板を用いて、コレクタ領域と半導体基板との間に寄生するコレクタ基板容量を低減することができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a device and a method for controlling supply of current and capacitance to a compressor capable of preventing excessive current from flowing to the main winding of the compressor at the start.例文帳に追加

圧縮機の始動時、その圧縮機の主巻線に過電流が流れることを防止することのできる圧縮機への電流及び静電容量の供給を制御する装置並びに方法を提供すること。 - 特許庁

A method of evaluating a component for a printing ink includes the steps of distributed processing a composition for a printing ink including carbon black, thereafter measuring a capacitance of the composition of a printing ink during aging, and calculating the rate of a change of the measured value, and a method of manufacturing the printing ink including the evaluating method is also provided.例文帳に追加

カーボンブラック含む印刷インキ用組成物を分散処理した後、エージングする際に、該印刷インキ用組成物の静電容量を測定し、その測定値の変化率を算出することを特徴とする、印刷インキ用組成物の評価方法、該評価方法を有する印刷インキの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for fabricating a semiconductor device where an MOS transistor having a gate insulating film 15b and a capacitance element 17 having a capacitance insulating film 15a are formed on a semiconductor substrate 11, an isolation region 12 is formed on the semiconductor substrate 11 and then a lower electrode 13 of silicon having impurity concentration of about 1×10^19 cm^-3 or above is formed on the isolation region 12.例文帳に追加

半導体基板１１に、ゲート絶縁膜１５ｂを有するＭＯＳトランジスタと、容量絶縁膜１５ａを有する容量素子１７とを形成する半導体装置の製造方法は、半導体基板１１に素子分離領域１２を形成した後、素子分離領域１２上に、不純物濃度が約１×１０^19ｃｍ^-3以上のシリコンからなる下部電極１３を形成する。 - 特許庁

The layout method of semiconductor integrated circuit is constituted for conducting (ST31) layout/wiring process, extracting (ST33) a resistance value, a capacitance value, and an allowable current value of signal wire from layout data obtained by the layout/wiring process, and calculating (ST37) signal electromigration of the signal wire from the resistance value, capacitance value, and allowable current value obtained (ST34).例文帳に追加

半導体集積回路のレイアウト方法であって、配置・配線処理を行い（ＳＴ３１）、該配置・配線処理により得られたレイアウトデータから信号配線の抵抗値、容量値および許容電流値を抽出し（ＳＴ３３）、該抽出した該抵抗値，該容量値および該許容電流値（ＳＴ３４）から、前記信号配線のシグナルエレクトロマイグレーションを計算する（ＳＴ３７）ように構成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a capacitance element made of high dielectric oxide having a perovskite structure, a capacitance element made of nitride and a resistance element made of high-resistive metallic material are integrated on the same compound semiconductor substrate, and to provide a method for manufacturing the same, wherein characteristics of the elements are not deteriorated and a process cost can be reduced.例文帳に追加

特に、ペロブスカイト構造の高誘電体酸化物による容量素子と窒化物による容量素子と高抵抗金属材料による抵抗素子とを同一化合物半導体基板上に集積化した半導体装置およびその製造方法に関し、素子の特性を損ねることなく、プロセスコストの低減を可能とする半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a recording apparatus, a recording method and a program for generating display data for graphically displaying a recording status including a recordable time corresponding to the remaining recording capacity resulting from subtracting recorded capacitance where contents has been already recorded and reserved recording capacity required for recording reserved contents from all recording capacitance at least.例文帳に追加

少なくとも、全記録容量から、コンテンツが既に記録されている記録済容量、および予約されているコンテンツを記録するために必要とされる予約記録容量を減算した残り記録容量に対応する記録可能時間を含む記録状態を図表示するための表示データを生成することができる記録装置および記録方法ならびにプログラムを提供する。 - 特許庁

To obtain a dielectric film having film strength for allowing increase of capacitance by making the pitch of an internal terminal larger than the pitch of an external terminal, and a high particle filling degree, as for a method of manufacturing the dielectric film, a method of manufacturing a decoupling capacitor, and the decoupling capacitor.例文帳に追加

誘電体膜の製造方法、デカップリングキャパシタの製造方法及びデカップリングキャパシタに関し、内部端子のピッチを外部端子のピッチより大きくして容量をより大きくすることを可能にする膜強度を有する粒子充填度の高い誘電体膜を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein it is possible to form a trench wiring by a dual damascene method, capacitance of an etching stopper film is reduced, and deterioration of adhesion of an insulating film which is to be caused by the etching stopper film is prevented, and a manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

デュアルダマシン法により溝配線を形成することが可能であり、エッチングストッパ膜の電気容量が低減された、或いはエッチングストッパ膜に起因する絶縁膜の密着性の低下が防止された半導体装置および半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing niobium powder of low oxygen content for capacitor by which a capacitor having increased capacitance per unit mass, decreased leakage current and reduced fluctuation can be obtained and also to provide a method for manufacturing a sintered compact using the niobium powder and a capacitor using the sintered compact.例文帳に追加

単位質量あたりの容量が大きく、漏れ電流が小さく、さらにバラツキの少ないコンデンサを提供しうる、酸素含有量の少ないコンデンサ用ニオブ粉、それを用いた焼結体およびその焼結体を用いたコンデンサの製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device having a bypass capacitor of the structure in which a sufficient capacitance can be obtained, the risk of a fracture is very small and the increases of a manufacturing process, and a cost are very low; and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

十分な容量を得ることができ、破壊の危険性が非常に小さく、製造工程及びコストの増加も非常に小さい構造のバイパスコンデンサを備えた半導体集積回路装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The tantalum oxide film having the capacitance of a range 0.004 F/m^2 or more, electric field strength in a range -1.25 - +1.25 MV/cm, and only the leak current of 1×10^-8 A/cm^2 or less, and the manufacturing method thereof are provided.例文帳に追加

０．００４Ｆ／ｍ^２以上の範囲のキャパシタンスを有しおよび電界強度−１．２５〜＋１．２５ＭＶ／ｃｍの範囲１×１０^−８Ａ／ｃｍ^２以下のリーク電流しか示さないタンタル酸化物膜およびその製法。 - 特許庁

To provide: a positive electrode active material high in safety, having high discharge capacitance even at high operating voltage, and excellent in charge/discharge cycle characteristics; a method for producing the positive electrode active material; and a nonaqueous electrolyte secondary battery including the positive electrode active material.例文帳に追加

全性が高く、高い作動電圧においても高い放電容量を持ち、かつ充放電サイクル特性に優れた正極活物質、その製造方法、及び該正極活物質を含む非水電解質二次電池を提供する。 - 特許庁

To provide an electrooptical device capable of suppressing generation of parasitic capacitance at an intersection part of a scanning electrode and a signal electrode and enhancing display characteristics, to provide a manufacturing method of the electrooptical device and to provide an electronic device.例文帳に追加

走査電極と信号電極との交差部で寄生容量が発生するのを抑制でき、表示特性を向上することができる電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器を提供すること。 - 特許庁

To provide a method which compensates the input capacitance of an element which is connected to a live electric bus line and to which power is not fed and prevents energy flow out from a bus line which may cause an error signal next and to provide a voltage bias circuit.例文帳に追加

活電バスラインに接続された、電力が供給されていない素子の入力キャパシタンスを補償し、次にエラー信号を引き起こすであろうバスライン上のエネルギー流出を避ける方法及び電圧バイアス回路の提供。 - 特許庁

To provide a ferroelectric storage device, wherein the deterioration in the ferroelectric capacitance element after silicon nitride film or silicon oxide nitride film is formed is restrained, storage holding characteristic is satisfactory, and the reliability of data rewrite service life is high, and a manufacturing method of the device.例文帳に追加

シリコン窒化膜またはシリコン酸窒化膜形成後の強誘電体容量素子の劣化を抑制し、記憶保持特性が良好でデータ書き換え寿命の信頼性の高い強誘電体メモリ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method which can form an inter-power-source capacitance without needing a new space, and improve the noise resistance or high frequency characteristics of power lines without increasing the pads.例文帳に追加

新たなスペースを割くことなく電源間容量を形成することで、パッドを増やすことなく電源線のノイズ耐性や高周波特性を向上させることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a laminated type piezoelectric resonator from which a desired capacitance is obtained without the need for the design change in an outer size of the laminated type piezoelectric resonator and a mother board to generate a base and to obtain its characteristic adjustment method.例文帳に追加

積層型圧電共振子の外形寸法や、基体を作製するためのマザー基板の設計変更を行うことなく、所望の容量を得ることができる積層型圧電共振子およびその特性調整方法を得る。 - 特許庁

To provide a method for detecting deterioration of engine oil in which deterioration of oil can be detected accurately at all times based on the capacitance even when the oil temperature is varied without requiring the need for using new oil as a reference medium.例文帳に追加

測新品オイルを基準媒体として用いる必要がなく、しかもオイル温度が変化した場合でも、オイルの静電容量に基づく劣化検知を常に正確に行なうことができるエンジンオイル劣化検知方法を提供する。 - 特許庁

To provide a capacitor-embedded printed circuit board that can minimize deviations in contact area between a second electrode and a dielectric layer, so that ultimately, errors in capacitance may be reduced; and to provide a method thereof.例文帳に追加

本発明は、第２電極の誘電層に接する面積の偏差を最小化することができ、結果的に、キャパシタの静電容量の誤差を減らすことができるキャパシタ内蔵型の印刷回路基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve the manufacturing yield of a liquid crystal display device by providing a liquid crystal display device having structure which facilitates rectifying of a display defect due to the defect of an auxiliary capacitance and its defect rectifying method.例文帳に追加

補助容量の欠陥に起因する表示欠陥の修正が容易な構造を備える液晶表示装置およびその欠陥修正方法を提供することにより、液晶表示装置の製造歩留まりを向上する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device having less bright spot defects, a large auxiliary capacitance and a large aperture ratio in each pixel and suppressing display failure such as crosstalk and flicker, and to provide a method for manufacturing the device.例文帳に追加

輝点欠陥が少なく、補助容量が大きく、しかも画素ごとの開口率が大きく、クロストークやフリッカ等の表示不良を良好に抑えることができる液晶表示装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a narrow frame touch input sheet in which a narrow frame transparent conductive film pattern is suitable to a two-layer capacitance type touch sensor, a laminated narrow frame touch input sheet and a method for manufacturing a narrow frame touch input sheet.例文帳に追加

狭額縁で透明導電膜パターンが二層の静電容量式のタッチセンサーに適する狭額縁タッチ入力シート、積層狭額縁タッチ入力シート及び狭額縁タッチ入力シートの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a capacitor capable of increasing capacitance density, simplifying a manufacturing process, improving high frequency characteristics, and improving the versatility of a dielectric material without requiring pattern formation on a nano scale, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ナノスケールのパターン形成を必要とせずに、容量密度の向上，製造プロセスの簡略化，高周波特性の向上，誘電体材料の汎用性の向上を図ることができるコンデンサ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and device for detecting a ground fault current which enable high accuracy and easy calculation of the ground fault current caused by a deterioration of a ground insulation resistance, even when a ground capacitance of a distribution system is unbalanced.例文帳に追加

配電系統の対地静電容量がアンバランスの場合にも、対地絶縁抵抗の劣化に起因する地絡電流を高精度かつ容易に算出可能とした地絡電流検出方法及び検出装置を提供する。 - 特許庁

To provide a touch sensor and touch detection method which are capable of detecting change in the electrostatic capacitance caused by a human body approaching or contacting, and reducing high-frequency noise radiated to the outside.例文帳に追加

人体の近接又は接触による静電容量の変化を簡易な構成と制御により検出することができ、外部へ放射される高周波ノイズを低減することが可能なタッチセンサ及びタッチ検出方法を提供する。 - 特許庁

To provide an improvement of the productivity, and a reduction of the product of multiplication of the on-resistance and a junction capacitance between the drain-to-source using a simple configuration, in a semiconductor device forming a horizontal MISFET and the method for producing the same.例文帳に追加

横型のＭＩＳＦＥＴを形成して成る半導体装置およびその製造方法において、簡単な構成により、生産性の向上、およびオン抵抗とドレインソース間の接合静電容量の積の低減を図る。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a solid electrolytic capacitor, capable of increasing capacitance while keeping leakage current small, by preventing a problem wherein a sintered body element is chemically formed up to the inside of a sintered body element from tending to occur.例文帳に追加

本発明は、焼結体素子が内部まで化成される問題が生じにくくすることにより、漏れ電流を小さく維持しつつ、容量を増加することが可能な固体電解コンデンサの製造方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a metal wiring for a semiconductor device, which reduces the loading capacitance between the bit lines positioned in odd-numbered (odd) columns and even-numbered (even) columns, and prevents generation of bit line bridges where the bit lines come into contact with each other, and also to provide a method for forming the same.例文帳に追加

奇数番(odd)の列と偶数番(even)の列に位置するビット線間のローディングキャパシタンスを減少させ、ビット線どうしが接触するビットラインブリッジの発生を防止できる半導体素子の金属配線とその形成を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing floating capacitance and capable of achieving high speed and low power consumption by forming an element on a GaAs layer formed above a cavity in a GaAs device, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ＧａＡｓデバイスにおいて、空洞上に浮遊するＧａＡｓ層に素子形成を行うことにより、浮遊容量を抑え、高速化・低電力化を図ることが可能な半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device and a method for manufacturing the same, in which the capacitance of an auxiliary capacitor electrode is increased without reducing the aperture ratio of each pixel and which is suitable to achieve a relatively small pixel area and high definition.例文帳に追加

画素ごとの開口率を減少させることなく補助容量電極の容量を増大させた、比較的小さな画素面積ないしは高精細化に好適な液晶表示装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device and a semiconductor capable of reducing a product cost by decreasing a capacitance area and a chip area by holding a capacity per unit area high.例文帳に追加

本発明は、単位面積当たりの容量を高く保て、キャパシタンス面積およびチップ面積の縮小を図れ、製品コストの低減を図ることができる半導体装置および半導体製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a porous carbon material for a non-aqueous electric double layer capacitor which has high capacitance per volume of an electrode and low expansion of volume in charging, and a manufacturing method thereof and the non-aqueous electric double layer capacitor.例文帳に追加

電極の体積当たりの静電容量が高く、かつ充電時の体積膨張の低い、非水系電気二重層キャパシタ用多孔質炭素材料およびその製造方法ならびに非水系電気二重層キャパシタを提供する。 - 特許庁