「dishing-in」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

Below the capacitive element, a conductor pattern 8b which is a dummy gate pattern for preventing dishing in a CMP step, and an active region 1b which is a dummy active region are arranged, and both regions are connected to the metal pattern for shielding, consisting of the wirings M1-M5, thus being connected to a fixed potential.例文帳に追加

容量素子の下方には、ＣＭＰ工程のディッシング防止のためのダミーのゲートパターンである導体パターン８ｂと、ダミーの活性領域である活性領域１ｂとが配置され、これらは配線Ｍ１〜Ｍ５からなるシールド用の金属パターンに接続されて固定電位に接続されている。 - 特許庁

To obtain a slurry for polishing a metal film, capable of polishing a metal film even under low-load conditions at a high speed and controlling occurrence of defects of a face to be polished such as scratch, dishing, erosion, etc. in a process for flattening a metal film on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上の金属膜を平坦化する工程において、低荷重条件においても金属膜を高速に研磨し、かつスクラッチやディッシング、エロージョン等の被研磨面の欠陥発生を抑制することができる金属膜研磨用スラリーを提供する。 - 特許庁

To form a high-concentration impurity diffusion region, and to provide measures against dishing in CMP treatment without adding any photolithography processes with a configuration, where transistors having gate insulation films with different film thicknesses are provided and a guard ring is provided around an element formation region.例文帳に追加

膜厚の異なるゲート絶縁膜のトランジスタを備えると共に素子形成領域の周囲にガードリングを設ける構成で、フォトリソグラフィ工程を追加することなく、高濃度の不純物拡散領域の形成とＣＭＰ処理のディッシング対策を行えるようにする。 - 特許庁

To provide a method of forming a metal line of a semiconductor device with which a mechanically fragile property of an interlayer insulating film is supplemented by forming a spacer on the sidewall of a trench formed in the interlayer insulating film, and corrosion of the interlayer insulating film or a dishing phenomenon of the metal line is suppressed.例文帳に追加

層間絶縁膜の内に設けられたトレンチの側壁にスペーサーを形成することにより層間絶縁膜の脆弱な機械的な特性を補完し、層間絶縁膜が腐食し或いは金属配線がディッシングされる現象を抑制可能な半導体素子の金属配線形成方法を提供する。 - 特許庁

As a result, irrespective of reduction in design rule, the generation of dishing present condition in the measurement patterns is controlled using dummy patterns, while the measurement patterns corresponding to the beam size of the measuring facility are being formed in a sufficient size in the scribing region which is distant from the chip region, and consequently the measurement reliability is raised.例文帳に追加

よって、デザインルールの減少に関係なく計測設備のビームサイズに対応する測定用パターンをチップ領域から離れたスクライブ領域に十分なサイズで形成させつつダミーパターンを利用して測定用パターンでのディッシング現状の発生を抑制し、測定の信頼度を向上させられる。 - 特許庁

To provide a method of preparing chemical mechanical polishing aqueous dispersion capable of preventing a surface defect such as dishing, erosion, scratch or fang in a planarization process of a polishing object surface by chemical mechanical polishing, and to provide a chemical mechanical polishing aqueous dispersion preparing set excelling in long-term preservation stability, even in a condensed state.例文帳に追加

化学機械研磨による被研磨面の平坦化工程においてディッシング、エロージョン、スクラッチないしファング等の表面欠陥を抑制することができる化学機械研磨用水系分散体の調製方法、および濃縮状態においても長期保存安定性に優れる化学機械研磨用水系分散体調製用セットを提供することにある。 - 特許庁

To provide a polishing composition in which polishing rates of a copper film, a tantalum compound barrier layer, and an SiO_2 insulating layer are substantially the same degree, and in which dishing, flatness are improved by an excess polishing method in the CMP working process of a semiconductor device having a copper film, a tantalum compound barrier layer and an SiO_2 insulating layer.例文帳に追加

銅膜、タンタル化合物のバリア層、ＳｉＯ_２の絶縁層を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅膜、タンタル化合物のバリア層、ＳｉＯ_２の絶縁層の研磨速度がほぼ同程度であり、ディッシング、平坦性がオーバーポリシング法より改善される研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing medium for CMP capable of suppressing the occurrence of dishing, thinning and polishing flaws in copper or copper alloy wiring, achieving high speed polishing for a barrier layer of tantalum, tantalum alloy, tantalum compound or the like in low concentration of abrasive particles, and forming an embedded pattern of a metal film having high reliability, and a method for polishing a substrate by using the same.例文帳に追加

銅又は銅合金配線におけるディシング、シニング及び研磨キズの発生を抑制し、低砥粒濃度においてタンタル、タンタル合金又はタンタル化合物等のバリア層の高速研磨を実現し、信頼性の高い金属膜の埋め込みパターンを形成することができるＣＭＰ用研磨剤と、それを用いる基板の研磨方法とを提供する。 - 特許庁

To provide a polishing agent for CMP capable of suppressing occurrence of dishing, thinning, and polishing flaws in copper or copper alloy wiring, achieving high speed polishing for a barrier layer of tantalum, tantalum alloy, tantalum compound, or the like in low concentration of abrasive particles, and forming an embedded pattern of a metal film having high reliability, and to provide a method for polishing a substrate by using the agent.例文帳に追加

銅又は銅合金配線におけるディシング、シニング及び研磨キズの発生を抑制し、低砥粒濃度においてタンタル、タンタル合金又はタンタル化合物等のバリア層の高速研磨を実現し、信頼性の高い金属膜の埋め込みパターンを形成することができるＣＭＰ用研磨剤と、それを用いる基板の研磨方法とを提供する。 - 特許庁

To provide a metal polishing liquid achieving high precise polishing at high speed, by which dishing is lessened even in high-purity materials and erosion is suppressed on fine wirings to manufacture an LSI chip with improved flatness, and to provide a chemical mechanical polishing method using the liquid, which ensures high productivity even in manufacturing large-scale substrates.例文帳に追加

迅速な研磨速度を有し、且つ、高精細に、高純度の材料でもディッシングが少なく、微細配線でのエロージョンが抑制され、平坦性が向上したＬＳＩの作製を可能とする金属用研磨液を提供し、それを用いて、大型化した基板でも高い生産性が得られる化学的機械的研磨方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor chip has an area which comprises only a dummy pattern for restricting a dishing caused when levelling by a chemical machining polishing method, in at least a portion of the conductor wiring layer of an uppermost layer, and the dummy pattern is laid out so as to present the specific position of a semiconductor element located in a lower layer than the conductor wiring layer of the uppermost layer.例文帳に追加

最上層の導体配線層の少なくとも一部分に、化学機械研磨法により平坦化を行なう際に生じるディッシングを抑えるためのダミーパターンのみからなる領域を有しており、前記ダミーパターンは前記最上層の導体配線層よりも下層に位置する半導体素子の特定の位置を提示するようレイアウトされている。 - 特許庁

In the nozzle substrate 30 formed of silicon in which nozzles 31 for ejecting a liquid are formed by penetrating a plate, the nozzle 31 is made to have the ejection opening projected from a surface of the substrate to prevent the ejection opening periphery from being a dented dishing shape (round shape) on an ejection surface of liquid droplets.例文帳に追加

平板を貫通させて、液体を吐出するためのノズル３１を形成した、シリコンからなるノズル基板３０において、液滴の吐出面において、吐出口周辺部分が凹んだディッシング形状（ラウンド形状）とならないようにノズル３１が基板の表面よりも突出した吐出口を有するようにする。 - 特許庁

To provide a polishing pad, its producing method and a method for polishing a semiconductor substrate in which the polishing rate is high, the global level difference is small, dishing is prevented in metal wiring, clogging and settling at the surface layer part are retarded and the polishing rate is stabilized at the time of planarizing local irregularities of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の局所的凹凸の平坦化をするに際して、研磨レートが高く、グローバル段差が小さく、金属配線でのディッシングが起こりにくく、目詰まりや表層部分のへたりが生じにくく研磨レートが安定している研磨パッドおよび研磨パッドの製造方法ならびに半導体基板の研磨方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a working method for a polishing pad for a semiconductor wafer by which a groove of small surface roughness is efficiently formed on a polishing surface side of the polishing pad of a specific constitution which is not a hard foaming resin, and to provide the polishing pad for the semiconductor wafer, provided by this method, in which scratching and dishing are effectively suppressed.例文帳に追加

硬質発泡樹脂ではない特定の構成の研磨パッドの研磨面側に、表面粗さが小さい溝を効率よく形成できる半導体ウェハ用研磨パッドの加工方法及びこの加工方法で得られ、スクラッチ及びディッシングを効果的に抑制できる半導体ウェハ用研磨パッドを提供する。 - 特許庁

To provide an abrasive composition that can polish a copper film, barrier layer composed of a tantalum compound, and SiO_2 insulating layer at almost equal polishing speeds in a CMP process performed on a semiconductor device having the copper film, barrier layer composed of the tantalum compound, and SiO_2 insulating layer and can improve dishing and flatness than the overpolishing method does.例文帳に追加

銅膜、タンタル化合物のバリア層、ＳｉＯ_２の絶縁層を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅膜、タンタル化合物のバリア層、ＳｉＯ_２の絶縁層の研磨速度がほぼ同程度であり、ディッシング、平坦性がオーバーポリシング法より改善される研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a high processing characteristic in which, as a polishing agent for polishing a plane having Cu and a Cu alloy applied on a semiconductor device, adhesive grains leading to a factor of surface defects such as dishing or the like are not at all included, and a practical processing speed of 200 nm/min can be attained, and an etching speed is very low.例文帳に追加

半導体デバイス上に施したＣｕ及びＣｕ合金を有する面を研磨する際の研磨液として、ディッシング等の表面欠陥発生の要因となる砥粒を全く含有せず、実用的な加工速度２００ｎｍ／ｍｉｎが達成でき、エッチング速度も極めて低い高加工特性を提供する。 - 特許庁

To provide a composition for polishing metals which has the high selecting ratio of the polishing speed of a titanium barrier layer to the polishing speed of a conductive metal, and provide a chemical mechanical polishing method using the composition for polishing metals, in the chemical mechanical polishing process for semiconductor devices which suppresses effectively the occurrence of dishing and uses the titanium barrier layer while achieving a high polishing speed.例文帳に追加

高い研磨速度を達成しつつ、ディッシングの発生を効果的に抑制するとともに、チタンからなるバリア層を用いた半導体デバイスの化学的機械的研磨工程において、チタンからなるバリア層と導電性金属との研磨速度の選択比が高い金属研磨用組成物および該金属研磨用組成物を用いた化学的機械的研磨方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a polishing pad and an apparatus and method for polishing capable of speedily eliminating global steps by selectively polishing protrusion of concavity and convexity on the surface of semiconductor wafer in planarization of semiconductor wafer with CPM and obtaining a high quality semiconductor wafer with less concavity such as dishing or thinning and scratch mark or residual dust in the polishing of metal wiring or STI.例文帳に追加

ＣＭＰによる半導体基板の平坦化において、半導体基板表面の凹凸の凸部を選択的に研磨することでグローバル段差が速く解消でき、また、金属配線やＳＴＩにおける研磨においてもディッシングやシンニングなどの凹み量が少なく、かつスクラッチ傷や残存ダストが少ない高品位な半導体基板を得ることが可能な研磨パッドおよび研磨装置および研磨方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide new tableware synergistically improving a beautifual appearance of dishing-up tableware and saucer tableware, either Western style tableware or Japanese style tableware, exhibiting a Japanese style appearance even in a Western style dish for using knives and forks and vice versa, increasing a degree of freedom of design, forming a nonbulky and compact aesthetic shape and structure, having excellent facility and enjoying the dish and the tableware.例文帳に追加

洋食器、そして和風食器の既成の固定観念を超えて、盛り付け食器と受け皿状食器とが、その各々の美観性を相乗的に向上させることができ、ナイフ、フォーク等を使用する洋風料理であっても和風観が発揮され、またその逆も可能とされる、意匠自由度を大きなものとし、しかもかさばらずにコンパクトな美的形状、構造とすることができ、利便性にも優れ、料理と食器を二重に楽しむことのできる、新しい食器を提供する。 - 特許庁