「capacitance method」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

The silicon nitride films 27 are formed by being deposited on an upper surface of a conductive film to be formed into the upper driving electrodes 23 and the upper capacitance electrode 25 in a continuous process by a CVD method, and, thereafter, by being patterned by a RIE method.例文帳に追加

シリコン窒化膜２７は、上部駆動電極２３及び上部容量電極２５となる導電膜の上面に、連続した工程としてＣＶＤ法により堆積され、その後、ＲＩＥ法でパターニングして形成されたものである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solid electrolytic capacitor capable of enhancing the electrostatic capacitance and reducing a leakage current in the method of manufacturing the solid electrolytic capacitor having a dielectric layer of which the surface is processed with a solution of an organic solvent.例文帳に追加

有機溶剤の溶液で誘電体層の表面を処理する固体電解コンデンサの製造方法において、静電容量を高め、漏れ電流を小さくすることができる固体電解コンデンサの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a capacitance element which is formed by forming an upper electrode on a lower electrode via a dielectric film, wherein the method allows manufacturing the semiconductor device with high precision and reducing manufacturing processes.例文帳に追加

下部電極上に誘電体膜を介して上部電極が形成されてなる容量素子を有する半導体装置の製造方法であって、高精度に製造することができ、且つ製造工程の簡略化を図る。 - 特許庁

To provide a thin-film magnetic head wiring member capable of measuring electric characteristics without increasing parasitic capacitance and parasitic inductance at a high frequency, an HGA, an HGA inspection method, and an HGA manufacturing method.例文帳に追加

高周波における寄生容量及び寄生インダクタンスを増大させることなく、電気的特性を測定することが可能な薄膜磁気ヘッド用配線部材、ＨＧＡ、ＨＧＡの検査方法及びＨＧＡの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing the anode foil of an aluminum electrolytic capacitor for middle and high voltages, which increases productivity and capable of obtaining a significantly big surface area to increase the capacitance while the cost of the method is lower than that of a conventional one.例文帳に追加

生産性が向上し、従来に比べ、安価ながら、きわめて大きな表面積が得られて静電容量を高めることができる、中高圧向けのアルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device with which a dielectric film for forming a capacity element can be prevented from being left as an etching residue in the edge part of a wiring pattern for other non-capacitance elements and the yield of the semiconductor device be improved, in the method for a semiconductor device in which transistors such as bipolar transistors, MOS transistors, etc., and capacitance elements coexist for example.例文帳に追加

たとえば、バイポーラトランジスタ、ＭＯＳトランジスタ等の種々のトランジスタと容量素子が混在する半導体装置の製造方法において、容量素子を形成するための誘電膜が他の非容量素子の配線パターンのエッジ部にエッチング残渣として残ることを確実に防止でき、半導体装置の歩留りを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin-film forming method which improves the productivity compared with a masking method or a conventional capacitor, by using an ambient-pressure plasma treating process that has advantages in a cost and productivity of the apparatus, and to provide a method for manufacturing a thin-film multilayered capacitor with a low profile and a large capacitance by using the same.例文帳に追加

装置のコスト面、生産面から有利な大気圧プラズマ処理法を用い、マスク法や従来のコンデンサに比べ、より生産性の向上が可能な、薄膜形成方法とそれを用いた薄型大容量の薄膜積層コンデンサの製造方法を提案する。 - 特許庁

To provide a method of correcting a heat transfer coefficient profile of an electrostatic chuck by setting surface density of a mesa configuration of an insulating layer of the chuck, a method of adjusting height of the mesa configuration of an insulating layer of the chuck, or a method of correcting a capacitance profile of the electrostatic chuck.例文帳に追加

チャックの絶縁層のメサ構成の面密度を設定することによって静電チャックの熱伝達係数プロフィルを修正する方法や、チャックの絶縁層のメサ構成の高さを調節する方法、または静電チャックの静電容量プロフィルを修正する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a film by MOCVD method of a PZT capacitance comprising various superior ferroelectric characteristics on an Ru lower electrode which is easy to etch and to specify an Ru-PZT interface structure obtained by the method so as to be applied to a ferroelectric memory device.例文帳に追加

本発明は、エッチングがし易いＲｕ下部電極上において優れた強誘電体諸特性をもつＰＺＴ容量のＭＯＣＶＤ法による成膜方法を示すと共に、これによって得られるＲｕとＰＺＴ界面構造を特定し、かつ強誘電体メモリデバイスに適用する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a capacitor, a capacitance film is formed by the atomic layer depositing method by using organic raw materials containing one or two or more metallic elements selected from a group constituted of Zr, Hf, La and Y as film formation gas.例文帳に追加

本発明のキャパシタの製造方法において、容量膜は、Ｚｒ、Ｈｆ、ＬａおよびＹからなる群から選択される一または二以上の金属元素を含む有機原料を成膜ガスとして原子堆積法により成膜される。 - 特許庁

To provide a design method of a semiconductor device, which can reduce the manufacturing cost of a semiconductor device and realize high speed of a circuit readily by reducing a wiring capacitance, and a manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造コストを低減することができるとともに、配線容量を低減することにより、回路の高速化を容易に図ることができる半導体装置の設計方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The active carbon, obtained by a method wherein a material pitch having specified properties is processed through heat treatment by a specified method and activating treatment is applied thereafter, shows high electrostatic capacitance, is well stabilized and high in reproducibility as the material of the electric double layer capacitor electrode.例文帳に追加

特定性状を有する原料ピッチを特定の方法により熱処理したのち賦活処理することによって得られる活性炭が、電気二重層キャパシタ電極材料として再現性良く安定して高い静電容量を示す。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a multilayer wiring board with built-in capacitor improved in the accuracy of the capacitance of a capacitor by preventing a pattern form of a dielectric material in a manufacturing method of a multilayer wiring board with built-in capacitor.例文帳に追加

キャパシタ内蔵多層配線基板の製造方法において、誘電材のパターン形状のバラツキを防止させ、膜厚精度を向上させて、キャパシタ容量の精度を向上させた、キャパシタ内蔵多層配線基板の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

In the method for manufacturing a capacitor, a capacitance film is formed by an atomic layer depositing method by using organic raw materials containing one or two or more metallic elements selected from a group constituted of Zr, Hf, La and Y as film formation gas.例文帳に追加

本発明のキャパシタの製造方法において、容量膜は、Ｚｒ、Ｈｆ、ＬａおよびＹからなる群から選択される一または二以上の金属元素を含む有機原料を成膜ガスとして原子堆積法により成膜される。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a thin film pattern and a method for fabricating a flat panel display device using the same that are adaptive for forming an organic material pattern having step coverage by not using a photolithography process to control a capacitance value of a capacitor.例文帳に追加

本発明は、フォト工程を使用しないで、段差を有する有機物パターンを形成することによって、キャパシタの容量が調節できる薄膜パターンの製造方法及びこれを用いる平板表示素子の製造方法に関する。 - 特許庁

To provide a high frequency semiconductor device where a distance between a substrate on which a device is formed and an inductor can be sufficiently kept and where a parasitic capacitance can be minimized, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

素子の形成された基板とインダクタとの距離を充分に取ることができ、寄生キャパシタンスを最小化することが可能な高周波半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide technology by which a signal is supplied by using self-measuring method and a sense amplifier is turned on, and multi-memory cells in a duplication column have approximately the same capacitance as a reference bit line.例文帳に追加

自己計測方法を使って信号を供給し、センス増幅器をオンにする技術を取り入れ、重複列内の多数メモリセルを標準ビット線と略同等なキャパシタンスにする技術を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method which can suppress a short channel effect by a halo region, and also can suppress the generation of a junction leak current and an increase of a junction capacitance.例文帳に追加

ハロー領域により短チャネル効果を抑制し、且つ接合リーク電流の発生や接合容量の増加を抑制することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A butterfly-shaped capacitance method type angle detector capable of detecting angle up to ±15 degrees approximately is used, and for reducing the inertia moment of the rotational mirror, a reflection material is vapor-deposited on a lightweight base material.例文帳に追加

±15度程度まで角度検出できるバタフライ型の静電容量方式の角度検出器を用いるとともに、回転ミラーの慣性モーメントの低下を図るため、軽量母材に反射材を蒸着した。 - 特許庁

Under this drive method, each of the element having different emitting area can be driven in an optimal condition by adjusting the capacitance of the capacitor or the like and the time for switching to the constant-current driving.例文帳に追加

この駆動方法では、コンデンサ等の容量と定電流駆動に切り替える時間とを調整することにより、発光面積の異なる素子の各々に最適な条件で駆動することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a process margin is improved while maintaining insulation characteristics between a bit line and a strage node contact, a process is simplified and capacitance is enhanced, and its manufacturing method.例文帳に追加

ビットラインとストレージノードコンタクトとの間の絶縁特性を維持しながら工程マージンを向上させ、工程を単純化し、キャパシタンスを向上させられる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing wiring board including a built-in capacitor for improving accuracy of capacitor capacitance by reducing variation in film thickness of a dielectric material, and enabling high dielectric constant and highly sophisticated functions of the dielectric material.例文帳に追加

誘電体の膜厚のバラツキを低減しキャパシタ容量の精度を向上し、誘電体の高誘電率化や高機能化を可能とするキャパシタ内蔵プリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an image forming device and a driving method thereof for decreasing a gradation expression error caused by capacitance between adjacent lines and forming an image faithful to an input video signal.例文帳に追加

隣接する配線間の静電容量に起因する階調表現の誤差を軽減し、入力映像信号に忠実な画像を形成する画像形成装置及びその駆動方法の提供。 - 特許庁

To provide a measuring method reduced in the fluctuations of a capacitance measured value due to pressure load when the green compact is held between a pair of flat plate electrodes and capable of measuring the real specific dielectric constant of the green compact.例文帳に追加

圧粉体を一対の平板電極で挟持する際の加圧荷重によるキャパシタンス測定値の変動が少なく、圧粉体の真の比誘電率を測定することのできる測定方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the well resistance value of a well formed below an insulator is uniform and side face capacitance near the side face of the insulator is small, and its manufacturing method.例文帳に追加

絶縁物の下方に形成されたウエルのウエル抵抗値が均一であり、この絶縁物の側面近傍における側面容量が小さい半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a circuit board designing method and designing support device, in which the capacitance value and mounting position of a bypass capacitor are optimized in a high frequency area of GHz order or more.例文帳に追加

ＧＨｚオーダーまたはそれ以上の高周波領域において、バイパスコンデンサの容量値および実装位置を最適化できる回路基板の設計方法および設計支援装置を提供する。 - 特許庁

To provide a capacitance type electromechanical converter that can improve the reliability of bonding of a partition wall defining the outer periphery of an air gap and a diaphragm, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

空隙部の外周を画する隔壁部と振動板との接合の信頼性を向上させることが可能な静電容量型電気機械変換装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a wiring board which is easily downsized, and also easily connects a capacitor of capacitance corresponding to each of a plurality of electrodes of electronic components, and also to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

小型化が容易であり、電子部品の複数の電極のそれぞれに対応した静電容量のコンデンサを接続させることも容易な配線基板、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a layout designing device that can make parasitic capacitance, generated between internal wiring and a power supply terminal of a functional macro, small; and to provide a layout designing method for a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

機能マクロの内部配線と電源端子との間に生じる寄生容量を小さくすることができる半導体集積回路のレイアウト設計装置及びレイアウト設計方法を提供する。 - 特許庁

To provide a negative electrode with a multilayer structure, capable of materializing high battery capacitance while maintaining high charge and discharge efficiency and satisfactory cycle characteristics in a lithium secondary battery, and to provide a simple method of manufacturing the negative electrode.例文帳に追加

リチウム二次電池において、高い充放電効率と良好なサイクル特性を維持しつつ、高い電池容量を実現する、多層構造の負極とその簡便な製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus suppressing an image defect caused by lacking a capability for resetting a potential of a capacitance element to a reference potential, and to provide a driving method of the solid-state imaging apparatus.例文帳に追加

容量素子の電位を基準電位にリセットする能力が不足することで生じる画像不良を抑制する固体撮像装置およびその駆動方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device capable of making a defective pixel to be a normal pixel by correcting easily the leakage defect between a drain electrode and an auxiliary capacitance electrode and a source wiring and its defect correcting method.例文帳に追加

補助容量電極及びソース配線とドレイン電極とのリーク欠陥を容易に修正して正常絵素化を図り得る液晶表示装置及びその欠陥修正方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor substrate which can keep a sufficient auxiliary capacitance and can improve the light shielding property of a thin film transistor, and to provide its manufacturing method and a liquid crystal display apparatus.例文帳に追加

十分な補助容量を確保し、かつ、薄膜トランジスタの遮光性を向上させることができる薄膜トランジスタ基板およびその製造方法並びに液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide an MEMS switch capable of securing desired contact pressure with less power consumption while reducing parasitic capacitance between a movable contact and a stationary contact, and its manufacturing method.例文帳に追加

可動接点と両固定接点との間の寄生容量を低減しつつ、より低消費電力で所望の接圧を確保することが可能なＭＥＭＳスイッチおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

This automatic exposure controlling method uses parasitic capacitance combination between radiation sensors (130, 133, 143, 145) in the array of an imaging panel (118) and its corresponding data 134, 140.例文帳に追加

本発明の自動露出制御法では、イメージング・パネル（１１８）のアレイ内の放射線センサ（１３０、１３３、１４３、１４５）とその対応するデータ線（１３４、１４０）と間の寄生容量結合を用いる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for a solid-state imaging device, and so on, that has less parasitic capacitance for attaining high performance and a method for manufacturing the semiconductor device, and to provide an electric apparatus, such as a camera that has the solid-state imaging device.例文帳に追加

寄生容量を低減し、高性能化を図った固体撮像装置等の半導体装置とその製造方法、前記固体撮像装置を備えたカメラ等の電子機器を提供するものである。 - 特許庁

To provide a medium-sized to small-sized liquid crystal display device which allows to display an image, has a size equal to or smaller than that of a notebook and allows increase in the aperture ratio and capacitance, and to provide a method for producing the apparatus.例文帳に追加

画像を具現することができ、ノートブックサイズ以下の大きさを持ち、開口率及び静電容量を高めることができる中小型液晶表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a decoding method for an encoding system having a trellis structure and a conjugate encoding system with a parity check code in which computational complexity/memory capacitance is suppressed while improving a bit error rate.例文帳に追加

ビット誤り率の改善を図りながら、計算量・メモリ量を抑制したトレリス構造を有する符合化方式とパリティ検査符合による連接符号化方式の復号方法を提供する。 - 特許庁

To produce an electrolytic foil free from piercing tunnel-shaped pits reducing mechanical strength and increased in capacitance as possible, to provide a method for producing the same and to provide an electrolytic capacitor using the foil as electrode foil.例文帳に追加

機械的強度を低減させる貫通トンネル状ピットがなく、かつ静電容量を可能な限り大きくした電解箔、その製造方法及びその箔を電極箔とする電解コンデンサーの提供。 - 特許庁

To provide an automatic wiring method of a semiconductor integrated circuit which can restrain the increase of wiring capacitance and wiring delay time when a long wiring exists.例文帳に追加

配線長の長い配線があっても配線容量の増加を抑えることができ、配線遅延時間の増大を抑制することが可能な半導体集積回路の自動配線方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory transistor having a structure using an island-shaped semiconductor and a nonvolatile semiconductor memory manufacturing method which can increase capacitance between a floating gate and a control gate.例文帳に追加

浮遊ゲートと制御ゲート間の容量を大きくすることができる、島状半導体を用いた構造を持つ不揮発性半導体メモリトランジスタ、および、不揮発性半導体メモリの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide active carbon which is industrially easily manufactured and exerts an excellent durability and a stably high capacitance as an electric double-layer capacitor electrode material, and its manufacturing method.例文帳に追加

電気二重層キャパシタ電極材料として、耐久性に優れ、安定的に高い静電容量を発現することができる、工業的にも容易に製造可能な活性炭とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of reducing interference capacitance between gates which adjoin to each other by forming a space between the gates with an air layer having a low dielectric ratio.例文帳に追加

ゲートとゲート間の空間を誘電率の低い空気層で形成し、お互い隣接したゲートとゲート間の干渉キャパシタンスを減少させるための半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a capacitor for which an attempt can be made to improve its capacitance density despite its compactness, to improve selectivity of electrode metal and dielectric material, and to simplify its manufacturing process, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

小型でありながら、容量密度の向上，電極金属及び誘電体材料の選択性の向上，製造プロセスの簡略化を図ることができるコンデンサ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a polarizable electrode for a capacitor, which can increase the capacitance of a capacitor, because the density of fine carbon powder contained in the electrode can be increased.例文帳に追加

分極性電極中における炭素微粉の密度を向上させることができるため、キャパシタの高容量化に寄与することができるキャパシタ用分極性電極の製造方法を提供する。 - 特許庁