「data cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(68ページ目) - Weblio英語例文検索

The set associative type cache memory device equipped with a memory cell part which holds data and tags, an LRU memory part representing reference history information on cache blocks, and a circuit which makes a hit/miss decision has an instruction for changing the LRU of a corresponding cache block to the block which was referred to in the remote past.例文帳に追加

データとタグを保持するメモリセル部と、キャッシュブロックの参照履歴情報を表すＬＲＵメモリ部と、ヒット／ミスを判定する回路を具備するセットアソシアティブ方式のキャッシュメモリ装置において、該当キャッシュブロックのＬＲＵを最も遠い昔に参照したブロックに変更する命令を備える。 - 特許庁

When a CPU outputs a test mode signal to a flash memory 15 and reads out data, only an source of a memory cell transistor 16 belonging to a word column selected by a row decoder 17 is connected to ground by a switch array 21, the other sources are connected to a power source VDR.例文帳に追加

ＣＰＵが、フラッシュメモリ１５に対して検査モード信号を出力しデータの読出しを行う場合に、行デコーダ１７で選択されたワード列に属するメモリセルトランジスタ１６のソースだけをスイッチアレイ２１によってグランドに接続し、その他のソースを電源ＶDRに接続する。 - 特許庁

A bit line corresponding to a selected memory cell is connected between write current control line of both sides of the corresponding memory block by turning on transistor switches 102, 103 in response to activation of a column selection line CSL shared between memory blocks, and a data write current flows.例文帳に追加

メモリブロック間で共有されるコラム選択線ＣＳＬの活性化に応答してトランジスタスイッチ１０２，１０３がオンすることによって、選択メモリセルに対応するビット線は、対応のメモリブロックの両側の書込電流制御線の間に接続されて、データ書込電流が流される。 - 特許庁

An optical signal emitted from a data transmission part 16 and a liquid or a gas of an energy source for a fuel cell sent out by a pump 15 are introduced, transmitted and transported to an optical fiber or an optical base having hollow portion via a first adapter.例文帳に追加

データ送信部１６から出た光信号とポンプ１５から送り出された燃料電池のエネルギー源である液体もしくは気体とは、第１のアダプター１４ｂを介して中空部を有する光ファイバーもしくは光基板１１に導入されて伝送および輸送される。 - 特許庁

To provide a high voltage generator being suitable for adopting to a semiconductor memory which has a memory cell refreshing stored data, in which a refresh-function is performed internally and which is operated with timing conditions such as that of a SRAM(static random access memory) product, and a high voltage supply method.例文帳に追加

貯蔵されたデータをリフレッシュすべきメモリセルをもち、内部的にリフレッシュ機能を行いながら、外部的にはSRAM（static random access memory）製品のようなタイミング条件で動作する半導体メモリ装置に採用するに適合した高電圧発生器及び高電圧供給方法を提供するにある。 - 特許庁

A control circuit 391 controls peripheral circuits such as a column decoder 290 so that input/output of data for testing specific operation of a plurality of memory cells included in a memory cell array 320 is performed when receiving a L level test mode signal TM and a H level test mode signal TM.例文帳に追加

制御回路３９１は、Ｌレベルのテストモード信号ＴＭおよびＨレベルのテストモード信号ＴＭを受けると、メモリセルアレイ３２０に含まれる複数のメモリセルに特殊動作をテストするためのデータの入出力を行なうようにコラムデコーダ２９０等の周辺回路を制御する。 - 特許庁

In a programmable area 5, a logic circuit 6 corresponding to contents of first write, a version information circuit 7 and an I/O cell 8 for extracting version data are written by the first write and when writing of the logic circuit is performed after the second write, the version information circuit 7 performs corresponding updating.例文帳に追加

プログラマブルエリア５において、最初の書き込みで、その書き込みの内容に対応した論理回路６、バージョン情報回路７及びバージョンデータを取り出すＩ／Ｏセル８が書き込まれ、２回目以降の論理回路の書き込みで、バージョン情報回路７が対応して更新させる構成とした。 - 特許庁

This solar cell substrate includes a transparent substrate 411, and a transparent conductive film 412 formed over the transparent substrate, and including a zinc oxide (ZnO) thin-film layer 412a doped with a dopant, where both a growth plane (0002) and a growth plane (α) are present based on X-Ray Diffraction (XRD) pattern data.例文帳に追加

太陽電池基板は、透明基板４１１と、透明基板に形成され、Ｘ線回折（ＸＲＤ）パターンのデータを基準に、（０００２）成長面と成長面がともに存在する、ドーパントがドーピングされた酸化亜鉛（ＺｎＯ）薄膜層４１２ａを含む透明導電膜４１２とを含む。 - 特許庁

The "Theoretical I-V Curve Creation Method" disclosed as an I-V curve creation method of a solar cell is improved by the following improvements (1) to (3) so that an accurate and general-purpose method is obtained and the evaluation of an amount of output and generated power is made more appropriate by improving the precision of solar radiation measurement data etc.例文帳に追加

太陽電池のＩ−Ｖカーブ作成法として公開している「理論的Ｉ−Ｖカーブ作成法」に次の（１）〜（３）の改良をした正確・汎用的な方法と、日射測定データの精度等の向上をはかるなどにより、出力・発電量評価をより的確なものにした。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit of the present invention comprises: a memory cell section 22 composed of a plurality of memory cells, a control section for controlling writing and reading of data to/from the memory cells; and a pulse signal generating section for generating a pulse signal to be fed into the control section in response to a clock CLK.例文帳に追加

本発明にかかる半導体集積回路は、複数のメモリセルによって構成されるメモリセル部２２と、メモリセルへのデータの書き込み及び読み出しを制御する制御部と、クロックＣＬＫに応じて制御部へ入力されるパルス信号を生成するパルス信号生成部と、を備える。 - 特許庁

When a READ command in inputted one clock cycle after an ACTV command is inputted, a row decoder 22 activates only a sub-array having a memory cell selected by a row address AX and a column address AY out of the sub-array 17i, 17j, and performs read- out operation of data.例文帳に追加

ロウデコーダ２２は、ＡＣＴＶコマンドが入力された後の１クロックサイクル後にＲＥＡＤコマンドが入力された場合には、サブアレイ１７ｉ、１７ｊのうちのロウアドレスＡＸとカラムアドレスＡＹにより選択されるメモリセルを有するサブアレイのみを活性化して、データの読み出し動作を行う。 - 特許庁

The storage node voltage control circuit 20 performs control so as to increase the voltage of a storage node holding a low logical level among two storage nodes D and ND without changing the voltages of the sources of the load transistors 1 and 2 during data writing in the memory cell 10.例文帳に追加

記憶ノード電圧制御回路２０は、当該メモリセル１０へのデータ書き込み時に、負荷トランジスタ１，２の各々のソースの電圧を変化させることなく、２つの記憶ノードＤ，ＮＤのうち論理低レベルを保持している記憶ノードの電圧を引き上げるように制御する。 - 特許庁

An operation control device 210 carries out operation of separating each polarization of the stack 200 based on the power generating history of the fuel cell stored in the data log device 209 and an activation polarization deterioration database and a diffusion polarization deterioration database built in the operation control device 210.例文帳に追加

演算制御装置２１０は、データログ装置２０９に記憶した燃料電池の発電履歴と、演算制御装置２１０が内蔵する活性化分極劣化データベース及び拡散分極劣化データベースに基づいて、スタック２００の各分極を分離する演算を行う。 - 特許庁

To provide a mobile communication system and a base station device which can reduce effects of interferences of cell-specific reference signals with data symbol signals when plural base stations perform cooperative transmission to a mobile station therebetween under LTE-standard resource element arrangement.例文帳に追加

ＬＴＥ標準のリソースエレメント配置のもとで複数の基地局間で移動局に対する協調伝送を行うときにデータシンボルの信号に対するセル固有参照信号の干渉の影響を軽減することができる移動通信システム及び基地局装置を提供する。 - 特許庁

A method for designing a semiconductor integrated circuit comprises a step (A) of reading RTL data 21 showing an RTL description of the circuit; and a step (B) of performing logical combination of the RTL description while disposing a gating cell GC to perform clock gating.例文帳に追加

本発明に係る半導体集積回路の設計方法は、（Ａ）半導体集積回路のＲＴＬ記述を示すＲＴＬデータ２１を読み込むステップと、（Ｂ）クロックゲーティングを行うゲーティングセルＧＣを設けながら、上記ＲＴＬ記述の論理合成を行うステップと、を有する。 - 特許庁

When a memory mat to be written is switched at the time of rewrite, the state is detected by a control means, and operation procedure of write control information is switched so that a logic value of data written in a memory cell again is not mistakenly used by switching of a memory mat.例文帳に追加

再書込みに際して書込み先メモリマットが切替わったときは、その状態が制御手段によって検出され、メモリセルに再書込みされたデータの論理値がメモリマット切替に起因して誤ることがないように、書込み制御情報の演算手順が切り換えられる。 - 特許庁

A program sense latch circuit PSL compares a threshold of a memory cell transistor detected through a bit line BL with a reference potential VR in verify-operation, changes a potential of the node NN3 in accordance with that a threshold becomes a value corresponding to multi value data, and indicates outputting a write blocking potential.例文帳に追加

一方、プログラムセンスラッチ回路ＰＳＬは、ベリファイ動作において、ビット線ＢＬを介して検知されるメモリセルトランジスタのしきい値と、参照電位ＶＲとを比較し、しきい値が多値データに対応する値となるのに応じて、ノードＮＮ３の電位を変更して、書込み阻止電位の出力を指示する。 - 特許庁

The contents of the deterioration determining bit are read at the same time every time when reading the word data, and when the sense amplifier detects as if the electrons were not accumulated on the floating gate even though they are accumulated thereon, it is determined as the end of the life for rewriting the word memory cell, and the use of the word is stopped thereafter.例文帳に追加

劣化判定ビットの内容を、そのワードのデータ読出しの都度、同時に行い、浮遊ゲートに電子が蓄積されているにも関わらず、蓄積されていないようにセンスアンプで検出された時にそのワードのメモリセルの書換え寿命と判定して、以後、そのワードの使用を止める。 - 特許庁

The battery cell control device (10) stores especially the detected internal resistance value, a charging degree, and a temperature in storage means (14) as history data, and has signal output means (16) that calculates the deterioration level by normalizing the internal resistance value with the charging degree and the temperature, and outputs a determination signal.例文帳に追加

特に、検出した内部抵抗値、充電度及び温度を履歴データとして記憶手段（１４）に記憶し、内部抵抗値を充電度及び温度によって正規化することによって劣化度を算出し、判定信号を出力する信号出力手段（１６）を備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of designing an electronic circuit apparatus, a method of forming electron beam exposure data, and a method of exposing electronic beam, which control a total of the number of block preparation of a contact layer and a first metal wiring layer, in an especially frequently used cell within the maximum number to be mounted on a block mask to shrink the shot number.例文帳に追加

電子回路装置設計方法、電子ビーム露光データ作成方法、及び、電子ビーム露光方法に関し、特に多く使用されるセルのコンタクト層と第１メタル配線層のブロック作成数の合計を、ブロックマスクに搭載できる最大の個数以内に抑えて、ショット数を圧縮する。 - 特許庁

The number of memory cells connected to a bit line can be decreased by reversing and outputting logic of the stored data in a bit line and in a row block unit, even if an off-leak current of the memory cell is increased, an off-leak current is decreased and the storage capacity can be made larger.例文帳に追加

ビット線かつロウブロック単位で記憶データの論理を反転出力させることで、ビット線に接続されるメモリセルの数を少なくすることが可能となり、メモリセル単体のオフリーク電流が増加してもビット線のオフリーク電流を少なくし、記憶容量の大規模化が容易に実現可能となる。 - 特許庁

To provide an anti-fuse improving operation reliability by causing stable breakdown in a gate dielectric layer of the anti-fuse comprised of a metal-oxide semiconductor (MOS) transistor to improve a data sensing margin during a reading operation, and to provide a fabrication method therefor and a unit cell of a nonvolatile memory device with the same.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタから成るアンチヒューズのゲート絶縁膜を安定的に破壊させて、読み取り動作時のデータセンスマージンを改善させ、動作の信頼性を向上させることができるアンチヒューズおよびその形成方法、そしてこれを備えた不揮発性メモリ素子の単位セルを提供する。 - 特許庁

A memory cell 81 of a storage element 80 installed in each of ink cartridges 107K, 107F, is formed such that a second storage area where the ink residual amount of each of the ink cartridges 107K, 107F is rewritten is arranged to be accessed before a first storage area where read only data is stored.例文帳に追加

インクカートリッジ１０７Ｋ、１０７Ｆに搭載の記憶素子８０のメモリセル８１において、インクカートリッジ１０７Ｋ、１０７Ｆのインク残量が書き換えられる第２の記憶領域については、読み出し専用データが記憶される第１の記憶領域よりも先にアクセスされる領域に配置する。 - 特許庁

Then, the probability for the data held in the memory cell at powering up being set to "0" is made high by making the impedance of the first P channel-type MOS transistor 21 of the first inverter INV1 larger than the impedance of the second P channel-type MOS transistor 23 of the second inverter INV2.例文帳に追加

そして、第１のインバータＩＮＶ１の第１のＰチャネル型ＭＯＳトランジスタ２１のインピーダンスを、第２のインバータＩＮＶ２の第２のＰチャネル型ＭＯＳトランジスタ２３のインピーダンスより大きくすることにより、電源投入時にメモリセルに保持されるデータが「０」になる確率を高くした。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory and its writing method in which an additional writing is conducted without conducting an erroneous writing even though there exists a memory cell to which data are written into its drain side while supplying a writing non-selective voltage using a local selfboost system.例文帳に追加

ローカルセルフブースト方式を用いて書き込み非選択電圧を供給する際に、ドレイン側に書き込まれている状態のメモリセルが存在しても、誤書き込みせずに追加書き込みを行うことができる不揮発性半導体メモリ及びその書き込み方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

In a third sub-field SF3, the pixel data pulse DP is applied to a column electrode while applying an erase scanning pulse SPD of negative polarity to one row electrode out of each row pixel electrode pair to execute an erase address process for causing the discharge cell to transition from the ON mode to the OFF mode.例文帳に追加

又、第３サブフィールドＳＦ３では、負極性の消去走査パルスＳＰＤを各行電極対の一方の行電極に印加しつつ画素データパルスＤＰをその列電極に印加してこの放電セルを点灯モードから消灯モードの状態に遷移させる消去アドレス行程を実行する。 - 特許庁

To provide a method and a kit for providing a data for the genetic diagnosis, usable for the diagnosis of hematopoietic organ tumor, especially adult T-cell leukemia lymphoma (ATLL), concretely usable for the specification of disease type or prediction of the progress of disease stage.例文帳に追加

本発明は、造血器腫瘍、特に成人Ｔ細胞白血病・リンパ腫（ＡＴＬＬ）の診断、具体的には病型の特定または病期進行の予測に利用できる遺伝子診断用データを提供する、造血器腫瘍の検査方法およびキットを提供することを目的とする。 - 特許庁

The electroluminescence display device includes: the pixels formed at every intersection of data lines and scan lines, each of the pixels including a light-emitting cell driven with a current; and a current controller for temporarily increasing the current to be supplied to the light-emitting cells.例文帳に追加

本発明の実施例に係るエレクトロルミネセンスの表示装置はデータラインとスキャンラインの交差部毎に形成されて電流により、駆動される発光セルを含む画素と、前記発光セルに供給される電流を一時的に大きく高めるための電流制御部とを具備することを特徴とする。 - 特許庁

Cited document describes a cell-phone hand set comprising; means for receiving TV broadcasts, and cited document describes a port able in formation device with a means for recording that can compress and record image data. 例文帳に追加

御手段を有し、緊急警報放送を受信可能とした携帯電話機引用文献には、ＴＶ放送受信手段を備えた携帯電話機が記載されており、引用文献には、画像データを圧縮して記録する記録手段を備えた携帯情報機器が記載されている。 - 特許庁

When a full-color image display area detection part 209 reports a desired area specified in images to an image display part 208, the image display part 208 registers the colors used by the full-color image data in the area to the look-up table 201 as a full-color cell 203.例文帳に追加

フルカラーイメージ表示領域検出部２０９が画像中で指定された所望の領域をイメージ表示部２０８に通知すると、イメージ表示部２０８は当該領域においてフルカラーイメージデータが使用している色をフルカラーセル２０３としてルックアップテーブル２０１に登録する。 - 特許庁

A conical area is configured of a vector determined by the speed, and the direction of the airplane as rotating axis; and a route estimated by including element data such as performance, air stream, and trouble as bus line; and is calculated as cell.例文帳に追加

航空機の機種、性能、速度、方向、トラブル、気流などの要素データから単位時間に滞在する領域をセルとして演算し、複数のセルが重合するときに、重合セルを分離する回避ベクトルを求め、手動、自動のいずれかで回避ベクトルに従う航行をすることによって事故を防止するシステム。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device of a design system which makes it possible to set read/write operation and refresh operation in a close state, and makes the accuracy of test and quality improvement realizable in the semiconductor storage device having a memory cell which requires refresh for holding data.例文帳に追加

データ保持のためにリフレッシュを要するメモリセルを有する半導体記憶装置において、リード／ライト動作とリフレッシュ動作とを接近した状態に設定することを可能とし、テストの精度、品質向上を実現可能とする設計方式の半導体記憶装置の提供。 - 特許庁

The corresponding value to the counted value is read out from a lookup table 24, and a comparator compares the image data as to one display cell from the image memory with the value (the number of times of electric discharge, namely the value corresponding to brightness) as to the converted display pulse from the lookup table 24.例文帳に追加

そのカウント値に対応する値をルックアップテーブル２４から読み出し、比較器は、映像メモリからの１つの表示セルについて映像データと、ルックアップテーブル２４からの変換された表示パルスについての値（放電回数、すなわち明るさに対応する値）を比較する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage capable of preventing deterioration of holding characteristics of stored electric charges of a memory cell due to imbalance in transitive voltage values between power source voltage VDD and substrate voltage VBB in the case of transition to a data retention mode and restoration from the mode.例文帳に追加

データリテンションモードへの移行、同モードからの復帰の際に、電源電圧ＶＤＤと基板電圧ＶＢＢの過渡的な電圧値のアンバランスにより、メモリセルの蓄積電荷の保持特性が悪化することを防止可能な半導体記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Destruction of data of a memory cell 2 caused by transient generated at the time of switching of the switch 10 is prevented by controlling so that a word line switch 11 is made a continuity state and fixing a potential of the word line WL before the peripheral circuit power source switch is switched.例文帳に追加

周辺回路電源スイッチ１０が切り換わる前に、ワード線スイッチ１１を導通状態になるように制御してワード線ＷＬの電位を固定することにより、スイッチ１０の切り換わり時に発生する過渡電流に起因するメモリセル２のデータの破壊を防止する。 - 特許庁

When a state continuously takes places that a small capacity buffer B1-1 of one input port transfers cell data and a small capacity buffer B4-1 of other port stores cells to be transferred, the small capacity buffer B4-1 stores a plurality of cells of the same destination.例文帳に追加

入力ポート１_1の小容量バッファB1-1だけが転送を行っており、入力ポート１_4では転送しようとするセルを小容量バッファB4-1に蓄積しているような状態が連続して生じる場合、小容量バッファB4-1の内部に同じ宛先の複数のセルが蓄積される。 - 特許庁

A plurality of bit lines are separated into first and second bit line groups at the border of a selected memory cell column in a memory array at data write and read, and one of first and second voltages and the other are applied to the first and second bit lines groups, respectively.例文帳に追加

データ書込および読出時において、メモリアレイ内の選択メモリセル列を境界として複数のビット線を第１および第２のビット線群に分割し、第１のビット線群と第２のビット線群とをそれぞれ第１および第２の電圧の一方および他方と接続する。 - 特許庁

A latching section 202 latches a control signal in a latching cycle which varies depending upon a terminal speed, the number of bits of a data signal stored in a payload, and the number of bits of the control signal stored in the payload; and stores the latched control signal in a control signal storing region provided in the payload of an ATM cell.例文帳に追加

ラッチ部２０２により、制御線信号を端末速度とデータ信号のペイロードへの格納ビット数と前記制御信号のペイロードへの格納ビット数とにより定まるラッチ周期でラッチし、ＡＴＭセルのペイロードに設けた制御信号格納領域に格納する。 - 特許庁

The write operation of this semiconductor memory is performed in such a way that a write circuit 2 gives a potential difference to a memory cell 1 via a pair of data lines DW an DWB, a pair of amplitude limitation transfer transistors Q3 and Q4 and a pair of selection transfer transistors Q1 and Q2.例文帳に追加

半導体記憶装置の書込み動作は、書込み回路２が、一対のデータ線ＤＷ又はＤＷＢ、一対の振幅制限トランスファトランジスタＱ３又はＱ４、及び、一対の選択トランスファトランジスタＱ１又はＱ２を介して、メモリセル１に電位差を与えることで行われる。 - 特許庁

In the case of extracting the ATM cell data AAL2 from an ATM switch 2-2 for wire tapping, especially using a method for the voice CODEC as the TFO, the function above is applied to a voice monitor 2-5 to allow a voice used between monitor units to be.例文帳に追加

ＡＴＭ網のＡＴＭセルデータＡＡＬ２をＡＴＭスイッチ２−２から取り出して傍受すること、特に、ＴＦＯという音声ＣＯＤＥＣの手法を用いる場合に、上記した機能を音声モニタ装置２−５に応用して、移動機−移動機間での通話中の音声を傍受する。 - 特許庁

This radio data communication system has such cell constitution that it possesses a transmission and reception processor 12 which performs communication with a mobile station using an OFDM system for its modulation system, and that a base station 10 is installed to use the same carrier wave frequency at such intervals that the influence of interference is little.例文帳に追加

変調方式に、ＯＦＤＭ方式を用いて移動局と通信を行う送受信処理部１２を具備し、干渉の影響が少ない間隔で同一の搬送波周波数を用いるように基地局１０を設置するセル構成である無線データ通信システムである。 - 特許庁

The base station is provided with a means for managing a multicast group to which a mobile station belongs, a timing decision means for deciding a different frequency measuring timing at which the mobile station measures the signals of a frequency different from the frequency of a cell in the range, and a transmission means for transmitting the data.例文帳に追加

基地局は、移動局の属するマルチキャストグループを管理する手段と、移動局が在圏セルの周波数とは異なる周波数の信号を測定するタイミングである異周波測定タイミングを決定するタイミング決定手段と、データを送信する送信手段とを有する。 - 特許庁

A current sense circuit 62 is used for a read amplifier circuit 20 reading data from a memory cell, further, an amplitude limiting section 61 receiving a reference potential Vref is used for the read amplifier circuit 20 to suppress amplitude of a pair of global I/O lines GIOR, /GIOR of which parasitic capacity and parasitic resistance are large.例文帳に追加

電流センス回路６２をメモリセルからデータを読出すリードアンプ回路２０に用い、さらに、寄生容量および寄生抵抗の大きいグローバルＩＯ線対ＧＩＯＲ，／ＧＩＯＲの振幅を抑えるために参照電位Ｖｒｅｆを受ける振幅制限部６１をリードアンプ回路２０に用いる。 - 特許庁

A display cell of a PDP comprises two glass plates affixed each other, an end of the rear glass plate 12 is extended more outward than the front glass plate 11, and a driver IC 2 impressing a required voltage on a data electrode 106 is mounted on an extended part 12a of the extension in a display device.例文帳に追加

ＰＤＰの表示セルを構成する互いに貼り合わせた２枚のガラス板のうち、後面ガラス板１２はその端部が前面ガラス板１１よりも外方に延出され、この延出された延出部１２ａにデータ電極１０６に所要の電圧を印加するためのドライバＩＣ２が実装される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of preventing the deterioration of holding characteristics of memory cell storage charges caused by transitional voltage value unbalance between a power supply voltage VDD and a substrate voltage VBB during a change to a data retention mode or return from this mode.例文帳に追加

データリテンションモードへの移行、同モードからの復帰の際に、電源電圧ＶＤＤと基板電圧ＶＢＢの過渡的な電圧値のアンバランスにより、メモリセルの蓄積電荷の保持特性が悪化することを防止可能な半導体記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁