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drift effectの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 51件
A significant effect is exerted to reduce a temperature drift at the blade tip of a cutting tool 81.例文帳に追加
切削工具81の刃先位置の温度ドリフトの低減に目立った効果を発揮する。 - 特許庁
To provide a high luminance display capable of correcting color drift due to the effect of external light, etc.例文帳に追加
外光の影響等による色ずれを補正することができる高輝度表示装置を提供する。 - 特許庁
To provide a sensor system configured so as to eliminate the drift effect for example by a simple constitution.例文帳に追加
例えばドリフトの影響をより簡易な構成で除去し得るように構成したセンサーシステム等を提供すること。 - 特許庁
To provide an integrated optical waveguide device that suppresses a DC drift phenomenon by a pyroelectric or piezoelectric effect.例文帳に追加
焦電または圧電効果によるDCドリフト現象を抑圧した集積化光導波路デバイスの提供。 - 特許庁
In the semiconductor device, an MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) includes an n-type drift layer 2 formed on an n-type substrate 1 of silicon carbide, and a p-type body layer 3 selectively formed on the n-type drift layer 2.例文帳に追加
MOSFETは、炭化珪素のn型基板1上に形成されたn型ドリフト層2と、n型ドリフト層2の上部に選択的に形成されたp型ボディ層3とを有する。 - 特許庁
An MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) of the semiconductor device includes an n-type drift layer 2 formed on an n-type substrate 1 of silicon carbide, and a p-type body layer 3 selectively formed on the n-type drift layer 2.例文帳に追加
MOSFETは、炭化珪素のn型基板1上に形成されたn型ドリフト層2と、n型ドリフト層2の上部に選択的に形成されたp型ボディ層3とを有する。 - 特許庁
To provide a robot which can be controlled with high accuracy while eliminating the effect of bias drift of an angular velocity sensor and the effect of noise resulting from disturbance or the like.例文帳に追加
角速度センサーのバイアスドリフトの影響を除去するとともに外乱等によるノイズの影響を除去し、高精度な制御を行うことが可能なロボットを提供する。 - 特許庁
To provide a multiple-effect fresh water generator eliminating accompanying of mist and generation of drift of steam inside a heat transfer tube.例文帳に追加
伝熱管内のミスト同伴及び蒸気偏流の発生を無くすことのできる多重効用造水装置を提案する。 - 特許庁
To provide a high luminance display capable of correcting color drift in each area of a screen due to the effect of external light, etc.例文帳に追加
外光の影響等による画面の領域ごとの色ずれを補正することができる高輝度表示装置を提供する。 - 特許庁
To provide an optical switch in which the effect of a turning angle drift is reduced and a decrease in output power is reduced.例文帳に追加
回動角ドリフトの影響を軽減し、出力光パワーの減少を低減することができる光スイッチを提供する。 - 特許庁
To provide a granule formulation for controlling soil disease injury, which reduces drift and suppresses occurrence of effect deficiency by variation of agrochemical effects.例文帳に追加
ドリフトが低減され、かつ薬効のバラツキによる効果不足の発生が抑制される土壌病害防除用粉粒製剤を提供する。 - 特許庁
To provide a current mirror circuit for reducing or eliminating the effect of an output impedance and an error of an input output current ratio due to temperature drift.例文帳に追加
出力インピーダンスの影響及び温度ドリフトによる入出力電流比の設定値に対する誤差を低減させること。 - 特許庁
In a trench gate type storage mode field-effect transistor, a lightly-doped drift region of an N-type drain is provided on a mesa between trenches.例文帳に追加
トレンチゲート型蓄積モード電界効果トランジスタにおいて、N型ドレインの低濃度ドープされたドリフト領域をトレンチ間のメサに設ける。 - 特許庁
To provide a current mirror circuit for reducing or eliminating the effect of an output impedance and an error of an input output current ratio due to temperature drift.例文帳に追加
出力インピーダンスの影響及び温度ドリフトによる入出力電流比の設定値に対する誤差を低減又は無くすこと。 - 特許庁
The hydrogen and nitrogen improve the non-linearity, and the tungsten, and hydrogen prevent the generation of the element drift phenomenon causing the after-effect phenomenon.例文帳に追加
水素および窒素は非線形性を向上させ、タングステンおよび水素は、残像現象の原因となる素子ドリフト現象の発生を防止する。 - 特許庁
Consequently, the injection efficiency of holes from the semiconductor region 10 into a low-concentration drift region 14 becomes higher and a sufficient electrical conductivity modulating effect can be obtained.例文帳に追加
これにより、p型高濃度半導体領域10とn型高濃度バッファ領域12との接面の面積を大きくすることができる。 - 特許庁
As a result, a magnetic shielding effect is improved and a change of an electron beam orbit by an external field in the tube axis direction can be suppressed, and the electron beam drift can be reduced.例文帳に追加
その結果、磁気遮蔽効果が高くなり、管軸方向の外部磁界による電子ビーム軌道の変化を抑制でき、電子ビームずれを低減できる。 - 特許庁
To provide a vibration type densitometer capable of compensating the effect of a drift after a cell temperature is altered to shorten the standby time required in measurement without using a reference cell.例文帳に追加
リファレンスセルを用いることなく、セル温度変更後のドリフトの影響を補償し、測定に必要な待ち時間を短縮できる振動式密度計。 - 特許庁
To provide a display device using a cathode-ray tube capable of realizing excellent high definition by restraining the variation of electron beam start caused by external magnetic field in a tube axis direction by improving magnetic shield effect, reducing electron beam drift, and reducing color drift compared to a conventional display device.例文帳に追加
陰極線管を用いる表示装置において、磁気遮蔽効果を高めて管軸方向の外部磁界による電子ビーム起動の変化を抑制し、電子ビームずれを低減し、従来に比べて色ずれを低減し、格段に高画質を実現する。 - 特許庁
This causes a depletion layer at a PN junction between p^+-type deep layer 9 and an n^-type drift layer 2 to greatly extend toward the n^-type drift layer 2, which makes it difficult for a high voltage generated as a result of the effect of a drain voltage to enter a gate oxide film 6.例文帳に追加
これにより、p^+型ディープ層9とn^-型ドリフト層2とのPN接合部での空乏層がn^-型ドリフト層2側に大きく伸びることになり、ドレイン電圧の影響による高電圧がゲート酸化膜6に入り込み難くなる。 - 特許庁
Related to an insulated gate field effect transistor 11, an annular source region 15 is formed as an island in a base region 14 exposed in a circle in an n-type drift region.例文帳に追加
絶縁ゲート型電界効果トランジスタ11において、N形のドリフト領域に円形に露出したベース領域14に、環状のソース領域15を島状に形成する。 - 特許庁
To achieve an accurate wavelength measurement by stabilizing etalon- related drift in wavelength measurement and by removing the adverse effect of outgas in an etalon-aided wavelength detecting device.例文帳に追加
エタロンを用いた波長検出装置において、エタロンによる波長計測のドリフトを安定化すると共にアウトガスの影響を排除して、正確な波長計測を実現する。 - 特許庁
It prevents deterioration of camera shake correction effect by influence of an offset temperature drift, etc. of the gyroscope sensor 201 by carrying out the HPF processing in a case that the exposure time is long.例文帳に追加
露光時間が長い場合にはHPF処理を行うことでジャイロセンサ201のオフセットの温度ドリフト等の影響による手ブレ補正効果の悪化を防止する。 - 特許庁
In this field emission type electron source 1, electrons arriving at a surface of the strong field drift part 6 while applied with the electric field to the strong field drift part 6 are considered as hot electrons, and are emitted from the surface of the surface electrode 7 by the tunnel effect.例文帳に追加
この電界放射型電子源10では、強電界ドリフト部6へ電界を印加することにより強電界ドリフト部6の表面に到達した電子はホットエレクトロンであると考えられ、トンネル効果によって表面電極7の表面から放出される。 - 特許庁
To provide an optical modulator including a thin plate of ≤150 μm in thickness and a reinforcing plate bonded to the reverse surface of the thin plate, the optical modulator being characterized in that reliability is improved more in terms of a temperature drift and a DC drift by effectively removing an influence of pyroelectric effect.例文帳に追加
厚みが150μm以下の薄板と、該薄板の裏面に接着された補強板とを含む光変調器において、焦電効果の影響を効果的に除去することにより温度ドリフトやDCドリフトの点で信頼性を一層向上させた光変調器を提供すること。 - 特許庁
To provide an examination device capable of avoiding an effect of a drift even in the case that a solution of high conductivity is examined and enhancing the quantitative measuring precision of an object to be examined.例文帳に追加
高導電率の溶液を検査する場合であってもドリフトの影響を回避し、被検査物を定量的に測定する精度を向上させることが可能な検査装置を提供する。 - 特許庁
To provide a tunnel effect element having versatility without being influenced by drift due to difference between thermal expansion coefficients of upper and lower electrodes, hardly receiving influence from an external magnetic field.例文帳に追加
下部電極と上部電極の熱膨張係数の違いによるドリフトの影響を受けず、また外来磁場からの影響を受けにくく、汎用性を有するトンネル効果素子を提供する。 - 特許庁
As a result, since the drift region 21 and single crystalline region 17 can be completely depleted, there can be obtained a vertical n+ type MOS field effect transistor 1 which has a high withstand voltage.例文帳に追加
以上により、n^+型ドリフト領域21およびp^-型シリコン単結晶領域17を完全空乏化できるので、縦型MOS電界効果トランジスタ1によれば、耐圧を高くすることができる。 - 特許庁
Thereby, the drift generated at an upstream side affects no effect to the measuring part, therefore the measuring precision is improved as well as the degree of freedom in design is improved and the restraints on piping condition are reduced.例文帳に追加
これによって、上流側で生じた偏流が計測部分に影響することが無くなるため、装置の設計の自由度や配管条件の制限が少なくなるとともに測定精度が向上する。 - 特許庁
To provide an immersed nozzle for continuous casting, which immersed nozzle can reduce a drift current of the flow of molten steel in the thickness direction of a casting mold without disturbing the suppressing effect to the splashing phenomena at the start of casting.例文帳に追加
鋳造開始時におけるスプラッシュ現象の抑制効果を妨げることなく、溶鋼吐出流の鋳型厚み方向の偏流を軽減可能な連続鋳造用の浸漬ノズルを提供する。 - 特許庁
To provide a material for creating seaweed bed having concavo-convex parts advantageous to promote implantation effect for seaweed, free from losing its effect even wearing by drift sand, capable of easily applying not only a new structure but also to a bedrock and surface of an existent structure.例文帳に追加
海藻の着生効果を促進するのに有利な凹凸を有し、かつ漂砂などで摩耗を受けたとしても効果を失うことなく、しかも新規構造物のみならず、岩盤や既存の構造物表面などにも容易に適用可能な藻場造成資材を提供する。 - 特許庁
To stabilize a clearance generating between a friction material and a rotor in non-braking time by eliminating an influence caused by the drift of the output of a pressing sensor, and to surely exhibit a reduction effect of dragging and a suppression effect against the delay in responsiveness for braking.例文帳に追加
制動解除時に、摩擦材とロータ間に確保するクリアランスを、押圧センサの出力がゼロになった位置を原点にする方法で制御すると、センサ出力のドリフトによる影響が出てクリアランスがばらつき、引きずりや制動の応答遅れを招くので、この不具合を解消する。 - 特許庁
To ease realization of mass production by clarifying the effect of parameters of a super-junction semiconductor device having a drift layer comprising parallel pn layers which depletes in OFF state while conducting current in ON state.例文帳に追加
オン状態では電流を流すとともに、オフ状態では空乏化する並列pn層からなるドリフト層を備えた超接合半導体素子において、パラメータの影響を明らかにし、量産化を容易にする。 - 特許庁
From a range of space between the rib 13 and the top plate 12, the output changes of electromagnetic induction are detected by the control circuit, and the pan drift is judged and the heating is stopped, thereby the effect to prevent an abnormal heating in pan non-fitting is obtained.例文帳に追加
リブ13と天板12との隙間範囲から、制御回路により、電磁誘導の出力変化を検知して鍋ずれを判断し、加熱を停止させることで、鍋不嵌合時の異常加熱を防ぐ効果を得る。 - 特許庁
To provide an electrostatic lens capable of suppressing reduction of electrons in a drift space and as a result, suppressing dispersion of ion beams due to space charge effect even in the case an intermediate electrode is kept in positive potential.例文帳に追加
中間電極が正電位に保たれるものであっても、ドリフト空間での電子量の減少の抑制、ひいてはイオンビームの空間電荷効果による発散の抑制を行うことができる電界レンズを提供する。 - 特許庁
The vertical junction field effect transistor 1a includes an n+-type drain semiconductor part 2, an n-type drift semiconductor part 3, a p+-type gate semiconductor part 4, an n-type channel semiconductor part 5, and an n+-type source semiconductor part 7.例文帳に追加
本発明に係る縦型JFET1aは、n^+型ドレイン半導体部2と、n型ドリフト半導体部3と、p^+型ゲート半導体部4と、n型チャネル半導体部5と、n^+型ソース半導体部7とを備える。 - 特許庁
To provide an oscillation circuit using an oscillation element , e.g., a quartz vibrator, that reduces the effect of a temperature drift and dispersion of circuit components on the oscillation so as to attain stable oscillation at a high frequency while suppressing current consumption.例文帳に追加
水晶振動子等の発振素子を用いた発振回路において、温度ドリフトや回路素子のばらつきによる影響を低減し、消費電流を抑えながら高周波で安定した発振を行うことができるようにする。 - 特許庁
To provide a membrane electrode capable of avoiding an effect of a drift even in the case that a solution of high conductivity is examined and enhancing the quantitative measuring precision of an object to be examined, and an inspection device equipped with the same.例文帳に追加
高導電率の溶液を検査する場合であってもドリフトの影響を回避し、被検査物を定量的に測定する精度を向上させることが可能な薄膜電極およびこれを備えた検査装置を提供する。 - 特許庁
To eliminate a drift, stagnation, or varied flow velocity by enhancing a straightening effect of a stream turned up in a U-shape through a communication passage and by especially improving the directivity of a flow of separated air flowing to a main chamber side.例文帳に追加
連通路を通してU字状に折り返された流れの整流効果を高め、特に主室側に流れ込む脱離空気の流れの指向性を良くすることで偏流や淀みあるいは流速ばらつきを解消する。 - 特許庁
Essential purpose of the driving circuit of laser (compensation of variation in the emission intensity due to temperature characteristics) is not damaged because the capacitor C has no effect on the relatively long term variation, e.g. drift due to temperature characteristics.例文帳に追加
また、コンデンサCは、温度特性による変動のような比較的長い期間に渡る変動には影響を及ぼさないので、レーザ駆動回路の本来の目的(温度特性による発光強度の変動の補償)が損なわれることはない。 - 特許庁
To provide a method used for correcting a drift phenomenon, especially a creep effect, that occurs in an electronic balance having a measuring converter used for generating a measurement signal (ms) representing a load impressed to a force measuring device.例文帳に追加
力測定デバイスに印加される荷重を表す測定信号(ms)を形成するために使用される測定変換器を有する電子式秤で発生する、ドリフト現象、特にクリープ効果を補正するために使用される方法を提供すること。 - 特許庁
At reverse bias, the junction is electrically connected to the electric field relaxing layer, by a field effect imparted to the drift layer between the junction and the electric field relaxing layer from the electrode via the insulating film so that the electric field concentration at the end of the junction is relaxed.例文帳に追加
逆バイアス時には、絶縁膜を介して電極から前記接合と電界緩和層の間のドリフト層に与えられる電界効果により接合と電界緩和層は電気的に接続され、接合の端部の電界集中が緩和される。 - 特許庁
To provide a gyroscope device capable of detecting an angular velocity more accurately than before by preventing the occurrence of a ripple in an angular velocity detection signal after temperature compensation while removing the effect of the temperature drift of the angular velocity detection signal.例文帳に追加
角速度検出信号の温度ドリフトの影響を除きつつ、温度補償後の角速度検出信号にリップルが発生しないようにして、従来よりも一層精度良く角速度を検出することが可能なジャイロ装置を提供する。 - 特許庁
The SiC field effect transistor 1 has a vertical MIS transistor structure wherein an N^+-type source area 15 and an N^--type drift area 14 are arranged apart with a P-type body area 13 in-between, in the vertical direction perpendicular to the surface 12 (main surface) of an epitaxial layer 11.例文帳に追加
SiC電界効果トランジスタ1は、N^+型ソース領域15とN^−型ドリフト領域14とがエピタキシャル層11の表面12(主面)に垂直な縦方向にP型ボディ領域13を介して離間して配置された、縦型MISトランジスタ構造を有する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device for improving the resistivity of a drift layer in a semiconductor substrate, mitigating an electric field in a vertical direction in a Schottky barrier diode region and improving a backward withstand voltage while reducing on-state resistance at the time of forward bias of a field effect transistor.例文帳に追加
電界効果トランジスタの順バイアス時におけるオン抵抗を小さく抑制しながら、半導体基板中のドリフト層の比抵抗を高めてショットキーバリアダイオード領域における垂直方向の電界を緩和し、逆方向耐圧を向上させることが可能な構成の半導体装置を提供する。 - 特許庁
The light control element which has a substrate with electrooptic effect, and an optical waveguide and an electrode for modulation formed on the substrate having a ridge structure is characterized in that a DC drift preventive layer is provided on the substrate surface where the optical waveguide is formed and an annealing process is carried out after ridge machining.例文帳に追加
電気光学効果を有する基板と、該基板上に形成された光導波路と変調用電極とを備え、該基板がリッジ構造を有する光制御素子において、前記光導波路を形成する基板表面に、DCドリフト防止層を設けると共に、リッジ加工後にアニール処理を施すことを特徴とする。 - 特許庁
To provide a probe position control method which enables more accurate observation or operation by correcting the change of the relative position of a sample and a probe during observation or operation in a scanning type probe microscope (SPM) or an atomic manipulator (operation) by excluding the effect of a heat drift or the like, and a probe position control device.例文帳に追加
熱ドリフト等の影響を排除し、走査型プローブ顕微鏡(SPM)や原子マニピュレータ(操作)装置において、その観察又は操作の間に試料とプローブの相対位置が熱により変化するのを補正して、より正確な観察又は操作を可能にする位置制御方法及び装置を提供すること。 - 特許庁
This semiconductor device loaded with the field effect transistor and a Schottky barrier diode within the same semiconductor substrate is provided with an embedded dope layer of a second conductivity type embedded with prescribed pitches at a prescribed depth in the drift layer of a first conductivity type in the Schottky barrier diode region.例文帳に追加
本発明に係る半導体装置は、同一半導体基板内に電界効果トランジスタ及びショットキーバリアダイオードを搭載した半導体装置が、ショットキーバリアダイオード領域における第一導電型のドリフト層中の所定の深さに所定のピッチで埋め込まれた第二導電型の埋込ドープ層を備えているものである。 - 特許庁
By using the concave structure, and by a method which combines the fringe field effect to a drift rubbing, a bump production or an opening of the electrode, the gradient direction of the liquid crystal molecules is changed, a multi-domain is formed by the method, a disclination line of a translucent region is fixed in the boundary of the area and a chromatic dispersion is decreased.例文帳に追加
この凹構造を利用し、並びに定向ラビング、或いはバンプ製作、或いは電極の開口にフリンジフィールド効果を結合させる方式により、液晶分子の傾き方向を変え、これによりマルチドメインを形成し、並びに透光区のディスクリネーションラインをエリアの境界部分に固定し、且つ色分散を減少する。 - 特許庁
To provide a wet-type gas desulfurization apparatus which prevents a drift of exhaust gas which flows in an absorption tower, prevents a decrease in desulfurization performance by exhaust-gas blowing of peripheral wall part of the absorption tower, and prevents an increase in pressure loss beyond need by flow straightening effect of spraying droplets when a gas velocity in the absorption tower is raised to miniaturize the absorption tower.例文帳に追加
吸収塔内のガス流速を上げて、吸収塔をコンパクト化した場合に、吸収塔内を流れる排ガスの偏流を防止し、吸収塔塔壁周辺部を排ガスが吹き抜けることによる脱硫性能の低下を防止するとともに、噴霧スプレ液滴の整流効果により、必要以上に圧力損失が大きくなることを防止すること。 - 特許庁
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