「first-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(473ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, the first metal layer 23 has a patterning of a prescribed shape which is composed of a circuit pattern 231 connected electrically to the light emitting device 4 and functioning as an electric circuit and a heat radiating pattern 232 functioning for radiating heat generated by the light emitting device 4.例文帳に追加

そして、第１の金属層２３は、所定形状にパターニングされ、発光装置４と電気的に接続された電気回路として機能する回路パターン２３１と、発光装置４で発生した熱を放熱するための機能を有する放熱用パターン２３２とで構成されている。 - 特許庁

In this case, the refractive index of the scintillator crystal 2 is not less than 1.8 and the peak wavelength of the scintillation light 6 is not more than 400 nm, and the space between the scintillator crystal 2 and the photodetector 5 is filled with a first light wavelength conversion layer 4, having a refractive index of not less than 1.62.例文帳に追加

ただし、シンチレータ結晶２は屈折率が１．８以上でシンチレーション光６のピーク波長が４００ｎｍ以下であり、このシンチレータ結晶２と光検出器５との間隙には屈折率が１．６２以上の第一光波長変換層４が充填されている。 - 特許庁

The field-effect transistor formed on a substrate 1 has a first compound semiconductor layer which has a source region 4, a drain region 5 and a fin-form region 6 formed between the source and drain regions, and a gate electrode 7 so formed on the surface of the fin-form region 6 as to override this fin-form region 6.例文帳に追加

基板１上に形成され、ソース領域４、ドレイン領域５およびこれらの間に形成されるフィン状領域６を有する第１の化合物半導体層と、フィン状領域６の表面に、このフィン状領域６をまたぐように形成されたゲート電極７を備える。 - 特許庁

After the first laminate is stacked, a cutting means penetrates all of the laminate 110 and the internal-layer circuit board 100 across the two slits 24 to form an unnecessary piece and to form the opening 21, thereby performing processing for forming a terminal 20 including the terminal 20a.例文帳に追加

積層後、２つのスリット２４に跨って積層板１１０及び内層回路基板１００の全てを貫通するように切断手段を通して、不要な除去片を形成すると同時に開口部２１を形成して、端子２０ａを備えた端子部２０の形状加工を行う。 - 特許庁

The color filter 22 of the second substrate 20 has at least one opening 22a in the area corresponding to the reflecting area R, and the step of forming the polymer structure 32 is executed by emitting light to the liquid crystal layer 30 from both the first substrate 10 side and the second substrate 20 side.例文帳に追加

第２基板２０のカラーフィルタ２２は、反射領域Ｒに対応する領域に少なくとも１つの開口部２２ａを有し、ポリマー構造物３２を形成する工程は、液晶層３０に第１基板１０側と第２基板２０側の両方から光を照射することによって実行される。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting element, a composite buffer layer 12 formed by alternately laminating a plurality of AlN first layers 12a and a plurality of GaN second layers 12b upon another is provided on a low- resistance silicon substrate 11 one main surface 11a of which is oriented in the (111) crystal plane.例文帳に追加

低抵抗のシリコンから成り且つ一方の主面１１ａの結晶面方位を（１１１）ジャスト面とした基板１１の上にＡｌＮから成る第１の層１２ａとＧａＮから成る第２の層１２ｂとを交互に複数積層した複合層構造のバッファ層１２を設ける。 - 特許庁

The first aluminum alloy layer contains 0.4 to 1.0 mass% Mg, 0.4 to 1.0 mass% Si and 0.3 to 1.0 mass% Mn or contains 0.8 to 1.5 mass% Mg, 4.5 to 6.5 mass% Zn and 0.3 to 1.0 mass% Mn.例文帳に追加

第１のアルミニウム合金層は、Ｍｇ：０．４乃至１．０質量％、Ｓｉ：０．４乃至１．０質量％及びＭｎ：０．３乃至１．０質量％を含有するか、又はＭｇ：０．８乃至１．５質量％、Ｚｎ：４．５乃至６．５質量％及びＭｎ：０．３乃至１．０質量％を含有する。 - 特許庁

A first wiring layer 102, an SiN film 103, an SiO_2 film 104 and an FSG film 105 are formed on the surface of an insulating film 101, and a through-hole 106 and a wiring groove 107 are formed inside the SiN film 103, the SiO_2 film 104 and the FSG film 105.例文帳に追加

絶縁膜１０１の表面に第１配線層１０２、ＳｉＮ膜１０３、ＳｉＯ_2膜１０４およびＦＳＧ膜１０５を形成し、ＳｉＮ膜１０３、ＳｉＯ_2膜１０４およびＦＳＧ膜１０５の内部にスルーホール１０６および配線溝１０７を形成する。 - 特許庁

A first alignment layer 11 is formed so that the film thickness of a non-display wiring region part 11c disposed in a non-display region 4 and laminated on a gate bus line 12 and the film thickness of a display region part 11a disposed in a display region 3 are made different from each other.例文帳に追加

第１配向膜１１が、非表示領域４に配置され、かつゲートバスライン１２に積層される非表示配線領域部分１１ｃの膜厚と、表示領域３に配置される表示領域部分１１ａの膜厚とが、相互に異なるように形成される。 - 特許庁

A packaging method of a semiconductor device includes a step for forming a through hole (12) in a base substrate (10) and a step for forming a conductive layer (18) by depositing a conductive material (14) on a first surface (16) of the base substrate (10) so that the through hole (12) is filled with the conductive material (14).例文帳に追加

半導体デバイスのパッケージング方法は、ベース基板（１０）にスルーホール（１２）を形成する工程と、導体材料（１４）がスルーホール（１２）を充填するようにベース基板（１０）の第１の面（１６）に導体材料（１４）を堆積して導体層（１８）を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

A first, a second, a third base parts 22A, 22B, 22C are provided in a region of each the layer 24A, 24B, 24C higher than the other region of the base 22, and substantially cylindrical mound parts 25... are formed at specified intervals, while thereon ring-like small abrasive grain layers are provided.例文帳に追加

各砥粒層２４Ａ，Ｂ，Ｃの領域に台金２２の他の領域より高さの高い第一台金部２２Ａ，第二台金部２２Ｂ，第三台金部２２Ｃを設け、所定間隔で略円筒状のマウンド部２５…を多数形成してその上にリング状の小砥粒層部２８を設ける。 - 特許庁

A multilayer film made of a niobium oxide film with the film thickness of 5 nm and the refractive index of 2.30 and a silicon oxide film with the film thickness of 55 nm and the refractive index of 1.45 is formed on a lower layer side of the first light-transmitting electrode pattern 11 and the second light-transmitting electrode pattern 12.例文帳に追加

また、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の下層側には、膜厚が５ｎｍで屈折率が２．３０のニオブ酸化膜、および膜厚が５５ｎｍで屈折率が１．４５のシリコン酸化膜からなる多層膜が形成されている。 - 特許庁

First, a positive electrode is formed on the substrate 2, and then an organic material is applied in a lined form passing through a sealing region 11 so that part of the organic material extends from the sealing region 11 where the sealing plate 4 is pasted and sealed thereto, to form the lined organic layer 5.例文帳に追加

まず基板２に陽極を形成し、次に封止板４が貼り合わされて封止される封止領域１１から有機材料の一部が延伸するように、封止領域１１を通って有機材料をライン状に塗布して、ライン状の有機層５を形成する。 - 特許庁

The conductor 10 or the conductor 16 is made a bit line 32, and the first electrode section 12 is made a word line 33 to apply voltage or an electric current to the variable resistance layer 14 containing a metal oxide as a main component, thus achieving the resistance change of the memory bit part 1.例文帳に追加

導電体１０あるいは導電体１６をビット線３２とし、第１電極部１２をワード線３３とし、金属酸化物を主成分とした抵抗変化層１４に電圧あるいは電流を印加することにより、メモリビット部１の抵抗変化を実現できる。 - 特許庁

A second gate electrode 20 is provided on the second surface 14b via a second gate insulating film 21 so that one side of a second inversion layer 24 induced by application of a second gate voltage Vg2 contacts the second impurity region 16, and the other side is spaced apart from the first impurity region 15.例文帳に追加

第２ゲート電極２０は、第２ゲート絶縁膜２１を介して第２の面１４ｂに、第２ゲート電圧Ｖｇ２が印加されると生じる第２反転層２４の一側が第２不純物領域１６に接触し、他側が第１不純物領域１５から離間するように配設されている。 - 特許庁

The recording medium further includes a thermal deformation suppressing layer formed on the second surface of the resin substrate excluding the inner peripheral area of a predetermined width from the center hole, the recording area, and the outer peripheral side nonrecording area, and having a second thermal expansion factor smaller than the first thermal expansion factor.例文帳に追加

記録媒体は更に、中心穴から所定幅の内周領域、記録領域及び外周側非記録領域を除き、樹脂基板の第２面上に形成された、第１の熱膨張率より小さな第２の熱膨張率を有する熱変形抑制層を含んでいる。 - 特許庁

The retardation layer 29 has a function of preventing reduction of contrast of a projected image by controlling a polarization direction of a skew ray R made incident at an angle inclined from an incident axis A1 vertical to the side surface of the first PBS 17 and interrupting needless light which does not contribute as image light.例文帳に追加

位相差層２９は、第１ＰＢＳ１７の側面に垂直な入射軸Ａ１から傾いた角度で入射するスキュー光線Ｒの偏光方向を制御し、画像光として寄与しない不要な光を遮断することにより、投映画像のコントラストが低下することを防止する作用をする。 - 特許庁

A light-shielding electrically conductive layer 80a made of a material different from the material to form the data lines is formed in an island state in the non-opening region of pixels which is between the data lines adjacent to each other on a first interlayer insulating film 4 and which extends along the scanning lines and capacitor lines.例文帳に追加

第１層間絶縁膜４上の相隣接するデータ線間であって前記走査線及び容量線に沿って伸びる画素の非開口領域に、データ線の形成材料とは異なる材料からなる遮光性の導電層８０ａを島状に設ける。 - 特許庁

This adhesive film is equipped with an adhesive layer consisting of (A) a component having a high molecular weight containing a functional group and having ≥100,000 weight-average molecular weight, (B) a thermosetting resin containing a tris-epoxy resin and (C) a resin composition containing a first filler having ≥30 m^2/g BET specific surface area.例文帳に追加

（Ａ）官能基を含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分、（Ｂ）トリスエポキシ樹脂を含む熱硬化性樹脂、及び（Ｃ）ＢＥＴ比表面積が３０ｍ^２／ｇ以上の第１のフィラーを含有する樹脂組成物からなる接着剤層を備える接着フィルム。 - 特許庁

The overall surface of an edge part of an optical surface (upper spherical surface in the drawing) except for specified width of it is covered with the thin film 11 on an upper spherical surface at the first stage to cover and work a resin layer on the upper spherical surface to form the composite optical element on the base material lens 6 made of glass.例文帳に追加

ガラス製の基材レンズ６は複合光学素子を形成するために上球面に樹脂層を被着加工する前段において、その上球面に予め薄膜１１が基材レンズ６の光学面（図の例では上球面）の縁部の所定幅を除く全面に被着されている。 - 特許庁

The hardness after curing a first adhesive 11 for adhering an acoustic matching layer 14 and a case 12 to each other is selected differently from the hardness after curing a second adhesive 13 for adhering the case 12 and a piezoelectric body 16 to each other so as to prevent deterioration in the adhesion under an operating environment.例文帳に追加

音響整合層１４とケース１２を接続する第１接着剤１１およびケース１２と圧電体１６を接続させる第２接着剤１３で硬化後の硬度をそれぞれ変えることにより、使用環境における接続の劣化を防止することができる。 - 特許庁

Since the capacitance insulating film comprises the laminate film consisting of the hafnium oxide films 102, 104 of the first and third layers having a great barrier height, and the hafnium oxide film 103 of the second layer having a great dielectric constant, it is possible to materialize the capacitor having a small leakage current and a large capacitance.例文帳に追加

容量絶縁膜は、バリアハイトの大きな第１層、第３層のハフニウム酸化膜１０２、１０４と、誘電率の大きな第２層のハフニウム酸化膜１０３との積層膜で構成されるため、リーク電流が小さく、かつ容量の大きなキャパシタが実現できる。 - 特許庁

The electronic part 1 has a lower conductor 21 (a first conductor) formed on the planarizing layer 52 of a substrate 51, a dielectric film 31 formed on the lower conductor 21, and an upper conductor (a second conductor) 23 which is formed on the dielectric film 31 and is thinner than the lower conductor 21.例文帳に追加

電子部品１は、基板５１の平坦化層５２上に形成された下部導体（第１導体）２１と、下部導体２１上に形成された誘電体膜３１と、誘電体膜３１上に形成されて下部導体２１より薄い上部導体（第２導体）２３とを有している。 - 特許庁

The pigment absorbs laser energy of a first one or more of pulses, a plasma state of high temp/high pressure is generated on the glass substrate surface, a surface layer glass is fused/removed to form a recessed part 9, further, its surrounding is modified to a composition liable to absorb a beam.例文帳に追加

顔料が最初の１つ又はいくつかのパルスのレーザエネルギを吸収して、ガラス基板表面に高温・高圧のプラズマ状態が発生し、表面層のガラスを溶融・除去して凹所９を形成し、かつその周辺部をレーザ光を吸収し易い組成に変質させる。 - 特許庁

The Al-doped GaInAs active layer 4 is made by performing the growth of GaInAs so as to be doped with Al by mixing TMA as a second material including Al into the first material consisting of TMG(trimethyl gallium), TMIn, and AsH3 used for the growth of GaInAs.例文帳に追加

Ａｌ添加ＧａＩｎＡｓ活性層４は、ＧａＩｎＡｓの成長に用いられるＴＭＧ、ＴＭＩｎ、ＡｓＨ_3 からなる第１の原料に、Ａｌを含む第２の原料としてのＴＭＡを混入して、Ａｌが添加されるようにＧａＩｎＡｓの成長を行うことにより形成する。 - 特許庁

This separator for the fuel cell consists of a plate like carbon 11 (first member) and a metallic plate 12 (second member) having a plurality of protruding pieces 13 laminated on the carbon 11, being brought into elastic contact with a gas diffusion electrode layer 20 of an electrode structural body, and forming a gas flow passage 14.例文帳に追加

平板状のカーボン１１（第１の部材）と、このカーボン１１に積層され、電極構造体のガス拡散電極層２０に弾性的に接触させられるとともにガス流路１４を形成する複数の突片１３を有する金属板１２（第２の部材）とからなる。 - 特許庁

The welding machine, which welds a member to be welded (structural components of an inner layer of the multilayer printed wiring board) at predetermined places, includes a first welding bit 11a and a second welding bit 11b which press and heat the member to be welded by clamping it from both surfaces of the member for welding.例文帳に追加

被溶着部材（多層プリント配線板の内層の構成部材）を所定箇所において溶着する溶着機として、被溶着部材を両面から挟むように加圧及び加熱して溶着する第１溶着ビット１１ａ及び第２溶着ビット１１ｂを備える。 - 特許庁

Between the metal wiring conductors 19A and the first glass substrate 15, a ground layer 120 is disposed which is electrically insulated from the metal wiring conductors 19A, to which a predetermined potential is set and which is comprised of the same material as the transmitting conductors 11 or the receiving conductors 13.例文帳に追加

金属配線導体１９Ａと第１ガラス基板１５との間に、金属配線導体１９Ａとは電気的に絶縁されるとともに所定の電位が設定され、送信導体１１または受信導体１３と同一の材料からなるグランド層１２０が配設されている。 - 特許庁

A propeller shaft 1 has a stub shaft 11 made of an iron based metallic material, formed in a hollow cylindrical shape, and is provided with a protective layer 13 on the outer circumferential face, and a hollow cylindrical first tube 12 made of an aluminum based metallic material, wherein the two components are joined by friction welding.例文帳に追加

プロペラシャフト１は、鉄系金属材料からなる中空円筒状に形成され、外周面に保護層１３を有するスタブシャフト１１と、アルミ系金属材料からなる中空円筒状の第１チューブ１２と、を有しており、両者は摩擦圧接によって接合されている。 - 特許庁

Thus, it can be prevented that a level difference is caused in an upper shield layer 12 by the first lead conductor 31 and magnetic domain structure becoming a noise causing source is formed by its level difference and also it is possible to make the lead conductor 31 and the upper shield player 12 so as not to be overlapped with each other.例文帳に追加

これにより、第１のリード導体３１によって上部シールド層１２に段差が生じ、その段差によってノイズの発生源となる磁区構造が形成されることを防ぐことができ、また、リード導体３１と上部シールド層１２が重ならないようにすることができる。 - 特許庁

Protection layers 1a, 1b are formed and arranged to be congruent with upper faces of the measuring electrodes 3,4, in a sensor element having the protection layers 1a, 1b, a measuring system 2 having the first measuring electrode 3 and the second measuring electrode 4 engaged with each other comb-likely, and an insulating layer 5.例文帳に追加

保護層１ａ；１ｂと、櫛状に相互に係合する第１の測定電極３および第２の測定電極４を有する測定電極システム２と、絶縁層５とを有するセンサ素子において、保護層１ａ；１ｂを測定電極３，４の上面と合同に形成および配置する。 - 特許庁

The pattern forming material formed on a substrate has first and second reaction layers reacted mutually by heating to be expanded in volume and a third reaction layer expanded in volume by heating.例文帳に追加

基板上に形成されたパターン形成材料であって、加熱されることにより、相互に反応して体積が膨張する第１の反応層および第２の反応層と、加熱されることにより、体積が膨張する第３の反応層と、を有することを特徴とするパターン形成材料。 - 特許庁

When the distance between a designed reflection surface S and the end surface 10A is defined as L and the thickness of an adhesive layer 41 between the end surface 10A of the first member 10 and the optical filter 30 as D1, the absolute value of a difference (D1-L) between the thickness D1 and the distance L is ≤1 μm.例文帳に追加

設計反射面Ｓと端面１０Ａとの間の距離をＬとし、第１部材１０の端面１０Ａと光フィルタ３０との間の接着層４１の厚みをＤ１としたとき、厚みＤ１と距離Ｌとの差（Ｄ１−Ｌ）の絶対値が１μｍ以下である。 - 特許庁

A wavelength conversion layer for converting a part of visible light emitted by a semiconductor light emitting element includes a first phosphor having an emission peak in a predetermined visible light range and a second phosphor having an emission peak in each of the predetermined visible light range and a predetermined near infrared light range.例文帳に追加

半導体発光素子の発する可視光の一部を変換する波長変換層が、所定の可視光域に発光ピークを有する第１の蛍光体と、所定の可視光域と所定の近赤外光域にそれぞれ発光ピークを有する第２の蛍光体とを含む。 - 特許庁

The data management system includes a file system module which stores first data in a flash memory in units blocks, and a filter layer module which receives second data from the file system module and stores the second data in a PRAM in units sub-blocks.例文帳に追加

本発明の一特徴によるデータ管理システムは、フラッシュメモリ（ｆｌａｓｈ ｍｅｍｏｒｙ）においてブロック単位で第１データを保存するファイルシステムモジュールと、該ファイルシステムモジュールから第２データを受信し、サブブロック単位でＰＲＡＭに第２データを保存するフィルタレイヤーモジュールと、を備える。 - 特許庁

Semiconductor layers 111 to 109a are dry-etched using a second photomask 116 while the progression of the dry etching is observed through a second etching monitoring opening portion 118, and the dry etching is stopped in predetermined timing corresponding to disappearance of the first lower clad layer 103.例文帳に追加

第二フォトマスク１１６を用いて半導体層１１１〜１０９ａのドライエッチングを、第二エッチングモニタ用開口部１１８を通して上記ドライエッチングの進行を観測しながら行い、第一下クラッド層１０３の消失に応じた所定のタイミングで上記ドライエッチングを停止させる。 - 特許庁

In the storage capacitance, a first capacitance electrode (13) which is formed of the same film as that of the scanning lines and a second capacitance electrode (33) formed of the same film as that of a barrier layer (34) for relay-connecting between the pixel electrode and the TFT are arranged facing each other through a dielectric film (42).例文帳に追加

蓄積容量は、走査線と同一膜からなる第１容量電極（１３）と、画素電極及びＴＦＴ間を中継接続するバリア層（３４）と同一膜からなる第２容量電極（３３）とが、誘電体膜（４２）を介して対向配置されてなる。 - 特許庁

A reflection type exposure mask comprises a substrate 11, a reflective layer 14 and a mask pattern 15 formed on a first surface side of the substrate 11, a conductive film 12 formed on a second surface side of the substrate 11, and an elastically deformable body 13 formed in a part of a region on the conductive film 12.例文帳に追加

基板１１と、基板１１の第１の面側に形成された反射層１４及びマスクパターン１５と、基板１１の第２の面側に形成された導電膜１２と、導電膜１２上の一部の領域に形成された弾性変形体１３とを有する反射型露光マスクを提供する。 - 特許庁

Since the second light shielding area such as a black matrix is extremely thin in comparison with the first light shielding area such as the peripheral breaking parts, it is difficult to form the respective layers as thickness as designed values in the case of laminating a plurality of layers and the layer thickness of the second light shielding area tends to become thinner.例文帳に追加

ブラックマトリクスなどの第２の遮光領域は、周辺見切りなどの第１の遮光領域と比べて非常に細いので、複数の層を積層する際に設計値通りの厚さに各層を形成することが困難であり、第２の遮光領域は層厚が薄くなる傾向がある。 - 特許庁

The multilayer ceramic body 10 has an internal electrode layer 12 consisting of an internal electrode part 120, formed by calcining a first electrode material, and a bracing part 129 where the outer circumferential end part of the inner electrode part 120 is braced inwardly, from the outer circumferential surface of the multilayer ceramic body 10.例文帳に追加

セラミック積層体１０は、第１の電極材料を焼成してなる内部電極部１２０と、該内部電極部１２０の外周端部がセラミック積層体１０の外周面から内方に控えた控え部１２９とよりなる内部電極層１２を有している。 - 特許庁

The control method comprises a step of monitoring a link signal generated by the Ethernet physical layer transceiver when the power line adapter operates in an active mode, and of cutting off the DC supply voltage from the power line communication circuit to establish the power saving mode when the link signal shows first period cut-off.例文帳に追加

制御方法は、電力線アダプタが活動モードで動作する時、イーサネット物理層トランシーバによって生成されるリンク信号を監視し、リンク信号が第１の期間切断を示す時、ＤＣ供給電圧を電力線通信回路から切断し、省電力モードに入る工程を備える。 - 特許庁

The plurality of hexagonal-pyramid cavities of the second nitride semiconductor stack are filled with the first transparent conductive oxide layer, and a low-resistance ohmic contact is generated on the inner surfaces of the plurality of hexagonal-pyramid cavities so as to decrease the operation voltage and improve light-emitting efficiency of the light-emitting device.例文帳に追加

第二の窒化物半導体スタックの複数の六角形のピラミッド型の孔は、第一の透明導電性の酸化物層で満たされ、低い抵抗のオーミック接触は、操作電圧を減じ、発光装置の発光効率を改善するように、複数の六角形のピラミッド型の孔の内面で発生する。 - 特許庁

The thermal conduction layer 22 is composed of an insulation board 24, a first joining material 26 including an active element for joining the insulation board 24 on the heat sink material 20, a second joining material 28 formed on the insulation board 24, and an electrode 30 formed on the second joining material 28.例文帳に追加

熱伝導層２２は、絶縁基板２４と、該絶縁基板２４をヒートシンク材２０に接合するための活性元素を含む第１の接合材２６と、前記絶縁基板２４上に形成された第２の接合材２８と、該第２の接合材２８上に形成された電極３０とから構成される。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a second capacitor which is formed by providing an upper electrode 540, on the upper side of a first electrode 520 (surface strap) electrically connecting a source diffused layer S of a MOS transistor and a storage electrode 330 of a deep trench capacitor C_DT, by means of a second insulating film 530.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのソース拡散層ＳとディープトレンチキャパシタＣ_ＤＴのストレージ電極３３０を電気的に接続する第一の電極（サーフェスストラップ）５２０上部に、第二の絶縁膜５３０を介して上部電極５４０を形成し、第二のキャパシタを備える。 - 特許庁

A dichroic dye 12 is added to the nematic liquid crystal constituting the first liquid crystal layer 5 so as to give a function as an absorbing means for external light to absorb the light 14 made incident from the display face side through the polarizing plate 10 in the dark display mode of transmission display.例文帳に追加

ここで、第１の液晶層５を構成するネマチック液晶には、二色性色素１２が添加されており、透過表示の暗表示に表示面側から偏光板１０を介して入射する光１４を吸収する外光吸収手段としての機能が付与されている。 - 特許庁