「data cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(65ページ目) - Weblio英語例文検索

This radio base station of a mobile data communication system includes: a storage device for storing a correspondence relationship between a date and a radio parameter; a control device for setting the ratio parameter on the date stored in the storage device; and a device for controlling radiation of radio waves from an antenna causing inter-cell interference with a cell of another radio base station in accordance with the radio parameter set by the control device.例文帳に追加

移動体通信システムの無線基地局は、日時と無線パラメータの対応関係を記憶する記憶装置と、記憶装置に記憶された日時に、無線パラメータを設定する制御装置と、制御装置により設定された無線パラメータに従って、他の無線基地局のセルとの間でセル間干渉を生じる、アンテナからの電波の発射を制御する装置とを有する。 - 特許庁

An MRAM device comprises: MTJ memory cells placed in a matrix; multiple bit lines corresponding to memory cell columns; multiple digit lines corresponding to memory cell rows; and a write current regulation part which regulates amperage of write current to be passed through the bit lines and/or the digit lines, for proper data write into each of the MTJ memory cells.例文帳に追加

ＭＲＡＭデバイスは、行列状に配置されたＭＴＪメモリセルと、メモリセル列に対応して配置される複数のビット線と、メモリセル行に対応して配置される複数のディジット線と、各ＭＴＪメモリセルに正常にデータ書込を行なうために、ビット線および／またはディジット線に流すべき書込電流の電流量を調整する書込電流調整部と備える。 - 特許庁

The rows of a table 11 consisting of the rows and columns is composed of a 1st cell (A column) specifying one of templates and one cell or more (B to D columns) specifying a character string (inserted data or deletion indication) to replace the insertion-indicated characters of the specified template.例文帳に追加

本発明は、固定文字列及びデータの挿入指示文字を定義した複数のテンプレートと、複数行及び複数列から構成される表データであって、その各行は、複数のテンプレートの内の１つを特定する１つのセルと、該特定されたテンプレートの挿入指示文字に置き換えられるべき文字列を特定した１つ以上のセルとから構成される表データとを備えている。 - 特許庁

In a nonvolatile semiconductor memory device in which each sector in the memory cell comprises a redundant region, continuous data in the sector are ordered in addresses, and access can be performed by specifying the address, the device has an address generating means generating the address so as to use the redundant region as substitution when the defective cell is caused in the sector.例文帳に追加

前記メモリセル内の各セクタは冗長領域を含み、前記セクタ内の連続するデータはアドレスに順序つけられており、前記アドレスを指定することによりアクセス可能な不揮発性半導体記憶装置において、前記セクタ内で欠陥セルが発生した場合に、代替として前記冗長領域を使うように、前記アドレスを発生するアドレス発生手段を有する。 - 特許庁

During a shift mode of a scanning test, selectors SEL1-SEL3 select the path of inputting an input signal for a test pattern of a macro cell 23 from data input terminals 41-43 and supplying it to the macro cell 23, and test signals for scan path inputted from scan input terminals 44 are supplied to registers FF1-FF6 for scan path arranged in a user logic circuit.例文帳に追加

スキャンテストのシフトモード時において、セレクタＳＥＬ１〜ＳＥＬ３は、データ入力端子４１〜４３からマクロセル２３のテストパターン用の入力信号を入力してマクロセル２３に供給するパスを選択すると共に、スキャン入力端子４４から入力されるスキャンパス用のテスト信号がユーザ論理回路中に配されるスキャンパス用レジスタＦＦ１〜ＦＦ６へ供給される。 - 特許庁

An area CCD 32 preliminarily reads a film image recorded on a photograph film 16, and a density in each LCD cell of an LCD 38 is calculated in the case of main-reading the film image so that an incident luminous quantity onto the area CCD 32 is larger to the utmost without causing saturation of stored charges in each photoelectric conversion cell on the basis of image data obtained through reading.例文帳に追加

写真フィルム16に記録されているフィルム画像をエリアＣＣＤ32によって予備的に読み取り、読み取りによって得られた画像データに基づいて、エリアＣＣＤ32への入射光量が、各光電変換セルで蓄積電荷の飽和が生ずることなくかつなるべく大きくなるように、フィルム画像の本読み取りを行う際のＬＣＤ38の各ＬＣＤセルの濃度を演算する。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor storage device according to one embodiment comprises a memory cell array including a NAND cell unit having a plurality of memory cells connected in series, in which control gates of the plurality of memory cells are connected to word lines, respectively; and a control circuit performing writing control for applying a prescribed writing voltage to the word lines and setting a threshold voltage in accordance with data.例文帳に追加

一の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、複数のメモリセルが直列接続されたＮＡＮＤセルユニットを有し、複数のメモリセルの制御ゲートがそれぞれワード線に接続されたメモリセルアレイと、ワード線に所定の書き込み電圧を印加してデータに応じたしきい値電圧を設定する書き込み制御を実行する制御回路とを備える。 - 特許庁

The mobile station includes a blank subframe electric power estimation unit which calculates interference noise electric power of a blank subframe where neither a reference signal nor a data signal is mapped, and an in-cell position estimation unit which estimates the position in the cell from the difference between the interference noise electric power calculated by the blank subframe electric power estimation unit and interference noise electric power found from the reference signal.例文帳に追加

移動局は、参照信号およびデータ信号のいずれもがマッピングされていないブランクサブフレームの干渉雑音電力を算出するブランクサブフレーム電力推定部と、前記ブランクサブフレーム電力推定部にて算出された干渉雑音電力と、参照信号から求めた干渉雑音電力との差から、セル内における位置を推定するセル内位置推定部と、を備える。 - 特許庁

The battery controller 3 or the cell controller is equipped with a communication speed detecting means 36 which detects the communication speed of data inputted from other controllers, and a reception timing correction means 37 which corrects the reception timing of the data inutted from the above other controllers, based on the communication speed detected by the communication speed detecting means.例文帳に追加

バッテリーコントローラ３若しくはセルコントローラは、他のコントローラから入力するデータの通信速度を検出する通信速度検出手段３６と、通信速度検出手段によって検出された通信速度に基づいて、前記他の制御装置から入力するデータの受信タイミングを補正する受信タイミング補正手段３７を備える。 - 特許庁

This regenerative medical treatment support system constituted of a network and a terminal and a storage device with the Internet as a nucleus is provided with a means for registering and managing medical treatment data, a means for registering and managing banking data and a means for registering and managing a cell adoption database, and configured to provide accurate cells, the number of cells and the acquired information of cells to a new patient.例文帳に追加

インターネットを中核としたネットワークと端末、記憶装置からなるシステムにおいて、治療データを登録管理する手段、バンキングデータを登録管理する手段、細胞採取データベースを登録管理する手段を供え、新規患者に対して、的確な細胞、細胞数、細胞の入手情報を提供する再生医療支援システム。 - 特許庁

The CPU 1 outputs, when overall floor planning of the circuit is performed by a user, an overall library 42 that is specification data for cells constituting the circuit, an overall net list 45 describing circuit information for the cells constituting the circuit on the gate level, the temporary floor planning data 47, and the cell list 44 for matching the simple net list 43 to the overall net list 45.例文帳に追加

ＣＰＵ１は、ユーザによって回路全体のフロアプランが行われるときに、回路を構成するセルの仕様データである全体ライブラリ４２と、回路を構成するセルの回路情報をゲートレベルで記述した全体ネットリスト４５と、仮フロアプランデータ４７と、簡易ネットリスト４３を全体ネットリスト４５に整合させるためのセルリスト４４とを出力する。 - 特許庁

A time-spatial adaptive signal processing part 27 computes a covariance matrix from data of the cell supposed to be formed only from an unnecessary wave, to acquire an adaptive weight, in a weight calculation circuit 271, and finally weight control is applied to an antenna reception signal by the adaptive weight, to be served as output data, in a beam synthesis circuit 272.例文帳に追加

時空間適応信号処理部２７は、ウェイト算出回路２７１において、不要波のみから形成されると想定されるセルのデータから共分散行列を演算して適応ウェイトを求め、最終的に、ビーム合成回路２７２において、適応ウェイトによりアンテナ受信信号にウェイト制御を施して出力データとする。 - 特許庁

Initial threshold voltage at which a memory cell 11 stored in a storage means 16 is in an initial state or in a state after erasure of data and threshold voltage after data is written by applying a pulse of which at least one of time width and a voltage value is smaller than a pulse for obtaining optimum threshold voltage outputted from a gate voltage applying means 14 are obtained and recorded by hardware processing.例文帳に追加

記憶手段１６に記憶させたメモリセル１１が初期状態又はデータ消去後の初期閾値電圧と、ゲート電圧印加手段１４から出力された最適な閾値電圧を得るためのパルスよりも時間幅及び電圧値の少なくとも一方が小さいパルスを印加してデータ書き込み後の閾値電圧と、をハードウェア処理により取得・記録する。 - 特許庁

A normal dielectric capacitor 24 storing data by electric charges at a DRAM mode and a ferroelectric capacitor 21 storing data by a non-volatile mode are arranged in parallel, one side nodes of them are connected by a common cell plate 4, the other side nodes are connected by a switching element 22, while the nodes and a bit line 5 are connected by a switch element 2.例文帳に追加

ＤＲＡＭモード時に電荷によってデータを記憶する常誘電体キャパシタ２４と不揮発モードでデータを記憶する強誘電体キャパシタ２１を並列に配し、それらの一方のノードを共通セルプレート４で接続し、もう一方のノード間をスイッチ素子２２で接続するとともにそのノードとビット線５とをスイッチ素子２で接続する。 - 特許庁

To provide a data rewriting method improving deterioration in write and erasing speed when continuously rewriting data of a cross point type memory cell array of a variable resistance element of which the electric resistance is varied by applying electric stress, control of a resistance value of the variable resistance element after write and erasure is facilitated, and high reliability can be attained.例文帳に追加

電気的ストレスの印加により電気抵抗が変化する可変抵抗素子のクロスポイント型メモリセルアレイのデータを連続的に書き換える場合の書き込み及び消去速度の劣化を改善し、書き込み及び消去後の可変抵抗素子の抵抗値の制御を容易化し、高い信頼性を実現可能なデータ書き換え方法を提供する。 - 特許庁

The output presentation device for presenting tabular form data as an output comprises: a tag-specifying section 2 for specifying each cell included in the tabular form data with a tag indicating display information, transition information, and content; and presenting sections 3, 4 for presenting the output in accordance with the tag indicating the display information, the transition information and the content.例文帳に追加

表形式のデータを出力として呈示する出力呈示装置であって、表形式のデータに含まれる各セルを、表示情報，遷移情報および内容を表すタグで指定するタグ指定部２と、表示情報，遷移情報および内容を表すタグに応じた出力を呈示する呈示部３，４とを有することにより上記課題を解決する。 - 特許庁

The raw material of each of members arranged in the game machine 3 and specification data according to JIS are collectively displayed in the machine 3 corresponding to the name of each member displayed on a name display unit 22a of a data display part 22 by a specification display part 22b of the part 22 printed on a cell picture sheet material 21.例文帳に追加

遊技機３に配設される各部材の原材料やＪＩＳ規格である各仕様データは、セル画シート材２１に印刷されたデータ表示部２２の仕様表示部２２ｂによって、データ表示部２２の名称表示部２２ａに表示された遊技盤３に配設される各部材の名称とそれぞれ対応つけられつつ、遊技盤３にまとめて表示される。 - 特許庁

In this refresh control method of a graphics memory provided with a memory cell array 50 which is separated into a frame buffer area 40 performing a screen refresh operation and a DRAM refresh data storage area 42 performing a DRAM refresh operation, the memory array of the DRAM refresh data storage area 42 other than the frame buffer area 40 is refreshed in accordance with a DRAM refresh control signal REF.例文帳に追加

スクリーンリフレッシュ動作を行うフレームバッファ領域４０とDRAMリフレッシュ動作を行うDRAMリフレッシュデータ貯蔵領域４２に分離されたメモリセルアレイ５０を具備したグラフィックメモリ装置のリフレッシュ制御方法であって、DRAMリフレッシュ制御信号ＲＥＦに応じてフレームバッファ領域４０を除いたDRAMリフレッシュデータ貯蔵領域４２のメモリセルアレイをリフレッシュする。 - 特許庁

On a test mode, each of the word lines WL0, WL1, ... is not selected, both of the dummy word lines DWL0, DWL1 are selected, data is read by mutual access to the reference cell 21 in a state in which one of reference voltages VREF0 and VREF1 is set to a level different from that during normal data reading.例文帳に追加

テストモードでは、ワード線ＷＬ０、ＷＬ１，…の各々は非選択とされる一方で、ダミーワード線ＤＷＬ０，ＤＷＬ１の両方が選択され、さらに、基準電圧ＶＲＥＦ０およびＶＲＥＦ１の一方を通常のデータ読出時とは異なるレベルに設定した状態でリファレンスセル２１同士へのアクセスによってデータを読出す。 - 特許庁

When it is in a burst mode, an address decoder 50 outputs internal address signals AN and ANB and block coding signals ANI-I and ANO-I, the data of plural memory cells connected to a same word lines W/L of memory cell blocks 61 to 64 are simultaneously read and a multiplexer 100, which is controlled by a decoding signal COS from a counter 40, successively outputs the data to the external.例文帳に追加

バーストモード時には、アドレスデコーダ５０が内部アドレス信号ＡＮ，ＡＮＢ及びブロックコーディング信号ＡＮＩ＿Ｉ，ＡＮＯ＿Ｉを出力することにより、メモリセルブロック６１〜６４の同じワードラインＷ／Ｌに接続する複数のメモリセルのデータが同時にリードされ、カウンタ４０からのデコーディング信号ＣＯＳにより制御されるマルチプレクサー１００により順次外部に出力される。 - 特許庁

To provide an image processing method, its program, and a digital camera by which correction on the assumption that a light quantity is reflected linearly in image data can be practiced with a high degree of accuracy, in the case of applying various corrections to the image data in which the light quantity incident on each cell of area image sensors is reflected linearly.例文帳に追加

エリアイメージセンサの各セルに入射した光の光量が線形に反映されている画像情報に種々の補正を行う場合において、光量が画像情報に線形に反映されていることを前提とする補正を精度良く行うことが可能な画像処理方法、ディジタルカメラ及び画像処理プログラムを提供する。 - 特許庁

A data holding characteristic is improved by providing a non- volatile memory group 40 for reference of which a characteristic is inferior to a non-volatile memory in a memory cell array, and rewriting data accumulated in a non-volatile memory by a control circuit 44 based on a referred result of the non-volatile memory group 40 for reference.例文帳に追加

メモリセルアレイ内の不揮発性メモリ（７）に比して特性の劣る参照用の不揮発性メモリ群（４０）を設けて、前記参照用の不揮発性メモリ群（４０）の参照結果に基づいて、制御回路（４４）により前記不揮発性メモリ（７）に蓄積されたデータを再書き込みすることで、データ保持特性の向上を図るものである。 - 特許庁

In an addressing period, a display cell which belongs to each odd display line is set to a state (lighting on or off mode) corresponding to a pixel data, by applying a scanning pulse of a first polarity to each row electrode arranged in an odd line and by applying a pixel data pulse of a second polarity which is a reverse polarity of the first polarity to each column electrode.例文帳に追加

アドレス期間において、奇数番目に配列された行電極各々に第１極性の走査パルスを印加すると共に第１極性とは逆極性の第２極性の画素データパルスを列電極に印加することにより、奇数表示ライン各々に属する表示セルを画素データに応じた状態（点灯又は消灯モード）に設定する。 - 特許庁

Each block Bi is provided with an erasion load decoding circuit 4 outputting positive voltage to a first drive line connected to a substrate region of a block selected at the time of erasion of data and a negative voltage decoding circuit 5 outputting negative voltage to a second drive line connected to a control gate of a memory cell of a block selected at the time of erasion of data.例文帳に追加

各ブロックＢｉ毎に、データ消去時に選択されたブロックの基板領域につながる第１の駆動線に正電圧を出力する消去負荷デコード回路４と、データ消去時に選択されたブロックのメモリセルの制御ゲートにつながる第２の駆動線に負電圧を出力する負電圧デコード回路５とが設けられる。 - 特許庁

A desired number of circuit extending units (UNIT 1) each of which is composed of a data access circuit (11), four memory cell sub-arrays (10) and a power supply circuit (12) arranged in the direction of bit lines are disposed in the direction of word lines for creating the layout of the semiconductor memory circuit (1).例文帳に追加

データアクセス回路部（１１）と４個のメモリセルサブアレイ（１０）と電源回路部（１２）とがビット線方向に並べて配置された回路拡張単位（ＵＮＩＴ１）を、ワード線方向に所望数配置して、半導体記憶回路（１）をレイアウトする。 - 特許庁

Until data in a DRAM cell 101 is outputted to a bit line BLT and a sense amplifier circuit 104 is activated, a pre-charge circuit 105 is activated and a bit line BLN and referring potential line 10 of referring potential Vref are made into a conducting state.例文帳に追加

ＤＲＡＭセル１０１内のデータがビット線ＢＬＴに出力されてからセンスアンプ回路１０４が活性化されるまでの間、プリチャージ回路１０５を活性化してビット線ＢＬＮと参照電位Ｖref の参照電位線１０とを導通する。 - 特許庁

A server sets a transmission rate at which a series of the cells are transferred to the client without causing congestion according to band information and data size information and provides an OAM cell to which this transmission rate is written to the head and the tail end of a series of the cells.例文帳に追加

サーバは、帯域の情報、データのサイズ情報にしたがって輻輳を発生させずにクライアントに一連のセルを転送するための送信レートを設定し、一連のセルの先頭と最後尾にこの送信レートを書き込んだＯＡＭセルを付与する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device, capable of shortening the access time by disposing interconnections which pass over a memory cell array so as to make the interconnections that connect among a read-enable signal input pad and data I/O pads that are equal in length, to each other.例文帳に追加

リードイネーブル信号入力用パッドと複数のデータＩ／Ｏパッドとの間を接続する配線の長さが均等になるようにメモリセルアレイ上を通過させる配線を配置して、アクセスタイムを高速化する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To realize a semiconductor memory of which area can be reduced more by reducing the number of transistors of a memory cell storing one data, and enabling an interval to be as short as possible between bit lines without causing failure of operation.例文帳に追加

一つのデータを記憶するメモリセルのトランジスタ数を削減し、動作の不具合を生じることなくビット線の間隔を可能な限り短くすることを可能にすることにより、小面積化を図ることができる半導体記憶装置を実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device having a memory cell array performing injection of source side channel hot electrons by which data can be written in plural memory transistors or can be read out from the transistors in parallel, and increasing operation speed of a program including verifying can be realized.例文帳に追加

複数のメモリトランジスタを並列に書き込むまたは読み出すことができ、ベリファイを含むプログラムの高速化を実現できるソースサイド・チャネルホットエレクトロン注入を行うメモリセルアレイを有する半導体記憶装置およびその駆動方法を提供する。 - 特許庁

In the memory cell 81 of the storage element 80, first storage area for rewriting the residual quantity of ink of the ink cartridges 107K and 107F is located to be accessed earlier than a second storage area for storing read only data.例文帳に追加

また、記憶素子８０のメモリセル８１において、インクカートリッジ１０７Ｋ、１０７Ｆのインク残量が書き換えられる第１の記憶領域については、読み出し専用データが記憶される第２の記憶領域よりも先にアクセスされる領域に配置する。 - 特許庁

To provide a semiconductor test device in which a data inversion signal is generated appropriately based on an address signal supplied to a DUT and which can perform a test even for a DUT in which the number of arrays are different between a row side and a column side of a memory cell.例文帳に追加

メモリセルのロウ側と、カラム側との配列数が異なるＤＵＴに対しても、ＤＵＴへ供給するアドレス信号に基づいて適正にデータ反転信号を発生して試験実施可能な半導体試験装置を提供する。 - 特許庁

When receiving a memory test pattern for a pattern input period, the flash ROM 40 latches the memory test pattern in its inside, and the latched data of memory test pattern are written in a memory cell array for a nonvolatile program period after a lapse of the pattern input period.例文帳に追加

フラッシュＲＯＭ４０は、メモリテストパターンをパターン入力期間に入力すると、これが内部でラッチされ、パターン入力期間経過後の不揮発性プログラム期間において、ラッチされたメモリテストパターンのデータがメモリセルアレイに書き込まれていく。 - 特許庁

The controller 18 reads the positional data and compares the same with actual direction and elevation which are given from a direction detector 30 and an elevation detector 31, and the angle of the solar cell panel 12 is displaced via the driving device 17 according to the difference of angles.例文帳に追加

コントローラ１８は、位置データを読み出し、方位検出器３０及び仰角検出器３１から与えられる実際の方位、仰角と比較し、その角度差に応じてに前記駆動装置１７を介して太陽電池パネル１２を角度変位させる。 - 特許庁

Two wordlines in the wordline 34 group are simultaneously selected on prescribed conditions by using column decoders 31 and 32, stored data of the selected memory cell 20 is read to the bit line 35 group and the bit line 36 group simultaneously.例文帳に追加

行デコーダ３１、３２などを用いて、ワード線３４群のうちの２つのワード線を所定の条件で同時に選択し、この選択されたメモリセル２０の格納データを、ビット線３５群とビット線３６群とに同時に読み出すようになっている。 - 特許庁

Thus, even when liquid crystal cell thickness tendency of each color panel in the three-plate projection type liquid crystal display varies, the image quality deterioration occurring partially in the plane is improved by optimizing the dynamic image correction factor data representatives.例文帳に追加

これにより、３板式投射型液晶表示装置における各色パネルの液晶セル厚さ傾向がばらついた場合でも、動画補正用係数データ代表値を最適化することによって、面内に部分的に発生する画質劣化を改善する。 - 特許庁

The observation device 8 observes the reproduction time of the decoded data of the decoder 6 and outputs a switch signal to a switching controller 10 when a time described in the display start information of the cell #1 from the a reproduction controller 3 arrives.例文帳に追加

再生時刻観測器８は、ＭＰＥＧ復号器６の復号データの再生時刻を観測し、再生制御器３からのセル＃１の表示開始情報に記述されている時刻になった時に、切り替え制御器１０に切り替え信号を出力する。 - 特許庁

To provide constitution capable of easily executing the adjustment of data write-in current quantity for securing the predetermined write-in margin by compensating the variation of magnetic characteristics caused by the variation of manufacturing in an MRAM device including an MTJ memory cell.例文帳に追加

ＭＴＪメモリセルを備えるＭＲＡＭデバイスにおいて、製造ばらつきに起因する磁気特性の変動を補償して所定のデータ書込マージンを確保するための、データ書込電流量の調整を容易に実行可能な構成を提供する。 - 特許庁

Before data of a selected memory cell is detected, the control part generates the reference voltage based on the current flowing in one bit line out of a plurality of bit lines connected to a plurality of memory cells in a half-selected state detected by the sense amplifier.例文帳に追加

制御部は、選択されたメモリセルのデータを検出する前に、センスアンプにより検出された半選択状態とされた複数のメモリセルに接続された複数のビット線のうち１つのビット線に流れる電流に基づき基準電圧を生成する。 - 特許庁

Replacement data holding section 104 and 204 store address information corresponding to a defective memory cell detected in a manufacturing process of a memory chip, and can change address information outputted in accordance with additional replacement information externally given.例文帳に追加

置換データ保持部１０４および２０４は、メモリチップの製造工程中において発見された不良メモリセルに対応するアドレス情報を記憶し、かつ外部から与えられる追加置換情報に応じて、出力されるアドレス情報を変更可能である。 - 特許庁

The method clusters a plurality of multivariate data by the SOM to display shapes of cells as quadrangulars or sexanglulars on a two-dimensional plane and calculates a degree of similarity to representative vectors of adjacent each cell to draw a dendrogram three-dimensionally.例文帳に追加

複数の多変量データをＳＯＭによってクラスタリングして二次元平面上にセルの形状を四角形または六角形として表示し、隣接する各セルの代表ベクトルとの類似度を計算して三次元的にデンドログラムを描写する。 - 特許庁

To provide a method and a device for improving data transmission efficiency of an RRC (radio resource control) process while a UE (user terminal) in a CELL_FACH (cell forward access channel) state in a radio communication system executes a high-speed downlink function.例文帳に追加

無線通信システムのＣＥＬＬ＿ＦＡＣＨ（セルフォワードアクセスチャネル）状態のＵＥ（ユーザー端末）で高速ダウンリンク機能を実行する間に、ＲＲＣ（無線資源制御）プロセスのデータ伝送効率を向上させる方法及び装置を提供する。 - 特許庁

The cell 11 also has a logic circuit which performs logical operation on constitutional information selectively outputted, according to the control information and input information inputted from the wiring of the network 13 via a data inputting section 17.例文帳に追加

プログラマブルセル１１は、制御情報に従って選択出力された構成情報と、データ用サブ配線ネットワーク１３の配線からデータ入力部分１７を介して入力された入力情報とを論理演算する論理回路とを有する。 - 特許庁

To enable the operation timing in connection to inside to be guaranteed without addition of an extra terminal and function to a macro cell itself by enabling the testing precise timing relation between a clock signal and an input/output data signal or the other control signal to be performed.例文帳に追加

マクロセル自身に余分な端子や機能を付加することなくクロック信号と入出力データ信号や他の制御信号との正確なタイミング関係をテスト可能とすることにより、内部との接続における動作タイミングの保証可能とする。 - 特許庁

When the data is written, write current is supplied to a selection digit line (DL) by a digit line drive circuit (2), and magnetization direction of a free layer of a memory cell, coupled with the digit line by a current induction magnetic field, is set in the direction opposite to a fixed layer.例文帳に追加

データ書込時、デジット線ドライブ回路（２）により、選択デジット線（ＤＬ）に書込電流を供給し、その電流誘起磁界により、デジット線に結合されるメモリセルの自由層の磁化方向を、固定層と反対の方向に設定する。 - 特許庁