「insulating layers」に関連した英語例文の一覧と使い方(47ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor device is equipped with gate electrodes 22 and 23 formed on the semiconductor layer of a silicon substrate 11 through the intermediary of a gate insulating layer 21, impurity diffused layers 24, 25, and 26 which form a source region and a drain region provided in the semiconductor layer in an active region, and contacts 42 to 44 and contacts 47 to 49 formed on the gate electrodes 22 and 23 located in the active region.例文帳に追加

半導体装置は、シリコン基板１１の半導体層上に、ゲート絶縁層２１を介して形成されたゲート電極２２，２３、アクティブ領域の半導体層に形成された、ソース領域またはドレイン領域を構成する不純物拡散層２４，２５，２６、およびアクティブ領域に存在するゲート電極２２，２３上に形成された、複数のコンタクト部４２〜４４，４７〜４９、を有する。 - 特許庁

Since the upper and lower metallize lines 3a and 3b are partially overlapped in width, the overlapping width of the metallize line 3 (3a and 3b) whose joint is relatively weak compared to that in overlapping across the entire width can be controlled to be small, thus controlling the occurrence of the lamination failure (de-lamination) between the insulating layers 1.例文帳に追加

上側および下側メタライズ線路３ａ，３ｂが幅方向の一部同士が重なっているので、幅方向の全部で重なる場合に比べて、接合が比較的弱いメタライズ線路３（３ａ，３ｂ）同士の重なり幅を小さく抑えることができ、絶縁層１間の積層不良（デラミネーション）の発生を抑制することができる。 - 特許庁

This liquid crystal display device is provided with a pair of electrodes for generating an electric field in a direction parallel to a pair of transparent substrates in a pixel region of a liquid crystal side of one transparent substrate of the pair of transparent substrates disposed being opposed to each other through a liquid crystal and either electrode of the pair of the electrodes has two or more insulating layers laminated on its upper layer.例文帳に追加

液晶を介して対向配置される透明基板のうち一方の透明基板の液晶側の画素領域に、透明基板と水平方向に電界を発生せしめる一対の電極を備え、この一対の電極はそのいずれの電極においてもその上層に積層させた絶縁膜が２層以上となっている。 - 特許庁

In the method of manufacturing the solid-state image pickup device, gate insulating films 4, gate electrodes 5, 6, and 7, side walls 13 provided on the side faces of the gate electrodes 7, and impurity diffusing layers 8, 9, and 10, are formed in an area A which is the image pickup area and another area B in which an NMOS transistor is provided.例文帳に追加

本発明の固体撮像装置の製造方法では、撮像領域であるＡ領域と、ＮＭＯＳトランジスタが設けられるＢ領域とに、ゲート絶縁膜４と、ゲート電極５, ６, ７と、ゲート電極７の側面上に設けられるサイドウォール１３と、各不純物拡散層８, ９, １０とを形成する。 - 特許庁

The heater is provided with an insulating winding core 1, pyrogenic conductors 3, 5 wound up in multi-layer and spirally on the outer periphery face of the winding core 1 with a certain interval between each other along the axis direction of the winding core 1, and at least insulation layers 8 interposed between the pyrogenic conductors 3, 5, which are connected in series.例文帳に追加

絶縁性の巻芯１と、該巻芯１の軸方向で互いに所定間隔をもって前記巻芯１の前記外周面上に多層にかつ螺旋状に巻かれている発熱導体３，５と、少なくとも前記発熱導体３，５間に介在した絶縁層８とを有し、前記発熱導体３，５が直列に接続されている。 - 特許庁

In the laminated electronic component constituted of alternately laminating electric insulating layers and coil forming conductors and successively connecting pads formed on the end parts of respective coil forming conductors through a via hole to form a spiral coil, the plan view shape of the coil is a rectangle and the arrangement and size of the pads are optimized.例文帳に追加

電気絶縁層とコイル形成用導体を交互に積層し、各コイル形成用導体の端部に形成されたパッドをビアホールを介して順次接続することにより螺旋状のコイルを形成してなる積層電子部品であって、コイルの平面視の形状が長方形である積層電子部品において、パッドの配置および大きさを最適化した。 - 特許庁

In a circuit substrate base material on which a plurality of circuit layers are formed by laminating other circuit components and the like on the top of the circuit base material for this manufacturing method that is laminated with the metal foil having the conductive projection and the insulating resinous layer, the metal foil having the conductive projection has a selectively etchable resist layer at the top of the conductive projection.例文帳に追加

この製造方法用の、導電性突起を有する金属箔と絶縁樹脂層とを積層した回路基材に、他の回路部材等を積層して複数の回路層を形成した回路基板用基材において、導電性突起を有する金属箔は、導電性突起の頂部に選択エッチング可能なレジスト層を有する回路基板用基材。 - 特許庁

A semiconductor storage apparatus has: impurity diffusion layers 103 and 104 that are a part of a semiconductor substrate 100, and function as one of and the other of an anode and a cathode of a pn junction diode, respectively; a recording layer PC connected to the impurity diffusion layer 104; and a cylindrical side wall insulating film 106 provided on the impurity diffusion layer 103.例文帳に追加

半導体基板１００の一部であり、それぞれｐｎ接合ダイオードのアノード及びカソードの一方及び他方として機能する不純物拡散層１０３，１０４と、不純物拡散層１０４に接続された記録層ＰＣと、不純物拡散層１０３上に設けられた筒状のサイドウォール絶縁膜１０６とを備える。 - 特許庁

Furthermore, the resin-insulating layer 140 (dielectric layer 140C) constructs a three layer structure of laminated dielectric layers, comprising a central dielectric layer 146 containing epoxy resin and a large amount of BaTiO3 powder and copper powder and a front dielectric layer 147 and a back dielectric layer 145 with a smaller content ratio of copper powder laminated on the front and back surfaces thereof respectively.例文帳に追加

しかも樹脂絶縁層１４０（誘電体層１４０Ｃ）は、エポキシ樹脂にＢａＴｉＯ_3粉末の他、銅粉末とを多量に含む中心誘電体層１４６と、この表面及び裏面に積層され、銅粉末の含有率が小さい表面誘電体層１４７及び裏面誘電体層１４５とを備える３層構造の積層誘電体層を構成している。 - 特許庁

A capacitor and a DRAM having this capacitor include a first layer 2 of a conductive doped perovskite material, a second layer 3 of an anti- conductive doped perovskite material, and a depletion layer 1 formed in the interface between the first and second layers made of the conductive perovskite material and constituting the insulating layer of the capacitor.例文帳に追加

キャパシタとこのようなキャパシタを有するＤＲＡＭは、導電性のドープされたペロブスカイト物質の第１の層２と、第１の層に接触する、反対導電型のドープされたペロブスカイト物質の第２の層３と、導電性ペロブスカイト物質の第１および第２の層の間の界面に形成され、キャパシタの絶縁体層である空乏層１とを有する。 - 特許庁

On wiring electrodes 120 and 121, insulating layers 122 and 123 are formed, and other electrode fingers of IDT electrodes 103 and 109 are connected by a wiring electrode 124 and further connected to electrode pads 126 and 127 connected to a ground terminal GND by a wiring electrode 125 which is formed above the wiring electrode 124 and electrically connected thereto.例文帳に追加

配線電極１２０、１２１の上には、絶縁層１２２、１２３が設けられており、ＩＤＴ電極１０３、１０９の他方の電極指は、配線電極１２４により接続され、さらに上部に形成され、電気的に接続された配線電極１２５により、接地端子ＧＮＤに接続される電極パッド１２６、１２７に接続される。 - 特許庁

This semiconductor device is featured by the provision of a plurality of active elements formed on a semiconductor substrate, the first insulating film 32 formed on these active elements as well as wiring layers 27 having aperture parts on at least a part of perpendicular bisector between adjacent elements out of the plurality of active elements.例文帳に追加

半導体基板上に形成された複数の能動素子と、この能動素子の上に形成された第１の絶縁膜３２と、この第１の絶縁膜３２の上に形成され、前記複数の能動素子のうち隣接する素子間の垂直二等分線の少なくとも一部の上に開口部を有する配線層２７とを具備することを特徴とする。 - 特許庁

The touch panel, having high light transmittance and good visibility and hardly deformed even when the panel is large in size, can be provided by composing the touch panel by forming a light transmitting gel layer 10, in which conducting powders 10A and insulating powders 10B having a larger particle diameter than the conducting powders 10A are dispersed between upper and lower electrode layers 1B and 2B.例文帳に追加

上下電極層１Ｂ，２Ｂ間に、導電粉１０Ａとこの導電粉１０Ａより粒子径の大きな絶縁粉１０Ｂが分散された光透過性ゲル層１０を形成してタッチパネルを構成することによって、光透過率が高く視認性が良好で、形状が大きくなっても変形し難いタッチパネルを得ることができる。 - 特許庁

To provide a heat insulating member including a cholesteric liquid crystal layer having a high reflectance of infrared light in a wavelength region near to about 900-1,300 nm in which solar energy quantity is high and having high light transmissivity in a visible light region (i.e. having an extremely sharp reflection characteristic change) even when the number of the cholesteric liquid crystal layers is two or less.例文帳に追加

コレステリック液晶層の数が２層以下であっても、太陽エネルギー量の高い約９００〜約１３００ｎｍ付近の波長領域にある赤外線の反射率が高く、かつ、可視光線領域の光線透過率の高い（すなわち、極めて鋭い反射特性変化を有する）コレステリック液晶層を有する断熱部材を提供する。 - 特許庁

The fuel battery system, equipped with the fuel battery 10 generating electrical energy by the electrochemical reaction of hydrogen and oxygen, and one or more heat exchangers 101, 102 for exchanging heat with the fuel battery 10 with the use of a heating medium, has insulating layers 103, 104 provided between the fuel battery 10 and the heat exchangers 101, 102.例文帳に追加

水素と酸素とを電気化学反応させて電気エネルギを発生する燃料電池１０と、熱媒体を用いて燃料電池１０との間で熱交換を行う１以上の熱交換器１０１、１０２とを備える燃料電池システムにおいて、燃料電池１０と熱交換器１０１、１０２との間に設けられた絶縁層１０３、１０４とを設ける。 - 特許庁

The honeycomb sandwich structure composite material 10 which is molded by a resin transfer molding method includes honeycomb cores 1, metal sheets 3 disposed on both sides of honeycomb cores 1 through adhesive layers 2, and carbon fiber sheets 5 disposed on the opposite side surfaces of the metal sheets 3 to the honeycomb cores 1 through an insulating member 4.例文帳に追加

ハニカムコア１と、ハニカムコア１の両面に接着層２を介して配置された金属シート３と、金属シート３のハニカムコア１と反対側の面に絶縁部材４を介して配置されたカーボン繊維シート５とを備え、樹脂トランスファー成形法で成形されたものであるハニカムサンドイッチ構造複合材１０とする。 - 特許庁

To provide a laminated body for double sided wiring board which can obtain sufficient close contact without deterioration in low dielectric constant and low dielectric loss as an insulating layer of polyimide porous material through direct bonding of polyimide porous layers, and also to provide a manufacturing method thereof, and a double sided wiring board using the same laminated body.例文帳に追加

ポリイミド多孔質層同士を直接接着させることで、ポリイミド多孔体の絶縁層としての低誘電率化と低誘電損失化を損なうことなく、しかも十分な密着力が得られる両面配線基板用積層体、及びその製造方法、並びに当該積層体を用いた両面配線基板を提供する。 - 特許庁

In this electrostatic actuator, which has insulating layers interposed between a first electrode and a first electrode assembled wiring, there are installed a second electrode and a second electrode assembled wiring, a third electrode and a third electrode assembled wiring, and the second electrode assembled wiring and the third electrode assembled wiring, junction parts between the electrodes and the electrode assembled wirings.例文帳に追加

第１電極と第１電極集合配線と、第２電極と第２電極集合配線と、第３電極と第３電極集合配線と、第２電極集合配線と第３電極集合配線との間に介在させた絶縁層を有する静電アクチュエータにおいて、電極と電極集合配線との接合部を設けることとした。 - 特許庁

The dye-sensitized solar cell 100 includes a glass substrate 1, a transparent conductive layer 1, a porous semiconductor layer 2, a porous insulating layer 3, a plurality of photoelectric conversion elements 10 comprising counter electrode layers 4, a cover glass substrate 22, and a first glass frit layer 23 and a second glass frit layer 24 as the sealing material.例文帳に追加

色素増感太陽電池１００は、ガラス基板１と、透明導電性層１、多孔質半導体層２、多孔質絶縁層３、対極層４からなる複数の光電変換素子１０と、カバーガラス基板２２と、封止材としての第１のガラスフリット層２３及び第２のガラスフリット層２４を有する。 - 特許庁

In the structure, of cavities provided on the insulating layers 20 of a multilayer printed board 2, while making the portions to which the bare chip 3 is electrically connected as the electrode portions 10a-10f of the wiring patterns 10; a copper member 6 is fitted to a region (immediately below region) opposite to the electrode portions 10a-10f of the wiring pattern 10.例文帳に追加

そして、配線パターン１０のうち、ベアチップ３が電気的に接続される部位を電極部１０ａ〜１０ｆとして、多層プリント配線板２の絶縁層２０に設けられたキャビティのうち、配線パターン１０の電極部１０ａ〜１０ｆに対向する領域（直下領域）に銅部材６が嵌合されている。 - 特許庁

A multilayer wiring board comprises a board layer having wiring patterns formed by a plurality of wirings in multiple layers, an auxiliary layer comprising an auxiliary pattern provided on the upper surface of the board layer and an electrical insulating material which covers the auxiliary pattern, an electrode pattern formed by a plurality of electrodes provided on the upper surface of the auxiliary layer, and an alignment mark provided on the upper surface of the auxiliary layer.例文帳に追加

多層配線基板は、複数の配線により形成された配線パターンを多層に有する基板層と、該基板層の上面に設けられた補助パターン及び該補助パターンを覆う電気絶縁材料を備える補助層と、該補助層の上面に設けられた複数の電極により形成された電極パターンと、補助層の上面に設けられた位置合わせ用マークとを含む。 - 特許庁

An electronic component-incorporating substrate incorporating a passive component in a resin substrate having a plurality of layers of wiring wherein the passive component is arranged in an insulating layer existing between a first wiring layer which is electrically connected with the passive component and a second wiring layer which is proximate to the first wiring layer, and the second wiring layer has an opening larger than the mounting area of the passive component.例文帳に追加

複数層の配線を有する樹脂基板内に受動部品を内蔵してなる電子部品内蔵基板であって、前記受動部品は前記受動部品と電気的に接続される第１配線層と前記第１配線層に近接する第２配線層との間に存在する絶縁層内に配置され、前記第２配線層は少なくとも前記受動部品の実装面積より大きな開口部を有する電子部品内蔵基板である。 - 特許庁

The capacitance medium is constituted of a conductive liquid 6 which is injected into the slit 41 blocked up by the electrode layers 2, 3 as a cavity 5 so as to occupy a part of its volume, and into which the common electrode 22 is dipped, and an insulating film 35 whose one surface is dipped in the conductive liquid 6 and the other surface is joined to the counter electrodes 32, 33.例文帳に追加

そして、下部電極層２と上部電極層３とにより閉塞されたスリット４１をキャビティ５として、そこにその容積の一部を占めるように注入されるとともに、共通電極２２が浸漬される導電性液体６と、一方の面が導電性液体６に浸漬されるとともに、他方の面が対向電極３２，３３に接合されている絶縁膜３５とにより、静電容量媒体が構成されている。 - 特許庁

To provide a metal resin composite film comprising layers of an insulating film, a conductive thin film layer and a metal layer and having less pinholes and suitable for forming a high-density circuit, and in particular, to manufacture a metal resin composite film for forming a high-density circuit with less pinhole even when an energy supply area is as large as ≥400 cm^2 for electroplating.例文帳に追加

ピンホールが少なく高密度の回路形成に好適な、絶縁性フィルム−導電性薄膜層−金属層からなる金属樹脂複合フィルム、特に、電気めっき時の給電面積が４００ｃｍ^２以上と広い場合にもピンホールの少ない高密度の回路形成をすることができる金属樹脂複合フィルムを製造する。 - 特許庁

The heat insulating structure is provided with coil jackets CJ with a predetermined space to a heat source and surrounding at least a part of the heat source, and heat dissipation regulation layers 82b formed in regions closer to heat source sides of surfaces including top surfaces of the coil jackets opposite to the heat source, and composed of a material regulating heat dissipation to the outside of the coil jackets.例文帳に追加

熱源との間に所定の間隔を空けて設けられ、前記熱源の少なくとも一部を囲う枠部材と、前記枠部材のうち前記熱源とは反対側の表面上を含む当該表面よりも前記熱源側の領域に設けられ、前記枠部材の外側への放熱を規制する材料からなる放熱規制層とを具備する。 - 特許庁

The conductive film, the film having the n-type conductivity, and the oxide semiconductor film containing In, Ga and Zn are etched using the channel protective layer and gate insulating films as etching stoppers with the resist mask, so that source and drain electrode layers, a buffer layer, and a semiconductor layer are formed.例文帳に追加

このレジストマスクと共に、チャネル保護層及びゲート絶縁膜をエッチングストッパーとして利用して、導電膜と、ｎ型の導電型を有する膜と、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜をエッチングして、ソース電極層及びドレイン電極層と、バッファ層と、半導体層を形成する。 - 特許庁

The printed wiring board having interconnects 3 and 4 made of conductors includes an insulating layer 2, the interconnects formed on the insulating layer 2 and composed of the conductors, and solder resist layers 6 and 7 provided covering the interconnects 3 and 4.例文帳に追加

導電体よりなる配線３，４を有するプリント配線板であって、絶縁層２と、前記絶縁層２上に形成されており、かつ導電体よりなる配線と、前記配線３，４を覆うように設けられたソルダーレジスト層６，７とを備え、前記ソルダーレジスト層６，７の膜厚をＴμｍ、前記ソルダーレジスト層６、７を構成しているソルダーレジストの比誘電率がε、前記配線３，４の配線のプリント配線板面方向での配線間距離もしくは配線のプリント配線板面方向端部と、プリント配線板端部との間の距離のうち最も小さい距離をｄ（ｍｍ）としたときに、下記の式（１）を満たす、プリント配線板。 - 特許庁

A substrate on which a conductive layer is formed includes a columnar semiconductor formed on the conductive layer, an insulating layer formed around the columnar semiconductor, and a gate electrode of one transistor formed around the insulating layer; the gate electrode is configured by a laminated structure, having at least two layers of conductive films that have different work functions; and by providing a semiconductor device constituted this way, the problem is solved.例文帳に追加

導電層の形成された基板において前記導電層上に形成された柱状半導体と、前記柱状半導体の周囲に形成された絶縁層と、前記絶縁層の周囲に形成された一つのトランジスタのゲート電極を有しており、ゲート電極は、仕事関数の異なる少なくとも２層以上の導電膜の積層構造により構成されていることを特徴とする半導体装置を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

In this semiconductor device, a pad section serving as an electrode for an external connection comprises: a first pad metal layer 61 formed in a top layer; a second pad metal layer 62 formed under the first pad metal layer 61 at both sides of an interlayer insulating film 71; and vias 63 which penetrate the interlayer insulating film 71 and electrically connect the first and second pad metal layers 61, 62.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、外部接続用電極であるパッド部が、最上層に形成された第１のパッドメタル層６１と、第１のパッドメタル層６１の下に層間絶縁膜７１を挟んで形成された第２のパッドメタル層６２と、層間絶縁膜７１を貫通して第１のパッドメタル層６１と第２のパッドメタル層６２を電気的に接続するビア６３とからなり、第１のパッドメタル層６１の端部と第２のパッドメタル層６２の端部とが各層の厚み方向に沿って一致しないように互いにずれて配置される。 - 特許庁

Also, according to the method, the insulating layer is not formed as a single layer but as a laminated layer made by laminating semi-set thermosetting resin layers on both surfaces of a full-set thermosetting resin layer, so that formability in the manufacturing method for the parallel multilayer printed circuit board is improved, and the circuit board is provided with a higher dielectric constant to improve impedance balance.例文帳に追加

本発明によれば、多層印刷回路基板の製造方法において、絶縁層の形成時に絶縁層を単層にせず、完全硬化状態の熱硬化性樹脂層の両面に半硬化状態の熱硬化性樹脂層を積層した形態の絶縁層を使用することにより、本発明に係る並列的多層印刷回路基板の製造方法における成形性を良くし、絶縁層により高い比誘電率を提供し、それによりインピーダンス均衡性を向上させることができる。 - 特許庁

At least one layer of the insulating layers 1a, 1b, 1c, 1d, 1e has permittivity in upper and lower surface direction of 30 or more and at least a pair of counter electrode 3 are disposed between the upper and lower surfaces.例文帳に追加

10〜70重量％の無機絶縁粉末と30〜90重量％の有機材料とから成り、無機絶縁粉末を有機材料により結合して成る絶縁層1a、1b、1c、1d、1eを複数層、上下に積層させるとともに絶縁層1a、1b、1c、1d、1e間および／または露出する絶縁層1a、1b、1c、1d、1e表面に配線導体２を被着して成る配線基板４であって、絶縁層1a、1b、1c、1d、1eは少なくとも一層が上下面方向の比誘電率が30以上であり、かつその上下面間に少なくとも一対の対向電極３が配設されている。 - 特許庁

The production line for manufacturing semi-finished products of a flexible polymer organic EL display is provided with a first coating unit for obtaining an adhesive layer processed film by forming an adhesive layer through coating of an adhesive on a printed film, and a bonding unit for obtaining a bonded film by bonding special processed films with insulating layers formed while automatically registering them.例文帳に追加

フレキシブル高分子有機ＥＬディスプレイの中間製品を製造するための製造ラインであって、印刷済フィルムに接着剤を塗工して接着層を形成し接着層加工済フィルムを得る第１塗工ユニットと、前記接着加工済フィルムとすくなくともバリア層、透明または半透明電極、絶縁層を形成した特殊加工済フィルムを自動見当合わせしながら貼り合せ貼合済フィルムを得る貼合ユニットとを具備するようにした製造ライン。 - 特許庁

The electronic component includes an enclosure 3 formed by laminating a plurality of enclosure layers composed of an insulating material, ground electrodes 6 and 7 buried in the enclosure 3 and formed in the direction substantially parallel with the lamination plane of the enclosure layer, and ground electrodes 4 and 5 buried in the enclosure 3 and formed in the direction substantially perpendicular to the lamination plane of the enclosure layer.例文帳に追加

そして、この目的を達成するために本発明は、絶縁材料からなる複数の外装体層を積層して形成された外装体３と、この外装体３内に埋設されるとともに前記外装体層の積層平面と略平行方向に形成されたグランド電極６、７と、外装体３内に埋設されるとともに前記外装体層の積層平面と略垂直方向に形成されたグランド電極４、５とを有する電子部品としたものである。 - 特許庁

This semiconductor device is constituted by stacking semiconductor chips formed by integrating elements on semiconductor substrates in layers across inter-layer insulating films so that those semiconductor chips are mutually connected by connection plugs buried in through holes bored in the semiconductor substrates and bumps provided on the connection plugs; and the connection plugs and bumps are formed integrally of the same metal having a fusion point of ≥400°C.例文帳に追加

半導体基板に素子が集積形成された半導体チップを層間絶縁膜を介して複数層積層してなり、これら複数の半導体チップの相互間は、前記半導体基板に設けられた貫通孔に埋め込まれた接続プラグ、およびこの接続プラグ上に設けられているバンプにより接続されている半導体装置であって、前記接続プラグおよびバンプは、４００℃以上の融点を有する同一金属により、一体的に形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

This thermoelectric element includes: a plurality of pn junctions each formed by bonding n-type and p-type thermoelectric semiconductors to each other with a metallic layer interposed therebetween; and first and second electrodes electrically connected to the n-type and p-type thermoelectric semiconductors, respectively; wherein the plurality of pn junctions are laminated with insulating layers interposed therebetween, and are connected electrically in parallel to one another.例文帳に追加

具体的に、本発明の一実施形態は、金属層を介してｎ型及びｐ型熱電半導体が互いに接合されて形成された複数のｐｎ接合及び前記ｎ型及びｐ型熱電半導体とそれぞれ電気的に連結された第１及び第２電極を含み、前記複数のｐｎ接合は絶縁層を介して積層されるが、それぞれは互いに電気的に並列連結されたことを特徴とする熱電素子を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a silicon substrate, a gate insulation film formed on the surface of the silicon substrate, a gate electrode formed on the gate insulation film, source/drain diffusing layers formed on both sides of the gate insulating film of the silicon substrate, a film involving a metal oxide formed on the source/drain diffusing layer, and a polycrystalline silicon film involving impurity formed on the film involving the metal oxide.例文帳に追加

シリコン基板と、シリコン基板の表面に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、シリコン基板の前記ゲート絶縁膜の両側に形成されたソース／ドレイン拡散層と、ソース／ドレイン拡散層上に形成された金属酸化物を含有する膜と、金属酸化物を含有する膜上に形成された、不純物を含有する多結晶シリコン膜とを備えることを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

In a nonvolatile memory such as an EEPROM for writing/erasing data electrically, each memory cell constituting the memory has source-drain regions 23a, 24a, 23b and 24b formed on a semiconductor substrate, a gate electrode 27 formed on the channel region of the semiconductor substrate, and a gate insulating film 26 of three layers including a silicon nitride film formed between the semiconductor substrate and the gate electrode 27.例文帳に追加

データを電気的に書き込み・消去可能なＥＥＰＲＯＭ等の不揮発性メモリにおいて、前記メモリを構成する各メモリセルが、半導体基板に形成されたソース／ドレイン領域２３a、２４a、２３b、２４ｂと、前記半導体基板のチャネル領域上に形成されるゲート電極２７と、前記半導体基板と前記ゲート電極２７との間に形成されるシリコン窒化膜を含む３層のゲート絶縁膜２６とを備えている。 - 特許庁

In the method for manufacturing the multilayer wiring boards having structure where an adhesive containing at least an epoxy curing constituent is included, a polyimide-based insulating material having a conductor layer is laminated, and the conductor layers are connected by metal plating provided in the through and blind via holes, a treatment using a liquid containing at least imidazole compound is included in pretreatment for performing metal plating to the through or blind via hole.例文帳に追加

少なくともエポキシ硬化成分を含有してなる接着剤を介在せしめて、導体層を有するポリイミド系絶縁材料を積層してなり、導体層間をスルーホールもしくはブラインドビアホールに施した金属めっきにより接続する構造を有する多層配線基板の製造方法において、スルーホールもしくはブラインドビアホールに金属めっきを施す前処理として、少なくともイミダゾール類化合物を含有する処理液にて処理する工程を含む。 - 特許庁

The field emission element comprises a mesh grid 400 provided with multiple electron control holes that release electrons corresponding to a phosphor layer 230 of an anode plate 200, and insulating layers 401 and 402 that comprise windows 401a and 402a which are formed on both sides of the mesh grid 400 and where a plurality of electron control holes 400a are exposed corresponding to the formation region of the electron control hole 400a.例文帳に追加

電界放出素子は、アノードプレート２００の蛍光体層２３０に対応して電子を放出する多数の電子放出形成されているメッシュグリッド４００と、メッシュグリッド４００の両側面に形成されるものであって電子制御ホール４００ａ形成領域に対応して複数の電子制御ホール４００ａが露出されるウィンドー４０１ａ、４０２ａを有する絶縁層４０１，４０２とを備える。 - 特許庁

The system comprises a multi-layer plane heating element 3 laminated through waterproof electric insulating material 2 made of polyimide group resin excellent in temperature resistant characteristics, mechanical characteristics, electric characteristics, resistance to chemicals, or the like, with a conductive material consisting of graphite and carbon black dispersed and mixed in a synthetic resin dispersion medium, and a synthetic resin vessel 4 storing the plane heating element in layers.例文帳に追加

極低温から高温領域まで広温度範囲にわたり耐温度特性、機械的特性、電気的特性、耐化学薬品性等に優れたポリイミド系樹脂よりなる防水性の電気絶縁材２を介してラミネートされ合成樹脂分散媒に黒鉛と、カーボンブラックとよりなる導電性材料が分散、混入された複数層の面状発熱体３と、該面状発熱体を層状に収容する合成樹脂容器４とからなる。 - 特許庁