「data cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(61ページ目) - Weblio英語例文検索

The memory cell is composed of the ferroelectric capacitor 30 which stores data by the deviation of the polarization of the ferroelectric film and a selection transistor 20 which is connected to the ferroelectric capacitor 30 in parallel.例文帳に追加

強誘電体膜の分極の偏位によってデータを記憶する強誘電体キャパシタ３０と、該強誘電体キャパシタ３０に並列に接続された選択トランジスタ２０とによってメモリセルが構成されている。 - 特許庁

A semiconductor memory device 100A is provided with memory cell arrays 10A, 10B, a data bus 40, a reference voltage generating circuit 72, a voltage drop circuit 73, a VPP generating circuit 76, a circuit group 77, and a test circuit 80.例文帳に追加

半導体記憶装置１００Ａは、メモリセルアレイ１０Ａ，１０Ｂと、データバス４０と、基準電圧発生回路７２と、電圧降圧回路７３と、ＶＰＰ発生回路７６と、回路群７７と、テスト回路８０とを備える。 - 特許庁

Then, the system controller 60 excludes all the cells in which audio data equivalent to the intermezzo part are included from the reproduction object and reproduces cells in a reproduction order based on a cell reproduction information table which is included in the PGCI.例文帳に追加

そして、システムコントローラ６０は、間奏部分のオーディオデータが含まれるセルを全て再生対象から除外して、ＰＧＣＩに含まれるセル再生情報テーブルに基づいた再生順序でセルを再生する。 - 特許庁

By reading out a copy of data stored in a memory cell accessed by a word line which has already been precharged, it is possible to satisfy the latency specification which does not tolerate a time required to precharge a second word line.例文帳に追加

既にプリチャージされたワードラインによってアクセスされたメモリセル上に格納されたデータのコピーを読み出すことにより、第２のワードラインをプリチャージするための時間を許容しないレイテンシ仕様を満たすことができる。 - 特許庁

To provide an non-volatile semiconductor storage provided with a test circuit which can test a memory cell for discriminating current and which can perform leak current screening of a bit line in a state in which data is not written.例文帳に追加

電流判定用メモリセルの試験が可能であり，かつ，データの書き込みが行われていない状態からのビットラインのリーク電流スクリーニングが可能なテスト回路を備えた不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide an STM/ATM conversion circuit capable of minimizing transfer delay by ATM cell assembling processing in an STM/ATM converting device by structured data transfer of ITU recommendation I.363.例文帳に追加

ＩＴＵ勧告Ｉ．３６３の構造化データ転送によるＳＴＭ／ＡＴＭ変換装置において、ＡＴＭセル組立て処理による転送遅延を最小にすることを可能にしたＳＴＭ／ＡＴＭ変換回路を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which does not require a nonvolatile memory for initialization setting of a control data to a register and does not require a selector or an aluminum master cell for selecting outputs of the register in order to substitute the nonvolatile memory.例文帳に追加

レジスタに対する制御データの初期設定に不揮発性メモリを要せず、不揮発性メモリを代替するためにレジスタの出力を選択するセレクタやアルミマスタセルを必要としない半導体装置を提供する。 - 特許庁

A station-side communication unit 101 assembles a data frame according to an ATM cell from subscriber-side communication units 1021 to 102n, learns the relationship between a source address and VP, VC for registering in an address management table.例文帳に追加

局側通信装置１０１は、加入者側通信装置１０２１〜１０２ｎからのＡＴＭセルからデータフレームを組み立て、その送信元アドレスと、ＶＰ、ＶＣとの関係を学習し、アドレス管理テーブルに登録する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device and an operation method thereof for reducing influence of variation in transistor characteristics, securing a margin for data writing operation, and stably operating a static memory cell at a low voltage.例文帳に追加

トランジスタ特性バラツキの影響を低減し、かつデータ書き込み動作マージンを確保するができ、スタティックメモリセルを低電圧で安定動作させることが可能な半導体記憶装置およびその動作方法を提供する。 - 特許庁

To neutralize an imprint phenomenon by automatically correcting and rewriting the data of a cell in which an imprint phenomenon occurs in a ferroelectric memory.例文帳に追加

本発明は、強誘電体メモリにおいて、インプリント現象が生じているセルのデータを自動的に訂正して再書き込みすることにより、インプリント現象を中和できるようにすることを最も主要な特徴としている。 - 特許庁

The read circuit decides data logic stored in the memory cell, based on the read voltage of the read node which varies with a current, flowing in the variable resistance element and the negative resistor circuit, according to the initial voltage.例文帳に追加

読み出し回路は、初期電圧に応じて可変抵抗素子および負性抵抗回路に流れる電流により変化する読み出しノードの読み出し電圧に基づいて、メモリセルに保持されているデータの論理を判定する。 - 特許庁

The step of generating the variable-capacitance cell layout data includes a step of laying out the control wires to set resistance per unit length in the same wiring layer equal to that of the signal wire.例文帳に追加

前記可変容量セルレイアウトデータを生成するステップは、前記制御配線を、同一配線層内で単位長あたりの抵抗が前記信号配線のそれと同じになるように、レイアウトするステップを含んでいる。 - 特許庁

A correction resistor 220 having the correction data (resistance value corresponding to a correction factor K) of the sensor output of the sensor element 10 is integrally provided to the sensor element 10 and electrically connected to a VS cell 245.例文帳に追加

センサ素子１０のセンサ出力の補正情報（補正係数Ｋに対応する抵抗値）をもった補正抵抗体２２０はセンサ素子１０と一体に設けられ、ＶＳセル２４５と電気的に接続されている。 - 特許庁

A positive voltage generation circuit 4 used for erasing and writing data in a memory cell is provided with a positive voltage charge pump circuit 200 which generates a voltage higher than a power supply voltage, and a decoupling capacitor CDEC1.例文帳に追加

メモリセルのデータ消去や、メモリセルへのデータ書込みの際に使用される正電圧発生回路４は、電源電圧より高い電圧を発生する正電圧チャージポンプ回路２００と、デカップル容量Ｃ_DEC1とを備える。 - 特許庁

To reduce power consumption by such a way that stored data of a memory cell is not transferred to the other memory, as to a semiconductor memory such as a cache memory incorporated in a microprocessor.例文帳に追加

マイクロプロセッサに搭載されるキャッシュメモリなどに適用して好適な半導体メモリに関し、メモリセルの記憶データの他のメモリへの転送という処理を要せず、低消費電力化を図ることができるようにする。 - 特許庁

METHOD FOR OFDM DATA TRANSMISSION IN SINGLE-FREQUENCY MULTI-CELL MOBILE NETWORK WITH CHANNEL ESTIMATION BY MEANS OF PILOTS OF PILOT SUBGRID, BASE TRANSCEIVER STATION, BASE STATION CONTROLLER, MOBILE TERMINAL AND MOBILE NETWORK THEREFOR例文帳に追加

パイロットサブグリッドのパイロットによるチャネル評価を行う単一周波数マルチセルモバイルネットワーク内でのＯＦＤＭデータ伝送の方法、ベーストランシーバステーション、基地局コントローラ、モバイル端末、およびそれらのためのモバイルネットワーク - 特許庁

A method, system and related technology for preparing test data for stem cell post-transplantation diagnosis are provided, each comprising the step of determining the chimerism of a main tissue-compatible gene conjugate.例文帳に追加

本発明は、主要組織適合遺伝子複合体のキメリズムを決定する工程を包含する、幹細胞移植における移植後診断のための検査データを生成する方法、システム、および関連技術に関する。 - 特許庁

Then logic synthesis is carried out (step 105) so as to obtain logic data 116 of gate level used for the layout by using the dummy cell closest to the correcting circuit according to the information obtained through the straight distance computation (step 104).例文帳に追加

次に、直線距離演算（ステップ１０４）で得られた情報に基づき、修正回路に最も近接したダミーセルを用いてレイアウトに使用するゲートレベルの論理データ１１６を得るように論理合成する（ステップ１０５）。 - 特許庁

On the basis of the respective taken creating conditions, a data description part DT where a plurality of cells are arranged in two dimensions is created, and white or black corresponding to the respective bit values of the card ID is written to each cell.例文帳に追加

そして、この取り込んだ各作成条件をもとに複数のセルを二次元配列したデータ記述部ＤＴを作成し、その各セルに上記カードＩＤの各ビット値に対応する白または黒を書き込む。 - 特許庁

The cell (10) comprises the ferromagnetic data layer (11), an intermediate layer (13) formed on the layer (11), and a soft ferromagnetic reference layer (17) on the intermediate layer (13) which is not pinned and which comprises a magnetization direction (M1).例文帳に追加

磁気メモリセル(10)は強磁性データ層(11)、その強磁性データ層(11)上に形成された中間層(13)、及び中間層(13)上に形成されたピン留めされない磁化の向き(M1)を有する軟らかい強磁性リファレンス層(17)を含む。 - 特許庁

The invention is especially useful with displays of less than optimum resolution such as television screens, cell phones, and personal data assistants where a user may have different preferred formats for different web sites.例文帳に追加

本発明は、ユーザが様々なウェブサイトに対し様々な好適なフォーマットを有し得るテレビジョン画面、携帯電話機、及び携帯情報端末といった最高条件の解像度ではないディスプレイにおいて特に有用である。 - 特許庁

To suppress variations in threshold caused by a plasma damage to a memory cell and a peripheral transistor at the time of dry etching of an EEPROM capable of electrically rewriting data.例文帳に追加

本発明は、データを電気的に書き換えることが可能なＥＥＰＲＯＭにおいて、ドライエッチングの際のメモリセルおよび周辺トランジスタに対するプラズマダメージに起因するしきい値のばらつきを抑制できるようにする。 - 特許庁

In a writing or erasing circuit, write or erase data are verified in parallel among memory cells groups altogether, and further writing or erasing in a correctly verified cell is selectively inhibited.例文帳に追加

書き込みもしくは消去回路において、一度にメモリセルのグループで並列に書き込みもしくは消去データのベリファイを行い、正しくベリファイされたセルへのさらなる書き込みもしくは消去を選択的に禁止する。 - 特許庁

Each memory cell has a pair of inverters INV3-4, the input/output of which are connected each other, and respectively hold complementary data on the storage nodes ND1-2 output from the inverters INV3-4.例文帳に追加

各メモリセルＭＣは、入力と出力とが互いに接続された一対のインバータＩＮＶ３−４を有し、インバータＩＮＶ３−４の出力である記憶ノードＮＤ１−２に相補のデータをそれぞれ保持する。 - 特許庁

To reduce influence of data loss due to latch up, and operations of parasitic bipolar components and snap back operations of MOSFETs being the phenomenon similar to them in a semiconductor integrated circuit device having a SRAM cell array.例文帳に追加

ＳＲＡＭセルアレイを有する半導体集積回路装置において、ラッチアップや、寄生バイポーラ素子の動作又はこれらと同様な現象であるＭＯＳＦＥＴのスナップバック動作によるデータ消失の影響を低減する。 - 特許庁

After inputting required data, flow analysis of each calculation cell of a mesh in a design area is performed at S102, a space differential value of force is calculated at S103, and an object surface mesh is corrected at S104.例文帳に追加

必要なデータの入力を行った後、Ｓ１０２で設計領域内のメッシュの各計算セルの流れ解析を行い、Ｓ１０３で力の空間微分値を演算し、Ｓ１０４で物体表面メッシュの修正を行う。 - 特許庁

The IC driver has a main read line MR which is shared by plural memory cells M11-Mn1 arranged along the line direction and transmits a display data read from a single memory cell sequentially selected in the line direction.例文帳に追加

列方向に沿って配列された複数のメモリセルＭ１１〜Ｍｎ１に共用され、列方向で順次選択される一つのメモリセルから読み出された表示データが伝送されるメイン読み出し線ＭＲを有する。 - 特許庁

The start address of a shared memory is stored in a link address storage place at the tail of a line transmission queue, and transmission cell data are fetched out from the head of the line transmission queue and are forwarded.例文帳に追加

そして、回線送信待ち行列の最後尾にあるリンクアドレス格納場所に、共有メモリの先頭アドレスを格納し、回線送信待ち行列の先頭から送信セルデータを取り出して転送を実行する。 - 特許庁

In the same way, when data in a DRAM cell 102 is outputted to a bit line BLN, a pre-charge circuit 105 is activated and a bit line BLT and referring potential line 10 of referring potential Vref are made into a conducting state.例文帳に追加

同様に、ＤＲＡＭセル１０２内のデータがビット線ＢＬＮに出力された場合は、プリチャージ回路１０５を活性化してビット線ＢＬＴと参照電位Ｖref の参照電位線１０とを導通する。 - 特許庁

An output part Z-SCAN stores signals G0 to G4 which are 1st to 4th satisfactory/unsatisfactory data showing that they are active/inactive, respectively, according to whether or not the associative memory cell groups of the 0th to 4th columns are satisfactory.例文帳に追加

出力部Ｚ−ＳＣＡＮは、第０列乃至第４列の連想メモリセル群の良／否に応じて活性／非活性をそれぞれ示す第０乃至第４の良否データである信号Ｇ０〜Ｇ４を記憶している。 - 特許庁

As a result, takeover data in the case of system changeover are reduced, a system changeover time is shortened, possibility to discard a cell because of time-over is reduced, and required capacity of an input/output buffer is decreased.例文帳に追加

その結果、系切り替え時の引継データが少なくなり、系切り替え時間が短縮され、タイムオーバによりセル廃棄が発生する可能性が低くなるとともに入出力バッファの必要量が少なくなる。 - 特許庁

When data are inputted into a prescribed cell, electrons are made to be generated from the dielectric protective layer 24 by making the excimer laser 30 operate, and the discharge is made to be initiated at an electric potential difference of a prescribed value by lowering discharge start voltage.例文帳に追加

所定のセルにデータを入力するとき、エキシマレーザ３０を動作させて誘電体保護層２４から電子を発生させて、放電開始電圧を下げて所定の値の電位差で放電を開始させる。 - 特許庁

Next, a source line is grounded by a source line transistor Q24, the bit line BL2 is connected to the column latches G3, G4, data in accordance with a threshold value of a memory cell are held in the column latches G3, G4, and write-verify operation is performed.例文帳に追加

次に、ソース線トランジスタＱ２４によりソース線を接地し、ビット線ＢＬ２とカラムラッチＧ３、Ｇ４とを接続し、メモリセルのしきい値に応じたデータがカラムラッチＧ３、Ｇ４に保持され、書込ベリファイ動作が実行される。 - 特許庁

A computer system receives such a CLLIB and circuit diagram data (net list) NLDAT, and carries out placement and routing, actual load extraction, and timing verification by using a cell layout (e.g. CL_BF[k]) which becomes an initial value.例文帳に追加

コンピュータシステムは、このようなＣＬＬＩＢと回路図データ（ネットリスト）ＮＬＤＡＴを入力として、初期値となるセルレイアウト（例えばＣＬ＿ＢＦ［ｋ］）を用いて配置配線、実負荷抽出、タイミング検証を行う。 - 特許庁

Figure 4(b) shows a display screen 60 indicating information on the inside of a living place in 2002/September 28/17:45 which has been transmitted from a master unit 40 in response to a request for data transmission from a cell phone 100.例文帳に追加

図４（ｂ）は、携帯電話１００からのデータ送信要求に応答して、親機４０から送信された２００２年９月２８日１７：４５の住居内の情報を示した表示画面６０である。 - 特許庁

In terminal interface parts 21a to 23a, data from terminals are received by terminal side line interfacing parts 211, then subsequently the cells made by cell assembling/disassembling parts 28a and directly transmitted to a priority control part 242a.例文帳に追加

端末インターフェース部２１ａ〜２３ａにおいて、端末からのデータは、端末側回線インタフェース部２１１で受信された後、セル組立/分解部２８ａでセル化され、優先制御部２４２ａに直接送信される。 - 特許庁

Since a graphic for evaluation is displayed on the surface of rotating machine 1, a communications device 2, such as camera-equipped cell-phones and the like, fixed at a separated position from the rotary machine 1 acquires the image data of the graphic for evaluation.例文帳に追加

回転機械１の表面には評価用図形が表示されており、回転機械１から離れた位置に固定されているカメラ付き携帯電話機等の通信装置２が評価用図形の画像データを取得する。 - 特許庁

This semiconductor memory device is provided with a memory cell array constituted by arranging a plurality of memory cells 1, each of which includes an anti-fuse element 11 on which data can be written by destroying a gate insulation film by high voltage.例文帳に追加

この半導体記憶装置は、ゲート絶縁膜を高電圧で破壊することによりデータ書き込みが可能なアンチヒューズ素子１１を含むメモリセル１を複数個配置して構成されるメモリセルアレイを備えている。 - 特許庁

An emitter gap 41 is formed in a forming manufacturing step to apply direct current voltage on a conductive membrane 40 in a cell forming sphere formed at an intersection of a scan electrode and a data electrode on a lower part substrate 80.例文帳に追加

下部基板８０上のスキャン電極とデータ電極との交点に形成されたセルの形成領域の、導電性薄膜４０に直流電圧を印加するフォーミング工程によりエミッタ間隙４１を形成する。 - 特許庁

An information conversion function 308 rewrites the VPI/VCI of the copied data and decides an output port based on the information 305 and a cell transfer function 309 transfers respective cells to each port.例文帳に追加

コピーされたデータは情報変換機能３０８において情報３０５をもとに、それぞれのデータのＶＰＩ／ＶＣＩの書き換えと出力ポートを決定し、セル転送機能３０９が各ポートへそれぞれのセルを転送する。 - 特許庁

In a data writing memory cell 101 of this AND type flash memory, a potential (a) is applied to a BG 105, a potential (e) is applied to CG 103, a potential (b) is applied to a source electrode 106, and a potential (c) is applied to a drain electrode 107.例文帳に追加

データ書込するメモリセル１０１は、ＢＧ１０５に電位ａが印加され、ＣＧ１０３に電位ｅが印加され、ソース電極１０６に電位ｂが印加され、ドレイン電極１０７に電位ｃが印加される。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display element and a method of manufacturing the same, which shorten data charging time of a liquid crystal picture element cell, in the liquid crystal display element of a high opening ratio superimposing a picture element electrode and signal wiring.例文帳に追加

画素電極と信号配線を重畳する高開口率の液晶表示素子において液晶画素セルのデータ充電時間を短くするようにした液晶表示素子及びその製造方法が提供する。 - 特許庁

To provide a display system that can make information of a selected cell easy to view and enables data in its circumference to sufficiently be confirmed when various pieces of music information is displayed in table form.例文帳に追加

各種の音楽情報を表形式で表示する際、選択したセルの情報を見やすくするとともに、その周辺のデータの確認を十分行うことができる表示方式を提供することを目的とする。 - 特許庁

To read data out from a memory cell while the voltage of an input terminal is kept at a reference voltage without gain reduction even under the condition that the voltage of the power supply is in a lower level, alternatively the reference voltage of the input terminal is in a higher level.例文帳に追加

利得低下がなく入力端を基準電圧に保ってメモリセルからデータを読み出すことを、電源電圧がより低い又は入力端の基準電圧がより高い条件でも実現する。 - 特許庁

When a terminal device 1d decides that the shaper value of an ATM cell from a server 1a does not agree with the bit rate of MPEG data to be reproduced, the device 1d notifies the server 1a of the shaper value to be changed.例文帳に追加

端末装置１ｄはサーバー１ａからのＡＴＭセルのシェーパー値が、再生するＭＰＥＧデータのビットレ−トに合致していないと判定すると、サーバー１ａに対し変更すべきシェーパー値を通知する。 - 特許庁