「electron beam control」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

This transmission electron microscope can form an electron beam hologram H by a control device 17 by bringing an electron beam biprism 15 into a state in which interference is caused between an object wave E1 and a reference wave E2 by grounding an object wave side electrode 15a and a reference wave side electrode 15b and impressing positive potential V1 to a filament 15c.例文帳に追加

制御装置１７により、電子線バイプリズム１５を、物体波側電極１５ａと参照波側電極１５ｂとを接地し、フィラメント１５ｃに正の電位Ｖ１を印加し、物体波Ｅ１と参照波Ｅ２とを干渉させる状態にすることにより、電子線ホログラムＨを形成することができる。 - 特許庁

In this electron beam exposure system, the exposure control data are developed to have the plural dot control data reproduced, and exposure can be executed by controlling a blanker, based on the reproduced dot control data.例文帳に追加

電子ビーム露光装置では、この露光制御データを展開して複数のドット制御データを再生し、再生したドット制御データに基づいてブランカを制御しながら露光を実行する。 - 特許庁

An electron beam lithography 1 comprises an electron gun 100, a voltage supply unit 3 which supplies voltage to the electrodes of the electron gun 100, a current leakage detection unit 4 which detects leakage current between the electrodes of the electron gun 100, and a control unit 5 which controls the voltage supply unit 3 based on leakage current detection data.例文帳に追加

電子線描画装置１には、電子銃１００と、電子銃１００の電極に電圧を供給する電圧供給部３と、電子銃１００の電極間のリーク電流を検出する電流検出部４と、リーク電流の検出データに基づき電圧供給部３を制御する制御部５が備えられる。 - 特許庁

To solve a problem that in order to realize an electron optical system in which a surface electric field control electrode is installed and a primary electron beam diameter is reduced, the surface electric field control electrode needs to be adjacent to a wafer, and for that reason, it becomes impossible to carry out height detection for focusing.例文帳に追加

表面電界制御電極を設け，かつ一次電子ビーム径を縮小させた電子光学系を実現するには，表面電界制御電極をウェハに近接させる必要があり，このため，焦点あわせ用の高さ検出が行えなくなる。 - 特許庁

To provide an electron beam lithography method in which drawing of a fine pattern can be made in high precision as prescribed on all surface of a substrate, and in a deflection control by a triangular wave deflection signal, drawing operation by electron beams is corrected and a photosensitized drawing of a prescribed element shape can be made rapidly and precisely with a constant dose.例文帳に追加

微細パターンの描画が基板の全面で所定通りに高精度に行え、三角波偏向信号による偏向制御において、電子ビームによる描画動作を修正し、所定のエレメント形状の感光描画が一定のドーズ量で高速かつ正確に描画可能とする。 - 特許庁

The film formation device is provided with: a vacuum tank 11 having an N2 gas introduction means; hearths 31, 31 for M (M denotes Ti or Cr) or for Al; hollow cathode-shaped electron guns 20, 20; an electron beam source; a bias source for workpieces W, W, ...; a mass analyzer 50; and a compositional ratio control system.例文帳に追加

Ｎ2 ガスの導入手段を有する真空槽１１と、Ｍ（Ｍは、Ｔi またはＣr ）用、Ａl 用のハース３１、３１と、ホローカソード形の電子銃２０、２０と、電子ビーム電源と、ワークＷ、Ｗ…用のバイアス電源と、質量分析計５０と、組成比制御系とを設ける。 - 特許庁

When set analysis energy levels E0, E1 are determined, a display control means 11 controls a deflection signal generation means 13 so that an electron beam is scanned on a sample, and controls an analysis energy setting means 12 so that the analysis energy of an electron spectroscope 10 is set to the energy levels E0, E1.例文帳に追加

表示制御手段１１は設定分析エネルギーＥ_0、Ｅ_1を決めると、電子線が試料上で走査されるように偏向信号発生手段１３を制御すると共に、電子分光器１０の分析エネルギーが前記Ｅ_0、Ｅ_1に設定されるように分析エネルギー設定手段１２を制御する。 - 特許庁

The control means 16 controls driving means 15 so as to make a Faraday cup 11 in a position on an electron beam optical axis, electron taken out from the emitter 1 is detected by the Faraday cup 11, and angle current density calculating means 17 obtains an angle current density ρ1.例文帳に追加

また、制御手段１６は、ファラデーカップ１１が電子線光軸上に位置するように駆動手段１５を制御し、エミッタ１から引き出された電子はファラデーカップ１１により検出され、角電流密度演算手段１７は角電流密度ρ_1を求める。 - 特許庁

At the observation of the sample, a magnification control circuit 12 sends a magnification control signal to a deflection control circuit 10 and the control device 26 calls the interlaced scanning line number corresponding to the observation magnification from the table 26 and supplies it to the deflection control circuit 10, and makes interlaced scanning two-dimensionally on the sample by electron beam.例文帳に追加

試料観察時、倍率制御回路１２は偏向制御回路１０に倍率コントロール信号を送り、制御装置２６はテーブル２６から観察倍率に応じた飛び越し走査線数を呼び出して、偏向制御回路１０に供給し、電子ビームで試料上を二次元的に飛び越し走査させる。 - 特許庁

To provide a scanning electron microscope or a sample inspection method using the scanning electron microscope which is high in reliability of an element spectrum of a sample or accuracy of quantification thereof by means of suppression of a system peak by regulating an amount of electrons scattering on an objective lens diaphragm to control electrons which deviate from a main electron beam trajectory and are irradiated beyond analysis points.例文帳に追加

本発明は対物レンズ絞り上で散乱する電子の量を制限し、主電子線軌道から外れ、分析点以外に照射される電子を制御することでシステムピークを抑制し、試料の元素スペクトルの信憑性または定量精度の高い走査電子顕微鏡または走査電子顕微鏡による試料検査方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a forming method of a deflecting voltage can copy with both of PVC mode and NVC mode, and to provide a testing device can improve detection sensitivity by reducing scanning deviation of an electron beam caused by noises of a deflection control circuit in an electron beam type testing device based on an electrostatic deflector system of a multi-stage and multi-pole constitution.例文帳に追加

複数段多極構成の静電偏向器方式に基づいた電子ビーム式検査装置において、ＰＶＣモードとＮＶＣモードのいずれにも対応できる偏向電圧生成方法を提供すると共に、偏向制御回路のノイズに起因する電子ビームの走査ずれを低減して検出感度を向上できる検査装置を提供する。 - 特許庁

The position correction control circuit 72 corrects the irradiation position of an electron beam on the substrate W by deflecting the electron beam principally based on deviation information from which a rotary synchronous vibration component resulting from a rotation mechanism 32 constituting a rotary table unit 30, and a vibration component resulting from movement of a moving stage caused by a slide unit 33 are removed.例文帳に追加

位置補正制御回路７２は、主として回転テーブルユニット３０を構成する回転機構３２の駆動に起因する回転同期振動成分と、スライドユニット３３によって移動ステージが移動されることに起因する振動成分とが除去された偏差情報に基づいて電子線を偏向することによって、基板Ｗ上の電子線の照射位置の補正を行う。 - 特許庁

In writing a field F5, not only electron beam irradiation data to the field F5, but also electron beam irradiation data to eight fields (F1-F4 and F6-F9) adjoining the field F5 are supplied from a control CPU to a data transfer circuit for proximity effect correction and stored in a data memory incorporated in the transfer circuit.例文帳に追加

フィールドＦ５の描画を行う場合には、制御ＣＰＵから近接効果補正用データ転送回路には、フィールドＦ５への電子ビーム照射データのみならず、フィールドＦ５に隣接する８つのフィールド（Ｆ１〜Ｆ４，Ｆ６〜Ｆ９）の電子ビーム照射データが供給され、内部のデータメモリ内に格納される。 - 特許庁

A control section 25 changes an astigmatism correction current value applied to an astigmatism correction lens 13, contrast is calculated from the interference pattern of the electron beam at an electron beam hologram image obtained by an image acquisition section 25, an interrelationship between the astigmatism correction current value and the contrast of the interference patterns is calculated, and the astigmatism correction current value is determined so as to maximize the contrast.例文帳に追加

制御部２５は、非点補正レンズ１３に印加する非点補正電流値を変化させ、画像取得部２５で取得された電子線ホログラム像における電子線の干渉縞からコントラストを算出し、非点補正電流値と干渉縞のコントラストとの相関関係を導出し、コントラストが最大となる非点補正電流値を決定する。 - 特許庁

To provide an E beam system for storing calibration data and using a hyper-parallel array of electron sources assembled by an integrated circuit technology as well as a system for each beam to control individual beams, by using the calibration data.例文帳に追加

較正データを記憶し、その較正データを使用して個々のビームを制御するための各ビーム用のシステムとともに集積回路技法によって組み立てられた電子源の超並列アレイを使用するＥビーム・システムを提供することにある。 - 特許庁

To provide a micro X-ray source which can obtain an electron beam in micron order even a low current value, prevent from deterioration by a heat generation of an emitter chip without a current leakage, and easily control convergence of a beam.例文帳に追加

電流値が低くてもミクロンオーダーのビーム径の電子ビームを得ることができ、電流リークがなく、エミッタチップの発熱等による劣化を防止することができ、ビームの収束制御が容易である微小Ｘ線源を提供する。 - 特許庁

To provide a method of designing an electronic circuit apparatus, a method of forming electron beam exposure data, and a method of exposing electronic beam, which control a total of the number of block preparation of a contact layer and a first metal wiring layer, in an especially frequently used cell within the maximum number to be mounted on a block mask to shrink the shot number.例文帳に追加

電子回路装置設計方法、電子ビーム露光データ作成方法、及び、電子ビーム露光方法に関し、特に多く使用されるセルのコンタクト層と第１メタル配線層のブロック作成数の合計を、ブロックマスクに搭載できる最大の個数以内に抑えて、ショット数を圧縮する。 - 特許庁

To provide an SEM type inspection device improved in image quality and defect detection sensitivity by reducing pixel displacement when a two-dimensional image is formed by displacement of an electron beam irradiation position by deflection circuit noise generated in a constituent element of a beam deflection control circuit.例文帳に追加

ビーム偏向制御回路の構成素子で発生する偏向回路雑音による電子ビーム照射位置のずれによる二次元画像化したときの画素ずれを低減して画質及び欠陥検出感度を向上させたＳＥＭ式検査装置を提供することにある。 - 特許庁

This electron beam welding equipment includes an inner side component traveling in conduits, an outer side component which is provided outside the conduits and easily portable, and a control system component.例文帳に追加

導管７，８内で走行する内面側構成体２０５と、導管７，８の外部に設けられ、容易に運搬可能なる外面構成体および制御系構成体を含む。 - 特許庁

The reduction of doming and the lowering of power consumption are attained by performing ON/OFF control of an electron beam in synchronization with a mask aperture pattern.例文帳に追加

マスク開口パターンに同期して、電子ビームをＯＮ／ＯＦＦ制御することにより、ドーミングの大幅な低減、消費電力の低減を図ることができる。 - 特許庁

To provide a display control method, capable of displaying plural radarscopes by arbitrarily selecting display coordinate axes by a small hardware quantity in a radar device, having an electron beam scanning antenna.例文帳に追加

電子ビーム走査アンテナを持つレーダ装置において、少ないハードウェア量で表示座標軸を任意に選択し複数のレーダスコープ表示ができる表示制御方式を得る。 - 特許庁

Thereby, the difficulties of handling and mounting work for forming the electrodes are relaxed, and suitable electron beam control is facilitated in this thin type CRT.例文帳に追加

したがって、薄型ＣＲＴにおいて、電極形成のための取扱いや組付け作業の困難性が緩和され、且つ適正な電子ビーム制御が容易になる。 - 特許庁

To improve the throughput and inspection image quality of an electron beam type inspection device, and to shorten the swing return time of an output waveform of a deflection control circuit.例文帳に追加

電子ビーム式検査装置の高スループット化および検査画質向上には、偏向制御回路の出力波形の振り戻し時間短縮が課題となる。 - 特許庁

To achieve high-sensitivity inspection of a semiconductor pattern easily damaged by electron beam irradiation by enabling inspection using a charging control function with low incident energy and in a wide visual field.例文帳に追加

低入射エネルギー、且つ広視野での帯電制御機能を用いた検査を可能にし、電子線照射による損傷を受けやすい半導体パターンの高感度検査を実現することである。 - 特許庁

To control an applied voltage to the Wehnelt electrode so that emitted current maintains the target current value when carrying out sample observation/evaluation of an electron beam device or the like.例文帳に追加

電子ビーム装置等の試料観察・評価を行う場合において、放出電流が目標電流値を維持するようにウェーネルト電極への印加電圧を制御する。 - 特許庁

To provide a controller for a high frequency acceleration cavity and a controlling method for an electron beam allowing rapid control of a frequency of a high frequency wave supplied into the high frequency acceleration cavity with no mechanical contact.例文帳に追加

機械的な接触をすることなく速やかに高周波加速空胴に供給する高周波の周波数を制御できる高周波加速空胴の制御装置及び電子ビームの制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide equipment and a method for welding control by which the temperature of a molten part of a work to be welded is controlled by feedback in a laser, arc and electron beam welding.例文帳に追加

レーザ、アーク及び電子ビーム溶接する際に被溶接材の溶融部温度をフィードバック制御する溶接制御装置及び溶接制御方法に関する。 - 特許庁

A focusing position (focus point position) of a primary electron beam EB irradiated onto a specimen 2 can be changed by controlling lens power of a focus control lens 15 by a variable focus position controller 16.例文帳に追加

試料２に照射される一次電子ビームＥＢの集束位置（焦点位置）は、焦点制御レンズ１５のレンズ強度を可変焦点位置制御器１６によって制御することにより変えることができる。 - 特許庁

A deflection control part 50 modulates and controls at least the wave-form of the deflecting current of a part corresponding to a signal for detecting the electron beam orbit independently from a part corresponding to image display period.例文帳に追加

偏向制御部５０は、少なくとも電子ビーム軌道検出用の検出用信号に対応する部分の偏向電流の波形を、画像表示期間に対応する部分とは独立して変調制御する。 - 特許庁

As a result, the inspection using the charging control function with low incident energy and in a wide visual field is enabled, and the high-sensitivity inspection of a semiconductor pattern easily damaged by electron beam irradiation can be achieved.例文帳に追加

その結果、低入射エネルギー、且つ広視野での帯電制御機能を用いた検査が可能になり、電子線照射による損傷を受けやすい半導体パターンの高感度検査が実現できる。 - 特許庁

At a signal processing part 6, a deflection angle control signal is applied to the electron scan device 2 according to the measured distance value and the deflection angle of laser beam, for scanning the proximity of object's outline.例文帳に追加

信号処理部６では測距値とレーザ光の偏向角に応じて偏向角制御信号を電子スキャン装置２に与えて、被測定物の外形近傍をスキャンする。 - 特許庁

A control part 9 controls a mask driving mechanism 11 and moves the beam masks 7 on both sides so that the irradiation range of an electron current 3 agrees with the irradiation range L of an irradiation object 8 inputted from an input means 12.例文帳に追加

制御部９は電子流３の照射範囲が入力手段１２から入力された被照射物８の照射範囲Ｌに一致するように、マスク駆動機構１１を制御して両側のビームマスク７を移動させる。 - 特許庁

To provide an electron-beam excited plasma device that can suppress contamination of plasma by materials discharged from inside-wall parts of a container like an electrode, by conducting control, based on easily measurable indicators.例文帳に追加

測定容易な指標に基づいて制御することにより、電極などの容器内壁部分から放出される物質によりプラズマが汚染されることを抑制できる電子ビーム励起プラズマ装置を提供する。 - 特許庁

To provide an electron beam lithographic method and machine, and a mark-recording method, which can form a fine recording mark or a pattern of a semiconductor element more accurately, under the control of a light exposure quantity.例文帳に追加

露光量制御に基づいて、微小な記録マークあるいは半導体素子のパターンをより正確に形成することができるようにした電子線描画方法およびその装置並びにマーク記録方法を提供することにある。 - 特許庁

The deflection control part 30 acquires information from a stage driving circuit 4, determines whether or not the actual drawing is being performed, and determines a deflection position of the electron beam 54 on the basis of information from a position circuit 5.例文帳に追加

偏向制御部３０は、ステージ駆動回路４から情報を取得して実描画が行われているか否かを判断し、位置回路５からの情報を基に電子ビーム５４の偏向位置を決定する。 - 特許庁

The generated current is sent from the current measuring component 11b to a controlling component 12, for example, which adjusts the dose of the electron beam emitted from the EB tube 1 to a constant value under control by controlling a filament power source 3.例文帳に追加

発生した電流は、電流測定部１１ｂから制御部１２に送られ、制御部１２は、例えばフィラメント電源３を制御して、ＥＢ管１から出力される電子線量が一定になるように制御する。 - 特許庁

The electron beam apparatus further comprises a read unit 19 for reading the identification unit 20 without contact, a goniometer 24 for receiving the specimen holder 6, and a control device 26 for controlling an operation mode of the goniometer.例文帳に追加

更に、電子ビーム装置は、識別ユニット（２０）を非接触で読み取るための読取りユニット（１９）と、試料ホルダ（６）を受けることができるゴニオメータ（２４）と、ゴニオメータ（２４）の動作モードを制御する制御装置（２６）とを有する。 - 特許庁

Since a hole provided for the control of the electron beam of the electrode part is not used for positional regulation, workability of the assembling work is improved, and the generation of product failures due to the damage of the hole is prevented.例文帳に追加

電極部品の電子ビームを制御するために設けられた穴を位置の規制に用いないため、組立作業の作業性が向上するとともに、穴部の傷による製品不良の発生が防止できる。 - 特許庁

To sufficiently control a landing change of an electron beam, improve the parallelism of scanning lines and obtain high image quality by partitioning an eddy current generated in an IMS.例文帳に追加

ＩＭＳに発生するうず電流を分断することで、電子ビームのランディング変化を十分に抑制し、走査線の平行度を向上させ、高画質を実現する。 - 特許庁

After the position of the sample has been adjusted such that the range of the sample to be photographed should be on an optical axis, the operator orders a position for a control such as focusing and the like of the electron beam.例文帳に追加

撮影すべき試料領域が光軸上に位置するように試料位置を調整した後、電子ビームの焦点合わせ等の調整を行う位置の指定を行う。 - 特許庁

By connecting the switch 54 to the primary electron beam high-speed deflection control circuit 43 for inspection allows high-speed deflection that follows stage movement, which conducts the inspection of a circuit pattern.例文帳に追加

スイッチ５４を検査用一次電子線高速偏向制御回路４３に接続することによりステージ移動に追従した高速偏向が可能となり、これによって回路パターンの検査が行われる。 - 特許庁

A position of the bright spot P is moved by the input unit 19 so as to select the range of the sample appropriate to the control such as focusing and the like of the electron beam.例文帳に追加

この輝点Ｐの位置を入力装置１９によって移動させ、焦点合わせ等の電子ビームの調整に適した試料領域を選択する。 - 特許庁

A mask 32 for calibration, where a plurality of marks 32A are formed in advance is loaded, and deflection control is made by a deflector, so that an electron beam 15 enters the mark 32A of the mask 32 for calibration.例文帳に追加

予め複数のマーク３２Ａが形成された較正用マスク３２をロードし、電子ビーム１５が較正用マスク３２のマーク３２Ａに入射するように偏向器によって偏向制御する。 - 特許庁

Control means 16 indicated to correct an angle current density controls an optical system so that an optical condition of an electron beam device becomes a predetermined one for measuring the angle current density.例文帳に追加

角電流密度補正の指示を受けた制御手段１６は、装置の光学条件が角電流密度を測定するための所定の光学条件になるように光学系を制御する。 - 特許庁

An opening angle control lens 33 controls the opening angle of an electron beam EB incident on a wafer sample 32 to be a small value, for example, 10-5 to 10-6 rad. in an interlocking manner with an objective lens 38.例文帳に追加

開き角制御レンズ３３は、対物レンズ３８と連動して、ウエハ試料３２に入射する電子ビームＥＢの開き角を小さな角度、例えば、１０^-5〜１０^^-6ｒａｄに制御する。 - 特許庁