「data cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(63ページ目) - Weblio英語例文検索

When identifying information is read, the output means 54 is controlled so as to output the identifying information along with the cell image; and, when the identifying information is not detected, the output means 54 is controlled so as to output the information related to the data display part captured by the second reading means 43 along with the cell image.例文帳に追加

そして、識別情報が読み取られた場合には、その識別情報を細胞画像とともに出力するように出力手段５４を制御し、識別情報が検出されなかった場合には、第二読み取り手段４３で撮像した情報表示部に関する情報を細胞画像とともに出力するように出力手段５４を制御する。 - 特許庁

An inflow amount controlling function 4021 of a source base station 40a controls the amount of inflow data from an RNC 50 to the source base station 40a by sending an inflow amount control signal indicating "inflow amount zero" to the RNC 50 at a timing earlier than a cell change timing Tc by a cell change waiting time tw.例文帳に追加

変更元の基地局４０ａの流入量制御機能４０２１は、セルチェンジのタイミングＴｃよりもセルチェンジ待ち時間ｔｗだけ早いタイミングで、ＲＮＣ５０に対して「流入量０」を示す流入量制御信号を送信することにより、ＲＮＣ５０から変更元の基地局４０ａへのデータ流入量を制御する。 - 特許庁

A fuel cell optimum operation pattern managing system 1 comprises a user management/distribution device 2 for contacting with a user, a data accumulating device 3 for accumulating user information, unit charge and its fluctuation of electricity bill and gas bill, and whether information, and an operation pattern predicting device 4 for predicting a future optimum operation pattern of the fuel cell system of users.例文帳に追加

ユーザとコンタクトをとるユーザ管理配信装置２と、ユーザ情報、電気料金及びガス料金単価とその変動、気象情報を蓄積するデータ蓄積装置３と、各ユーザの燃料電池システムの将来の最適運転パターンを予測する運転パターン予測装置４とにより燃料電池最適運転パターン管理システム１を構成する。 - 特許庁

A memory cell information generation part 2 acquires physical terminal coordinates, physical terminal names, logical terminal names and layout data of memory cells, and correspondingly identifies parasitic elements parasitizing the wiring of the memory cells and generates memory cell information including the physical terminal names and representing physical properties of and connection relationships between internal and parasitic elements of the memory cells.例文帳に追加

メモリセル情報生成部２は、メモリセルの物理端子座標、物理端子名および論理端子名とレイアウトデータを取得して、これらに基づいて、メモリセルの配線に寄生する寄生素子の特定と、物理端子名を含みメモリセルの内部の素子および寄生素子についての物性および接続関係を表わしたメモリセル情報の生成とを行なう。 - 特許庁

The occurrence of imprint can surely be detected by using a simpler and smaller scale circuit than the Sawyer-Tower circuit by providing a preserved temperature measuring circuit 3 for judging whether the imprint is caused in the ferroelectric memory cell of a memory cell section 2 or not based on data of accumulated stress caused by high temperature preservation of the ferroelectric memory device itself.例文帳に追加

強誘電体メモリデバイス自体の高温保存による累積ストレスのデータに基づいてメモリセル部２の強誘電体メモリセルにインプリントが発生しているか否かを判断する保存温度測定回路３を設けることにより、ソーヤタワー回路に比べ単純で規模の小さい回路を用いて、インプリントの発生を確実に検知することができる。 - 特許庁

A cell parameter calculation unit 8 calculates cell parameters of all cells in a problem area, specified in an object area to be optimized, for improving reception quality of the problem area based upon station information retrieved from a station information recording DB 22 and position coordinates of respective measurement points in the problem area recorded in a measurement data recording DB 21.例文帳に追加

セルパラメータ計算部８は最適化対象エリア内において特定された問題エリア内の全てのセルについて局情報記録ＤＢ２２から検索した局情報と測定データ記録ＤＢ２１に記録された問題エリアの各測定点の位置座標とに基づき、問題エリアにおける受信品質を向上させる各セルのセルパラメータを計算する。 - 特許庁

To provide a word line voltage regulation circuit that read-out margin can be sufficiently secured, erroneous reading of a cell is prevented, a noise can be reduced, operational reliability of an element can be improved by applying fixed voltage to a gate even when power source voltage is high voltage, when data are read out from a flash memory cell.例文帳に追加

フラッシュメモリセルを読み出すとき、高い電源電圧でもゲートに一定の電圧が印加されるようにすることで、読み出しマージンを十分確保することができてセルの誤判読を防止し、ノイズを減少させることができて素子の動作信頼性を向上させることができるワードライン電圧レギュレーション回路を提供すること。 - 特許庁

This semiconductor memory device includes a memory cell, a signal line in which a potential appears according to data read from the memory cell, and a sense amplifier for starting the potential amplification of the signal line in response to a potential detection circuit for outputting a detection signal, and the detection signal upon detection that the potential of the signal line exceeds a predetermined potential.例文帳に追加

半導体記憶装置は、メモリセルと、メモリセルから読み出すデータに応じた電位が現れる信号線と、信号線の電位が所定の電位を超えたことを検出すると検出信号を出力する電位検出回路と、検出信号に応答して信号線の電位の増幅を開始するセンスアンプを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The data encoded in an encoder 101 with a fixed image period as a reference are packeted in a packeting means 103, the time information of the image period in which the packet is encoded is added as a header in a packet header adding means 104 and it is made into a cell in a cell making means 105 and sent out from a transmission means 106 to a network 107.例文帳に追加

一定画像期間内を基準として符号化装置１０１で符号化されたデータを、パケット化手段１０３でパケット化し、パケットヘッダ付加手段１０４で該パケットが符号化された画像期間の時間情報をヘッダとして付加し、セル化手段１０５でセル化して、伝送手段１０６からネットワーク１０７に送出する。 - 特許庁

This nonvolatile memory includes: a phase-change memory cell array which includes a plurality of normal phase-change memory cells and a plurality of pseudo one time programmable (OTP) phase-change memory cells; a write driver which writes data into the normal and pseudo OTP phase-change memory cells of the phase-change memory cell array; and an OTP controller which selectively disables the write driver.例文帳に追加

本発明において、不揮発性メモリは複数のノーマル相変化メモリセルと複数の擬似ワンタイムプログラマブル（ＯＴＰ）相変化メモリセルとを含む相変化メモリセルアレイ、前記相変化メモリセルアレイの前記ノーマルと擬似ＯＴＰ相変化メモリセルにデータを書き込む書き込みドライバ、及び前記書き込みドライバを選択的にディセーブルするＯＴＰ制御器を含む。 - 特許庁

To provide a sense amplifier circuit in which read-out speed is high and power consumption is low by stabilizing a potential of a bit line and making to flow a second current being smaller than a first current in a bit line for a fixed time to read out data of a memory cell after making a first current to quickly flow through a memory cell connected to a bit line.例文帳に追加

ビット線に接続するメモリセルに対して第１の電流を急速に流した後に、ビット線の電位を安定化させてメモリセルのデータを読み出すために第１の電流より小さい第２の電流を一定時間ビット線に流すことにより、読み出し速度が高速でかつ消費電力が小さいセンスアンプ回路を提供する。 - 特許庁

By discriminating the contrast of every cell in the image data obtained by the camera part 511, the blocking state of each cell at the one end face 861 is recognized.例文帳に追加

そして、構造体本体８６の一方の端面８６１側から光照射手段５５により光を照射し、その光照射状態で構造体本体８６の他方の端面８６２をカメラ部５１１により撮像し、カメラ部５１１により得られた画像データにおけるセルごとの明暗を識別することにより一方の端面８６１における各セルの端部の閉塞状態を認識する。 - 特許庁

The line section signal detection circuit 15 detects a line selection signal S3 which shows that any line of a memory cell array 2 when data is written into a memory cell 1 corresponding to the writing request signal S1, and when the line selection signal detection circuit 15 detects the line selection signal S3, it outputs the response signal S4 corresponding to the writing request signal S1.例文帳に追加

行選択信号検出回路１５は、書き込む要求信号Ｓ１に応じてメモリセル１にデータを書き込む際に、メモリセルアレイ２の何れの行が選択されたことを示す行選択信号Ｓ３を検出し、これを検出したときに、書き込み要求信号Ｓ１に対応する応答信号Ｓ４を出力するように構成される。 - 特許庁

An information distribution server 7 inquires a data base 8 of distribution cell region identification and priority thereof based on a cell identifier and information content thereof contained in received contents (P2) once information distribution requests (P1) from a user (Terminal 1) preregistered as the information distribution source using CBS function are received through a base station 2 and RNC 6 (P3, P4).例文帳に追加

情報配信サーバ7は、CBS機能を用いた情報配信の発生元として予め登録されているユーザ（端末1）からの情報配信要求(P1)を基地局2およびRNC6経由で受信すると、受信内容(P2)に含まれている、ユーザ（端末1）が位置するセル識別子と情報内容から、配信セル領域の特定とその優先度をデータベース8に問い合わせる(P3,P4)。 - 特許庁

A circuit block of one bit is provided with a plurality of banks comprising memory cell arrays A00-Anm, column selectors C00-Cnm, sense amplifiers, and write-in driver sections R00-Rnm, each bit is provided with data input/output sections IO0-IOn.例文帳に追加

１ビット分の回路ブロックは、メモリセルアレイＡ００〜Ａｎｍ、カラムセレクタＣ００〜Ｃｎｍ、センスアンプ及び書き込みドライバ部Ｒ００〜Ｒｎｍを含むバンクを複数個備え、各ビットについてデータの入出力部ＩＯ０〜ＩＯｎが設けられている。 - 特許庁

To enable sharing a row decoder decoding an address of a bock being an object of write-in and erasure of data by a plurality of memory cell arrays, in a NAND type EEPROM.例文帳に追加

本発明は、ＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭにおいて、データの書き込みおよび消去の対象となるブロックのアドレスをデコードするロウデコーダを、複数のメモリセルアレイで共有できるようにすることを最も主要な特徴としている。 - 特許庁

In the liquid crystal supply system 100, an area inside a sealant 2 on a glass substrate 1 is first obtained with image data processing and subsequently the most suitable amount of the liquid crystal L to be dropped is calculated by multiplying the area by a cell gap.例文帳に追加

この液晶供給装置１００は、まず、ガラス基板１上のシール材２の内側の面積を画像処理により求め、続いて、この面積にセルギャップを乗じることで、液晶Ｌの最適な滴下量を計算する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory which permits high speed write-in cycle for a memory cell without requiring a standby time for shift decoding operation in accordance with a defective address is decided even if a data line shift system is used for relieving defect.例文帳に追加

不良救済にデータ線シフト方式を用いたとしても、不良アドレスに応じたシフトデコード動作が確定するまでの待ち時間を要することなく、メモリセルへの高速書き込みサイクルを可能にした半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

In a camera 10 for recording a photographed image on a recording medium such as a magnetic disk cartridge 20 in the form of electronic data, a solar battery 15 and another battery 14 such as a dry cell or a battery charger are provided as power sources.例文帳に追加

撮影した画像を電子データの形で磁気ディスクカートリッジ２０等の記録媒体に記録するカメラ１０において、電源として、太陽電池１５とそれ以外の乾電池や充電池等の別の電池１４とを設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit, by which the write/read of the data following an instruction from a CPU and the read for displaying a picture on a display panel are smoothly carried out while using a single port memory cell.例文帳に追加

１ポートメモリセルを使用しながら、ＣＰＵからの命令に従うデータの書込み／読出し動作と、表示パネルに画像を表示するためのデータの読出し動作とをスムーズに行うことができる半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

In a data section where there is no interference from the second cell, the first base station transmits a second desired signal to the terminal, and the relay station transmits interference information about the interference signal to the terminal.例文帳に追加

第２のセルからの干渉のないデータ区間において、第１の基地局から端末に対して、第２の所望信号を送信するとともに、中継局から端末に対し、干渉信号に関する干渉情報を送信する。 - 特許庁

To provide an ATM cell/packet switch that can easily reserve the frequency band of a normality confirming packet for a user data transfer channel, without affecting user's band, even in the case of in-bands and to provide a communication control method using the switch.例文帳に追加

インバンドでもユーザの帯域に影響を与えることなく、容易にユーザデータ転送路の正常性確認用パケットの帯域を確保することができるＡＴＭセル／パケットスイッチ及び該スイッチを用いた通信制御方法の提供。 - 特許庁

At that time, temperature data is input by remaining hot water amount detection means 103a-103e arranged on a hot water storage tank 101; and when the stopping conditions of the fuel cell is approached, the electric power generating capacity is changed into the electric generating capacity necessary for auxiliary driving.例文帳に追加

またその時、貯湯タンク１０１に配されている残湯量検出手段１０３ａ〜１０３ｅより温度データを入力し、燃料電池の停止条件が近づけば補機駆動に必要な発電量に変更する。 - 特許庁

In the case of carrying out handover, a main control section 14 acquires a current time from a real time clock 19 and the main control section 14 acquires an in-zone cell corresponding to the current time on the basis of handover history data stored in a RAM 16.例文帳に追加

ハンドオーバした時に、主制御部１４はリアルタイムクロック１９から現在時刻を取得し、主制御部１４はＲＡＭ１６に格納されたハンドオーバ履歴データから現在時刻に対応する在圏セルを取得する。 - 特許庁

To realize high speed read while suppressing increment of circuit scale by suppressing to lengthen a read time by repetition of read-out operation in a multi-level flash/EEPROM memory in which data of ternary or more levels is stored in one memory cell.例文帳に追加

１つのメモリーセルに３値以上のデータを記憶させる多値フラッシュ／ＥＥＰＲＯＭメモリーにおいて、読出し動作の繰り返しで読出し時間が長くなることを課題とし、回路規模増大を抑制しつつ高速読み出しを実現する。 - 特許庁

Binary bit addresses for detecting an error corresponding respectively to addresses indicating each bit of multi-level memory cells holding binary bits data are allotted so that each figure of two binary bits addresses corresponding to one memory cell is made exclusive.例文帳に追加

２ビットのデータを保持する多値のメモリセルの各ビットを示すアドレスにそれぞれ対応する誤り検出用の２進ビットアドレスが、１つのメモリセルに対応する２つの２進ビットアドレスの各桁が互いに排他的になるように割り当てられる。 - 特許庁

To provide a fuel battery system, a fuel battery cell degradation determination method and a fuel battery system control method which make it possible to determine the degradation of fuel battery cells with high accuracy while restricting the amount of data to be saved.例文帳に追加

保存するデータ量を抑制しつつ高い精度で燃料電池セルの劣化を判定することができる燃料電池システム、燃料電池セルの劣化判定方法、および燃料電池システムの制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a clamp circuit capable of reducing the read access time, minimizing the current loss and generating a stable word line voltage at the time of a data read operation of the memory cell of a semiconductor element, and a booster circuit using it.例文帳に追加

半導体素子のメモリセルのデータ読出動作時、読出アクセスタイムを減らし、電流損失を最小化し、安定したワードライン電圧を生成することが可能なクランプ回路及びこれを用いたブースト回路を提供すること。 - 特許庁

Transfer transistors TT0, TT1 of each memory cell connect a memory node of the data storage circuit to a corresponding bit line from among a plurality of bit lines BL, /BL in response to activation of a corresponding word line from among a plurality of word lines WLs.例文帳に追加

各メモリセルの転送トランジスタＴＴ０、ＴＴ１は、複数のワード線ＷＬのうち対応するワード線の活性化に応答して、データ記憶回路の記憶ノードを複数のビット線ＢＬ、／ＢＬのうち対応するビット線に接続する。 - 特許庁

Then, in a second step (S2), the memory check circuit 2 performs the memory check of a memory cell in a work area 42, and a processor 1 starts transferring system program data in a second nonvolatile memory 6 to the storage area 41.例文帳に追加

そして、第２ステップＳ２として、メモリチェック回路２により、ワーク領域４２のメモリセルについてメモリチェックを行うとともに、プロセッサ１により、第２不揮発性メモリ６内のシステムプログラムデータの、格納領域４１への転送を開始する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device in which a pixel electrode and a signal wiring are superimposed to impart a high aperture ration to the display device and data charging time of a liquid crystal pixel cell is shortened and to provide a method for fabricating the display device.例文帳に追加

画素電極と信号配線を重畳する高開口率の液晶表示素子において液晶画素セルのデータ充電時間を短くするようにした液晶表示素子及びその製造方法が提供する。 - 特許庁

Continually, to a request for read/write from outside, read/write operation is performed by a sense amplifier for read/write 9-1, and the data saved in the refreshing sense amplifier 9-2 is written back to the memory cell after finishing the operation.例文帳に追加

続いて、外部からの読み出し・書き込み要求に対しては、読み出し・書き込み用のセンスアンプ9-1で読み出し・書き込み動作を行い、その動作終了後にリフレッシュ用のセンスアンプ9-2内に退避しておいたデータをメモリセルへ書き戻す。 - 特許庁

The two-dimensional code is provided with a standard cell 100 having a predetermined shape, a plurality of square cells (106) constituting two-dimensionally arranged to configure code data, and a plurality of corner cells (104) having the same shape.例文帳に追加

本発明の２次元コードは、所定の形状を有する基準セル１００と、それぞれを２次元配置することでコードデータを構成する複数の方形セル１０６と、同一形状を有する複数のコーナーセル１０４とを備える。 - 特許庁

The parameter is a parameter of a kind affecting an operation life of the force measuring cell, and a sensor signal corresponding to the measured parameter of the atmospheric condition in the inner space is transmitted to a calculation unit and/or a data output device.例文帳に追加

前記パラメータは、力測定セルの動作寿命に影響を及ぼす種類のパラメータであり、内部空間の大気状態の測定パラメータに対応するセンサ信号が計算ユニットおよび／またはデータ出力デバイスに送信される。 - 特許庁

Write-in voltage Vpgm is applied to a control gate pf a selected memory transistor of the NAND cell, Vss is applied to a control gate of an adjacent non-selection memory transistor, and data is written by the selected memory transistor.例文帳に追加

ＮＡＮＤセルの選択されたメモリトランジスタの制御ゲートに書き込み電圧Ｖｐｇｍを印加し、その両隣の非選択メモリトランジスタの制御ゲートにＶｓｓを印加して、選択されたメモリトランジスタでデータ書き込みを行う。 - 特許庁

When address values that exceed the number of the word lines 3 are designated, the limiting circuit 8 outputs "1" from an unillustrated over output line through the control line 8 to inhibit the data control part 5 from accessing a memory cell in the memory array 2.例文帳に追加

ワード線３数を越えるアドレス値の指定があった場合に、リミッタ回路８が制御線８を介して、不図示なＯＶＥＲ出力線から「１」を出力し、データ制御部５のメモリアレイ２内のメモリセルへのアクセスを禁止する。 - 特許庁

Since the control terminal 113 is isolatedly disposed in a module in such a way that the terminal 113 is electrically independent from the outside connecting terminal of a data recording medium, the second memory cell array connected to the word lines Wi becomes a read-only area.例文帳に追加

この端子１１３はデータ記録メディアの外部接続端子とは電気的に独立に、モジュール内部に孤立するように配設することにより、このワード線Ｗｉと接続された第２のメモリセルアレイは、読取り専用領域となる。 - 特許庁

Any one of the management devices 30 of the energy storage units A1-A5 functions as a master management device 31 and transmits the state information and the measurement data about the battery cell 11 of the energy storage units A1-A5 to a high-order management system B.例文帳に追加

蓄電ユニットＡ１〜Ａ５の管理装置３０のうち何れか一つは、マスター管理装置３１として機能し、蓄電ユニットＡ１〜Ａ５の電池セル１１についての測定データ及び状態情報を上位管理システムＢに送信する。 - 特許庁

When a router 4 is connected between a PPPo network 3 and a user's personal computer (PC) 6, a web server 19 that is started on a virtual machine 17 in an IT cell 11 transmits data of a menu screen for selecting IT cells to the user's PC 6.例文帳に追加

ルータ４がＰＰＰｏＥ網３と顧客ＰＣ６との間に接続されたときに、ＩＴセル１１内の仮想マシン１７上で起動するＷｅｂサーバ１９が、ＩＴセル選択用メニュー画面のデータを顧客ＰＣ６に送信する。 - 特許庁

Layout data after installation of wirings is read by layout reading processing A1 and an up-sizing candidate table is created by sizing candidate table creating processing A2 using various libraries so that candidate values are arranged for every function cell in ascending order of gate areas.例文帳に追加

レイアウト読み込み処理Ａ１において、配線後のレイアウトデータを読み込み、サイジング候補テーブル作成処理Ａ２により、予め各種ライブラリから機能セル毎にゲート面積昇順になるようにアップ・サイジング候補テーブルを作成する。 - 特許庁

The image processing apparatus receives image data the each pixel of which has a prescribed gradation value, starts searching an initial pixel, and selects pixels configuring a cell until the total sum of the gradation values of pixels including the searched pixels reaches a prescribed threshold or over.例文帳に追加

各画素所定の階調値を有する画像データが入力され、初期画素から探索し、探索した画素を含めた画素の階調値の合計が所定の閾値以上になるまでセルを構成する画素の選択を行う。 - 特許庁

A Dlk gene especially useful for detecting MDS is identified by a BAckground-Matched Population screening(BAMP screening) method in order to detect data having truly biological meanings from the comparison of gene expression of two kinds of cell groups.例文帳に追加

２種の細胞集団における遺伝子発現の比較から真に生物学的に意味のあるデータを抽出するために、バックグラウンドがマッチした集団スクリーニング（BAMPスクリーニング）法により、特にMDSの検出に有用なDlk遺伝子を同定した。 - 特許庁

In a storage cell 100, a structure is installed, in which an inter-electrode substance layer 13 is clamped between an electrode 11 (first electrode) and an electrode 12 (second electrode), and data are stored by variation of resistance value between the electrode 11 and the electrode 12.例文帳に追加

記憶セル１００は、電極１１（第１電極）と電極１２（第２電極）との間に電極間物質層１３を挟持した構造を有し、電極１１と電極１２との間の抵抗値の変化によりデータを記憶する。 - 特許庁

In that case, one or plural column lines BL0, BL1, BLn which are not connected with the memory cell MC3 are controlled so as to be electrically insulated in a sense amplifier when reading or writing the data signal DA.例文帳に追加

その際、メモリセルＭＣ３とは接続されていない１つまたは複数の列ラインＢＬ０，ＢＬ１，ＢＬｎを、データ信号ＤＡの読み出しまたは書き込みにあたりそれがセンスアンプ３内で電気的に絶縁されるよう制御される。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory, a nonvolatile semiconductor memory system, a control method of a nonvolatile semiconductor memory, and a memory card by which high data reliability can be kept for miniaturization of a memory cell and fractionization of threshold voltage.例文帳に追加

メモリセルの微細化及び閾値電圧の細分化に対して高いデータ信頼性を維持することが可能な不揮発性半導体メモリ、不揮発性半導体メモリシステム、不揮発性半導体メモリの制御方法、及びメモリカードを提供する。 - 特許庁