「capacitance method」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a capacitor used for a wiring circuit board, which is downsized and provides a stable output in spite of a high capacitance as designed and to provide a capacitor built-in wiring circuit board wherein a degree of design freedom of capacitor layout is enhanced, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

配線回路基板に用いるキャパシタにおいて、小型化でその大容量で安定した出力のキャパシタを形成することにより、キャパシタの配置の設計自由度が多くなり、設計値通りの容量となるキャパシタ及びそのキャパシタ内蔵配線回路基板及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a piezoelectric vibrator that can transmit an ultrasonic wave with a high electromechanical coupling coefficient k_33 and a high static capacitance and receive an ultrasonic wave with a frequency higher than that at transmission and a high electromechanical coupling coefficient k_33 and to provide a method for transmitting/receiving an ultrasonic wave by utilizing the characteristics of the piezoelectric vibrator.例文帳に追加

高い電気機械結合係数ｋ_33と高い静電容量で超音波を送波でき、かつ送波時の周波数より高い周波数で超音波を高い電気機械結合係数ｋ_33で受波できる圧電振動子を提供し、かつ、その圧電振動子の特性を生かした超音波の送受波方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrostatic protective element and its manufacturing method reducing static capacitance by a thick film element formed on an insulating substrate by a simple configuration, and capable of carrying out a sufficient electrostatic countermeasure without the variation of performance and without applying an influence to communication quality even in a high frequency band necessary for high speed communication.例文帳に追加

簡単な構成で、絶縁基板上に形成した厚膜素子により低静電容量化するとともに、性能のばらつきがなく、高速通信に必要な高周波帯域でも通信品質に影響を与えることなく十分な静電対策が可能な静電気保護素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device and a manufacturing method therefor wherein especially a high definition liquid crystal display device is improved in an aperture ratio and has high reliability; a delay in charging a storage capacitance electrode and variance of the electric capacity are suppressed; and moreover, the device is simplified in structure and can be manufactured at low costs and a good yield.例文帳に追加

特に高精細液晶表示装置において開口率が向上し、高い信頼性を有し、蓄積容量電極における充電の遅延及びその静電容量のバラツキが抑制され、しかも構造が簡単で低コストで歩留まりよく製造できる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor device, a shortest width 11 which is present in the top surface of its lower electrode 6 has a value such that the effect of the dishing caused by a CMP method falls within the tolerance range, and other widths which are present in the top surface of its lower electrode 6 have lengths such that they can realize the planar area, capable of holding required capacitance value.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、下部電極６の上面における最短幅１１がＣＭＰ法によるディッシングの影響が許容範囲内となる値を有しており、下部電極６の上面における他の幅は、必要な容量値を保持可能な平面積を実現する長さを有している。 - 特許庁

In this cylindrical storage node formation method for the semiconductor device, the loss difference of the cylindrical storage node 26 between the center and edge of the cell area generated by the etch-back process for the separation of the storage node 26 is minimized and fixed electric capacitance is maintained over the entire area of a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体装置のシリンダ型ストレージノード形成方法は、ストレージノード２６分離のためのエッチバック工程によって生成するセル領域の中心及びエッジ間のシリンダ型ストレージノード２６の損失差異を最小化して、半導体ウェーハの全体領域上で一定な電気的キャパシタンスを維持する。 - 特許庁

To achieve a positive electrode plate for nonaqueous electrolyte secondary battery which has high capacitance (highly filled) and high electron conductivity, and is strong by solving the problem that high efficient charging/discharging characteristics and cycle characteristics decrease when a conductive agent and a binder are reduced for high capacity of battery, in the case of manufacturing the positive electrode plate by a conventional method.例文帳に追加

従来方法で正極板を製造した場合、電池の高容量化のため導電剤や結着剤を減らすと、高効率充放電特性やサイクル特性が低下するという課題を解決し、高容量（高充填）で且つ、高電子伝導性および強固な非水電解液二次電池用正極板を実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with an MIM capacitor capable of utilizing a wiring region directly under the MIM capacitor as a wiring, and capable of preventing the number of wiring layers and an IC chip area from increasing, in the spatially constituted MIM capacitor capable of raising a capacitance density, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

容量密度を高めることが可能な、立体構造のＭＩＭキャパシタにおいてＭＩＭキャパシタ直下の配線領域が配線として利用でき、配線層数の増大や、ＩＣチップ面積の増大を防ぐことのできるＭＩＭキャパシタを備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electronic component module in which soldering places can be reduced and the handling of minute components can be avoided and which can individually measure an electric characteristic such as a capacitance value of a capacitor and a resistance value and is suitable to be used in a nonreversible circuit element and to provide a nonreversible circuit element using the electronic component module and its manufacturing method.例文帳に追加

はんだ付け個所が削減でき、微小部品の取り扱いが回避でき、しかもコンデンサの容量値や抵抗値等の電気的特性を個別に測定できる、非可逆回路素子に用いて好適な電子部品モジュール、それを用いた非可逆回路素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a storage node formation method for a semiconductor device capable of uniformly maintaining capacitor capacitance and improving the reliability of an element by minimizing the loss difference of a conductive film at the center part and peripheral part of a cell area generated by an etch- back process at the time of separation of a storage node 26.例文帳に追加

ストレージノード２６の分離時にエッチバック工程によって発生するセル領域の中央部と周辺部の導電膜が損失差異を最小化させることによって、キャパシタ容量を均一に維持でき、素子の信頼性を向上させることができる半導体装置のストレージノード形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a MOS type semiconductor integrated circuit device which integrates a MISFET element, a flash memory element, a capacitance element such as a polysilicon capacitor which use silicon nitride films formed in a hot wall type batch vacuum CVD furnace which prevents the generation of a foreign substance caused by the deformation and minute movement of a wafer.例文帳に追加

ウエハが変形し微妙な移動によって異物が発生を防止したホット・ウォール型のバッチ式減圧ＣＶＤ炉で成膜される窒化シリコン膜を使用したＭＩＳＦＥＴ素子、フラッシュ・メモリ素子、およびポリシリコン・キャパシタ等の容量素子等を集積したＭＯＳ型半導体集積回路装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a Li containing metal compound oxide excellent in stability of the crystal structure, stability for repeated use and long-term stability at high temperature and having high capacitance, and to provide a Li defective metal compound oxide, a method for manufacturing these oxides, a positive pole active material and a nonwater electrolyte secondary cell using these compounds.例文帳に追加

結晶構造安定性、サイクル安定性及び高温時の耐久安定性に優れ、更に高容量であるＬｉ含有金属複合酸化物、Ｌｉ欠損金属複合酸化物、これらの製造方法、正極活物質及びこれらを用いた非水電解質二次電池を提供すること。 - 特許庁

To provide a chip-type solid electrolytic capacitor, as well as, a manufacturing method therefor, capable of surely jointing a terminal board to an outer package resin part without causing damages on an insulating member, dispensing with the pasting operation of a heat resistance tape and deburring operation for reduced cost, and suppressing increase in the thickness of the insulating member for reduced size or increased capacitance.例文帳に追加

絶縁部材を損傷させず、端子基板と外装樹脂部の接合を確実にするとともに、耐熱テープ貼り作業及びバリ取り作業を不要とし、コスト削減が図れ、更に、絶縁部材の厚みを薄く抑え、小型化または大容量化が図れるチップ型固体電解コンデンサおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid drop ejection device and an ejection irregularity determining method for a liquid drop ejection head, capable of determining the ejection irregularity of the liquid drop ejection head and its cause on the basis of the result of subtraction obtained by subtracting from a reference value a pulse to be oscillated by a change in the capacitance of an actuator after liquid drop ejection operation.例文帳に追加

液滴吐出動作後におけるアクチュエータの静電容量の変化により発振するパルスを基準値から減算し、その減算結果に基づいて、液滴吐出ヘッドの吐出異常とその原因を判定することができる液滴吐出装置及び液滴吐出ヘッドの吐出異常判定方法を提供する。 - 特許庁

To provider a capacitance type environmental harmful gas sensor with excellent gas reaction profiles, such as high sensitivity, high selectivity, fast response speed, and long-term stability, to solve the problem that a manufacturing process is complex when the conventional oxide semiconductor gas sensor is manufactured, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

従来の酸化物半導体ガスセンサの製作時に、工程が複雑であるという問題を解決すると共に、高感度、高選択性、速い応答速度及び長期安定性のような優秀なガス反応特性を有する静電容量型環境有害ガスセンサ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a solid-state image sensing device which is enhanced in detection sensitivity by a method wherein a detection capacitance formed of a floating diffusion layer is decreased without varying an output electrode or a reset electrode in threshold value, and charge is trapped in a gate insulating film of ONO film when a device is charged while it is manufactured.例文帳に追加

製造中デバイスが帯電した場合、ゲート絶縁膜を構成するＯＮＯ膜中に電荷がトラップされ、出力電極やリセット電極のしきい値の変動が生じることなく、浮遊拡散層からなる検出容量が低減し、検出感度が向上する固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for improving the coupling capacitance between the microstrip line and the main body of microwave circuit board as for a directional coupler using a plurality of inverted microstrip lines and a microwave circuit board equipped with such a directional coupler.例文帳に追加

複数のインバーテッドマイクロストリップ線路を用いた方向性結合器において、インバーテッドマイクロストリップ線路とマイクロ波回路基板本体間での結合容量を改善する方法であり、また、この方向性結合器を備えるマイクロ波回路基板において、マイクロストリップ線路とマイクロ波回路基板本体間で大きな結合容量を得ること。 - 特許庁

The high speed output circuit, the high speed input circuit, and the method for changing swing width according to the present invention can increase and decrease the voltage swing width of the output signal and the input signal, and can reduce values of parasitic capacitance in an output node and an input node.例文帳に追加

本発明に係る高速出力回路、高速入力回路及び入出力信号のスイング幅の変更方法は、出力信号及び入力信号の電圧スイング幅を増加または減少させることができ、出力ノード及び入力ノードでの寄生キャパシタンスの値を減らし得るという長所がある。 - 特許庁

To solve a problem that an aluminum material after final annealing has an insufficient etching characteristic because a surface layer of the material is unevenly dissolved when the surface layer is dissolved by washing in a conventional manufacturing method of an aluminum material for an electrolytic capacitor, and to provide a method of manufacturing the aluminum material for the electrolytic capacitor that has an excellent etching characteristic and achieves high electrostatic capacitance.例文帳に追加

従来の電解コンデンサ用アルミニウム材の製造法において、アルミニウム材表面層を洗浄により溶解させる際に、アルミニウム材表層の溶け方が不均質であるため最終焼鈍後のアルミニウム材のエッチング特性が不十分であるという問題点を解決し、エッチング特性に優れ高静電容量を実現できる電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法等を提供する。 - 特許庁

To realize an image display device permitting to be increased in a screen size and image quality with low power consumption by eliminating an influence of parasitic capacitance produced in thin film display elements as mach as possible, and to realize a method for driving an image display device and thin film display elements, hardly influenced by noise and can display favorably with a relatively small driving signal.例文帳に追加

薄膜表示素子に生じる寄生容量の影響を極力取り除き、低消費電力で大画面、かつ高画質とすることの可能な画像表示装置を実現し、ノイズの影響を受け難く、比較的小さな駆動信号でも良好な表示を行うことな可能な画像表示装置および薄膜表示素子の駆動方法を実現する。 - 特許庁

To provide a printed circuit board comprising passive elements in the structure that moisture absorption of passive elements can be prevented, change in the capacitance value of passive elements resulting from moisture absorption can be controlled, and moisture absorbed by the comprised passive elements can be removed easily; and also to provide a method of manufacturing the same printed circuit board.例文帳に追加

本発明は受動素子を内蔵したプリント配線板において、受動素子の吸湿を防止し、吸湿に起因する受動素子の容量値の変化を抑え、また内蔵された受動素子が一旦吸収した湿気を容易に取り除くことができる構造の受動素子内蔵プリント配線板及びその製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To make it possible to carry out a precise measuring evaluation of a dielectric characteristic of a dielectric in a high frequency band in a minute thin-film capacitance element used for measuring the dielectric characteristic of the thin-film dielectric and a thin-film dielectric characteristic measuring evaluation method.例文帳に追加

薄膜誘電体の誘電特性測定に用いる微小薄膜キャパシタンス素子及び薄膜誘電特性測定評価方法であって、高周波数帯域における誘電体の誘電特性を高精度に測定評価することのできる微小薄膜キャパシタンス素子及びそれを用いた薄膜誘電特性測定評価方法を提供する。 - 特許庁

In this automatic layout and wiring method, when a semiconductor integrated circuit provided with a differential amplifier 1 comprising two terminals T1, T2 for differential inputs is laid out, a capacitor 2 having an electrostatic capacitance capable of transmitting noise component transmitted to one out of the two terminals to the other of the two terminals is formed at the inside of the semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

差動入力のための二つの端子を有する差動増幅器（１）を備えた半導体集積回路がレイアウトされるとき、上記二つの端子の一方に伝達されるノイズ成分を上記二つの端子のうちの他方に伝達可能な静電容量値を有するキャパシタ（２）を半導体集積回路の内部に形成する。 - 特許庁

To provide a capacitor for adjusting the desired capacity of a capacity for each circuit without changing the electrode area of the capacitor, due to design correction for possibly inviting fluctuation in the value of parasitic capacitance and without changing thermal oxidation conditions for changing the impurity profile of a device, and its manufacturing method.例文帳に追加

寄生容量の値の変動を招く恐れのある設計修正によるキャパシタの電極面積の変更を行うことなく、またデバイスの不純物プロファイルを変化させる熱酸化条件の変更を行うことなく、回路毎に所望のキャパシタの容量を調整することが可能なキャパシタ及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a sintering element for a solid electrolytic capacitor which is capable of improving voltage resistance of the solid electrolytic capacitor without enlarging an element size and without reducing electrostatic capacitance of the element, an anode element for the solid electrolytic capacitor, the solid electrolytic capacitor which improves voltage resistance using these elements, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

素子のサイズを大きくすることなく、かつ素子の静電容量の低下をもたらすことなく、固体電解コンデンサ素子の耐電圧を向上させることのできる固体電解コンデンサ用焼結素子、固体電解コンデンサ用陽極素子、これら素子を用いた耐電圧性に優れた固体電解コンデンサ、およびそれらの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a charged particle beam device capable of observing a sample surface by easily detecting potential contrast of the sample surface based on a capacitance difference of the sample by irradiating the sample with charged particles through a dielectric material, while the sample is arranged in the atmosphere; and to provide a sample observation method using the same.例文帳に追加

本発明は、試料を大気中に置きながらも、誘電体を介して荷電粒子を試料に照射することにより、その静電容量差から容易に試料表面の電位コントラストを検出し、試料表面の観測を可能とした荷電粒子線装置及びこれを用いた試料観測方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the capacitance type electromechanical conversion device includes: a step of forming an insulation layer 2 on a first silicon substrate 1 and forming at least one recessed part 3; a step of joining a second silicon substrate 5 on the insulation layer 2 by the fusion junction; and a step of thinning the second silicon substrate 5 and forming a silicon film 7.例文帳に追加

静電容量型電気機械変換装置の作製方法は、第一のシリコン基板１上に絶縁層２を形成し、少なくとも一つ以上の凹部３を形成する工程と、第二のシリコン基板５を絶縁層２上に溶融接合により接合する工程と、第二のシリコン基板５を薄化し、シリコン膜７を形成する工程を有する。 - 特許庁

To provide a method for producing a ceramic disc capacitor in which production process is simplified furthermore while suppressing the production cost by coating the surface of a ceramic body evenly with silver paste utilizing a roller in order to form an electrode and such characteristics as very large capacitance and high accuracy and reliability are attained.例文帳に追加

ローラを利用して、セラミック体の表面に万遍なく銀ペーストを塗布して電極を形成させることにより、製造工程がより簡単になると共に、製造コストもおさえることができ、更に、容量が非常に大きく、精度や信頼性が高いなどの特性を有する円板型セラミックコンデンサの電極製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve problems for device development of a silicon nanowire, concretely for example, solve an expansion problem of an electrode material of an electrochemical element, prevent peeling-off of the material, solve a problem of irreversible capacity, and provide an electrode of the electrochemical element large in battery capacity or capacitance, and a simple and convenient manufacturing method of these.例文帳に追加

シリコンナノワイヤーをデバイス展開するための課題を解決し、具体的には例えば、電気化学素子の電極材料の膨張課題を解決すると共に材料の剥がれを防止しかつ不可逆容量の課題を解決し、電池容量または静電容量が大きな電気化学素子の電極、及びそれらの簡便な製造方法を提供する。 - 特許庁

The method implements global routing for signals among blocks by using a global floor plan 50 that specifies the coordinates of region and macro-block and the net list 10 (S52), inserts a temporary repeater into the net list 10 on the basis of wiring capacitance and resistance 56 (S58), and layouts a cell based upon an insertion result of the temporary repeater (S62).例文帳に追加

リージョンやマクロブロックの座標値を規定した概略フロアプラン５０とネットリスト１０を使用してブロック間信号の概略配線を行い（Ｓ５２）、概略配線の結果得られる配線容量，抵抗５６に基づいてネットリスト１０に仮リピータを挿入し（Ｓ５８）、仮リピータ挿入の結果に基づいてセルの配置を行う（Ｓ６２）。 - 特許庁

To provide a capacitor manufacturing method, which can eliminate a creep phenomenon considered to be caused directly by an electric short circuit and makes a capacitor small-sized and large in capacitance even when the sizes of an anode body and an anode terminal become shorter in the manufacturing process of the capacitor, and to provide the capacitor.例文帳に追加

本発明は、コンデンサの製造工程中において陽極体と陽極端子との寸法がますます短くなった場合であっても、電気的短絡の直接原因であると考えられる這い上がり現象の発生を解消できるようになり、コンデンサの小型大容量化を図れるようになるコンデンサ製造方法及びコンデンサを提供することを課題とする。 - 特許庁

To make the area of a junction field-effect transistor small and small in parasitic capacitance and to actualize high efficiency and high performance for a semiconductor device, which has mixed mounting of a bipolar transistor and a junction field-effect transistor on a common semiconductor device, and its manufacturing method.例文帳に追加

バイポーラトランジスタと接合型電界効果トランジスタとが共通の半導体基板上に混載されている半導体装置及びその製造方法において、接合型電界効果トランジスタの小面積化、低寄生容量化を達成し、高密度化、高性能化を実現することができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a touch screen panel for preventing the decrease in sensitivity by removing a mask step for forming a connection pattern for connecting a first sensing pattern or a second sensing pattern formed on the same layer to the first sensing pattern and the second sensing pattern and by decreasing the parasitic capacitance at the intersection, and provide its manufacturing method.例文帳に追加

同一のレイヤー上に形成される第１感知パターンおよび第２感知パターンに対して前記第１または第２感知パターンを連結する連結パターン形成のためのマスク工程を除去するとともに、交差部の寄生キャパシタンスを低めてセンシング感度の低下を防止するタッチスクリーンパネルおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the electrostatic capacitance detecting type fingerprint reading sensor, the passivation film is formed into by accumulating silicone oxynitride a thick film by a PECVD method, a discharge layer is formed on the upper face of the passivation film, and a concentrated part of the electric field distribution is formed on one or two sets of discharge layers aligned in an opposed state out of discharge layers surrounding the four sides of the sensor electrodes.例文帳に追加

上記パシベーション膜はシリコンオキシナイトライドをＰＥＣＶＤ法により堆積させて膜厚に形成すると共に、パシベーション膜の上面に上記放電層を設け、更にセンサ電極の四辺を囲む放電層のうち対向状に並ぶ１又は２組の放電層に電界分布の集中部を形成するようにした静電気容量検知型指紋読取りセンサ。 - 特許庁

In a manufacturing method of a capacitance type touch panel 7 with a transparent conductive layer 2 on at least one face of a transparent substrate 1, comprising a heating step in the manufacturing process, a laminate partially including a configuration that has a coat 12 containing polyamide-imide resin and with a thickness of 30-120 nm on the surface of a transparent plastic film 11 is used as the transparent substrate 1.例文帳に追加

製造工程に加熱工程を含んでなる、透明基板１の少なくとも片面に透明導電層２を有してなる静電容量式タッチパネル７の製造方法において、前記透明基板１として、透明プラスチックフィルム１１の表面に、ポリアミドイミド樹脂を含有する厚みが３０〜１２０ｎｍの被膜１２を有する構成を一部に含む積層体、を用いる。 - 特許庁

To provide an electrode material for an aluminum electrolytic capacitor composed of at least on kind of a sintered body out of aluminum and an aluminum alloy, and eliminated in the need for etching, and its manufacturing method of the aluminum electrolytic capacitor which is secured in large capacitance even if particle sizes of the powder of aluminum and an aluminum alloy are small, and the thickness of the sintered body is large.例文帳に追加

アルミニウム及びアルミニウム合金の少なくとも１種の焼結体からなるエッチング処理が不要なアルミニウム電解コンデンサ用電極材及びその製造方法であって、アルミニウム及びアルミニウム合金の粉末の粒径が小さく、焼結体の厚みが大きい場合でも高い静電容量が確保されたアルミニウム電解コンデンサ用電極材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a relay apparatus, communication system and relay method which, when constituting the communication system that performs relay by transmitting/receiving data among the plurality of relay apparatus and transmitting the data so as to distribute the data from the relay apparatuses to a communication apparatus, enable a configuration to be simplified such as reducing storage capacitance of a memory provided in the relay apparatus.例文帳に追加

複数の中継装置間でデータを送受信し、各中継装置から通信装置へデータを分配するように送信することで中継する通信システムを構成する場合に、中継装置が備えるメモリの記憶容量を少なくすることが可能となるなど構成を簡素とすることができる中継装置、通信システム及び中継方法を提供する。 - 特許庁

Further, concerning the EMI analytic method of this invention, the unwanted radiation of the LSI on simulation is evaluated in real time by reflecting the power supply current calculation of gate level with the influence of decoupling caused by the resistance, capacitance and inductance of a power source and a ground and further, efficient EMI measures are enabled by supporting the specification of an EMI generating point.例文帳に追加

また、本発明のＥＭＩ解析手法は、電源及びグランドの抵抗、容量、インダクタンスによるデカップリングの影響をゲートレベルの電源電流計算に反映することで、シミュレーション上においてＬＳＩの不要輻射を現実的な時間で評価するとともに、さらには、ＥＭＩ発生個所の特定を支援することによる効率的なＥＭＩ対策を可能にするものである。 - 特許庁

The evaluation method comprises (a) a step for creating an approximation formula, showing the manufacturing variation as the function of a parameter σ, (b) a step for actually measuring the distribution of wiring resistance and capacitance, with respect to the wiring structure, and (c) a step for determining the parameter σ so that the distribution can be reproduced by the approximation formula with a predetermined probability.例文帳に追加

その評価方法は、（ａ）配線構造に関する配線抵抗・容量を、製造ばらつきを示すパラメータσの関数として表す近似式を作成するステップと、（ｂ）当該配線構造に関する配線抵抗・容量の分布を実測するステップと、（ｃ）上記近似式で上記分布が所定の確率で再現されるように上記パラメータσを決定するステップと、を有する。 - 特許庁

To produce a hydrogen storage alloy improved in the point at issue that hydrogen is hard to be discharged since the stability of a magnesium-rare earth series hydrogen storage alloy with hydrogen is too high and also combining both high electrode capacitance and long life characteristics so as to withstand repeated use of charging and discharging, to provide a method for producing the same and to provide a nickel-hydrogen secondary battery using the alloy.例文帳に追加

マグネシウム−希土類系水素吸蔵合金の水素との安定性が高すぎるために水素を放出しにくいという問題点を改善し、かつ高い電極容量と充放電の繰り返しの使用に耐える長寿命特性との両方を兼ね備えた水素吸蔵合金、その製造方法およびその合金を使用したニッケル水素二次電池を提供する。 - 特許庁

This method includes a step to operate an excimer or molecular fluorine laser system, a step to measure a temperature corresponding to a temperature of a magnetic compressor including at least one stage capacitor of the discharge circuit, and a step to calculate a corrected delay offset value including a delay dependence corresponding to a capacitance dependence of at least one stage capacitor on the measured temperature.例文帳に追加

前記エキシマー又は分子弗素レーザシステムを動作するステップと、前記放電回路の少なくとも１個の段キャパシタを含む磁気圧縮器の温度に対応する温度を測定するステップと、前記少なくとも１個の段キャパシタの前記測定された温度における容量依存性に対応する遅延依存性を含む補償遅延オフセット値を計算するステップとを含む。 - 特許庁

The method includes a stage for applying sine waves to the biosensor cell, a stage for changing the phase of signals that are obtained as a result, a stage for generating square waves in synchronization with the sine waves, a stage for demodulating a signal obtained as the result by square waves, and a stage for generating a signal that is proportional to the effective capacitance of the biosensor cell by filtering demodulated signals.例文帳に追加

本発明の方法は、正弦波をバイオセンサセルに印加する段階と、結果的に得られた信号の位相を変える段階と、正弦波と同期した方形波を発生させる段階と、上記結果的に得られた信号を方形波で復調する段階と、復調した信号を濾波してバイオセンサセルの有効キャパシタンスに比例した信号を生じさせる段階とを有する。 - 特許庁

To provide a simple matrix driving type display driving device capable of realizing a display device which is superior in response characteristic by quickly charging a junction capacitance or the like of a display element regardless of a driving current set to a relatively small current value and has a satisfactory display image quality and has a low power consumption and to provide a driving control method for the same.例文帳に追加

単純マトリクス駆動方式の表示駆動装置において、比較的小さな電流値に設定された駆動電流であっても、表示素子の接合容量等を迅速に充電して応答特性に優れ、かつ、表示画質が良好な低消費電力の表示装置を実現することができる表示駆動装置及びその駆動制御方法を提供する。 - 特許庁

A method for forming capacitance element includes a hydrogen terminating step of performing hydrogen terminating treatment for silicon on the surfaces of the HSG of a lower electrode after performing HSG producing treatment on the lower electrode, and a heat-treating step of performing heat treatment on the lower electrodes subjected to the hydrogen terminating step at a temperature between 600°C and 800°C in a heat treating furnace maintained in a silicon-nonreactive dopant gas atmosphere.例文帳に追加

本方法は、下部電極にＨＳＧ化処理を施した後、下部電極のＨＳＧ表面にシリコンの水素終端処理を施す水素終端処理ステップと、水素終端処理ステップを経た下部電極に、シリコンに対する非反応性のドーパントガス雰囲気の熱処理炉内で６００℃以上８００℃以下の温度範囲の温度で熱処理を施す熱処理ステップとを備えている。 - 特許庁

To provide an oxidant for producing an electroconductive polymer, which has a low viscosity and an appropriate polymerization rate, to provide a solid electrolytic capacitor which uses, as a solid electrolyte, an electroconductive polymer obtained by chemical polymerization using the oxidant for producing an electroconductive polymer, and which has excellent initial properties such as electrostatic capacitance or ESR and superior heat resistance, and to provide a method for manufacturing the solid electrolytic capacitor.例文帳に追加

本発明の目的は、粘度が低く、適切な重合速度を有する導電性高分子製造用酸化剤と、該導電性高分子製造用酸化剤を用いて化学重合させてなる導電性高分子を固体電解質とした、静電容量、ＥＳＲ等の初期特性及び耐熱性に優れる固体電解コンデンサ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁