「flash memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a data instantaneous updating method for a flash memory, capable of avoiding the loss of data caused by the problem of an electric charge in the floating gate of a flash memory, shortening a data recovery time in starting, and raising reliability in the flash memory and safety of the data.例文帳に追加

フラッシュメモリの浮遊ゲートにおける電荷の問題によりデータがなくなるのを回避し、起動時のデータ回復時間を短縮することができ、フラッシュメモリの信頼性とデータの安全性を向上させるため、フラッシュメモリのデータ即時更新方法を提供する。 - 特許庁

This flash memory rewrite device has: a data comparator 102 reading and comparing data written in a flash memory 101 and rewrite data stored in a RAM 104 in byte units; and a rewrite circuit 105 controlling erasure and the rewrite of the flash memory 101 by a comparison result.例文帳に追加

フラッシュメモリ１０１に書き込まれているデータとＲＡＭ１０４上に格納された書換えデータをバイト単位で読み出して比較するデータ比較器１０２と、比較結果によりフラッシュメモリ１０１の消去、書換えを制御する書換え回路１０５とを備える。 - 特許庁

To provide a method for minimizing the degradation in performance during access to a flash memory by using a logical-physical mapping procedure, a method for efficiently storing and managing information concerned with logical-physical mapping in the flash memory and the flash memory using the methods.例文帳に追加

論理・物理マッピング手法を用いてフラッシュメモリのアクセス時に性能低下を最小限に抑える方法、フラッシュメモリに論理・物理マッピングに関する情報を効率よく格納し管理する方法及びそれらの方法を用いたフラッシュメモリを提供する。 - 特許庁

The data storage device 10 includes a USB connector 110, a USB control circuit 120, a flash controller 130, and a flash memory FL.例文帳に追加

データ記憶装置１０は、ＵＳＢコネクタ１１０とＵＳＢ制御回路１２０とフラッシュコントローラ１３０とフラッシュメモリＦＬとを備えている。 - 特許庁

As a UDF file system 23 of the record control device 1, a UDF file system is formed on a flash file system of a flash memory 4.例文帳に追加

記録制御装置１のＵＤＦファイルシステム部２３は、フラッシュメモリ４のフラッシュファイルシステム上にＵＤＦファイルシステムを構築する。 - 特許庁

To prolong the service life of a flash memory while effectively utilizing memory capacity and to prevent time required for access from being prolonged even when the memory is used for a long time.例文帳に追加

メモリ容量を有効活用し、フラッシュメモリの寿命を延ばし、長期間使用してもアクセスに要する時間が長期化しないようにすること。 - 特許庁

Memory cells of a NAND-type flash memory are arranged into a matrix in a line and column directions in a memory array region of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１のメモリアレイ領域には、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリのメモリセルが行方向および列方向に沿ってマトリクス状に配置されている。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory wherein the high speed collective erasure of memory signals can be obtained in an NAND-type flash memory having SOI structure.例文帳に追加

ＳＯＩ構造を持つＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、メモリ信号の一括消去を高速に実現可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The memory card is equipped with a transfer path for directly transferring data from the host to the NAND flash memory besides a transfer path of data via the buffer memory.例文帳に追加

メモリーカードは、バッファーメモリーを経由するデータの転送経路の他に、ホストからＮＡＮＤフラッシュメモリーに直接にデータを転送する転送経路を具備する。 - 特許庁

A flash memory (1) has a memory array (3) provided with a plurality of nonvolatile memory cells (2) in which write-in and erasure can be performed electrically, and a control circuit (5).例文帳に追加

フラッシュメモリ（１）は、電気的に書込み及び消去が可能にされる複数の不揮発性メモリセル（２）を備えるメモリアレイ（３）と、制御回路（５）とを有する。 - 特許庁

To prevent data corruption of a flash memory when battery power is lowered while writing data in a non-volatile memory in an electronic device having the non-volatile memory.例文帳に追加

不揮発性メモリを有する電子装置において、不揮発性メモリにデータを書き込み中にバッテリが低下した場合に、フラッシュメモリのデータ破壊を防止する。 - 特許庁

To reduce layout area of X system peripheral circuits and to reduce erasing disturbance of memory cells in a semiconductor memory device such as a flash memory or the like.例文帳に追加

フラッシュメモリなどの半導体記憶装置において、Ｘ系周辺回路のレイアウト面積を低減し、メモリセルの消去ディスターブを低減することである。 - 特許庁

To provide a memory system and a memory read method for performing high speed read processing to a flash memory having a write suspend function, and a program.例文帳に追加

書き込みサスペンド機能を持ったフラッシュメモリに高速に読み出し処理を行なうメモリシステム及びメモリの読出し方法並びにプログラムを提供する。 - 特許庁

Subsequently, rewrite of the memory information, after shipping, is enabled by enabling the rewriting of the memory information written into the memory cell of the flash ROM.例文帳に追加

続いて、フラッシュＲＯＭのメモリセルに書き込まれた記憶情報を書き換えできないようにして出荷後の記憶情報の書き換えを不可能とする。 - 特許庁

To provide a memory card which is favorable for housing a flash memory whose internal space is largely scaled while maintaining the outline dimension of the memory card.例文帳に追加

メモリカードの外形寸法を維持しつつ内部空間の大きさを拡大し大型化したフラッシュメモリを収容する上で有利なメモリカードを提供する。 - 特許庁

SYSTEM AND METHOD FOR CONTROLLING MEMORY REWRITING OF FLASH MEMORY, PROGRAM FOR PERFORMING EACH PROCESS OF MEMORY REWRITING CONTROL METHOD AND INFORMATION RECORDING MEDIUM例文帳に追加

フラッシュメモリのメモリ書き換え制御システム、メモリ書き換え制御方法、メモリ書き換え制御方法の各工程を実行させるプログラムおよび情報記録媒体 - 特許庁

In flash memory having plural nonvolatile memory cells, copy operation among plural cell blocks having plural nonvolatile memory cells is performed automatically.例文帳に追加

本発明は、複数の不揮発性メモリセルを有するフラッシュメモリにおいて、複数の不揮発性メモリセルを有する複数のセルブロック感での複写動作を自動で行う。 - 特許庁

When power is supplied from a main power source 6, a CPU 1 transfers a program in a flash memory 2 to a volatile memory 3, erases the program in the flash memory 2 and afterwards performs the prescribed processing according to the program in the volatile memory 3.例文帳に追加

主電源１から電源が供給されると、ＣＰＵ１はフラッシュメモリ２のプログラムを揮発性メモリ３に転送するとともに、フラッシュメモリ２のプログラムを消去し、以降は揮発性メモリ３のプログラムにしたがって所定の処理を行う。 - 特許庁

To provide a memory controller capable of preventing setup information of a flash memory from being not correctly read, thereby holding the setup information in a surely available state, and to provide the flash memory system equipped with the memory controller.例文帳に追加

本発明は、フラッシュメモリの設定情報が正しく読み出せなくなる事態を防止し、設定情報を確実に利用可能な状態に置くことが可能なメモリコントローラ、及び当該メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステムを提供することを目的とする。 - 特許庁

A restoration unit 54 reads the plurality of split pieces stored in the flash memory onto the management memory as the management information, updates the management information according to the log stored in the flash memory, and restores the updated management information.例文帳に追加

復元部５４は、フラッシュメモリに保存された複数の分割片を管理情報として管理メモリに読み出し、フラッシュメモリに保存されたログに従って管理情報を更新し、更新後の管理情報を復元する。 - 特許庁

In this way, the program stored in the flash memory 13 is started on the flash memory 13 before it is loaded to the RAM 14, and time-consuming memory expansion is not carried out before starting the program.例文帳に追加

これにより、Ｆｌａｓｈメモリ１３に保存されているプログラムが、ＲＡＭ１４へロードされる前にＦｌａｓｈメモリ１３上で起動し、プログラム起動前の段階では時間のかかるメモリ展開が行われないようにする。 - 特許庁

The control part 4 controls an access to the mounted flash memory 2 on the basis of the information 5 about the mounted flash memory 2 in the information 5 and 6 about the flash memories stored in the storing part 3.例文帳に追加

制御部４は、記憶部３に格納されている、フラッシュメモリに関する情報５，６のうちの、搭載されているフラッシュメモリ２に関する情報５に基づいて、搭載されているフラッシュメモリ２に対するアクセスの制御を行う。 - 特許庁

Since a flash memory driver is changed and an existing disk type DBMS can be reused as a flash type DBMS, it is the isolation-DBMS method, and a frequency of a write-in operation is reduced and a life of the flash memory is extended.例文帳に追加

フラッシュメモリードライバーを変更して既存のディスク式ＤＢＭＳをフラッシュ式ＤＢＭＳとして再使用できるのでＤＢＭＳに独立的な方法であり、書き込み演算の回数を減らしてフラッシュメモリーの寿命を伸ばす。 - 特許庁

The processor 2 writes data of one word to be continuously written in an optional flash memory and continuously writes the data in accessible flash memories during waiting time until writing of the next data of one word becomes possible in the flash memory.例文帳に追加

プロセッサ２は、連続に書き込まれる１ワードのデータを任意のフラッシュメモリに書き込み、そのフラッシュメモリに次の１ワードのデータの書き込みが可能となるまでの待ち時間の間に、アクセス可能なフラッシュメモリに連続して書き込んでいく。 - 特許庁

The method for operating the memory system including a flash memory device includes: programming at least one page belonging to a selected memory block of the flash memory device; and determining the selected memory block or the flash memory device to be invalid according to whether the number of times of a loop of the programmed page is out of a reference loop range.例文帳に追加

フラッシュメモリ装置を含むメモリシステムの動作方法において、前記フラッシュメモリ装置の選択されたメモリブロックに属する少なくとも一つのページをプログラムする段階と、前記プログラムされたページのループ回数が基準ループ範囲を外れるか否かに従って、前記選択されたメモリブロック又は前記フラッシュメモリ装置が無効であることを決定する段階とを有する。 - 特許庁

The data management system 1 comprises a data management system control part 2 controlling the data processing; a data management system memory part 7 referred from the data management system control part 2, and storing control information for constructing the file; flash memory parts 4 comprising plural erasure blocks; and a flash memory control part 3 controlling the data processing to the flash memory parts 4.例文帳に追加

データ処理を制御するデータ管理システム制御部２と、データ管理システム制御部２から参照され、ファイルを構築するための制御情報を格納するデータ管理システムメモリ部７と、複数の消去ブロックからなるフラッシュメモリ部４と、フラッシュメモリ部４へのデータ処理を制御するフラッシュメモリ制御部３からなる。 - 特許庁

The flash memory system is provided with a connector 1 for connection, a CPU 2, two flash memories 3 and 4, a buffer memory 5, two memories 6 and 7 for logical/physical address conversion, and an ECC circuit 8.例文帳に追加

フラッシュメモリシステムには、接続用コネクタ１と、ＣＰＵ２と、２つのフラッシュメモリ３、４と、バッファメモリ５と、２つの論理／物理アドレス変換用メモリ６、７と、ＥＣＣ回路８とが設けられている。 - 特許庁

The static RAM 34 is connected to the flash memory 32 through the intermediary of electrode pads 22, and the flash memory 32 is connected to the wiring pattern 18 of the TAB tape 36 through the intermediary of the electrode pads 22.例文帳に追加

スタティックＲＡＭ（３４）は、電極パッド（２２）を介してフラッシュメモリ（３２）に接続し、フラッシュメモリ（３２）は、電極パッド（２２）を介してＴＡＢテープ（３６）の配線パターン（１８）に接続する。 - 特許庁

To provide a flash memory device in which the current of a cell can be decreased at program operation by adjusting a source voltage of a flash memory cell and the program speed can be improved.例文帳に追加

フラッシュメモリセルのソース電圧を調整してプログラム動作の際にセルの電流を減らすことができ、プログラム速度を向上させることのできるフラッシュメモリ装置を提供する。 - 特許庁

A program or data corresponding to a flash memory to be rewritten is read out from a storage medium such as a PC card 2 and the like, and rewriting of the flash memory is performed by executing the read out program.例文帳に追加

書き換えの対象となるフラッシュメモリに対応したプログラムやデータをＰＣカード２等の記憶媒体から読み出し、該読み出したプログラムを実行してフラッシュメモリの書き換えを行う。 - 特許庁

To record log information while efficiently erasing blocks in a flash memory to avoid such a situation that the recording of log information becomes impossible because of the limited capacity of the flash memory being full.例文帳に追加

限られたフラッシュメモリの容量が満杯でログ情報の記録ができなくならないように、そのフラッシュメモリのブロックを効率的に消去しながらログ情報を記録していくことにある。 - 特許庁

Data rewriting of the flash ROM is performed in each of the sector, data contents are copied to a work memory and are rewritten, and the data contents of the flash ROM are erased and are written from the work memory.例文帳に追加

フラッシュＲＯＭのデータ書き換えはセクタごとに行われ、データ内容をワークメモリにコピーして書き換えた後、フラッシュＲＯＭのデータ内容を消去してワークメモリから書き込む。 - 特許庁

To achieve hardware configuration and a method for handling of data for compensating for the limited number of eliminations which is a disadvantage of a flash memory for materializing an auxiliary storage device by using the flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリを用いて補助記憶装置を実現する際に、フラッシュメモリの欠点である消去回数の制限を補うハード構成とデータの扱い方に関する発明である。 - 特許庁

To provide a data update device for shortening the time necessary for updating data on a flash memory, and for suppressing a decline in the life of the flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリにおけるデータ更新に必要な時間を短縮することができるとともにそのフラッシュメモリの寿命短縮を抑制することのできるデータ更新装置を提供することである。 - 特許庁

The data of the number of writing times recorded in the flash memory 21 is periodically referred to, and when the number of times for writing data in the flash memory 21 exceeds a threshold, an alarm is output.例文帳に追加

フラッシュメモリ２１に記録されている書込み回数データが定期的に参照され、フラッシュメモリ２１へのデータ書込み回数が閾値を超えていた場合には、アラームが出力される。 - 特許庁

To provide a backup memory device and a memory method therefor with which all files preserved in a flash ROM can be read out after ON of a power source even when the power source is turned off in the middle of writing data in the flash ROM.例文帳に追加

フラッシュＲＯＭにデータを書き込み中に電源がＯＦＦされると、電源をＯＮしたときに、フラッシュＲＯＭに記憶されているファイルの読み出しが不能になる。 - 特許庁

To provide an insertion-ejection mechanism of flash memory card which scarcely affects the outer dimension of main body of portable information terminal device and realizes the insertion and extraction of flash memory card depending on a relatively simple structure.例文帳に追加

携帯情報端末機本体の外形寸法にほとんど影響を与えず、比較的簡単な構造でフラッシュメモリカードの挿脱を実現できるフラッシュメモリカード挿脱機構を提供する。 - 特許庁

If a flash memory does not have residual capacity required for recording picked-up images (Yes in step S14), images in the flash memory are reproduced by a liquid crystal monitor (step S16).例文帳に追加

フラッシュメモリに撮像された画像を記録するために必要な空き容量がない場合には（ステップＳ１４のＹｅｓ）、フラッシュメモリ内の画像が液晶モニタで再生される（ステップＳ１６）。 - 特許庁

To provide a flash memory control system capable of reserving a fixed amount of write data in a flash memory at all times, as well as saving data using a plurality of sectors.例文帳に追加

複数のセクタを使用してデータを保存するとともに、常時一定量の書き込みデータをフラッシュメモリ内に確保しておくことができるフラッシュメモリの制御システムを提供する。 - 特許庁

A data storage device according to an embodiment of the present invention includes: a flash memory for writing and reading data with a predetermined size; and a control module for controlling the flash memory.例文帳に追加

本実施形態によれば、データ記憶装置は、所定のサイズ単位でデータの書き込みと読み出しを行なうフラッシュメモリと、前記フラッシュメモリを制御する制御モジュールとを備えた構成である。 - 特許庁

To provide a flash memory adapted to inhibit a leakage current betwwen a gate electrode with sidewall insulating films and an ohmic electrode opposite to the gate electrode, and to provide a method of manufacturing the flash memory.例文帳に追加

側壁絶縁膜を有するゲート電極とゲート電極に対向するオーミック電極との間のリーク電流を抑圧するフラッシュメモリ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A compression/extension block 9 of the controller receives data which a host system 4 is going to store in the flash memory 2, and performs lossless compression to the received data and stores it in the flash memory 2.例文帳に追加

コントローラの圧縮伸長ブロック９は、ホストシステム４がフラッシュメモリ２に格納しようとするデータを受け取り、受け取ったデータにロスレス圧縮を施してフラッシュメモリ２に格納する。 - 特許庁

The flash memory segment 108 under use is successively read from oldest entry to latest entry and a value from the flash memory 108 is used for overwriting the value of the RAM 104.例文帳に追加

使用中のフラッシュメモリセグメント１０８は、最古のエントリから最新のエントリまで逐次読み出され、フラッシュメモリ１０８からの値はＲＡＭ１０４の値を上書きするために使用される。 - 特許庁

A code B0 is read from a storage part 110 of a NAND flash memory 100 to a buffer part 120 randomly accessible from a CPU 200, the buffer part being provided in the flash memory 100.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュ・メモリ１００のストレージ部１１０から、このフラッシュ・メモリ１００に設けられＣＰＵ２００からランダムアクセス可能なバッファ部１２０に、コードＢ０を読み込む。 - 特許庁

To give negative and positive high voltage to a flash memory cell erased from the outside of a chip comprising a flash memory cell using or without using a negative and a positive high voltage pump circuits.例文帳に追加

負及び正の高電圧ポンプ回路を用いて、又は用いずに、フラッシュ・メモリ・セルを含むチップの外部から、消去されるフラッシュ・メモリ・セルに負及び正の高電圧を与えること。 - 特許庁