| 例文 |
extremely thinの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 839件
To provide a substrate treatment apparatus that can treat a substrate by a treatment liquid while holding an extremely thin liquid film of the treatment liquid on the upper surface of the substrate.例文帳に追加
基板の上面に極めて薄い処理液の液膜を保持しつつ、基板に処理液による処理を施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a laminated thermoplastic resin film having excellent transparency, little defect of extremely thin coating stripes and little optical defect due to a massive foreign substance having a diameter of 0.3 mm or more.例文帳に追加
優れた透明性を有し、極めて薄い塗布筋欠点および長径0.3mm以上の塊状異物による光学欠点の少ない積層熱可塑性樹脂フィルムを提供する。 - 特許庁
The polishing method is characterized by polishing by means of a fibrous substrate having bristles made of extremely thin fibers with a diameter of 0.1-0.5 μm and polishing abrasive grains with a diameter of 0.1-0.001 μm.例文帳に追加
直径0.1〜0.5μmの極細繊維からなる立毛を有する繊維質基材と、0.1〜0.001μmの直径を有する研磨砥粒を用いて研磨することを特徴とする。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a flat panel display (FPD), which is easily bent from a stage of a semifinished product by facilitating handling of a laminated glass substrate made extremely thin.例文帳に追加
極限的に薄型化された貼合せガラス基板の取扱いを容易にし、半完成品の段階から自由に湾曲させることのできるFPDの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a wire winding mechanism and a method therefor capable of winding each layer of wire around a spool uniformly without causing unevenness in a high speed winding process of the wire such as an extremely thin wire.例文帳に追加
極細線などのワイヤーの高速巻き取り行程において、ワイヤーの各層を均一にむらなくスプールに巻き取ることが可能なワイヤー巻き取り機構およびその方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method and an apparatus for improving moldability of a high-speed thin film by raising the temperature of a melted resin discharged from a die by an extremely simple means.例文帳に追加
極めて簡単な手段で、ダイから出た溶融樹脂を効率よく瞬時に昇温し、高速且つ薄膜フィルムの成形性を向上させる方法及び装置を提供することにある。 - 特許庁
To provide a large molded article or a deep drawn molded article which has a good homogeneity without any part with extremely thin thickness or wrinkle and exerts a high rigidity, heat resistance and chemical resistance.例文帳に追加
肉厚が著しく薄くなった部分や皺がない均質性が良好で、剛性、耐熱性、耐薬品性に優れた大型成形品や絞りの深い成形品を提供する。 - 特許庁
To provide a drawn film for capacitor, having high electric strength, extremely thin film thickness and excellent processability such as element winding property and provide a cast stock sheet for producing the drawn film.例文帳に追加
高い耐電圧特性を有し、かつ非常に薄いフィルム厚である素子巻き等の加工適性に優れたコンデンサー用延伸フィルムおよびそれを得るためのキャスト原反シートを提供する。 - 特許庁
To provide a forming method of a silicon nitride film capable of forming the silicon nitride film excellent in physical characteristics and electric characteristics even if the silicon nitride film is extremely thin.例文帳に追加
極薄膜状態であっても、物理的な特性及び電気的な特性に優れている窒化シリコン膜を成膜することが可能な窒化シリコン膜の成膜方法を提供すること。 - 特許庁
To extremely precisely measure a difference in each nozzle characteristic of a head, based on a texture unevenness generated when a color filter with a color thin-film formed therein is manufactured using the ink jet head.例文帳に追加
インクジェットヘッドを用いてカラー薄膜を形成したカラーフィルタを製造する際に発生する筋むらにより、ヘッドの各ノズル特性の違いを、きわめて高精度で測定すること。 - 特許庁
To provide an optical disk device for sufficiently cooling even in an extremely thin optical disk device and for reducing deterioration in recording/reproducing characteristics.例文帳に追加
極めて薄型の光ディスク装置においても十分な冷却を行うことができ、記録再生特性の劣化を低減させることができる光ディスク装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a method of cutting a semiconductor wafer by which an extremely thin semiconductor wafer having a thickness of 25-100 μm can be cut into individual chips without causing any chipping on the surface side of the wafer having a carved pattern.例文帳に追加
25〜100μmの極薄の半導体ウエーハのパターンが刻まれた表面側にチッピングを発生させずにチップを個片化する半導体ウエーハの切断方法を提供。 - 特許庁
To provide a conductive elastic roller which has extremely thin thickness of a conductive elastic layer, is small-diameter and, moreover, causes no leakage of a current to a photoreceptor drum upon voltage application to a mandrel.例文帳に追加
導電性弾性材層の厚みがきわめて薄く小径である上、芯金への電圧印加時に感光体ドラムへの電流のリークが生じない導電性弾性ロールを提供する。 - 特許庁
As the TiCN coating layer 21 is formed thin in less than 2 μm on a surface of the extremely smooth parent material of less than Ra: 0.3 μm, irregularity of a knife-edge surface is small.例文帳に追加
TiCN系コーティング層21が、Ra:0.3μm以下の極めて平滑な母材表面に、2μm以下と薄く形成されていることから、刃先表面の凹凸が小さい。 - 特許庁
To provide a preparing method of a TEM sample capable of acquiring a clear TEM image showing the intrinsic structure of the sample even if the thickness of a membrane part used for TEM observation is extremely thin.例文帳に追加
TEM観察に用いる薄膜部の厚さが極めて薄くても試料本来の構造を示す明確なTEM像が得られるTEM試料の作製方法を提供する。 - 特許庁
To provide a photosensitizer having a high light absorption coefficient, which absorbs a light over a wide range from visible light to infrared light and exhibits a high light absorption rate, even in the case of an extremely thin film.例文帳に追加
可視光から赤外光までの広い範囲で光を吸収し、極薄い薄膜においても、光吸収率が高くなる吸光係数の大きな光増感剤を提供すること。 - 特許庁
To achieve a process for polishing a wafer extremely thin after forming a circuit therein, dicing the wafer into individual chips and bonding the chip to a support through a die attach film without causing any warp or damage of the wafer.例文帳に追加
回路形成後のウエハを、極薄に研磨し、個片化して、このチップを支持体にダイアタッチフィルムを介して接着するまでの工程を、ウエハ反りやウエハ破損なく実現する。 - 特許庁
An extremely thin aluminum plate is used as a magnet cover 4 for protecting a magnet 2 and the entire surface of the magnet cover 4 is enlarged and applied tightly and entirely to the inner circumferential surface of the magnet 2 and a magnet holder 3.例文帳に追加
マグネット2を保護するマグネットカバー4として極薄板のアルミプレートを使用し、このマグネットカバー4の全面を拡管して、マグネット2及びマグネットホルダ3内周全面に密着させる。 - 特許庁
To provide a photoelectric conversion element with sufficient heat resistance and conversion efficiency, and to provide a manufacturing method of the photoelectric conversion element uniformly forming a cathode buffer layer extremely thin.例文帳に追加
耐熱性、および変換効率が十分に高い光電変換素子並びに陰極バッファ層を極めて薄く均一に成膜する光電変換素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a wafer processing method with which breakage of a wafer can be avoided, in a reversible way, without damaging a device on a front side of the wafer, even when making the wafer is extremely thin.例文帳に追加
ウェーハの表面側のデバイスを破損することなく、又ウェーハを極薄にする場合でもウェーハの破損を可逆的に回避することができるウェーハの加工方法を提供する。 - 特許庁
To well measure the terahertz transmission spectrum of a substance highly absorbent for terahertz waves, without using an extremely thin liquid cell, a prism optical system, a silicon rod, and the like.例文帳に追加
極薄い液体セル、プリズム光学系、およびシリコンロッドなどを用いずに、テラヘルツ波に対して大きな吸収を有する物質のテラヘルツ透過スペクトル測定を良好に行うことを可能にする。 - 特許庁
To provide a chip type resistor built in a substrate whose thickness is extremely thin for being built in a circuit board, and which has superior electrical connection to the circuit board.例文帳に追加
本発明は、回路基板の内蔵用として厚さが極めて薄く、しかも回路基板との電気的な接続が良好な基板内蔵用チップ形抵抗器を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide an image forming device where an image of high definition can be obtained by forming an extremely uniform toner thin layer on a developing roll without having carrier intrude into a developing range.例文帳に追加
キャリアを現像領域に侵入させずに、現像ローラ上は、極めて均一なトナー薄層を形成して、高品位の画像を得ることができる画像形成装置を提供する。 - 特許庁
Thereby, the gear tooth surface 9 exerts high oil film forming performance, and the longer life span can be obtained even under the condition where the oil film thickness is extremely thin under the low viscosity and dilute lubrication.例文帳に追加
これにより、ギア歯面9が高い油膜形成能力を奏し、低粘度、希薄潤滑下で油膜厚さが極端に薄い条件下でも、長寿命を得ることができる。 - 特許庁
To provide a coating method of aqueous coating due to spray coating capable of performing the spray coating of the aqueous coating while holding excellent coating properties to form an extremely thin coating film.例文帳に追加
塗装性に優れながら水性塗料をスプレー塗装することができ、なおかつ、極めて薄い塗膜を形成することができるスプレー塗装による水性塗料の塗装方法を提供する。 - 特許庁
The removing unit 40 comprises an ink absorption sheet S composed of extremely thin fibers, and a device for moving the ink absorption sheet S and touching the surface thereof to the ejection surface.例文帳に追加
除去装置40は、極細繊維からなるインク吸収シートSと、このインク吸収シートSを移動させ、その表面を吐出面に当接させる移動装置とを備えている。 - 特許庁
To provide a method which does not burn VOC in a large quantity of exhaust gas containing extremely thin volatile hydrocarbon VOC diffused in atmosphere to recover as it is.例文帳に追加
大気中に放散される極く希薄な揮発性炭化水素VOCを含む大量の排ガス中のVOCを燃焼させずにそのまま回収する方法を提供すること。 - 特許庁
Since a very thin silicon crystal exists or the silicon crystal does not exist in the groove G as a dielectric, dielectric loss of the overlying element becomes extremely small.例文帳に追加
溝Gには,誘電体としてのシリコン結晶が薄くしか存在しないか,あるいは全く存在しないため,その上に位置する素子の誘電損失は極めて小さなものとなる。 - 特許庁
To provide a method of forming a high carrier concentration thin film semiconductor layer, forming a semiconductor layer extremely higher in carrier concentration than a semiconductor layer on a surface of the semiconductor layer.例文帳に追加
半導体層の表面に、その半導体層よりも非常にキャリア濃度の大きい半導体層を形成する高キャリア濃度の薄膜半導体層の形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a technique capable of printing a sharp arbitrary pattern or character good in water resistance on extremely thin sliced veneer comprising natural wood having a rich natural feeling by combining an OA device and an ink jet printer.例文帳に追加
OA機器とインクジェットプリンターとの組み合わせて任意の図柄や文字を、自然感溢れる天然木の極薄突板に鮮明で耐水性良好な印刷ができる技術を提供する。 - 特許庁
To provide an optical disk device that realizes sufficient cooling even in an extremely thin optical disk device, and is capable of reducing deterioration in recording/reproducing characteristics.例文帳に追加
極めて薄型の光ディスク装置においても十分な冷却を行うことができ、記録再生特性の劣化を低減させることができる光ディスク装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
To obtain an extremely thin adhesive layer having a slight paste residue, does not damage an adherend in releasing the adherend and satisfies both adhesion and release and a compound material comprising the adhesive layer.例文帳に追加
糊残りが少なく、被着体剥離時に被着体が損傷せず、接着と剥離を両立した極薄の接着層およびこの接着層を有する複合体を提供すること。 - 特許庁
To provide a method capable of manufacturing a semiconductor device with a good yield by preventing damage and contamination of a wafer and an etching device caused due to grinding dusts generated in a mechanical grinding process, in a semiconductor wafer ground up to extremely-small thickness, in particular, an extremely-thin wafer with an annular projecting part formed thereon.例文帳に追加
極薄にまで研削された半導体ウエハ、特に環状凸部が形成された極薄ウエハにおいて、機械的研削工程で発生した研削屑によるウエハおよびエッチング装置の破損や汚染を防止し、半導体装置を歩留まりよく製造しうる方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a layer structure having an extremely thin semiconductor layer, in addition, extremely low HF defect density in manufacturing a semiconductor substrate having a support wafer 2 and a layer 8 comprising a single-crystal semiconductor material provided on a surface of the support wafer 2.例文帳に追加
支持体ウェハ2とこの支持体ウェハ2の1つの面に設けられた単結晶半導体材料から成る層8を有する半導体基板の製造にあたり、きわめて薄い半導体層をもち同時にHF欠陥密度も著しく僅かな層構造を提供する。 - 特許庁
Whiskers can effectively be prevented even if the tin based film is formed on the extremely thin bismuth film of <0.4 μm, and further, the hard bismuth film can extremely thinly be formed, so that the occurrence of cracks on the bismuth film is prevented, and the exertion of a harmful effect upon the tin based film as the upper layer can be checked.例文帳に追加
0.4μm未満のごく薄いビスマス皮膜上にスズ系皮膜を形成しても、ホイスカーを有効に防止できるうえ、硬いビスマス皮膜をごく薄く形成するため、ビスマス皮膜でのクラックの発生を防止して、上層のスズ系皮膜に悪影響が及ぶのを阻止できる。 - 特許庁
The semiconductor silicon carbide substrate is preferably a semiconductor silicon carbide substrate in which surface silicon of an SOI substrate is made thin, the extremely thin silicon layer is denatured into a silicon carbide layer through carbonization, and a silicon carbide epitaxial film is deposited thereon by a CVD (chemical vapor-deposition) method.例文帳に追加
炭化珪素基板としては、SOI基板の表面シリコンを薄層化し、その極薄シリコン層を炭化処理により炭化珪素層に変性し、その上にCVD(化学気相成長)法により炭化珪素エピタキシャル膜を形成させたものが好ましい。 - 特許庁
To provide an integrated quantum thin-line transistor that can control the number of quantum thin lines, such as a silicon nanowire, and accurately control a position, is excellent in high-speed operability and low-noise characteristics, has a superior on/off ratio, and can be extremely miniaturized since only a narrow space is required.例文帳に追加
シリコンナノワイヤーなどの量子細線の数の制御や位置の正確な制御が可能で、高速動作性および低雑音性に優れ、かつオン/オフ比に優れ、しかも狭いスペースで済むために極めて小型化可能な集積型量子細線トランジスタを提供する。 - 特許庁
To provide a wire electric discharge machining method for making a thin laminated cylindrical body of a laminated block body of laminating and bonding an extremely thin plate, without separating a laminated plate of the thin laminated cylindrical body, without reducing adhesive strength of an adhesive of adhering the laminated plate, even if discharge heat is generated in electric discharge machining.例文帳に追加
放電加工時に放電熱が発生しても、積層板を接着している接着剤の接着強度の低下を招くことなく、薄肉積層円筒体の積層板の剥離が生じることのない、極薄板を積層接着した積層ブロック体から薄肉積層円筒体を作成するためのワイヤ放電加工方法を提供すること。 - 特許庁
A thin plate 2 having a hole 1 which has an extremely high accuracy is used for a front surface and other thin plates 2 of which the holes have diameters inferior in accuracy and slightly larger than prescribed diameters are used for other positions and a means is used to fix the plates together.例文帳に追加
表面の薄板2の孔1に寸法精度の著しく良好なものを一枚使用し、それ以外の部位にある薄板2において、孔径につき、精度において劣るとともに、所定の径よりもやや大きい径を有する孔を穿設したものを使用して固着する手段を採用した。 - 特許庁
To provide a manufacturing method capable of forming a thin-film semiconductor layer having improved properties on a substrate surface in which flatness is maintained appropriately regardless of a substrate configuration, and capable of obtaining a semiconductor device in which an element having improved characteristics is provided on an extremely thin plastic substrate.例文帳に追加
基板構成によらずに平坦性が良好に維持された下地面上に膜質の良好な薄膜半導体層を形成することができ、ごく薄いプラスチック基板上に特性の良好な素子を設けた半導体装置を得ることが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁
A conductive thin film of the electron emission element on an electron source substrate 83 is composed of a particulate film of Sp^3-bonding boron nitride, or a thin film in which a fine projection shape is provided on the front surface of Sp^3-bonding boron nitride, and provided with extremely superior electron emission characteristics.例文帳に追加
電子源基板83上の電子放出素子の導電性薄膜は、Sp^3結合性窒化ホウ素の微粒子膜、もしくは、Sp^3結合性窒化ホウ素の表面が微小突起形状を有する薄膜からなり、極めて良好な電子放出特性を持つ。 - 特許庁
To provide a mounting socket for a memory card and a SIM card for a cellular phone for improving adaptability to a thin cellular phone with extremely thin a SIM fixing member to be used for fixing a memory card socket which separates the SIM card and the memory card.例文帳に追加
SIMカード及びメモリカードを互いに分離するメモリカードソケット、及びSIMカードを固定するために使用されるSIM固定部材の厚さが著しく小さく、薄型携帯電話への適応性を改善する、携帯電話用のメモリカード及びSIMカード用取付けソケットを提供すること。 - 特許庁
To provide a scanning probe microscope having a space resolution up to the periphery centered at 10 nm, capable of acquiring quantitatively information on a film thickness or its distribution of a dielectric thin film, and an (extremely thin dielectric) film thickness distribution measuring method using the microscope.例文帳に追加
誘電体薄膜の膜厚もしくはその分布に関わる情報を定量的に取得可能な、10nmを中心としてその近傍までの空間分解能を持つ走査型プローブ顕微鏡及びそれを用いた(極薄誘電体)膜厚分布測定方法を提供する。 - 特許庁
The carrying tray used in a manufacturing process for the semiconductor device is provided with a plurality of compartments 7 individually storing a distributing board 11 mounting extremely thin pieces 12 constituting a thin semiconductor device, and a plurality of overhanging areas 1 are formed on a part of openings of respective compartments.例文帳に追加
半導体装置の製造工程中に使用される搬送用トレーにおいて、薄型半導体装置を構成する極薄のチップ12を搭載した配線基板11を個別に収納する複数の区画7を有し、前記各区画の開口部の一部に複数のオーバーハング領域1を設けている。 - 特許庁
The photoresist polymer containing a proper amount of silicon element has largely improved etching resistance and is not only suitable for a thin resist process and a process using a bilayer resist but also can extremely increase a contract ratio between a development area and a nondevelopment area.例文帳に追加
シリコン元素を適正量含んでいる本発明のフォトレジスト重合体はエッチング耐性が大きく向上し、シンレジスト工程(thin resist process)及び二分子層レジストを用いた工程に適するだけでなく、露光地域と非露光地域の間の対照比を大きく増加させることができる。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a laminated wafer which can prevent a failure occurring in the thin film of the laminated wafer or in the interface of lamination when laminating a bond wafer composed of a silicon single crystal on a base wafer directly or through an extremely thin silicon oxide film of not larger than 100 nm.例文帳に追加
シリコン単結晶からなるボンドウェーハを、直接あるいは100nm以下と極めて薄いシリコン酸化膜を介してベースウェーハと貼り合わせる際に、貼り合わせウェーハの薄膜や貼り合わせ界面に発生する欠陥を防止できる貼り合わせウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁
As a result, electrons generated by electrode reaction of the MEA 10 can be extremely easily moved to the carbon thin film layer 22 formed from carbon excellent in conductivity, and also can be moved to the carbon rods 23 joined integrally with the carbon thin film layer 22 without any loss.例文帳に追加
これにより、MEA10の電極反応によって生じた電子は、導電性に優れるカーボンから形成されたカーボン薄膜層22に極めて容易に移動することができるとともにカーボン薄膜層22に一体的に接合されたカーボン棒23に損失なく移動することができる。 - 特許庁
For the protective layer, a protective layer having an extremely small thickness without influencing the vertical conductivity of the transparent conductive thin film should be formed on the film surface of the transparent conductive thin film, its film thickness is preferably in the range of 1-1,000 nm, with the range of 1-100 nm more preferable.例文帳に追加
また、保護層は、透明導電薄膜の膜面に垂直方向の導電性に影響を及ぼすことのない極薄い膜厚の保護層を形成すればよく、1から1000nmの範囲の膜厚であることが好ましく、1から100nmの範囲の膜厚であることが更に好ましい。 - 特許庁
Either the contact portion 48 on the swash plate side of the piston 4 or the contact portion 47 on the piston side of the swash plate 6 thereby attains the high ability of forming an oil film and can have a long life time even in a state that the thickness of the oil film is extremely thin at low viscosity and thin lubrication.例文帳に追加
これにより、ピストン4の斜板側接触部48と斜板6のピストン側接触部47とのどちらか一方が高い油膜形成能力を奏し、低粘度、希薄潤滑下で油膜厚さが極端に薄い条件下でも、長寿命を得ることができる。 - 特許庁
In this case, since the Ag has small shearing resistance, when the Ag is extended as the extremely thin film on the sliding surface, the degree acting as friction resistant force to the opposite material is small and the low friction coefficient can be obtained.例文帳に追加
この場合、Agは剪断抵抗が小さいので、摺動表面に極薄膜となって延びる際に、相手材に摩擦抵抗力として作用する度合いが小さく、低摩擦係数を実現できる。 - 特許庁
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