1016万例文収録!

「inert region」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > inert regionの意味・解説 > inert regionに関連した英語例文

セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

inert regionの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 40



例文

To prevent inert gas being filled a printed board conveyance region from leaking out into a printed board non-convyance region side and supply inert gas to the printed board conveyance region only to reduce the used quantity of the inert gas.例文帳に追加

プリント基板搬送領域に充満した不活性ガスがプリント基板非搬送領域側へ流出するのを防ぎ、また、プリント基板搬送領域のみに不活性ガスを供給することで、不活性ガスの使用量を低減すること。 - 特許庁

The cluster forming region which is a mixed region of the expanding region and the inert gaseous region is formed by the expanding region and the impulsive waves generated in the inert gaseous region by expansion or the reflected impulsive wave reflected to the wall of the cluster forming space.例文帳に追加

膨張する領域と、膨張により不活性ガス領域中に生じた衝撃波または衝撃波がクラスター生成空間の壁に反射した反射衝撃波とにより、それらの混合領域であるクラスター生成領域を形成する。 - 特許庁

A sub medium in each micro region 12 is a vacuum or gas such as inert gas and air.例文帳に追加

各微小領域12中の副媒質は、真空であり、または、不活性ガスや空気などの気体である。 - 特許庁

In a gas replacing region 3c, the steam is gas-replaced with an inert gas.例文帳に追加

ガス置換領域3cにおいて、スチームは不活性ガスによってガス置換される。 - 特許庁

例文

By spraying an inert gas to the element formation region (7) of the semiconductor wafer (4), the atmosphere of the inert gas is formed at the element formation region (7), thus preventing deterioration of the surface characteristics of the semiconductor wafer (4).例文帳に追加

半導体ウエハ(4)の素子形成領域(7)に不活性なガスを吹き付けることにより、素子形成領域(7)に不活性なガスの雰囲気を形成して、半導体ウエハ(4)の表面特性の劣化を防止することができる。 - 特許庁


例文

An inert gas introduced through the inert gas-blowing port 29 is heated by the heating coil 30 and blown out from a nozzle part 29a into the region of the observing window 18.例文帳に追加

不活性ガス吹き付けポート29を通して導入される不活性ガスを加熱コイル30で加熱してノズル部29aから観察窓18の領域に吹き出す。 - 特許庁

A door seal and inert gas purification system ensure the furnace actuates safely and minimize reaction of the process gas at a door seal region.例文帳に追加

ドアシールと不活性ガス浄化システムは、炉が安全に作動し、ドアシール領域でプロセスガスの反応を最小にする。 - 特許庁

A room temperature inert gas that does not contain impurities such as oxygen or basic substances or fine particles is fed to each region to keep it in a clean condition.例文帳に追加

各領域に酸素,塩基性物質等の不純物や微粒子を含まない常温の不活性気体を供給し,清浄な状態に維持する。 - 特許庁

An inert gas such as an argon gas or the like is introduced from an inflow port 11a, and is made into a plasma in an early plasma region to fetch out electron beams.例文帳に追加

アルゴンガスなどの不活性ガスを流入口11aから導入し、初期プラズマ領域5でプラズマ化して電子ビームを取り出す。 - 特許庁

例文

preferably, the inert-gas is made to be blown from a region having +90° to -90° angle relative to the sliding direction of the sliding plate on the bent area side of the molten metal passage.例文帳に追加

なお、不活性ガスの吹き込みは、溶湯通路屈曲領域側で、摺動板の摺動方向に対し+90°〜−90°の領域から行うことが好ましい。 - 特許庁

例文

The laminated piezoelectric element provided on a fixed substrate 11 and having an inert region at the central part thereof is divided into two parts by the groove dividing the inert region, and also divided in the nozzle arranging direction right- angled to the direction of the groove by a plurality of grooves to form individual piezoelectric elements.例文帳に追加

固定基板11上に設けられかつ、中央部に不活性領域を有する積層圧電素子を、不活性領域を分断する溝40により2分割するとともに、これと直角方向のノズル配列方向に複数の溝で分断することにより個別の圧電素子を形成する。 - 特許庁

By forming a first polycrystalline semiconductor film 3 on a semiconductor substrate 1 and ion-implanting an inert element in a region to the middle of a film thickness from the surface, the region is changed into an amorphous semiconductor film 3A.例文帳に追加

半導体基板1上に第1の多結晶半導体膜3を形成し、その表面から膜厚の途中までの領域に不活性元素をイオン注入することにより、該領域をアモルファス半導体膜3Aに変化させる。 - 特許庁

The non-toxic region may be a pharmacologically inert substance and is a region such as a layer, a coating, or a shell that provides an isolation barrier between the toxic or potent interior and exterior contact.例文帳に追加

この非毒性領域は、薬理学的に不活性な物質であり得、そして毒性または有効性を有する内部と外部接触との間に隔離バリアを提供する、層、コーティングまたはシェルのような領域であり得る。 - 特許庁

Gas that is chemically inert to a semiconductor wafer (4) is sprayed to an element formation region (7) of the semiconductor wafer (4), a probe needle (3) is brought into contact with the element formation region (7), and at the same time an electrical signal is received from the probe needle (3) to inspect the electrical characteristics of the element formation region (7).例文帳に追加

半導体ウエハ(4)に対して化学的に不活性なガスを半導体ウエハ(4)の素子形成領域(7)に吹き付け、素子形成領域(7)にプローブ針(3)を当接させと共に、プローブ針(3)から電気的信号を受信して素子形成領域(7)の電気的特性を検査する。 - 特許庁

The atmospheric pressure plasma irradiation section 15 comprises a discharge tube 33 for spouting out primary plasma 46 composed of induction coupling type plasma of inert gas, and a mixer 41 for generating secondary plasma 47 composed of mixed gas resulting in plasma via a collision between a mixed gas region and the primary plasma 46, the mixed gas region including second inert gas and reactive gas.例文帳に追加

大気圧プラズマ照射部15は、不活性ガスの誘導結合型プラズマからなる一次プラズマ46を吹き出す放電管33と、第2の不活性ガスと反応性ガスの混合ガス領域と一次プラズマ46が衝突されることによりプラズマ化した混合ガスから成る二次プラズマ47を発生する混合器41を備える。 - 特許庁

To provide a laser annealing device which can reduce an oxygen concentration on a substrate in a heating region without needing a large quantity of inert gas.例文帳に追加

多量の不活性ガスを要することなく、加熱領域内における基板上の酸素濃度を低減することができるレーザーアニール装置を提供する。 - 特許庁

In order to evaporate a silicon carbide layer on a substrate, a source gas of silicon, carbon, and nitrogen and gas including an inert gas are introduced into a reaction region.例文帳に追加

基板上にシリコンカーバイド層を蒸着するために、シリコン、炭素及び窒素のソースガス並びに不活性ガスを含むガスが反応領域内に導入される。 - 特許庁

To provide a photomask with a dustproof device which is excellent in UV transmittability of a short wavelength region and light resistance and does not require an operation for replacement with inert gas and an exposure method using the same.例文帳に追加

短波長領域の紫外線透過性、耐光性にすぐれ、不活性ガス置換操作が不要の防塵装置付きフォトマスク及びこれを用いた露光方法を提供する。 - 特許庁

An oxygen-containing air in the container 6 containing a content 7 is pre-gas-replaced with an inert gas in a pre-gas-replacing region 3a of a gas replacing space 3d formed under a header 10.例文帳に追加

内容物7入りの容器6内の酸素を含む空気は、ヘッダー10下に形成されるガス置換空間3dのプレガス置換領域3aにおいて不活性ガスによってプレガス置換される。 - 特許庁

Preferably, the fumigant is sprayed from the nozzle member (9) of the sprayer arranged to the region above the woods (1) and air or the inert gas is sent from the nozzle member (9) after spraying.例文帳に追加

好ましくは、木材(1)の上部に配置した噴霧装置のノズル部材(9)から燻蒸剤を噴霧し、噴霧後にノズル部材(9)から空気または不活性ガスを送気する。 - 特許庁

In the fumigation of wood, stacked woods (1) are covered with a sheet (2) and, after the fumigant is sprayed into the region above the stacked woods (1) inside the sheet (2), air or an inert gas is sent into the sheet (2).例文帳に追加

木材の燻蒸においては、積み上げられた木材(1)をシート(2)で覆い、シート(2)内側の積み上げられた木材(1)の上部において燻蒸剤を噴霧した後、シート(2)内側へ空気または不活性ガスを送気する。 - 特許庁

The furnace lid 18 has a recess 183 for cylindrically surrounding the periphery of the rotary shaft 16 in the vicinity of the through-hole 182, and has a gas inlet tube 184 for supplying an inert gas to an isolation region 19 between the recess 183 and the shaft 16.例文帳に追加

炉口蓋18は、貫通孔182近傍の回転軸16の周囲を円筒状に囲む窪み183を有し、窪み183と回転軸16の離間領域19に不活性ガスを供給するガス導入管184を有する。 - 特許庁

In a pre-amorphous process, an amorphous region is formed in a semiconductor region by performing the ion implantation of a IV group element, or an ion implantation of at least any one of arsenic (As), phosphorous (P), halogen, and inert gas elements, or an ion implantation under the conditions of a low temperature lower than -10°C.例文帳に追加

半導体領域内に、プレアモルファス工程では、IV族元素のイオン注入、又はヒ素(As),リン(P),ハロゲン元素及び不活性ガス元素のうち少なくともいずれか1つのイオン注入、又は−10℃よりも低い低温条件でイオン注入を行なってアモルファス領域を形成する。 - 特許庁

Thereby, the inner space 4, which is a gas purging region to be charged with the inert gas, does not become a passage for ventilation caused by the pressure difference between both spaces, so that the outflow of the inert gas from the inner space 4 and the inflow of air into the inner space 4, which are caused in the case of ventilation of the inner space 4, are prevented.例文帳に追加

そのため、不活性ガスを充填するガスパージ領域である内部空間4を両空間の圧力差による通気の経路とならずにすみ、よって内部空間4が通気された場合に生じる不活性ガスの内部空間4からの流出および内部空間4内への空気の流入を防止できる。 - 特許庁

To provide conductive oxide particulates which have high electric conductivity and a particle diameter of ultrafine particle region, and gives a conductive membrane with less haze, and a manufacturing method of obtaining the conductive oxide particulates even by a low-temperature heating treatment in a safe inert gas.例文帳に追加

高い電気伝導性と超微粒子領域の粒径を有し、ヘイズの小さい導電性皮膜を与える導電性酸化物微粒子及び安全な不活性ガス下での低温加熱処理によっても該導電性酸化物微粒子を得る製造方法を提供する。 - 特許庁

An amorphous region is formed in a semiconductor area by implanting ions of an IV group element, implanting ions of at least any one of arsenic(As), phosphorus(P), a halogen element and inert gas element, or implanting ions under conditions of a temperature lower than -10°C in a pre- amorphous step.例文帳に追加

半導体領域内に、プレアモルファス工程では、IV族元素のイオン注入、又はヒ素(As),リン(P),ハロゲン元素及び不活性ガス元素のうち少なくともいずれか1つのイオン注入、又は−10℃よりも低い低温条件でイオン注入を行なってアモルファス領域を形成する。 - 特許庁

The prescribed treatment is e.g. wet oxidation treatment and is performed by disposing the porous silica in a center of a region (a heating part) enclosed by a heater 220 of a chamber 210 and supplying an inert gas in a wet state into the chamber.例文帳に追加

所定の処理は、例えば湿式酸化処理であり、チャンバ210のヒーター220に取り囲まれた領域(加熱部)の中心に多孔質シリカを配置し、湿潤状態の不活性ガスをチャンバ内に供給することにより行われる。 - 特許庁

To provide a glass tablet containing a SnO-P_2O_5-based glass which can well seal a metallic material or the like in a middle temperature region of 450 to 800°C even in a non-oxidative atmosphere (reduced atmosphere, inert atmosphere or the like) to secure air tightness of a sealed part over a long period.例文帳に追加

非酸化雰囲気(減圧雰囲気、不活性雰囲気等)であっても、450〜800℃の中温度域で金属材料等を良好に封着可能なSnO−P_2O_5系ガラスを含むガラスタブレットを創案することにより、長期間に亘って、封着部分の気密性を確保すること。 - 特許庁

Ventilation is conducted between the container inner space 5 other than a gas purging region, which space is not charged with the inert gas, and a container outer space 54 through an inner cylinder 11 even after the partitioning, since a vent hole 53 is formed at an umbrella tip cap 18 of the gas purging tool.例文帳に追加

その区画後においても、ガスパージ治具の傘先端キャップ18に通気口53を設けてあるので、不活性ガスを充填しないガスパージ領域外容器内部空間5と容器外空間54とが内筒11を通して通気できる。 - 特許庁

In the flexible metal foil laminate which is the laminate of the metal foil and a resin layer, when differential thermal analysis (DSC) is implemented at a temperature increase speed of 10°C/min in an inert gas, the heat quantity of a heat absorption peak observed in a glass transition region indicates a value of at least 0.5 J/g per unit weight of the resin.例文帳に追加

金属箔と樹脂層との積層体であって、昇温速度10℃/分で不活性ガス中で示差熱分析(DSC)を実施したとき、ガラス転移領域で観察される吸熱ピークの熱量が樹脂の単位重量当り0.5J/g以上の値を示すフレキシブル金属箔積層体。 - 特許庁

An inert gas-blowing port 29 is installed in the region of an observing window 18 in a purification chamber 1 for melting a part of a polycrystal material 6 by heating the material 6 by a high-frequency induction heating coil 7, and moving a floating molten zone 9 in the perpendicular direction to purify a single crystal 8.例文帳に追加

多結晶素材6の一部を高周波誘導加熱コイル7の加熱によって溶融し、浮遊溶融帯域9を鉛直方向に移動して単結晶8を精製する精製室1内の観察窓18の領域に不活性ガス吹き付けポート29を設ける。 - 特許庁

In order to obtain a discharge vessel of such an alkaline metal concentration, a raw tube is heated from end to end so that the tube becomes a softened region sequentially while feeding an inert gas to a quartz glass tube, and then a light-emitting part is formed in the center of the raw tube in the manufacturing process.例文帳に追加

このようなアルカリ金属濃度の放電容器を得るため、その製造工程において、素材となる石英ガラス管に不活性ガスを流した状態で、素管の端から端に渡って順に軟化領域となるように加熱し、その後、素管中央部に発光部を形成する。 - 特許庁

C(carbon) ions are implanted, as inert ion species, into the surface layer part of an n- epi layer 2 and B ions are implanted into a region for implanting C ions at a specified concentration ratio to C ions and then it is activated by heat treatment while suppressing diffusion of B thus forming a heavily doped deep base layer 30.例文帳に追加

n^- 型エピ層2の表層部に、不活性なイオン種としてC(炭素)をイオン注入すると共に、このCを注入する領域にCに対して所定の濃度比でBをイオン注入し、その後、熱処理によってBの拡散を抑制しつつ活性化して、高濃度のディープベース層30を形成する。 - 特許庁

When the wire body is passed through the transparent tube, a 1st gas containing an inert gas is supplied into the transparent tube to flow in a travelling region (α) of the transparent tube where the wire body is passed and a 2nd gas containing oxygen more than that in the 1st gas is supplied to the transparent tube to flow around the travelling region.例文帳に追加

線条体が透明管を通過する際に、透明管内における線条体が通過している走行領域αに不活性ガスを含む第1のガスが流れるように第1のガスを透明管内に供給すると共に、第1のガスに含まれる酸素よりも多く酸素を含む第2のガスが上記走行領域の周囲に流れるように第2のガスを透明管内に供給する。 - 特許庁

This device which supplies inert gas to a target nasal region is characterized by a coagulocauterizing probe 3 that impresses high frequency to coagulate the target region and a suction tube 1 that interlocks with the coagulating action as a means of aspirating and discharging a smoke, gas or the like that may be caused by coagulation.例文帳に追加

鼻腔内の目的部位に不活性ガスを供給すると共に,前記目的部位に高周波を印加して凝固させる凝固焼灼プローブ3と,前記凝固動作に連動し,凝固の際に発生する煙,ガス等を吸引管11によって吸引して体外に排出する吸引手段とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the nitride semiconductor device forming an electrode on a nitride semiconductor layer, includes the steps of: carrying out plasma etching on a front surface of the nitride semiconductor layer by using a reactive etching gas containing at least silicon; cleaning the etched region by an acid or an alkali process liquid, while putting the etched region to an inert gas plasma; and forming the electrode on a cleaned etched region front surface.例文帳に追加

窒化物半導体層上に電極を形成する窒化物半導体装置の製造方法において、少なくともシリコンを含む反応性エッチングガスを用いて、窒化物半導体層の表面をプラズマエッチングする工程と、そのエッチング領域を、不活性ガスのプラズマに曝すと共に、酸系あるいはアルカリ系の処理液で清浄化する工程と、清浄化されたエッチング領域表面に電極を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

The solid-state image pickup device is characterized in that the closed space 11 of the light receiving region formed on a solid-state image pickup element as an upper layer of a silicon substrate 1 with a frame wall 6 and a sealing glass plate 7 is filled with transparent inert oil 10 of ≤1.3 in refractive index, especially, fluorine-based oil typically of perfluoro-polyester oil.例文帳に追加

シリコン基板1上層の固体撮像素子の上に枠壁6と封止ガラス板7により形成された受光領域の閉鎖空間11に、屈折率1.3以下の透明不活性オイル10、特に、パーフルオロポリエーテル油を代表とするフッ素系オイルが充填されていることを特徴とする固体撮像装置である。 - 特許庁

In the process for producing the electrode material of an electric double-layer capacitor by performing alkali activation of a mixture of a carbonaceous material and an alkali compound, the temperature region in a system for performing alkali activation is 600°C-900°C, and the inside of the system for performing alkali activation is under inert atmosphere having a pressure of 0.11 MPa or higher.例文帳に追加

炭素質物質とアルカリ化合物を含む混合物をアルカリ賦活してなる電気二重層キャパシタ用電極材の製造方法において、アルカリ賦活を実施する系内の温度域が600℃から900℃であり、アルカリ賦活を実施する系内が圧力0.11MPa以上の不活性雰囲気下である電気二重層キャパシタ用電極材の製造方法。 - 特許庁

A production method for magnetic alloy powder is characterized in that a mixture including Fe-Si-based alloy powder, lanthanum oxide, and alkaline earth metal is held at the temperature region of 950 to 1,200°C in an inert gaseous atmosphere or in a vacuum for 2 hours or more, then the obtained reaction product is subjected to hydrogenation reaction in hydrogen or in a partial hydrogen atmosphere at 200 or 350°C.例文帳に追加

Fe-Si系合金粉末、酸化ランタン、およびアルカリ土類金属を含む混合物を不活性ガス雰囲気中または真空中で950〜1200℃の温度域で2時間以上保持し、その後200℃〜350℃で水素中あるいは、部分水素雰囲気中で水素化反応させることを特徴とする。 - 特許庁

例文

In a rear region in the brazing advancing direction A from the laser beams 107, 108, a flux-less brazing material 109 is fed in a direction of a connection object place after emission of the laser beams 107, 108 while moving in the brazing advancing direction A, and arc is generated in an inert atmosphere between the brazing material 109 and the connection object place for melting the brazing material 109 to braze the metal plates 105, 106.例文帳に追加

そして、レーザ光107、108よりも、ろう付け進行方向Aの後方側の領域において、フラックスレスのろう材109を、ろう付け進行方向Aに移動させながら、レーザ光107、108が照射された後の接合予定箇所の方向に送給し、ろう材109と、接合予定箇所との間の不活性雰囲気中にアークを発生させ、ろう材109を溶融し、金属板105、106をろう付けする。 - 特許庁

索引トップ用語の索引



  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2024 GRAS Group, Inc.RSS