「data cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(70ページ目) - Weblio英語例文検索

As for the discharging cell 15, a scanning electrode 6 and a sustainment electrode 7 face each other through a zig-zag-shaped discharge gap MG, and a data electrode 11 has a protruded part 11a protruding in parallel with the direction in which display electrodes 5 are arranged, and the protruded part 11a and the display electrodes 5 are made to cross each other.例文帳に追加

放電セル１５において、走査電極６と維持電極７とは、ジグザグ形状の放電ギャップＭＧを介して対向し、データ電極１１は、表示電極５の配列方向に対して平行に突出した突出部１１ａを有し、この突出部１１ａと表示電極５とが交差する構成とする。 - 特許庁

A method and an apparatus are disclosed that manage the held calls for an off-premises terminal at the system that extends calls to the terminal, such as a private branch exchange or other type of data-processing system, instead of at the system that receives the extended calls, such as a mobile switching center at which a cell phone is registered.例文帳に追加

携帯電話が登録された移動交換センターのような拡張された呼を受信するシステムにおいてではなく、呼を端末へ拡張する構内交換機または他のタイプのデータ処理システムのようなシステムにおいて、構外端末に対して保留呼を管理する方法および装置が開示される。 - 特許庁

Light after transmission through a specimen in a cell 1 is detected by a photodiode 2, the trace current out of the photodiode 2 is converted and amplified by use of a preamplifier 3 and a feedback resistance 7, the voltage is let through an A/D converter 4 and then read by a CPU 5, and specimen ingredients are detected by use of data based on the signals.例文帳に追加

セル１中の試料を透過してきた光をフォトダイオード２で検出し、フォトダイオード２からの微小電流をプリアンプ３とフィードバック抵抗７を用いて電圧に変換・増幅してそれをＡ／Ｄ変換器４を通してＣＰＵ５で読み取り、その信号に基づく情報から試料成分を検出する。 - 特許庁

In a bit-write mode or a byte-write mode in this input/output sections, write-disable is realized by driving a bit line connected electrically at selecting a word line to a memory cell in which write of data is not performed independently of that both of a word line and a column selector are selected with the same potential as that at pre-charge.例文帳に追加

この入出力部は、ビットライトモード又はバイトライトモードにおいて、ワード線とカラムセレクタの双方が選択されているにも拘わらずデータ書き込みを行わないメモリセルに電気的に接続されるビット線を、ワード線選択時にプリチャージ時と同様の電位で駆動することによって、ライトディセーブルを実現する。 - 特許庁

Thus, all areas or all cells inside fixed continuous cell areas 10a and 10b of each of segmenting symbols can be efficiently made into continuous black (irradiated) areas in a short time almost without a gap (non-irradiated part) and respective black cells in the data area can be efficiently made into square unit black (irradiated) areas.例文帳に追加

この方式によると、各切出しシンボルの一定連続セル領域１０ａ，１０ｂ内の全域または全セルを短時間で効率よく、殆んど隙間（非照射部分）なく一定パターンの連続黒（照射）領域とすることができ、データ領域内の各黒セルを効率よく正方形の単位黒（照射）領域とすることができる。 - 特許庁

Thereby, locating as many PDCPs as the number of terminals for each specific MBMS service in the cell at an SRNC in the prior art, problems at data transmission to a dedicated transmission channel can be complemented, and UTRAN system resources and wireless resources can be used more efficiently.例文帳に追加

これによって、従来のセル内の特定のＭＢＭＳサービス毎に端末の個数だけ重複したＰＤＣＰ個体がＳＲＮＣに位置することで、専用伝送チャネルに伝送される時に発生する問題点を補完することができ、ＵＴＲＡＮシステム資源及び無線資源を一層効率的に使用することができる。 - 特許庁

A delay quantity setting means 10 sets delay quantity prescribing timing at which a data read signal for a corresponding memory cell is generated after a word line selected in correspondence to an address signal based on input of an address signal inputted from these ports or from which port an address signal is inputted.例文帳に追加

遅延量設定手段１０は、これらのポートから入力するアドレス信号、あるいはどのポートからアドレス信号が入力したかに基づいて、アドレス信号に対応して選択されるワード線が活性されてから該当するメモリセルへのデータ読出し信号を発生させるタイミングを規定する遅延量を設定する。 - 特許庁

The time sharing processor stores temporarily input data in a buffer memory 12, controls to read out by a read-out controller 13, generates beforehand a predetermined pattern in a pattern generating unit 16, and controls processing start timing for each buffer memory 12 by a cell processing unit 15 in response to a pattern generated by a timing controlling unit 17.例文帳に追加

バッファメモリ１２に入力データを一時的に格納し、読出制御部１３にてその読出制御を行い、パターン生成部１６にて予め所定パターンを生成しておき、タイミング制御部１７にて生成したパターンに応じてセル化処理部１５によるバッファメモリ１２毎の処理開始タイミングを制御する。 - 特許庁

In recognizing the 2D code 101 from an image of the 2D code 101, the image of the 2D code is binarized first on the basis of a first threshold value and, on the basis of the binary data, a guide part 111 and a corner cell 121 used for detecting a position of a code part 112 where prescribed information is encoded are detected.例文帳に追加

２Ｄコード１０１の画像から２Ｄコード１０１を認識する際に、はじめに２Ｄコード１０１の画像が第１の閾値に基づいて２値化され、その２値化データに基づいて、所定の情報がコード化されているコード部１１２の位置を検出するために用いられるガイド部１１１およびコーナセル１２１が検出される。 - 特許庁

In the case of performing a handover of a mobile station, the scheduler S_t of the second cell knows about the current status of served data flows and hence, the transport blocks having been already successfully received by the mobile station must not be newly transmitted resulting in a further optimization of usable radio resources.例文帳に追加

移動局のハンドオーバを実行する場合、第２のセルのスケジューラＳ_ｔは、サービスされるデータフローの現在のステータスについて知っており、したがって、移動局によってすでに正常に受信されたトランスポートブロックを新たに送信する必要がなく、その結果、使用可能な無線資源がさらに最適化される。 - 特許庁

The electric charge holding characteristics of the memory cell in transition period is improved by detecting fluctuation of the substrate voltage VBB in accordance with drop of the power source voltage VDD in the case of transition to the data retention mode, shortening cycle of refreshing operation during fluctuation period or simultaneously refreshing plural memory cells.例文帳に追加

データリテンションモードへ移行した際の電源電圧ＶＤＤの降下に伴う基板電圧ＶＢＢの変動を検出し、この変動期間中のリフレッシュ動作の周期を短縮したり、あるいは同時に複数のメモリセルをリフレッシュしたりすることにより、この過渡期間におけるメモリセルの電荷保持特性の改善を図る。 - 特許庁

Even if the capacity of a battery cell runs out and a user does not have an exclusive charging stand at hand while the user goes out, the power generated by the power generation circuit 22 can be charged to the charge circuit 23, and the charge circuit 23 is charged to perform speech or data communication.例文帳に追加

例えば外出している途中で電池セルの容量が枯渇してしまい、専用の充電スタンドが手元に無い場合であっても、発電回路２２により発生された電力を充電回路２３に充填することにより、充電回路２３を充電して通話やデータ通信を行うことができる。 - 特許庁

Measuring devices 25 are connected electrically to the battery 5, and cell voltages V1-V10 of the first to tenth cells SL1-SL10 are measured by the zeroth to tenth probes P0-P10, and a current Ib in wiring 13 is measured by an ammeter 26, and the results are input from each measuring device 25 into a data processing device 28.例文帳に追加

また、バッテリ５には、測定器２５が電気的に接続され、第０〜第１０プローブＰ０〜Ｐ１０にて第１〜第１０セルＳＬ１〜ＳＬ１０のセル電圧Ｖ１〜Ｖ１０が測定され、電流計２６から配線１３の電流Ｉｂが測定され、それぞれ測定器２５からデータ処理装置２８に入力される。 - 特許庁

First, by the design profile of a writing high voltage, a first writing high voltage trimming value based on the design standard is decided (step S201), data are written by a voltage following the first writing high voltage trimming value (step S202), and the threshold voltage of the memory cell transistor after writing is measured (step S203).例文帳に追加

まず、書き込み用高電圧の設計プロファイルにより、設計規格に基づく第一の書き込み用高電圧トリミング値を決定し（ステップＳ２０１）、この第一の書き込み用高電圧トリミング値に従う電圧でデータの書き込みを行い（ステップＳ２０２）、書き込み後のメモリセルトランジスタのしきい値電圧を測定する（ステップＳ２０３）。 - 特許庁

In one set of memory cell M, first and second switching elements Tr1, Tr2 are arranged respectively at both sides of a capacitor contact 111 connected to a capacitor for accumulating data in an active region 102 so as to pinch the capacity contact 111 while first and second bit line contacts are arranged at the outside of both switching elements.例文帳に追加

１つのメモリセルＭは、活性領域１０２内においてデータ蓄積用の容量に接続されるキャパシタコンタクト１１１を挟んで、その両側にそれぞれ第１及び第２のスイッチング素子Ｔｒ１，Ｔｒ２が配設され、その両外側に第１及び第２のビット線コンタクト１２１，１２２が配設される。 - 特許庁

The improved protein is obtained by replacing an amino acid residue having an exposed surface area ratio of ≥35% with a histidine residue within a distance from the Fc region of 6.5A in three-dimensional structural coordinate data of a conjugate in which an outer membrane domain of cell of protein A is bound to the Fc region of immunoglobulin G.例文帳に追加

プロテインＡ細胞膜外ドメインと免疫グロブリンＧのＦｃ領域が結合した複合体の立体構造座標データにおいて、Ｆｃ領域から６．５Ａの距離内にあって、露出表面積比３５％以上であるアミノ酸残基をヒスチジン残基に置換して上記改良型タンパク質とする。 - 特許庁

When a coincidence detecting signal MTH is activated, the internal control circuit (2) performs an operation mode specified by a command CMD from the outside, when an uncoincidence detecting signal is activated, the control circuit (2) sets an array read-mode reading out data of a memory cell of a bank specified by an address signal AD from the outside.例文帳に追加

バンク制御回路（２）は、一致検出信号ＭＴＨが活性化されたときには、外部からのコマンドＣＭＤにより指定された動作モードを実行し、不一致検出信号ＺＭＴＨが活性化されたときには、外部からのアドレス信号ＡＤが指定するバンクのメモリセルのデータを読み出すアレイリードモードを設定する。 - 特許庁

The MONOS memory 2 has a memory cell array in which a plurality of memory cells storing data by accumulating electric charges in an electric charge trap in a plurality of ferroelectric films laminated on the semiconductor are arranged in a matrix state and memory cells are connected by a plurality of common lines of a row direction and a column direction.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳメモリ２が、半導体上に積層された複数の誘電体膜内の電荷トラップに電荷を蓄積してデータを記憶する複数のメモリセルを行列状に配置させ、行方向および列方向の複数の共通線によりメモリセル間を接続させたメモリセルアレイを有している。 - 特許庁

A unit operator cell is constituted of a plurality of SOI transistors, writing data are stored in body areas SNA, SNB of the at least two SOI transistors, and the storage SOI transistors NQ1, NQ2 are coupled in series or independently to a reading port RPRTB or RPRTA.例文帳に追加

ユニット演算子セル（ＵＯＥ）を、複数のＳＯＩトランジスタで構成し、この少なくとも２つのＳＯＩトランジスタのボディ領域（ＳＮＡ，ＳＮＢ）に書込データを格納し、これらの記憶用のＳＯＩトランジスタ（ＮＱ１，ＮＱ２）を直列にまたは単独に読出ポート（ＲＰＲＴＢまたはＲＰＲＴＡ）に結合する。 - 特許庁

The pieces of the PGC information are of an original type and a user-definition type; and respective pieces of cell information of the PGC information of the user-definition type specify extracts as editing raw materials from partial sections in the AV data and their array order is reproduction order temporarily determined by video editing operation.例文帳に追加

PGC情報には、オリジナルタイプのものとユーザ定義タイプのものとがあり、ユーザ定義タイプのPGC情報におけるそれぞれのセル情報は、AVデータ内の部分区間のうち編集素材として抜擢されたものを指定しており、その配列順序は、映像編集作業によって仮決めされた再生順序を示したものである。 - 特許庁

To provide an off-line teaching system capable of outputting a program for cooperatively operating a traveling shaft, a rotary positioner and a working tool in accordance with the working data by using a working robot cell comprising the traveling shaft for moving a robot arm in the axial direction of a workpiece, and the rotary positioner for rotating the workpiece.例文帳に追加

ロボットアームを被加工体軸方向に移動させる走行軸と被加工体を回転させる回転ポジショナを備えた加工用ロボットセルに用いて、加工データに応じて走行軸と回転ポジショナと作業ツールを協調して動作させるプログラムを出力するオフライン教示システムを提供する。 - 特許庁

The cell processor can load, store, and save information relating to the operation of one or more of its synergistic processing elements (SPE) in units of migration called extended SPUlets that include either two or more SPU images or one or more SPU images and additional information related to operation of multiple SPU, e.g., shared initialized data.例文帳に追加

ＣＥＬＬプロセッサは、拡張ＳＰＵレットとよばれる移動可能単位にて、１以上のＳＰＥ（synergistic processing elements）の動作関連情報をロード、ストア、セーブ可能であり、拡張ＳＰＵレットは、２以上のＳＰＵイメージか、１以上のＳＰＵイメージと複数のＳＰＵの動作に関連する共有初期化データのような追加情報を含む。 - 特許庁

An associative storage device comprises a match line of which the potential is varied in accordance with whether data of a memory cell coincides with a retrieval key of a search bus or not, a precharge circuit precharging the match line, a sample-and-hold circuit sampling a potential of the match line and holding it, and a detector circuit detecting a potential held by the sample-and-hold circuit.例文帳に追加

連想記憶装置は、メモリセルのデータとサーチバスの検索キーとが一致するか否かに応じて電位が変化するマッチラインと、マッチラインをプリチャージするプリチャージ回路と、マッチラインの電位をサンプルしてホールドするサンプルアンドホールド回路と、サンプルアンドホールド回路がホールドした電位を検出する検出回路を含む。 - 特許庁

The precharge potential of a non-selection bit line among a plurality of bit lines 5 is set by an HPR voltage source 2 to be lower than a power source voltage Vcc (a low voltage of 0.5V to 1.2V, for example, 0.8V) which determines the electric potential on the high side of the data stored in the memory cell.例文帳に追加

複数のビット線５のうち非選択ビット線のプリチャージ電位は、ＨＰＲ電圧ソース２により、メモリセルに記憶されるデータのハイ側の電位を決定する電源電圧Ｖｃｃ（０．５Ｖ〜１．２Ｖの範囲内の低電圧、例えば０．８Ｖ）よりも低い電位（例えば１／２Ｖｃｃ＝０．４Ｖ）に設定される。 - 特許庁

To provide a data control method which realizes accurate and efficient communication, as regards a system of communication between a road and a car, where a mobile station on a road traveling at high speed and a plurality of radio base stations where microcells of 30 m or thereabouts in cell diameter are arranged continuously along that road communicate with each other, while performing hand over.例文帳に追加

高速走行する道路上の移動局と、該道路に沿ってセル径３０ｍ程度のマイクロセルが連続配置された複数の無線基地局とがハンドオーバを行いながら通信する路車間通信システムについて、正確且つ効率的な通信を実現するデータ制御方法を提供する。 - 特許庁

A memory card 2 according to an embodiment includes a memory unit 12 with a nonvolatile semiconductor memory cell, an erasure setting unit 20 of which physical state changes irreversibly, and a memory controller 10 that performs erasure processing for erasing all data stored in the memory unit 12 according to the physical state of the erasure setting unit 20.例文帳に追加

実施形態のメモリカード２は、不揮発性半導体メモリセルを有するメモリ部１２と、非可逆的に物理状態が変化する消去設定部２０と、前記消去設定部２０の前記物理状態に応じて、前記メモリ部１２に記憶されている全データを消去する消去処理を行うメモリコントローラ１０と、を具備する。 - 特許庁

When DRAM access is required by a logic circuit, a high potential V1 is made a substrate potential Vbb so that a sufficient data setup time is secured, and while DRAM access is not required by the logic circuit, a low potential V2 is made a substrate potential Vbb so that an electric charge holding time of the DRAM cell 14a is extended.例文帳に追加

ＤＲＡＭアクセス要求がロジック回路から出された場合には十分なデータセットアップ時間が確保されるように高い電位Ｖ１を、ロジック回路からのＤＲＡＭアクセス要求がない間はＤＲＡＭセル１４ａの電荷保持時間を伸ばすように低い電位Ｖ２をそれぞれ基板電位Ｖｂｂとする。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor storage device having a plurality of NAND strings, wherein each of the NAND strings comprises: a memory cell block to which a plurality of nonvolatile memory cells are serially connected; a first selection gate transistor connected to a data transfer line contact; and a second selection gate transistor connected to a source line contact.例文帳に追加

複数のＮＡＮＤストリングを有する不揮発性半導体記憶装置であって、ＮＡＮＤストリングの各々は複数の不揮発性メモリセルが直列に接続されたメモリセルブロックとデータ転送線コンタクトに接続された第１の選択ゲートトランジスタとソース線コンタクトに接続された第２の選択ゲートトランジスタとを具備する。 - 特許庁

To provide the ATM device of an end system for connecting LAN through an ATM network and a storage medium for recording a transfer control program in the ATM device for discriminately transmitting cells according to the attribute of data to be transmitted in the end system, and for preventing the influence of cell discard in the ATM network on an application level.例文帳に追加

ＡＴＭネットワークを介してＬＡＮ間を接続するエンドシステムのＡＴＭ装置及び該ＡＴＭ装置における転送制御プログラムを記録した記録媒体に関し、エンドシステムで送出するデータの属性に応じて区別してセルを送出し、ＡＴＭネットワークにおけるセル廃棄によるアプリケーションレべルへの影響を防ぐ。 - 特許庁

In the case that RLB signals from data terminal equipment a40 change from the state of OFF (step 200) to ON (step 201), this ATM communication equipment a10 which detects the change prepares an OAM cell for indicating the request of the loop setting, and transmits it through an ATM network to the ATM communication equipment b30 on a remote side ( step 210).例文帳に追加

データ端末装置ａ４０からのＲＬＢ信号はオフ（ステップ２００）からオン（ステップ２０１）の状態へ変化した場合、この変化を検出したＡＴＭ通信装置ａ１０はループ設定の要求を示すＯＡＭセルを作成し、ＡＴＭ網を介しリモート側のＡＴＭ通信装置ｂ３０へ送信する（ステップ２１０）。 - 特許庁

With this configuration, there can be provided a semiconductor memory device capable of adjusting the voltage level of a selected word line according the change in the threshold voltage of the memory cell transistor without using another power system, and stably reading/writing data even under a low power supply voltage without complicating the power system.例文帳に追加

メモリセルトランジスタのしきい値電圧の変動に応じて選択ワード線電圧レベルを、別電源系統を用いることなく調整することができ、電源系統を複雑化することなく、低電源電圧下においても安定にデータの書込／読出を行うことのできる半導体記憶装置を実現することができる。 - 特許庁

When a new messsage block corresponding to a type recognized for the cell notice service message has consistency geographically with existing partial reception data or, includes a generating circuit component received previously and has temporal consistency with the message received precedingly, this new message block is inserted in a received message structure.例文帳に追加

セル報知サービス・メッセージの認識されたタイプに対応する新規メッセージ・ブロックが既存の部分的受信データと地理低に一貫性があり、あるいは以前受信したメッセージ・コンポーネントを含む場合、そして以前受信したメッセージ・ブロックと時間的に一貫性がある場合、この新規メッセージ・ブロックは受信メッセージ構造内に挿入される。 - 特許庁

This memory device 86 is provided with a plurality of banks to be selected by a bank address, which are respectively equipped with a memory cell array including a plurality of page areas to be selected from a low address; a low control part for controlling the activation of page areas in the banks in response to a first operation code; and a data input/output terminal group.例文帳に追加

メモリ装置は，ロウアドレスにより選択される複数のページ領域を含むメモリセルアレイをそれぞれ有し，バンクアドレスにより選択される複数のバンクと，第１の動作コードに応答して，前記バンク内のページ領域の活性化を制御するロウ制御部と，データ入出力端子群とを有する。 - 特許庁

When powered on, a control signal, a memory address, and a latch selection signal to be given to the latch circuits 8A, 8B are automatically generated by the sequence circuit 5 independently of a control signal from the outside, and the operation is carried out to read out the trimming or redundant data preliminarily stored in the memory cell 2a of the memory areas 3A, 3B.例文帳に追加

電源投入時には、シーケンス回路５により、外部からの制御信号によらず自動的に制御信号、メモリセルアドレス、及びラッチ回路８Ａ，８Ｂに与えるラッチ選択信号を発生して、メモリ領域３Ａ，３Ｂ内のメモリセル２ａに予め格納されたトリミング、冗長情報を読み出す動作を行う。 - 特許庁

A potential and a retention time in which the impurities can be oxidized are memorized in advance, the temperature of the fuel cell is measured (S3) based on the memorized data, the lowest potential and the retention time in order that the impurities can be oxidized at the measured temperature (S5), and an operation in order to oxidize the impurities is carried out (S6 to 7).例文帳に追加

あらかじめ不純物を酸化することのできる温度、電位、および保持時間を記憶しておき、燃料電池の温度を測定して（Ｓ３）、記憶したデータも基づき、測定された温度で不純物を酸化できる最低電位および保持時間を決定して（Ｓ５）、不純物を酸化させるための運転を行う（Ｓ６〜７）。 - 特許庁

3-3) In the case where exceptionally, a strong positive result in the in vitro mutagenicity test with plural indicators is obtained even though no test data is available, and the substance shows (strong) similarity in chemical structure to the known germ cell mutagenicity substance (Category 1, namely, the heritable mutagenicity substance) (Refer to 2. Item 5), seek the decision of the expert.例文帳に追加

3-3）例外的に、in vivo 試験データがないものの複数の指標の in vitro 変異原性試験における強い陽性結果があり、かつ、既知の生殖細胞変異原性物質（区分１、すなわち経世代変異原性物質）と化学構造的に（強い）類似性を示す場合（２．５）項参照、専門家の判断を仰ぐ） - 経済産業省

This semiconductor memory to which a clock signal CLK, an address signal and signals for a command bWE, bCS and bRASCAS are inputted and which writes or reads data to/from a memory cell designated by the address signal, fetches the address signal and the signals for a command and writes and reads the data while synchronizing with both the rise and the fall of the clock signal is provided.例文帳に追加

クロック信号ＣＬＫ、アドレス信号、コマンド用信号ｂＷＥ、ｂＣＳ、bRASCASが入力され、前記アドレス信号によって指定されたメモリセルに対してデータの書き込みまたは読み出しを行い、かつ前記コマンド用信号をデコードして動作を指定する半導体メモリであって、前記アドレス信号、コマンド用信号の取り込み、及び前記データの書き込みと読み出しを、前記クロック信号の立ち上がりと立ち下がりの両方に同期して行う。 - 特許庁

When a request to access to a defective memory cell is made, write data are supplied to the repair memory element SC from the write amplifier WAMP through the bit line MIO by turning on the switch SW2 in write operation, and data read out from the repair memory element SC are supplied to the read amplifier RAMP without using the bit line MIO by turning off the switch SW1 and turning on the switch SW3 in read operation.例文帳に追加

不良メモリセルへのアクセスが要求された場合、ライト動作時においては、スイッチＳＷ２をオンすることによりライトアンプＷＡＭＰからビット線ＭＩＯを介して救済記憶素子ＳＣにライトデータを供給し、リード動作時においては、スイッチＳＷ１をオフしスイッチＳＷ３をオンすることにより、救済記憶素子ＳＣから読み出されたリードデータをビット線ＭＩＯを介することなくリードアンプＲＡＭＰに供給する。 - 特許庁

The method comprises a step of splitting a clock cycle of the integrated circuit chip into a plurality of periods, a step of splitting the integrated circuit chip into a plurality of cells, a step of performing a static timing analysis to make the plurality of cells to acquire electric wave data by cell and by period and a step of performing the electric power allocation by using the wave data.例文帳に追加

集積回路チップにおける電力分配を分析する本発明の方法は、集積回路チップのクロック・サイクルを複数の期間に分割するステップと、集積回路チップを複数のセルに分割するステップと、静的タイミング分析を実行して上記複数のセルがセルごと期間ごとに電流波形データを取得するようにするステップと、この電流波形データを用いて電力分配分析を実行するステップとを備えている。 - 特許庁

The memory (diode ROM) comprises a plurality of selection transistors 2 each connected to each of a plurality of word lines WL to be turned on by selecting the corresponding word line, a plurality of memory cells 4 including diodes 3 having cathodes connected to drain regions of the selection transistors 2 respectively and a data determination circuit 8 connected to source regions of the selection transistors 2 for determining data read from the selected memory cell 4.例文帳に追加

このメモリ（ダイオードＲＯＭ）は、複数のワード線ＷＬの各々に接続され、対応するワード線ＷＬが選択されることによりオン状態になる選択トランジスタ２と、選択トランジスタ２のドレイン領域にカソードが接続されたダイオード３をそれぞれ含む複数のメモリセル４と、選択トランジスタ２のソース領域側に接続され、選択メモリセル４から読み出されるデータを判別するためのデータ判別回路８とを備えている。 - 特許庁

The error correction circuit 26 detects an error position in the code word and generates error detection data indicating the error position by applying error correction processing to the sequence of the code word read from the memory cell of cross regions of the selected word line and bit line out of memory cells CL through the bit line, and generates error correction data by correcting information bits at the detected error position.例文帳に追加

誤り訂正回路２６は、メモリセルＣＬのうち選択されたワード線およびビット線の交差領域のメモリセルからビット線を介して読み出された符号語の系列に対して誤り訂正処理を施すことにより、前記符号語中の誤り位置を検出して当該誤り位置を表す誤り検出データを生成し、且つ当該検出された誤り位置における情報ビットを訂正して誤り訂正データを生成する。 - 特許庁

The transmission speed control method includes: a step of notifying a maximum permissible transmission speed of the user data to the mobile station UE when a wireless line control station RNC starts communication of the mobile station UE or when the cell connected by the mobile station UE is changed; and a step of automatically increasing the transmission speed of the user data up to the maximum permissible transmission speed notified from the wireless line control station RNC.例文帳に追加

本発明に係る伝送速度制御方法は、無線回線制御局ＲＮＣが、移動局ＵＥが通信を開始する際に、又は、移動局ＵＥが接続するセルが変更される際に、移動局ＵＥに対してユーザデータの最大許容伝送速度を通知する工程と、移動局ＵＥが、無線回線制御局ＲＮＣから通知された最大許容伝送速度までユーザデータの伝送速度を自動的に上げていく工程とを有する。 - 特許庁

A discharge stability is improved by setting an amplitude Vg of a scanning waveform to be applied to scanning electrides SCNk for the writing period larger than an amplitude Vb of a data waveform to be applied to prescribed data electrodes Dj corresponding to discharge cell to display, and thus keeping a wall voltage on the surfaces of the scanning electrodes SCNk until the time the scanning electrodes SCNk actually generate writing discharge, and securing normal writing operation.例文帳に追加

書き込み期間において、走査電極ＳＣＮ_kに印加される走査波形の振幅Ｖｇを、表示すべき放電セルに対応する所定のデータ電極Ｄ_jに印加されるデータ波形の振幅Ｖｂより大きく設定することにより、走査電極ＳＣＮ_kが実際に書き込み放電を起こす時点まで走査電極ＳＣＮ_k表面の壁電圧を適切な電位に保ち、正常な書き込み動作を確保することで、放電安定度を改善する。 - 特許庁

A method for writing and reading information to/from the memory cell includes: switching a magnetization direction of the memory layer to write data into the memory layer during write operation; aligning magnetization direction of the sense layer to a first aligned magnetization direction during read operation; and comparing the write data with the first aligned magnetization direction by measuring a first resistance value of the magnetic tunnel junction.例文帳に追加

本開示はまた、メモリセルに書き込み、かつ読み出すための方法であって、書き込み動作中に、データを前記記憶層に書き込むために前記記憶層の磁化方向を切り替えることと、読み出し動作中に、前記センス層の磁化方向を第１の配向される磁化方向に配向することと、前記磁気トンネル接合部の第１の抵抗値を測定することによって、前記書き込みデータを前記第１の配向された磁化方向と比較することと、を含む方法に関する。 - 特許庁

To provide an ultra-high density data storage medium using a semiconductor compound which is suitable for a medium and a data storage cell, wherein the semiconductor compound is easily converted from crystal to amorphism and vice versa, is chemically stable even under conversion processes over a lot of cycles, and has electric characteristics easily distinguishable from an electric signal generated from an amorphous semiconductor compound.例文帳に追加

結晶状態からアモルファス状態へ、アモルファス状態から結晶状態への両方向に容易に変換され、何サイクルにもわたる変換を行っても化学的に安定しており、結晶状態の半導体化合物から生成される電気信号が、アモルファス状態の半導体化合物によって生成される電気信号と容易に区別できるような電気的特性を示す、媒体及びデータ記憶素子に適した半導体化合物を使用する超高密度データ記憶媒体を提供する。 - 特許庁