「insulating layers」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The method includes: a step of forming multiple signal wirings on insulating layers composed of dielectric materials; a step of forming insulated parts between the wirings by filling the same dielectric materials as that of the insulating layers into between the signal wirings; and a step of injecting particles with relative permittivity smaller than that of the dielectric materials, which are the insulating layers, into the insulated parts between the wirings.例文帳に追加

誘電体材料からなる絶縁層上に複数の信号配線を形成する工程と、絶縁層と同一の誘電体材料を信号配線のそれぞれ同士間に充填して配線間絶縁部を形成する工程と、絶縁層となる誘電体材料よりも比誘電率の小さい微粒子を配線間絶縁部に注入する工程とを含んでいる。 - 特許庁

This cold cathode is equipped with an insulating substrate 2, cathodes 3 formed on the insulating substrate 2, electron emitting layers 4 formed on the respective cathodes 3, and a gate electrode 6 having a plurality of opening parts above the electron emitting layers 4 with insulating organic long fibers 5 interposed between the gate electrode 6 and side parts and/or upper surface parts of the electron emitting layers 4.例文帳に追加

絶縁性基板２と、この絶縁性基板上に形成された陰極３と、この陰極上に形成された電子放出層４と、この電子放出層の側部および表面部の少なくとも一つに配設された絶縁性無機長繊維５を介して電子放出層の上部に複数の開口部を有するゲート電極６とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device 20A including an insulating layer 23 on the surface of the semiconductor substrate 21, conductive layers 24, 25 on the insulating layer, and the solder bump 26 on the conductive layers, wherein the conductive layers have at least one wedge section 28A that protrudes on the insulating layer side.例文帳に追加

本発明は、半導体基板２１の表面に絶縁層２３が設けられ、該絶縁層上に導電層２４，２５が設けられ、該導電層上に半田バンプ２６が設けられた半導体装置において、前記導電層に、前記絶縁層側に突出する楔部２８Ａを少なくとも１箇所有することを特徴とする半導体装置２０Ａを提供する。 - 特許庁

The wiring board 3 includes an insulating layer, a plurality of conductive layers 11 positioned on the insulating layer and spaced apart from each other, a ceramic structure 13 interposed between the adjacent conductive layers 11, and a resin layer 10 formed on the insulating layer so as to cover the conductive layers 11 and ceramic structure 8.例文帳に追加

本発明の一実施形態にかかる配線基板３は、絶縁層と、絶縁層上に位置し、互いに離間した複数の導電層１１と、隣接する導電層１１の間に位置するセラミック構造体１３と、導電層１１とセラミック構造体８とを被覆するように絶縁層上に形成された樹脂層１０と、を備える。 - 特許庁

In the flat cable of a parallel plurality of single and/or twisted insulated electric wires of conductors covered with a halogen-free, flame- retardant resin composition as the insulating layers, wholly covered with the flame-retardant resin composition as the sheath layer, the flat cable has silicone oil mediating between the insulating layers and the sheath layer and between the insulating layers.例文帳に追加

導体の外周にハロゲンを含まない難燃性樹脂組成物を絶縁層として被覆してなる絶縁電線の単線および、または撚線を複数本並列に並べて、前記難燃性樹脂組成物をシース層として一括被覆した平形ケーブルであって、前記絶縁層と前記シース層の間および前記絶縁層同士の間にシリコーンオイルを介在させたことを特徴とする平形ケーブルで解決される。 - 特許庁

This bus bar module 10 is integrally formed with bus bars 11 and resin insulating layers 12 and is provided with a deformation absorbing means 14 formed by dividing the insulating layers 12 at appropriate positions in the longitudinal direction of the bus bars 11, as a means for absorbing deformation at thermal expansion, caused by a difference in coefficient of thermal expansion between the bus bars 11 and the insulating layers 12.例文帳に追加

バスバーモジュール１０は、金属材料からなるバスバー１１と樹脂製の絶縁層１２とを一体成形してなり、バスバー１１と絶縁層１２との間の熱膨張率の差に起因する熱膨張時の歪みを吸収する手段として、バスバー１１の長さ方向における適宜箇所で絶縁層１２を分断した構成の歪み吸収手段１４を備えている。 - 特許庁

The insulating layers between terminal parts of the display device having electrode groups formed on an insulative substrate, the insulating layers formed on these electrode groups and the terminal parts electrically connectable to the outside of the insulative substrate formed at the respective electrode ends of the electrode groups are removed, by which the height of the insulating layers between the terminal parts is reduced to the height of the electrodes adjacent to each other or below.例文帳に追加

絶縁性基板上に形成された電極群と、前記電極群上に形成された絶縁層と、前記電極群の各電極端部に形成された前記絶縁性基板外部と電気的に接続可能な端子部とを有する表示装置において、前記端子部間の絶縁層を除去することにより、端子部間の絶縁層の高さを隣り合う電極の高さ以下となるようにしたことを特徴とする。 - 特許庁

The thin film transistor comprises an insulating film 12 formed on a substrate 10, semiconductor layers 16a and 16b formed on an insulating film 14, a gate electrode 18, a source electrode 20 connected with the semiconductor layers, and a drain electrode 22 wherein the semiconductor layers 16a and 16b are formed such that electronic affinity decreases as they approach the insulating film 14 along the thickness direction thereof.例文帳に追加

本発明の薄膜トランジスタは、基板１０上に形成され、絶縁膜１２と、絶縁膜１４上に形成される半導体層１６ａ、１６ｂと、ゲート電極１２と、半導体層に接続されたソース電極２０と、ドレイン電極２２とを含んで構成され、半導体層１６ａ、１６ｂは、半導体層の厚さ方向に沿って絶縁膜１４に接近するにつれて電子親和力が小さく形成されている。 - 特許庁

The antenna device includes the antenna substrate that comprises a plurality of insulating layers layered and bonded, and a plurality of magnetic particles arranged in bonded interfaces of the insulating layers and being embedded in both of the insulating layers that form the bonded interfaces; and an antenna arranged directly or in close proximity to the main face of the antenna substrate.例文帳に追加

積層、接合された複数の絶縁体層と、これらの接合界面にその界面を形成する絶縁体層の両者に埋没するように配置した複数の磁性粒子とを含むアンテナ基板；および前記アンテナ基板の主面に直接または近接して配置されたアンテナを備えることを特徴とするアンテナデバイス。 - 特許庁

A circuit board having proper apertures at any regions can be obtained, because forming of the apertures can be completed at almost same time without relation of a thickness variation of insulating layers which are formed on conductor layers, by changing a maximum diameter of the apertures formed through the insulating layers according to the ratio of the conductor layers.例文帳に追加

導体層の割合に応じて、絶縁層に形成する開口の最大径を変えることにより、導体層上に形成される絶縁層の厚さのバラツキに関わらず、ほぼ同時に開口の形成を完了することができるので、いずれの領域においても良好な開口を有する配線基板を得ることができる。 - 特許庁

The manufacturing method of the circuit board at least includes: a wiring layer formation process of forming the wiring layers; an adhesion layer formation process of forming the adhesion layers each including at least one kind selected from the sulfonyl group, the sulfo group and the sulfonyl dioxin group and the carboxy group by processing the wiring layer front surfaces; and an insulating layer formation process of forming the insulating layers covering the adhesion layers.例文帳に追加

本発明の回路基板の製造方法は、配線層を形成する配線層形成工程と、前記配線層の表面を処理して、スルホニル基、スルホ基及びスルホニルジオキシ基から選択される少なくとも１種とカルボキシ基とを含む密着層を形成する密着層形成工程と、前記密着層を覆う絶縁層を形成する絶縁層形成工程とを少なくとも含む。 - 特許庁

The insulating substrate 10 for the solar cell is composed of an insulating material 11 made of a composite material containing fiber and resin, and circuit layers 12 laminated on a top surface of the insulating material 11 and electrically connected to solar cells, and an uneven structure A is formed on the top surface of the insulating material 11.例文帳に追加

繊維及び樹脂を含有する複合材料からなる絶縁材料１１と、該絶縁材料１１の表面に積層され、太陽電池セルに電気的に接続される回路層１２とから太陽電池用絶縁基板１０を構成し、絶縁材料１１の表面に凹凸構造Ａを形成する。 - 特許庁

In the insulated wire which has a conductor and an insulating layer to cover the conductor, after the liquid insulating coating is made into fine droplets and sprayed and adhered to the conductor directly or via other layers, the insulating layer is formed by carrying out baking of the insulating coating.例文帳に追加

導体および該導体を被覆する絶縁層を有する絶縁電線の製造方法であって、液状の絶縁塗料を微滴化して噴霧し、導体に直接または他の層を介して付着させた後、絶縁塗料の焼付けを行うことにより絶縁層を形成することを特徴とする絶縁電線の製造方法。 - 特許庁

To provide an insulating material for a high frequency wiring board which becomes easy in circuit planning for matching characteristic impedance while putting such an advantage, that a resin porous film having a low dielectric constant is used in an insulating layer, to practical use, and a metal foil laminated sheet and a high frequency wiring board both of which have the insulating material as insulating layers.例文帳に追加

低誘電率の樹脂多孔質膜を絶縁層に用いることの利点を生かしながら、特性インピーダンスを整合させるための回路設計が容易になる高周波配線基板用絶縁材、並びにこれを絶縁層として備える金属箔積層板及び高周波用配線基板を提供する。 - 特許庁

A gate insulating layer comprising silicon oxide, which undergoes OTS surface treatment, and a special organic insulating material, among others, is formed on the underpart of the organic semiconductor layer, and other insulating layers are formed using an insulating material of low dielectric constant, thus enabling a reduction in parasitic capacity as well as an improvement in the transistor characteristics.例文帳に追加

特にOTS表面処理を施した酸化ケイ素や特殊有機絶縁物質からなるゲート絶縁層を前期有機半導体層の下部に形成し、他の絶縁層は低誘電率の絶縁物質を用いることにより寄生容量を低減できる他、トランジスタ特性が向上する。 - 特許庁

An insulating layer B contracts and expands so as to cancel a contraction/expansion of an insulating layer A and relax the stress in a direction of negating the stress, and the effect of the heat expansion coefficient can be reduced, because the structure is configured that the insulating layer A having a high heat expansion coefficient is sandwiched between insulating layers B having a low heat expansion coefficient.例文帳に追加

熱膨張係数の大きな絶縁層Ａを熱膨張係数の小さな絶縁層Ｂで挟み込む構造としたため、絶縁層Ａの収縮／膨張を絶縁層Ｂが打ち消すように収縮／膨張し、応力を打ち消す方向で緩和させることにより、熱膨張の影響を軽減できる。 - 特許庁

The interlayer insulating film 10 is formed of a plurality of layers composed of an BPSG insulating film 10a and a TEOS film 10b, and the BPSG insulating film 10a is covered with the TEOS film 10b, so that the BPSG insulating film 10a is not in contact with a base wiring electrode 12a included in a source electrode 12.例文帳に追加

層間絶縁膜１０をＢＰＳＧ絶縁膜１０ａとＴＥＯＳ膜１０ｂとによる複数層で構成し、ＢＰＳＧ絶縁膜１０ａをＴＥＯＳ膜１０ｂにて覆うことで、ＢＰＳＧ絶縁膜１０ａがソース電極１２に含まれる下地配線電極１２ａと接しない構造とする。 - 特許庁

On the surface of a silicon substrate 1, a 1st insulating film 2, and on the surface of the 1st insulating film 2, inter-electrode insulating films 3 composed of silicon oxide films and charge transfer electrodes 40 of 1st layers are formed; and a charge transfer electrode 50 is formed between the inter-electrode insulating films 3.例文帳に追加

シリコン基板１表面には、第１の絶縁膜２が形成され、第１の絶縁膜２表面には、酸化シリコン膜からなる電極間絶縁膜３と第１層の電荷転送電極４０が形成され、電極間絶縁膜３の間には、第２層の電荷転送電極５０が形成される。 - 特許庁

Thus, the substrate body 2 is not slipped off from the insulating substrate material 10 by the insulating members 6 regardless of formation of the slots 13 and the substrate body 2 is separated from the insulating substrate material 10 after the side faces of the slots 13 are covered with the protective plated layers 5 and parts of the insulating members 6.例文帳に追加

従って、２つの長孔１３を形成しても、絶縁性部材６によって基板本体２が絶縁性基板材１０から脱落せず、２つの長孔１３の側面を保護メッキ層５と絶縁性部材６の一部とで覆った後に、基板本体２を絶縁性基板材１０から分離させることができる。 - 特許庁

The semiconductor device has a metal-insulating film-semiconductor (MIS) structure wherein the deuterium-element concentration is not smaller than 1×10^19/cm^-3 present near such films or layers formed in a semiconductor device as a semiconductor substrate, a gate insulating film, an interlayer insulating film, a wiring layer, and a protective insulating film.例文帳に追加

半導体基板とゲート絶縁膜、層間絶縁膜、配線層、保護絶縁膜等の半導体装置に形成される膜又は層の界面近傍での重水素元素濃度が1x10^19cm^-3以上であることを特徴とする金属−絶縁膜−半導体（MIS）構造を有する半導体装置。 - 特許庁

In the double-sided copper-clad board in which copper foil is laminated on both sides of an insulating substrate, the insulating substrate is composed of at least two layers of a first insulating substrate made of a thermoplastic resin composition and a second insulating substrate made of a mixture of an alkenyl phenol compound and a maleimide.例文帳に追加

絶縁基材の両面に銅箔を積層してなる両面銅張板において、絶縁基材を、熱可塑性樹脂組成物からなる第１絶縁基材、および、アルケニルフェノール化合物およびマレイミド類の混合物からなる第２絶縁基材の少なくとも二層の基材により構成する。 - 特許庁

The photoelectric conversion device is provided with the photoelectric conversion element and an element isolation region disposed to a semiconductor substrate, and has a plurality of inter-layer insulating layers including a first inter-layer insulating layer disposed most closely to the semiconductor substrate and a second inter-layer insulating layer disposed covering the first inter-layer insulating layer.例文帳に追加

光電変換装置は、半導体基板に配された光電変換素子と素子分離領域とを有し、半導体基板に最も近接して配された第１の層間絶縁層と、第１の層間絶縁層を覆って配された第２の層間絶縁層と、を含む複数の層間絶縁層とを有する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor substrate 1; an insulating layer 19 on the semiconductor substrate 1; a plurality of contact plugs 16 and 66 in the insulating layer 19; an insulating layer 30; and a capacitor 82, a plurality of contact plugs 25 and 75, barrier metal layers 27 and 87, and copper interconnect lines 29 and 88 provided in the insulating layer 30.例文帳に追加

半導体基板１と、半導体基板１上の絶縁層１９と、絶縁層１９内の複数のコンタクトプラグ１６，６６と、絶縁層３０と、絶縁層３０内に設けられた、キャパシタ８２、複数のコンタクトプラグ２５，７５、バリアメタル層２７，８７及び銅配線２９，８８とを備えている。 - 特許庁

After a polysilicon layer 14 is formed on a semiconductor substrate 10 through a gate insulating film 12, an interlayer insulating film of silicon oxide, etc., is formed on the layer 14 and insulating films 16a and 16b are left by wet-etching the interlayer insulating film by using resist layers 18a and 18b as masks.例文帳に追加

半導体基板１０上にゲート絶縁膜１２を介してポリシリコン層１４を形成した後、層１４の上にシリコンオキサイド等の層間絶縁膜を形成し、レジスト層１８ａ，１８ｂをマスクとするウェットエッチングにより層間絶縁膜を加工して絶縁膜１６ａ，１６ｂを残す。 - 特許庁

A multilayer wiring substrate 100 included in the semiconductor package includes: a first insulating layer 104 and a second insulating layer 106 in which wiring layers are formed on an upper surface and lower surface, respectively; and a core layer 102 formed between the first insulating layer 104 and the second insulating layer 106.例文帳に追加

半導体パッケージに含まれる多層配線基板１００は、上面および下面にそれぞれ配線層が設けられた第１の絶縁層１０４および第２の絶縁層１０６と、第１の絶縁層１０４および第２の絶縁層１０６の間に設けられたコア層１０２と、を含む。 - 特許庁

The acceleration sensor includes piezoresistive elements constituted of diffusion layers; a first insulating layer with which the diffusion layer is coated; an interlayer connecting conductor passed through the first insulating layer and connected to the diffusion layers; and a wiring arranged over the insulating layer and connected to the interlayer connecting conductor, and further includes a conductor part containing Al and Nd and a second insulating layer with which the conductor part is coated.例文帳に追加

加速度センサが，拡散層から構成されるピエゾ抵抗素子と，拡散層を被覆する第１の絶縁層と，第１の絶縁層を貫通して前記拡散層に接続される層間接続導体と，絶縁層上に配置されて層間接続導体に接続される配線と，を有し，かつＡｌとＮｄとを含む導体部と，導体部を被覆する第２の絶縁層と，を具備する。 - 特許庁

The ceramic wiring board includes an insulating substrate 3, having a plurality of laminated insulating layers containing at least ceramic particles and a conductor layer 5 on at least the surface of the substrate 3, and anisotropic particles 9, in each insulating layer, are oriented approximately in one direction, and the insulating layers intermingle with their orientation directions intersecting.例文帳に追加

少なくともセラミック粒子を含有してなる複数の絶縁層を積層した絶縁基板３と、該絶縁基板３の、少なくとも表面に導体層５を具備してなるセラミック配線基板であって、各絶縁層の異方性粒子９が略一方向に配向してなるとともに、配向方向が交差する絶縁層が混在したものである。 - 特許庁

Furthermore, wiring layers 18 are formed on the insulating substrate 13 and the conductors 16, the metal substrate 15 and insulating resin layer 11 are peeled off to obtain an inspecting jig which has the projecting inspection electrodes on one surface of the insulating substrate 13 and also has the inspecting electrodes 16a and wiring layers 18 fixed to the insulating substrate 13 in caulked structure.例文帳に追加

さらに、絶縁基板１３及び導体１６上に配線層１８を形成し、金属基板１５及び絶縁樹脂層１１を剥離・除去することで絶縁基板１３の一方の面に突出した検査電極１６ａが形成され、検査電極１６ａ及び配線層１８がカシメ構造にて絶縁基板１３に固定された検査治具を得る。 - 特許庁

In the method for manufacturing a thin-film magnetic head having the required film structure formed by laminating metallic layers and the insulating layer on a wafer, after the metallic layers 22 are covered with the insulating layer 24, the surface of the insulating layer 24 is subjected to flattening to reduce the ruggedness formed on the surface of the insulating layer as the pretreatment for subjecting the surface to polishing to flatten the ruggedness.例文帳に追加

ウェハーの表面に金属層と絶縁層とを積層して形成し、所要の膜構造を備えた薄膜磁気ヘッドを製造する方法において、前記金属層２２を絶縁層２４により被覆した後、絶縁層２４の表面の凹凸を平坦化する研磨加工を施す前処理として、前記絶縁層の表面に形成される凹凸を低減させる平坦処理を施す。 - 特許庁

The printed circuit board comprises passive elements which includes a single layer or more layers of insulating layer and wiring layer and comprises any one or more passive elements among the capacitor, a resistance element, and an inductor in at least one layer of insulating layers, the insulating layer comprising passive elements is formed of a porous insulating material.例文帳に追加

１層またはそれ以上の絶縁層と配線層を有し、そのうち少なくとも１層の絶縁層にコンデンサ、抵抗素子、インダクタのうちいずれか１つ以上の受動素子を内蔵した受動素子内蔵プリント配線板において、該受動素子が内蔵されている絶縁層を多孔質の絶縁材料より構成する。 - 特許庁

In the production of the substrate for display panel provided with an insulating substrate and elements fabricated by processing a plurality of conductive layers, insulation layers and semiconductor layers which are formed on the insulation substrate, the lowermost conductive layer out of the conductive layers is processed into a wiring element, the other conductive layers are electrically connected to the lowermost conduct layer.例文帳に追加

絶縁基板と、その上に形成された導電層の複数、絶縁層および半導体層を加工して得られた要素とを備えた表示パネル用基板の製造において、導電層の複数のうち最下層に配された導電層を加工して形成された配線要素に電気的に接続した他の導電層を形成する。 - 特許庁

An intermediate ground conductor plate 10 located between insulating layers 3 and 4 and facing to the microstrip line 7 is provided in the multilayer substrate 2.例文帳に追加

多層基板２の内部には、絶縁層３，４間に位置してマイクロストリップ線路７と対面した中間接地導体板１０を設ける。 - 特許庁

Moreover, counter electrodes 8 having respectively high reflectance are arranged at lower layers of the pixel electrodes 6 with insulating films.例文帳に追加

画素電極６の下層には絶縁膜を介して高い反射率を有する対向電極８が配置されている。 - 特許庁

First electrodes 5a, insulating layers 6, second electrodes 5b and barrier ribs 2 are formed on a first substrate 1a (Fig. (a)).例文帳に追加

第一基板１ａに第一電極５ａや絶縁層６や第二電極５ｂや隔壁２を形成する（図１（ａ） ）。 - 特許庁

Control electrodes 14 and deflection electrodes are provided to both faces of an insulation substrate 25 and insulating protection layers 28 are formed thereon.例文帳に追加

絶縁性基板25の両面に制御電極14及び偏向電極16を設け、その上に絶縁性保護層28を形成する。 - 特許庁

An insulating layer 60b is provided on the electrolyte membrane 22 between adjacent cathode catalyst layers 26.例文帳に追加

また、隣接するカソード触媒層２６の間の電解質膜２２の上に絶縁層６０ｂが設けられている。 - 特許庁

The electrostatic chuck 1 is produced by forming chuck electrode layers 3, 4 on a ceramics insulating basic material 2.例文帳に追加

この静電チャック１は、セラミック質からなる絶縁基材２にチャック電極層３，４を形成してなる。 - 特許庁

The third electrode is formed extending to the second semiconductor layer from the upper surface of the third semiconductor layer between the adjacent first insulating layers.例文帳に追加

第３の電極は、隣接する第１の絶縁層間の第３の半導体層上面から第２の半導体層にかけて形成される。 - 特許庁

Inspecting wiring patterns of n layers corresponding to the multilayer interconnection of the semiconductor integrated circuit are formed via interlayer insulating films.例文帳に追加

半導体集積回路の多層配線に対応させ、層間絶縁膜を介してｎ層の検査用配線パターンを形成する。 - 特許庁

The semiconductor-on-insulator device includes silicon active layers 30a to 30d with a <100> crystal orientation located on an insulating layer 40.例文帳に追加

半導体・オン・インシュレータデバイスは、絶縁層４０上に位置する結晶方位が＜100＞のシリコン活性層３０ａ〜３０ｄを含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method capable of obtaining a good contact connection in a multilayer wiring board formed by laminating wiring layers through an insulating layer.例文帳に追加

配線層が絶縁層を介して積層された多層配線基板において、良好なコンタクト接続を得ることができる製造方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of gate electrodes 15 are formed via gate insulating layers 14 so that the base layer 13 is located between the gate electrodes 15.例文帳に追加

このベース層１３を挟むように、ゲート絶縁膜１４を介して複数のゲート電極１５が形成されている。 - 特許庁

A scanning line 3a, a data line 6a, and a pixel electrode 9a are formed in multiple layers through an insulating film in a liquid crystal device.例文帳に追加

液晶装置では、走査線３ａ、データ線６ａ及び画素電極９ａが絶縁膜を介して多層に形成されている。 - 特許庁

To provide a multilayer circuit board with high adhesion between electric insulating layers and superior high-frequency characteristics (a low dielectric tangent).例文帳に追加

電気絶縁層間の密着性が高く、かつ高周波特性に優れる（誘電正接が低い）多層回路基板を提供する。 - 特許庁

Many heat insulating materials 4 are arranged and fixed on the surface of the existing roof by a urethane resin 3 applied in layers.例文帳に追加

既設屋根Ａの表面上に層状に塗布されたウレタン樹脂３にて多数の断熱材４，４，…が配列固定されること。 - 特許庁