dislocationを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 2158件
To provide a crystal growth method of group-III nitride for producing a high-quality group III nitride crystal with low dislocation density.例文帳に追加
転位密度の低い高品質なIII族窒化物結晶を作製することの可能なIII族窒化物の結晶成長方法を提供する。 - 特許庁
The dislocation of the dot formed when a carriage moves forward and the dot formed when the carriage moves rearward is adjusted using the test pattern by a regular dither matrix.例文帳に追加
キャリッジの往運動時に形成されるドットと復運動時に形成されるドットのずれを、正規ディザマトリックスによるテストパターンを用いて調節する。 - 特許庁
To provide a GaN-based compound semiconductor substrate wherein dislocation density reaching to a surface layer is simply and effectively reduced and a method for producing the same.例文帳に追加
表層に到達する転位の密度を、簡便かつ効果的に低減することができるGaN系化合物半導体基板とその製造方法を提供する。 - 特許庁
Hereby, subsequent clamping operation of the fixing nuts 5 can be executed easily and surely without position dislocation of the upper support bracket 2.例文帳に追加
これにより、上部支持ブラケット2の位置がずれたりすることなく、その後の固定用ナット5の締め付け動作を容易かつ確実に行うことができる。 - 特許庁
The dislocation density of the first part 15c of the semiconductor region 15 is larger than that of the second part 15d of the gallium nitride base semiconductor region 15.例文帳に追加
半導体領域15の第1の部分15cの転位密度は、窒化ガリウム系半導体領域15の第2の部分15dの転位密度より大きい。 - 特許庁
To provide a modular connector which can prevent harmful deformation or the like of a contact terminal due to dislocation from a terminal inserting part of the contact terminal.例文帳に追加
モジュラコネクタに関し、コンタクト端子の端子挿通部からの脱離によるコンタクト端子の有害な変形等を確実に防止することを目的とする。 - 特許庁
To provide a coating method which can improve production efficiency without generating color dislocation by printing in a production line and a coated plate using the method.例文帳に追加
生産ラインにおいて、印刷による色ズレが生じることなく生産効率を向上できる塗装方法とこの方法を用いた塗装板とを提供する。 - 特許庁
To provide a carrying device and an image forming device capable of correcting carrying dislocation while suppressing the occurrence of damage on paper and an image surface.例文帳に追加
用紙や画像面に傷みが生じることを抑制しつつ、搬送ずれを補正することができる搬送装置、及び画像形成装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing an epitaxial wafer from which a dislocation is removed, which can be reduced in LPD and haze, and of which the main surface is {110}.例文帳に追加
転位を除去させるとともに、LPDおよびヘイズを低減することが可能な主表面が{110}のエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an electrostatic suction device which can prevent the accuracy of an exposure pattern from lowering due to leakage current to a wafer dislocation due to thermal expansion of the wafer.例文帳に追加
ウエハへの漏れ電流やウエハの熱膨張ずれによって露光パターン精度が低下することを防止できる静電吸着装置を提供する。 - 特許庁
To provide a high-reliability lead frame which does not generate any dislocation of inner leads, when the lead frame and a radiating board are compression-bonded with an adhesive layer inbetween.例文帳に追加
接着層を介してリードフレームと放熱板とを圧着する際に、インナーリードの位置ずれを起こさず、信頼性の高いリードフレームとして提供する。 - 特許庁
To provide a low lift truck for preventing the dislocation and collapse of cargoes lifted up due to a speed change during carriage.例文帳に追加
搬送時に速度変化が生じたとしても、持ち上げた荷物等のずれを防止して、荷崩れを防止することのできるローリフトトラックを提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a variable resistor superior in sealing characteristics by surely engaging an O-ring with a rotor for preventing dismounting or dislocation of the O-ring during assembly.例文帳に追加
Oリングをロータに対して確実に係止し、組立途中でのOリングの外れや位置ずれを防止し、シール性に優れた可変抵抗器を提供する。 - 特許庁
To provide a socket which prevents dislocation between its contact and a terminal of a small board, even in case a terminal array on the board becomes narrow-pitched.例文帳に追加
小基板の端子配列が狭ピッチになっても、ソケットのコンタクトと小基板の端子との間で位置ずれが生じないようにしたソケットを提供する。 - 特許庁
Accordingly a pressure contacting terminal metal fitting 13 will never move in the vertical direction, and positional dislocation of the wire harness relative to the terminal metal piece 13 can be prevented.例文帳に追加
このため、圧接端子金具13の上下移動が発生せず、ワイヤハーネスWと圧接端子金具13と位置ずれを防止することができる。 - 特許庁
To prevent the occurrence of the dislocation of a molding base material placed on a lower die which is caused by the flow of a purge gas in the manufacture of an optical device by press-molding.例文帳に追加
光学素子をプレス成形によって製造する際、下型の上に置かれた成形素材がパージガスの流れによって位置ずれを起こすことを防止する。 - 特許庁
Upper part of the part where GaN 32 is grown epitaxially in the lateral direction may be a region where propagation of through dislocation in the GaN layer 31 is suppressed.例文帳に追加
このときGaN32が横方向エピタキシャル成長した部分の上部は、GaN層31が有する貫通転位の伝搬が抑制された領域とすることができる。 - 特許庁
To control the dislocation of an image reading position in deceleration on manuscript transfer with a carriage fixed even if temporarily interrupting a reading operation in an image reading operation performed by an automatic transferring portion, and to control the dislocation of the image reading position also in the acceleration of the restart of reading operation from temporary stoppage.例文帳に追加
自動搬送部による画像読取動作中に読み取り動作の一時中断を実施しても、キャリッジを固定したままで原稿搬送の減速時の画像読み取り位置ズレを抑制し、かつ一時停止からの読み取り動作再開時の加速時においても画像読み取り位置ズレを抑制すること。 - 特許庁
To provide an end face emitting nitride semiconductor light-emitting element capable of forming a high-dislocation density region and a low-dislocation density region without being affected by surface flatness in a nitride semiconductor growth layer, where a plurality of nitride semiconductor thin films are laminated on a wafer in a plane.例文帳に追加
本発明は、高転位密度領域と低転位密度領域を面内に有するウェーハ上に複数の窒化物半導体薄膜を積層して成る窒化物半導体成長層の表面平坦性の影響を受けることなく作製できる端面出射型の窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a winding device for an electrode capable of correcting the dislocation quickly by enhancing the responsiveness of each EPC unit, locating the EPC unit in the neighborhood of a winding means by constructing it small, and thereby certainly suppressing a dislocation of a positive or a negative plate.例文帳に追加
EPCユニットの応答性を向上させて高速で位置ズレを修正しうると共に、EPCユニットを小型化して、巻き取り手段の近傍にEPCユニットを配置することにより、正極板や負極板に位置ズレが生じるのを確実に抑制することができる電極体の巻き取り装置を提供することを目的としている。 - 特許庁
The manufacturing method of a nitride semiconductor element includes a process for forming a substrate consisting of an n-type nitride semiconductor, a process for processing the rear surface side of the substrate, a process for reducing dislocation near the rear surface of the substrate, and a process for forming an n-side electrode on the rear surface of the substrate whose dislocation has been reduced.例文帳に追加
n型の窒化物系半導体からなる基板を形成する工程と、前記基板の裏面側を加工する工程と、前記基板の裏面近傍の転位を低減する工程と、前記転位が低減された前記基板の裏面上にn側電極を形成する工程とを窒化物系半導体素子の製造方法が備える。 - 特許庁
(6) Where any period of time specified in the Act or these Rules for the giving, making or filing of any notice, application or other document expires on a day certified by the Controller as being one on which there is a general interruption or subsequent dislocation in the postal service of the State, the period shall be extended to the first day following the end of the period of interruption or dislocation.例文帳に追加
(6) 通知,申請その他文書の発信,作成又は提出についての本法又は本規則に規定の期間の期限が,アイルランドの郵便事業の総罷業又は閉鎖の日として長官により認められる日に満了する場合は,当該期間は,当該休業又は閉鎖後の最初の日に延長される。 - 特許庁
This fiber fabric 11 comprises a first fibrous layer 12 formed of a plurality of first fiber bundles 121, a second fibrous layer 13 formed of a plurality of second fiber bundles 131, a group of anti-dislocation threads 14 formed of a plurality of anti-dislocation threads 141 and a group of cramping threads 15 formed of a plurality of cramping threads 151.例文帳に追加
繊維織物11は、複数の第1繊維束121からなる第1繊維層12と、複数の第2繊維束131からなる第2繊維層13と、複数の抜け止め糸141からなる抜け止め糸群14と、複数の拘束糸151からなる拘束糸群15とから構成されている。 - 特許庁
To provide a silicon epitaxial wafer that effectively keeps misfit dislocation from being generated when growing a silicon epitaxial layer on a silicon monocrystalline substrate having resistivity of 20[mΩ cm] or less, which is liable to cause misfit dislocation, to provide a method of manufacturing the same, and to provide an epitaxially growing silicon monocrystalline substrate.例文帳に追加
抵抗率が20[mΩ・cm]以下のようなミスフィット転位が発生しやすいシリコン単結晶基板にシリコンエピタキシャル層を成長させるに際して、ミスフィット転位の発生を効果的に抑制することができるシリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法並びにエピタキシャル成長用シリコン単結晶基板を提供する。 - 特許庁
On the surface of an opposite side to an active layer 3 of a second conduction type semiconductor crystal layer 4, a penetrating dislocation defective 11 is exposed, the internal surface of the penetrating dislocation defective 11 and its periphery are covered with a material (a coating portion 13) which has non-ohmic contact nature to a second conduction type semiconductor crystal layer 4.例文帳に追加
第2導電型半導体結晶層4の活性層3とは反対側の表面に貫通転位欠陥11が露出し、貫通転位欠陥11の内表面及びその周囲を、第2導電型半導体結晶層4に対して非オーミックコンタクト性の材料で被覆(被覆部13)した。 - 特許庁
In the silver halide emulsion, normal silver halide grains having ≥10 dislocation lines 1 and ≤30% coefficient of variation in the number of dislocation lines among the grains occupy ≥50% of the number of all grains.例文帳に追加
転位線を10本以上有する正常晶ハロゲン化銀粒子であって、該転位線を10本以上有する正常晶ハロゲン化銀粒子間の転位線本数の変動係数が30%以下であるハロゲン化銀粒子が、全粒子個数の50%以上であることを特徴とする感光性ハロゲン化銀乳剤。 - 特許庁
To provide a crystal defect inspection method and a crystal defect inspection apparatus capable of detecting the positions of dislocation and lamination defects precisely and speedily with high sensitivity, when inspecting the in-plane distribution of dislocation and lamination defects existing in the epitaxial film of a silicon carbide single-crystal wafer for manufacturing a semiconductor element by an electroluminescence method.例文帳に追加
エレクトロルミネッセンス法により半導体素子製造用の炭化珪素単結晶ウェハのエピタキシャル膜に存在する転位や積層欠陥の面内分布を検査する際に、転位や積層欠陥の位置を高感度かつ高精度で、さらに高速で検出可能な結晶欠陥検査方法および装置を提供する。 - 特許庁
A method for manufacturing the silicon germanium film includes the steps of: forming a germanium interfacial layer 12 functioned as a dislocation control layer on a silicon substrate 11; and forming the silicon germanium film 14 on the substrate 11 via the germanium interfacial layer 12, thereby forming a 90° dislocation at least at the substrate 11 side in the silicon germanium film 14.例文帳に追加
シリコン基板11上において、転位制御層として機能するゲルマニウム界面層12を形成し、シリコン基板11上にゲルマニウム界面層12を介してシリコンゲルマニウム膜14を形成することにより、シリコンゲルマニウム膜14内の、少なくともシリコン基板11側に90°転位を形成する。 - 特許庁
By the existence of the grooves 20A and 20B, even if there occurs any dislocation in crystals forming the light emitting layers 14A and 14B when the upper structural bodies 18A and 18B are joined with the lower structural body 17, the developing of dislocation can be prevented by the grooves 20A and 20B, and the deterioration of the light emitting efficiency can be also prevented.例文帳に追加
溝20A,20Bを有することにより、下部構造体17に上部構造体18A,18Bを接合する際に発光層14A,14Bを構成する結晶の転位が発生しても、溝20A,20Bにより転位の進行が妨げられ、発光効率の低下を防止することができる。 - 特許庁
The parallelism dislocation in the pressing direction in the sending-out position and the 3/8 rotation position is set in the same direction, and parallelism in the carrying direction is also set in the same direction.例文帳に追加
送出位置及び3/8回転位置での押圧方向の平行度ずれは、同一方向とされており、搬送方向の平行度ずれも同一方向とされている。 - 特許庁
To provide a stable laying structure of a square hooking verge tile capable of surely laying a roof tile by preventing lateral dislocation, and capable of enhancing safety of work.例文帳に追加
横ズレを防止して確実に敷設することができ、しかも、作業の安全性をも高めることができる角掛袖瓦の安定敷設構造を提供すること。 - 特許庁
To protect a connection corridor from breaking in an earthquake and prevent persons or materials from falling down out of a gap caused by dislocation of the connection corridor between adjacent buildings.例文帳に追加
隣接する建物の連絡用渡り廊下において、地震時に破壊から保護すると共に、渡り廊下の位置ずれによる隙間から人や物が落下しないようにする。 - 特許庁
The elastic hinge is fitted with a predetermined offset with respect to the center line of the fixed link in the direction perpendicular to both directions of the optical axis and dislocation.例文帳に追加
弾性ヒンジは、光軸方向および変位方向の両方向と垂直な方向における固定リンクの中心線に対して所定のオフセットをもって取り付けられる。 - 特許庁
To provide a film winding method and a device capable of manufacturing a high-quality film roll without a scratch, winding wrinkles and winding dislocation, even if a film is wound at a high speed.例文帳に追加
高速でフイルムを巻き取っても、擦り傷、巻き皺、巻きずれ等のない高品質なフイルムロールを製造することが可能なフイルム巻き取り方法及び装置を提供すること。 - 特許庁
Especially, the buried layer 2 is grown also inside a concave portion D of the growth barrier layer 1, and hence crystal dislocation inside the buried layer 2 is reduced by the lateral growth inside the concave portion.例文帳に追加
特に、埋め込み層2は、成長障壁層1の凹部D内にも成長するため、凹部内横方向成長によって、埋め込み層2内の結晶転位が低減する。 - 特許庁
To provide a building material fitting, and a mounting structure preventing lateral dislocation of building materials even when a mutual vertical joint of the building materials is located in a column span.例文帳に追加
建材同士の縦継目が柱スパン間に位置する場合であっても該建材の横ズレを防止することができる建材の取付金具及び取付構造を提供する。 - 特許庁
A reference component and a measurement component of the synthetic beam (OUT0), outgoing from the interference optical system are subjected to walkoff which is caused by dislocation of a measurement reflector (160) or a reference reflector (130).例文帳に追加
干渉光学系を出射する合成ビーム(OUT0)の測定成分と基準成分は、測定反射器(160)又は基準反射器(130)の位置ずれに起因するウォークオフを受ける。 - 特許庁
To provide an embedded form for concrete capable of realizing the complete integration of the embedded form and concrete, and having a dislocation retraining mechanism against a force applied in a push-out direction.例文帳に追加
押出方向に作用する力に対してもずれ抑止機構を有し、埋設型枠とコンクリートの完全なる一体化が実現できるコンクリート用埋設型枠を提供する。 - 特許庁
To minimize the dislocation of transferred patterns and to enhance the accuracy of transfer positions while ensuring a lithographic process margin when exposure is carried out using a phase shift mask.例文帳に追加
位相シフトマスクを用いて露光を行う場合に、リソグラフィープロセス裕度を確保しつつ、転写パターンの位置ずれを最小化し、転写位置精度の向上を図る。 - 特許庁
To provide a workpiece replacing device of simple and inexpensive constitution, which can supply a thin lens and a small diametric lens in a condition of no center dislocation to a work shaft of a centering machine.例文帳に追加
薄いレンズや小径のレンズを芯ずれの無い状態で芯取り機の加工軸に供給できる、簡単で廉価な構成のワーク交換装置を提案すること。 - 特許庁
When dislocation between quartered substrate marks 13 and quartered mask marks 23 is a prescribed value or below, exposure is performed separately in the regions A, B, C and D.例文帳に追加
4分割基板マーク13と4分割マスクマーク23のズレが所定値以下の場合には、領域A、領域B、領域C及び領域Dにわけて露光を行う。 - 特許庁
To provide a surface emitting laser element with a low thermal resistance and a low dislocation, a surface emitting laser array element, a surface emitting laser device, a light source device, and an optical waveguide module.例文帳に追加
低熱抵抗かつ低転位の面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ素子、面発光レーザ装置、光源装置、および光導波路モジュールを提供すること。 - 特許庁
Therefore, the occurrence of problems including the extension of macroscopic defects such as polycrystalline systems headed to the center from the outer periphery and the extension of microscopic defects such as basal surface dislocation is prevented.例文帳に追加
したがって、外周部から中心部に向かって多系などのマクロ欠陥、基底面転位などのミクロ欠陥が伸展するという問題が発生することを防止できる。 - 特許庁
This mark 112 is imaged by an imaging means 34, and dislocation between the indicating direction of the mark 112 and the moving direction of a Y stage 42 and an X stage 43 of a jig 4 is detected.例文帳に追加
このマーク112を撮像手段34で撮像し、マーク112の示す方向と、治具4のYステージ42、Xステージ43の移動方向とのずれを検出する。 - 特許庁
To provide a sample inclination observing method in a scanning charged particle beam system, allowing image observation by eliminating dislocation of an observation position during sample inclination.例文帳に追加
試料傾斜時の観察位置のずれをなくして、画像観察を行うことができる走査型荷電粒子ビーム装置における試料傾斜観察方法を実現する。 - 特許庁
To suppress the deviation of an optical path under a vibration environment by mechanically canceling a relative dislocation between an optical path fixed with a simple mechanism and a varying optical path.例文帳に追加
簡便な機構にて固定された光路と変動する光路との間の相対変位を機械的に吸収し、振動環境下での光路ずれを抑制すること。 - 特許庁
To provide a pattern carrier 3 capable of manufacturing a reel 1 having good rotating balance and hardly causing dislocation at rotation with good work efficiency.例文帳に追加
リール1を製造するための作業効率を良くでき、かつ、回転バランスが良く、回転時にぶれが生じにくいリールを構成することができる図柄支持体3を得る。 - 特許庁
To provide an air bleeding device for sheet bundle and a sheet bundle air bleeding method capable of bleeding the air from spaces among the sheets quickly and stably without generating a dislocation of the sheets from one another.例文帳に追加
シート材間にズレを生じさせることなく、高速で安定にエア抜きを行なうことのできるシート束エア抜き装置およびシート束エア抜き方法の提供。 - 特許庁
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