「flash memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(76ページ目) - Weblio英語例文検索

When an alarm time is set, a user is made to select an image or sounds to be used to report the set time, and set data showing the selected image or sounds is stored in a flash memory 27 together with the alarm time.例文帳に追加

アラーム時刻の設定に際して、ユーザーに、設定時刻の報知に使用する画像や音声を選択させ、アラーム時刻と共に選択された画像や音声を示す設定データをフラッシュメモリ２７に記憶する。 - 特許庁

According to the attribute of information stored in a cache memory (temporary storage means), the operation of reading information temporarily stored in the temporary storage means and writing it in the storage medium, that is, flash operation is controlled.例文帳に追加

キャッシュメモリ（一時記憶手段）に記憶された情報の属性に応じて、一時記憶手段に一時記憶される情報を読み出すと共に上記記録媒体に書き込む動作、即ちフラッシュ動作を制御する。 - 特許庁

To prevent the decline of a write speed when respectively writing the set of data comprising two or more kinds of data from a plurality of ports to a flash memory and to obtain a sizable free area after erasing the set of the data.例文帳に追加

フラッシュメモリに対し、複数種類のデータから成るデータの集合を複数ポートからそれぞれ書き込む場合に、書き込み速度の低下を防ぎ、且つ、データの集合の消去後に纏まった空き領域を得る。 - 特許庁

In the initial state of equipment, in which the switches SW1 to SW3 are turned off, the boot control detecting ports B1 to B3 becomes "high", "high" and "low" states respectively and normal start from a NAND flash memory 100 is executed.例文帳に追加

スイッチＳＷ１〜ＳＷ３のオフ状態である機器の初期状態では、ブート制御検出用ポートＢ１〜Ｂ３が「Ｈｉ」、「Ｈｉ」、「Ｌｏｗ」となり、ＮＡＮＤＦＬＡＳＨメモリ１００からの通常起動となる。 - 特許庁

By this reason, the NAND flash memory 108 and the processor 110 are configured to avoid that the ECC (bit error) error of maximum n bits detectable by devices and generated during data read.例文帳に追加

これにより、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１０８およびプロセッサ１１０は、データ読み出しの際に生じるデバイスが検出可能である最大ｎビットのＥＣＣ（ビット化けエラー）エラーを回避するように構成されている。 - 特許庁

In the case of initializing an one-chip microcomputer, the state of an RS type flip flop(FF) 21 is judged, and only when the FF 21 is reset, the data rewriting operation of a flash memory 1 is started.例文帳に追加

１チップマイクロコンピュータを初期化する際にＲＳ型フリップフロップ２１の状態を判別し、ＲＳ型フリップフロップ２１がリセットされている場合のみ、フラッシュメモリ１のデータ書き換え動作に移行する構成とした。 - 特許庁

In the case that the output characteristic is drastically changed with time, the calibration control part 23a derives a correction function and updates the output characteristic stored in the flash memory 19 and the correction function.例文帳に追加

経年変化により出力特性が大きく変化していた場合には、校正制御部２３ａは補正関数の導出を行い、フラッシュメモリ１９に格納されている出力特性および補正関数を更新する。 - 特許庁

Further, the input/output terminals ID 8 and 9 of the testing equipment 2 are connected to a multifunction terminal DQ 8/BUSY of the flash memory 1 and the input/output terminal ID 9 is set for exclusive use for input of data to the testing equipment 2.例文帳に追加

更に、試験装置２の入出力端子ＩＯ８，９を、フラッシュメモリ１の多機能端子ＤＱ８／ＢＵＳＹに接続し、この入出力端子ＩＯ９を試験装置２へのデータ入力専用に設定する。 - 特許庁

A CPU 10 decides whether the initial learning value saved in a flash memory 11A is effective or not at the start of rotation of a disk 1 and suspends the execution of the ordinary learning operation if the value is effective.例文帳に追加

ディスク１の回転起動時に、ＣＰＵ１０は、フラッシュメモリ１１Ａに保存されている初期学習値が有効であるか否かを判定し、有効である場合には通常の学習動作の実行を中止する。 - 特許庁

In the manufacturing process of semiconductor memories, a semiconductor maker forms a management block 105 for recording a management table capable of managing the addresses of optionally generated initial failure blocks 103 en block on a flash memory.例文帳に追加

半導体メモリメーカがその製造工程において、任意に発生する初期不良ブロック１０３のアドレスを一括管理できる管理テーブルを記録する管理ブロック１０５をフラッシュメモリ１０１上に作成する。 - 特許庁

NR strength corresponding to the focal length of the lens 101 when taking photograph is obtained from a flash memory 118 by a microcomputer 116, and obtained NR strength is input into the NR processing part 181.例文帳に追加

マイクロコンピュータ１１６により、撮影時のレンズ１０１の焦点距離に対応したＮＲ強度がＦｌａｓｈメモリ１１８から取得され、取得されたＮＲ強度がＮＲ処理部１８１に入力される。 - 特許庁

The total number of characters in each transmitted mail and each received mail stored in a flash memory 14 is obtained, a font size and a scroll speed are determined based thereon, and the convenience in mail peruse is attained by display on a display part 22 or the like.例文帳に追加

フラッシュメモリ１４に格納された各送受信メールの文字総数を取得し、それに基づいてフォントサイズやスクロール速度を決定し、表示部２２に表示するなどしてメール閲覧時の利便性を図っている。 - 特許庁

In this flash memory 4, the number of storage blocks A4-A9 of an area written with control data having high update frequency is set to be larger than the number of storage blocks A1-A3 of an area written with control data having low update frequency.例文帳に追加

フラッシュメモリ４において、更新頻度の高い制御データを書き込む領域の記憶ブロックＡ４〜Ａ９を、更新頻度の低い制御データを書き込む領域の記憶ブロックＡ１〜Ａ３よりも多くする。 - 特許庁

The data of the movement speed retained in the flash memory determines an actually measured movement speed from the movement distance and the movement time actually measured every time when a tray unit 26 is lifted and is corrected to the latest value using the actually measured movement speed.例文帳に追加

フラッシュメモリに保持した移動速度のデータは、トレイユニット２６が昇降されるごとに実測した移動距離と移動時間とから実測移動速度を求め、実測移動速度を用いて最新の値へ補正される。 - 特許庁

To provide a flash memory device the characteristics of which can be improved by forming the film thickness of the edge portion of a tunnel oxide film formed in an active region thicker than the film thickness of the center portion and provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

アクティブ領域に形成されるトンネル酸化膜のエッジ部位の膜厚を中央部位の膜厚よりも厚く形成することによって、素子の特性が高められるフラッシュメモリ素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem in which, in a semiconductor storage composed of a flash memory in which write destinations are to be averaged by wear leveling, complete deletion of data causes deterioration in performance of a system and reduction of the rewrite life of the storage.例文帳に追加

ウェアレベリングにより書き込み先が平均化される、フラッシュメモリで構成された半導体ストレージにおいて、データの完全消去はシステムのパフォーマンスの低下とストレージの書き換え寿命を短縮化してしまう。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory cell by which a phenomenon of forming a trench corner site to be thin in thickness by a side wall oxidation process and an active area of a desired critical size.例文帳に追加

側壁酸化工程によってトレンチコーナ部位が薄く形成される現象を防止するとともに、所望の臨界寸法だけの活性領域を確保することが可能なフラッシュメモリセルの製造方法を提供すること。 - 特許庁

As a result of inspection, when the opposite side equipment is the video telephone system, the CPU 14 transmits the voice data and the image data stored in a flash memory 22 to the opposite side as the response message of an automatic answering telephone.例文帳に追加

この検査の結果、相手装置がテレビ電話装置である場合には、ＣＰＵ１４はフラッシュメモリ２２に格納されている音声データと画像データとを、留守番電話の応答メッセージとして相手方に送信する。 - 特許庁

To provide an optical disk reproducing apparatus which can effectively utilize a RAM area and save the RAM area by eliminating the need of deploying a display program on the RAM when rewriting a control program in a flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリ内の制御プログラムの書き換え時に、ＲＡＭ上に表示プログラムを展開させる必要をなくし、ＲＡＭ領域を有効に使用でき、ＲＡＭ領域を節約できる光ディスク再生装置を提供する。 - 特許庁

A flash memory 27 used in a Bluetooth module comprises the firmware region 11 which is rewritten by updating or the like, and an RF setting region 12 which stores a unique setting value such as communication specifications or the like.例文帳に追加

ブルートゥースモジュールに使用されるフラッシュメモリ２７は、アップデート等による書き替え可能なファームウェア領域１１と、通信仕様等の固有の設定値を格納するＲＦ設定領域１２とにより構成される。 - 特許庁

A NOR type flash memory 100 by which data are writable in either one of the multi-valued data or binary data, includes an address conversion circuit 13 for rearranging a part of address bit of the external address at the writing of the binary data.例文帳に追加

ＮＯＲ型フラッシュメモリ１００は、多値データと二値データのいずれかでのデータ書込みが可能であり、二値データ書込み時に外部アドレスのアドレスビットの一部を並び換えるアドレス変換回路１３を備える。 - 特許庁

To improve reliability by reducing the influence of noises generated by a write/erase operation on a read operation during execution of a simultaneous execution function in a flash memory having the simultaneous execution function.例文帳に追加

本発明は、同時実行機能を有するフラッシュメモリにおいて、同時実行機能の実行時に発生する書込み／消去動作によるノイズの、読出し動作への影響を低減でき、信頼性を向上できるようにする。 - 特許庁

In this flash memory 1, a precharge circuit 30 includes transistors 19, 20 to be controlled respectively by precharge signals PR1, PR2, and pulse widths of the precharge signals PR1, PR2 are separately adjustable.例文帳に追加

このフラッシュメモリ１では、プリチャージ回路３０はそれぞれプリチャージ信号ＰＲ１，ＰＲ２によって制御されるトランジスタ１９，２０を含み、プリチャージ信号ＰＲ１，ＰＲ２のパルス幅は別々に調整可能になっている。 - 特許庁

To provide a bias level generating circuit of a flash memory element in which oscillation can be prevented by making a bias level being suitable for the operation, when cell-program operation is performed or verification of program is performed.例文帳に追加

セルプログラム動作を行なうかプログラム検証を行なう場合、該当動作に適したバイアスレベルを作ることにより、オシレーションを防止することができるフラッシュメモリ素子のバイアスレベル生成回路を提供すること。 - 特許庁

To prevent access for a defective block without performing complex file control and to output successively data succeeding to data corresponding to a specified address by only toggle operation of read-enable, in a NAND type flash memory.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、複雑なファイル管理をおこなわなくても、欠陥ブロックへのアクセスを回避し、リードイネーブルのトグル動作だけで、指定アドレスに対応するデータ以降のデータを順次出力させること。 - 特許庁

The SD flash memory card is composed of an SD card transmission interface and a circuit board; and a microcontroller and many RAM are installed on the circuit board and the microcontroller is mounted with at least one 1st bus interface circuit.例文帳に追加

該ＳＤフラッシュメモリカードはＳＤカード伝送インターフェースと回路板により構成し、該回路板はマイクロコントローラ及び多数のＲＡＭを設置し、該マイクロコントローラは少なくとも一個の第一バスインターフェース回路を搭載する。 - 特許庁

The flash memory stores set time as an operation interval for processing which is performed at the set time intervals and is performed by immediately returning from a power saving mode in the power saving mode.例文帳に追加

フラッシュメモリは、設定された時間毎に行われる処理であって省電力モード中においては当該省電力モードから即座に復帰して行われる処理について、設定された時間を動作間隔として記憶する。 - 特許庁

The charge-up damage reduction circuit 14A includes a diode connected in the forward direction 14a whose anode is connected with the control gate 37 of the flash memory cell 11 and whose cathode is connected with a NW voltage control circuit 13.例文帳に追加

チャージアップダメージ低減回路１４Ａは、陽極がフラッシュメモリセル１１のコントロールゲート３７と接続され、陰極がＮＷ電圧制御回路１３と接続された順方向接続ダイオード１４ａを含む。 - 特許庁

The shutter tone output apparatus 16 stores the shutter tone for informing the user about the storage of the captured image to a flash memory 15 and sound-outputs the shutter tone when the captured image is stored.例文帳に追加

シャッター音出力装置１６は、フラッシュメモリ１５にキャプチャ画像が記憶されたことをユーザに報知するためのシャッター音を記憶すると共に、キャプチャ画像が記憶される際にシャッター音を音声出力する。 - 特許庁

Then the CPU 2 starts up data transfer control software written in the EPROM 5a to transfer main software from the EPROM 5a to a flash memory 3 via an address bus 6 and a data bus 7.例文帳に追加

すると、ＣＰＵ２は、ＥＰＲＯＭ５ａに書き込まれたデータ転送制御ソフトウェアを起動させることにより、メインソフトウェアをＥＰＲＯＭ５ａからアドレスバス６およびデータバス７を介してフラッシュメモリ３に転送する。 - 特許庁

A MPU (microprocessor unit) 61 records the management data including the data specifying a timing intermediate time under execution of timer control and the limited number of times of data recording, in a flash memory 62 limited in the number of times of rewriting the data.例文帳に追加

ＭＰＵ６１が，データの書き換え回数に制限があるフラッシュメモリ６２に，タイマ制御の実行中の計時途中時間及びデータ記録の制限回数を特定するデータを含む管理データを記録する。 - 特許庁

A BIOS for checking the depression of a key on a keyboard 6 in each completion of a POST (rising processing) flow such as each initializing processing and four representative BIOS set-up patterns are stored in a flash ROM 2 (read only memory).例文帳に追加

フラッシュＲＯＭ２には各初期化処理等のＰＯＳＴフローを完了する毎にキーボード６のキー押下チェックを行うＢＩＯＳ及び代表的なＢＩＯＳセットアップ設定パターンが４つ格納されている。 - 特許庁

The number of sheet that can be photographed is displayed on the liquid crystal display in place of the animation recordable time (S9) and the still image to be recorded is captured (S10), JPEG-compressed and recorded in the flash memory (S11→S12).例文帳に追加

そして、液晶ディスプレイには動画像記録可能時間に代えて前記撮影可能枚数を表示し（Ｓ９）、記録対象の静止画像を捕捉し（Ｓ１０）、ＪＰＥＧ圧縮してフラッシュメモリに記録する（Ｓ１１→Ｓ１２）。 - 特許庁

A flash memory (R) has control data-storing blocks A, B for storing the control data, and a CPU decides the control data-storing block storing the control data from the control data-storing blocks A, B.例文帳に追加

フラッシュメモリ（登録商標）は、制御データを記憶するための制御データ記憶用ブロックＡ，Ｂを有し、ＣＰＵが、制御データ記憶用ブロックＡ，Ｂの中から制御データを記憶する制御データ記憶用ブロックを判定する。 - 特許庁

The information for the adjustment is decided when the communication module is assembled to an electronic apparatus or the like, recorded as the bar code, written in part areas of the flash memory provided to the electronic apparatus or the like and used.例文帳に追加

調整のための情報は、高周波モジュールが電子機器等に組み込まれた時点で決定されてバーコードに記録され、電子機器に備えられているフラッシュメモリの一部の領域に書き込まれて使用される。 - 特許庁

A MPU in the electronic control device groups the memory blocks of the flash ROM into low frequency block groups for storing data with a low frequency of writing-in and a high frequency block groups for storing data with a high frequency of writing-in.例文帳に追加

電子制御装置のＭＰＵは、フラッシュＲＯＭの記憶ブロック群を、書込頻度が低いデータ記憶用の低頻度ブロック群と、書込頻度が高いデータ記憶用の高頻度ブロック群とにグループ化する。 - 特許庁

The system and method of monitoring satellite digital audio radio (SDAR) use are provided in which a receiver records and stores radio-use parameters, such as a channel or song being listened to, a time a receiver is active, and a signal quality and type in a flash memory.例文帳に追加

このシステムおよび方法では、受信機が、聴取中のチャネルまたは歌、受信機が活動状態の時間、信号品質およびタイプなどのラジオ使用パラメータをフラッシュ・メモリに記録および格納する。 - 特許庁

To provide a method and circuit for reading a multilevel NAND flash memory cell where a gray code can be used by providing a first page buffer for storing higher order bits and a second page buffer for storing lower order bits on a bit line.例文帳に追加

ビットラインに上位ビットを格納する第１ページバッファと下位ビットを格納する第２ページバッファを設け、グレーコードを用いることが可能なマルチレベルＮＡＮＤフラッシュメモリセルの読み出し方法及び回路を提供する。 - 特許庁

The flash memory test cells can be made to serve as a "canary in a coal mine" by being made more sensitive than the standard cells by using experimentally determined sensitive write V_T and variable read V_T.例文帳に追加

フラッシュメモリテストセルは、実験的に決定される感度の高い書き込みＶ_Ｔと、可変読み込みＶ_Ｔを使用して標準的なセルより高感度にすることにより、「炭鉱のカナリア」の役割を果たすようにすることができる。 - 特許庁

Then, when the authenticator is stored in the IC card, and the authenticator is stored in the storage part of the onboard device, the onboard device prevents the storage (flash memory) from storing the credit information of the IC card.例文帳に追加

そして、以後、ＩＣカードに認証子が記憶されている場合、及び、車載装置の記憶部に認証子が記憶されている場合には、車載装置は、当該ＩＣカードのクレジット情報を記憶部（フラッシュメモリ）に記憶させない。 - 特許庁

At the same time, an ejector 4 fixed to the tray 5 by a lock 10 gets into an ejection opening 9 of a connector 3 while it moves horizontally, and a front end part 4a of the ejector 4 touches the side face of the flash memory card 8.例文帳に追加

そして、このトレイ５にロック１０で固定されたイジェクタ４が水平移動しながらコネクタ３の突き出し用開口部９に入り込み、イジェクタ４の先端部４ａがフラッシュメモリカード８の端面に接触する。 - 特許庁

The ultrasonic oscillating device is composed of an oscillation circuit and a control section, and the control section is provided with a calculating section 31a that calculates an optimal oscillation frequency and a flash memory 34 that stores a preset oscillation frequency value.例文帳に追加

超音波発振器は、発振回路及び制御部からなり、制御部は最適な発振周波数を計算する計算部３１ａ及び設定された発振周波数値を記憶するフラッシュメモリ３４を備える。 - 特許庁

An information processor includes the flash memory having the physical storage area capable of storing data in block units wherein a plurality of columns are set as a single unit; and a writing device dividing program data into a plurality of blocks; writing them into the physical storage area; writing a first error correction code imparted to each block into the physical storage area; and writing a second error correction code imparted to the program data in the flash memory.例文帳に追加

この情報処理装置は、複数のカラムを一単位とするブロック単位にデータを記憶可能な物理的な記憶領域を有するフラッシュメモリと、プログラムデータを複数のブロックに分けて前記物理的な記憶領域に書き込み、各ブロックに付与した第１のエラー訂正符号を前記物理的な記憶領域に書き込み、前記プログラムデータに付与した第２のエラー訂正符号を前記フラッシュメモリに書き込む書き込み装置とを備える。 - 特許庁

The flash memory device includes: a memory cell array having memory cells arrayed on word lines and bit lines; a voltage generating circuit constituted so as to generate a program voltage to be applied to a selected word line; a program voltage controller constituted so as to variably control a start level of the program voltage to be applied to remaining pages of each word line by a programming characteristic of the first page of each word line.例文帳に追加

フラッシュメモリ装置はワードラインとビットラインに配列されたメモリセルを有するメモリセルアレイと、選択されたワードラインに印加されるプログラム電圧を発生するよう構成される電圧発生回路と、各ワードラインの一番目のページのプログラム特性により、各ワードラインの残りのページに適用されるプログラム電圧の開始レベルを可変制御するよう構成されるプログラム電圧制御器を含む。 - 特許庁

When a control unit 31 detects a state where a GPS unit 45 is connected to an input/output interface "SDIO" by a switch 44 and a predetermined function that the GPS unit 45 includes is operated so as not to use an SD memory card 39 loaded into a card slot 15, a recording destination of captured image data is switched from the SD memory card 39 to a built-in flash memory 51.例文帳に追加

制御部３１が、スイッチ４４により入出力インターフェース“ＳＤＩＯ”にＧＰＳユニット４５が接続されてＧＰＳユニット４５が有する所定の機能が作動し、カードスロット１５に装着されたＳＤメモリカード３９が使用できない状態を検出すると、撮影画像データの記録先をＳＤメモリカード３９から内蔵フラッシュメモリ５１に切り換える。 - 特許庁