「lapping process」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a wafer chamfering method which can process the upper and the lower surface widths even in a lapping process.例文帳に追加

ラッピング工程において上下の面幅を均等に加工することができるウェーハ面取り方法の提供。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR IMPARTING TEXTURE TO GMR LAPPING PLATE BY USING PHOTOCHEMICAL PROCESS例文帳に追加

光化学プロセスを使用してＧＭＲラッピングプレートにテクスチャーを付与する方法及び装置 - 特許庁

Consequently, a machining allowance in a lapping process can be more reduced than with a conventional brass-plated wire.例文帳に追加

これにより、ラップ工程での取り代を従来のブラスメッキワイヤの場合より減少できる。 - 特許庁

For the commutator 23 of a motor 10, surface cutting processing is applied in a cutting process, and next, in a lapping process, only the burrs are removed by a tape lapping process, keeping the surface processing (roughness) condition by the above cutting process.例文帳に追加

モータ１０の整流子２３は、切削工程において表面切削加工を施し、次いで、ラッピング工程において、前記切削工程による表面加工（粗さ）状態を維持したままで、バリのみをテープラッピング加工によって除去する。 - 特許庁

To provide a lapping plate, reducing the load of CMP and shortening the machining time of CMP, in a lapping plate in the pre-process of CMP.例文帳に追加

ＣＭＰの前工程におけるラッピング定盤において、ＣＭＰの負担を軽減し、ＣＭＰの加工時間を短縮することができるラッピング定盤を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR LAPPING GMR ELEMENT TO BOMBARD ELECTRIC LAP GUIDE FOR REDUCING NOISE DURING LAPPING PROCESS WITH ION, WAFER TREATMENT METHOD FOR GMR ELEMENT, AND MAGNETIC HEAD例文帳に追加

ラッププロセス中のノイズを減少させるための電気ラップガイドにイオン照射を行なうＧＭＲ素子のラッピング方法、ＧＭＲ素子のウェーハ処理方法、ならびに磁気ヘッド - 特許庁

To obtain a steam vulcanizing apparatus capable of shortening a work time by dispensing with lapping to simplify a vulcanization process.例文帳に追加

ラッピングを不要にして加硫工程を簡略化し、作業時間を短縮できる蒸気加硫装置を得ること。 - 特許庁

To provide a process of manufacturing a lapping plate with a number of abrasive grains embedded in a surface in a short time.例文帳に追加

表面に多数の砥粒が埋め込み固定されたラップ板を、短時間で製造する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a lapping wheel, keeping stable sharpness for long time by moderately dropping worn-away abrasive grains in the process of lapping so that sharp abrasive grains can always contribute to working.例文帳に追加

ラップ加工中に適度に摩耗砥粒が脱落して常に鋭利な砥粒が加工に寄与するようにして、安定した切れ味を長く維持することが可能なラップホイールを提供する。 - 特許庁

To provide a lapping tool capable of lapping by mounting the toll on a machine tool and reducing manufacturing cost by contriving intensifying of lapping and other working, suppression of facility investment, reduction of working time and reduction of inter-process moving time.例文帳に追加

工作機械に装着してラッピング加工を可能とし、ラッピング加工と他の加工との集約化、設備投資の抑制、加工時間の低減、工程間移動時間の低減等を図ることによって、製造コストの低減を図ることを可能にしたラッピングツールを提供する。 - 特許庁

The sense face of the GMR element is recessed from the tape supporting surfaces as a result of a lapping process and is coated with material.例文帳に追加

ＧＭＲ素子のセンス面は、ラップ仕上げプロセスの結果としてテープ支持面から窪んでおり、材料で被覆される。 - 特許庁

An SiC monocrystal substrate is mechanically lapped using a lapping plate formed with a predetermined flatness manufactured by a facing process of cutting the surface of the lapping plate made of material quality having a predetermined hardness and generating two kinds of grooves by machining, a shaving process of shaving with a circular-arc shaving tool, and a process of charging the lapping plate after the shaving process using a charging ring.例文帳に追加

所定の硬度の材質よりなる前記ラッピング定盤の表面を平坦に切削するとともに２種類の溝を加工生成するフェージング工程と、円弧状のシェービング治具でシェービングするシェービング工程と、該シェービング工程後のラッピング定盤をチャージングリングを用いてチャージングする工程とにより製作される所定の平坦度に形成されたラッピング定盤を使用して、ＳｉＣ単結晶基板をメカニカルラッピングする。 - 特許庁

To provide a device which performs tape lapping at an arm end of an industrial robot using a cassette type tape lapping device, and also performs machining using another film lapping device while a workpiece to be pre-machined is centered to a spindle stock and a tailstock and supported in a pre-machining process.例文帳に追加

前加工が行われる被加工物を、前加工工程で主軸台と心押台等にセンタリングされ支持された状態で、そのまま、産業用ロボットのアーム先端にカセット型テープラップ装置でテープラップ加工が可能で、別のフイルムラップ装置で加工できる装置を提供。 - 特許庁

First in a secondary lapping process, as shown in (A), the carrier 30 in an unused state is initially mounted to a lower fixed disk 21a.例文帳に追加

２次ラップ工程では、まず、（Ａ）に示すように、未使用状態であるキャリア３０を下定盤２１ａ上に設置する。 - 特許庁

To enhance the productivity by effectively performing chamfering and lapping in the semiconductor wafer manufacturing process.例文帳に追加

半導体ウェーハの製造工程における面取り加工及びラッピング加工を効率よく行うことにより生産性を向上させる。 - 特許庁

To provide a thin film head slider capable of high density recording by subjecting a process film formed on a wafer surface to uniform lapping and polishing processings.例文帳に追加

ウエハの表面に形成したプロセス膜を均一のラップ、ポリッシュ加工して、高密度記録が可能な薄膜ヘッドスライダを提供する。 - 特許庁

After a substrate work, a lapping work, the first and the second polisher works and then a final polishing work are conducted in polishing process.例文帳に追加

基板加工を行なった後、研磨工程でラッピング加工、第１及び第２のポリシャ加工を行ない、その後、仕上げ研磨加工を行なう。 - 特許庁

To provide a wafer manufacturing method removing the swell caused to a wafer in a slicing process, even with the omission of a lapping process or a double-head grinding process, so as to shorten the time for manufacturing wafers.例文帳に追加

ラッピング工程あるいは両頭研削工程を省略しても，スライス工程においてウェハに生じたうねりを除去でき，ウェハ製造時間を短縮することが可能なウェハの製造方法を提供する。 - 特許庁

Finally, plane lapping is applied on the disc part 31B' in a finish machining process, and lapping allowance 38 formed in an outside diameter side section 37A of the tapered recessed part 37 is removed to form a seal land 34 and an auxiliary hydrostatic pocket 35.例文帳に追加

最後に、仕上げ加工工程によってディスク部３１Ｂ′に平面ラッピングを施し、テーパ状凹部３７の外径側部位３７Ａに形成されたラッピング代３８を除去することによって、シールランド３４、補助静圧ポケット３５を形成する。 - 特許庁

To prevent the corrosion of a magnetic metal on an ABS surface during lapping or washing in the manufacturing process of a thin-film magnetic head.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッドの製造工程において、ラップ加工あるいは洗浄時に、ＡＢＳ面上の磁性金属が腐食することを防止する。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor wafer includes a step of carrying out a grinding process for grinding and flattening the both faces of the wafer instead of a process for flattening a beveled wafer, that is, a lapping process, and carrying out a dry etching process (for example, sandblast) for putting uniform scratches on the back face of the wafer after the grinding process.例文帳に追加

半導体ウェーハの製造方法のうち、面取りしたウェーハを平坦化する工程すなわちラッピング工程に代えて、ウェーハの両面を研削して平坦化する研削工程を行い、さらにこの研削工程後にウェーハの裏面に不均一な傷を入れて梨地にする梨地加工工程（例えば、サンドブラスト）を行う。 - 特許庁

According to the method, the semiconductor wafer having a high hardness such as a GaN semiconductor wafer can be cut by combining a lapping process, in which a wafer thickness is reduced, and a scribing process by laser beams.例文帳に追加

前記方法によると、ウェーハ厚を減少させるラッピング工程とレーザービームによるスクライビング工程とを組み合せてＧａＮ系半導体ウェーハのように硬度の高い半導体ウェーハを容易に切断することができる。 - 特許庁

After that, in a polishing process, tube material is rubbed with a lapping tape of #2,000 to form the circumferential stripes on the outer circumferential surface while being rotated in one direction at a fixed speed.例文帳に追加

その後、研磨工程でチューブ材を一方向に一定速度にて回転させつつ、＃２０００のラッピングテープに摺擦させて外周面に周方向の筋目を形成する。 - 特許庁

This is to provide an improved version of a silicon wafer etching method in which an acid etchant and an alkaline etchant are individually stored in a plurality of tanks, and a silicon wafer having a process modified layer formed through a lapping process and a subsequent cleaning process is sequentially immersed in the acid etchant and the alkaline etchant.例文帳に追加

複数のエッチング槽に酸エッチング液とアルカリエッチング液をそれぞれ貯え、ラッピング工程に続いて洗浄工程を経た加工変質層を有するシリコンウェーハを酸エッチング液とアルカリエッチング液とに順次浸漬するシリコンウェーハのエッチング方法の改良である。 - 特許庁

In the method for manufacturing the synthetic quartz glass substrate for the polysilicon TFT formed by multistage polishing consisting of a lapping process and a polishing process, the end surface of the substrate is subjected to mirror surface finishing just prior to the final polishing process of the polishing process and after subjecting the substrate to etching.例文帳に追加

ラッピング工程とポリッシュ工程からなる多段研磨により形成されるポリシリコンＴＦＴ用合成石英ガラス基板の製造方法において、前記ポリッシュ工程は複数の研磨工程からなり、該ポリッシュ工程の最終の研磨工程の直前、かつ、前記基板にエッチングを施した後に前記基板の端面に鏡面加工を施す。 - 特許庁

The controller controls the operation of the shoe driving unit 30 according to the position of the hole part 66 in the process of machining, thereby limiting lapping using the second shoe 72 to the periphery of the mouth 67 of the hole part 67.例文帳に追加

コントローラは、加工中における穴部６６の位置に応じてシュー駆動ユニット３０の作動を制御し、第２シュー７２によるラッピング加工を穴部６７の口元６７周辺に限定する。 - 特許庁

In this manufacturing method for the glass substrate for the information recording medium, lapping, first polisher working and second polisher working are performed in a polishing process after substrate working is performed for the glass substrate for the information recording medium.例文帳に追加

情報記録媒体用ガラス基板の製造方法は、情報記録媒体用ガラス基板に基板加工を行った後、研磨工程でラッピング加工、第１のポリシャ加工、第２のポリシャ加工を行う。 - 特許庁

Then, in a positioning process for positioning the magnet island 13 to the sensor island 7 by over lapping the sensor lead frame 2 on the magnet frame 3 for making coincide the main frame 4 with an auxiliary frame 11.例文帳に追加

そして、位置決め工程において、センサリードフレーム２をマグネットフレーム３に重合させることにより主枠体４と副枠体１１とを合致させ、マグネットアイランド１３をセンサアイランド７に位置決めする。 - 特許庁

This manufacturing method for the template for holding the workpiece properly when grinding the workpiece comprises at least a process for preparing a glass epoxy substrate, a process for lapping and/or grinding the glass epoxy substrate, and a process for forming a hole for holding the workpiece in the glass epoxy substrate.例文帳に追加

ワークを研磨する際に、前記ワークを保持するためのテンプレートの製造方法であって、少なくとも、ガラスエポキシ基板を準備する工程と、前記ガラスエポキシ基板をラッピングおよび／または研磨する工程と、前記ガラスエポキシ基板にワーク保持用の穴を開ける工程を有することを特徴とするテンプレートの製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing a nonwoven fabric comprises the follow steps: a laminated web is formed from a staple yarn consisting of the core-sheath-type sea-island conjugate fiber via a carding process and a cross lapping process; subsequently a nonwoven fabric is formed by punching; and then the sheath component and the sea component in the core component are removed.例文帳に追加

また、本発明の不織布の製造方法は、かかる芯鞘型海島複合繊維からなる原綿を、カード、クロスラッパー工程を経て積層ウェブを形成した後、パンチングして、不織布を形成し、次いで、該鞘成分及び該芯成分中の海成分を除去することを特徴とするものである。 - 特許庁

To provide a lapping ball for silicon to finish off a silicon ball to satisfy a necessary condition as a silicon ball used in a semiconductor circuit substrate even by a machining strain at an after-process.例文帳に追加

後工程の加工歪みによっても、半導体回路基盤等に用いるシリコン球として必要な条件を充足したものに仕上げることのできるシリコンのラッピング球、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, static and dynamic balances are achieved in accordance with symmetry through all lapping angles α, a determined pitch process hα, and a calculated balance in the ratio of a maximum pitch L_max to a minimum pitch L_min.例文帳に追加

それによって、静的および動的釣り合いは、全ラッピング角（α）、定められたピッチ進行（ｈ（α））、および、最小ピッチ（Ｌ_min）に対する最大ピッチ（Ｌ_max）の比の計算された釣り合いを通して、対称性に従って達成される。 - 特許庁

The end of the SOI chip 110 is subjected to an angle lapping process, the embedded oxide film layer 2 exposed under the SOI layer 3 is removed through etching using a hydrofluoric acid, and the spreading resistance of the SOI layer 3 coming into contact with a support substrate 1 is measured.例文帳に追加

ＳＯＩチップ１１０端部にアングルラップを施し、露出したＳＯＩ層３の下の埋め込み酸化膜層２とをフッ酸エッチングで除去することにより、支持基板１と接触したＳＯＩ層３の拡がり抵抗を測定する。 - 特許庁

The process of manufacturing such a high quality Al_xGa_yIn_zN wafer may include processes of lapping, mechanical polishing, and reducing internal stress of the wafer by thermal annealing or chemical etching for further enhancement of its surface quality.例文帳に追加

このような高品質Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮウェーハの製造方法はラッピング工程、機械研磨工程、およびその表面品質を更に高めるための熱アニールまたは化学エッチングによるウェーハの内部応力を低下させる工程を含んでよい。 - 特許庁

To provide a method for determining the front and rear surface of a semiconductor wafer capable of judging the front and rear surface of the semiconductor wafer so tat an operation is not made with the wrong surface of the semiconductor wafer in a process of lapping (planar polishing) from beveling on and polishing both the surface.例文帳に追加

ベベリング以降のラッピング（平面研削）及び両面ポリッシングの工程で半導体ウェハの表裏を間違えて作業しないように、半導体ウェハの表面と裏面を判別できる半導体ウェハの表裏判別方法を提供する。 - 特許庁

To provide a grain decorative sheet, which is excellent in a secondary workability such as V-cut, lapping or the like and scratch marks make inconspicuous even when a decorative sheet is scratched during its working process or at its use or the like and in which the lowering of design properties is small.例文帳に追加

Ｖカット、ラッピング等の２次加工性に優れた化粧シートであって、加工工程、または使用時等に、化粧シートに傷が付いても、傷痕が目立つことが少なく、意匠性の低下の少ない木目化粧シートを提供することにある。 - 特許庁

The process of fabricating such high quality Al_xGa_yIn_zN wafer may include steps of lapping, mechanical polishing, and reducing internal stress of such wafer by thermal annealing or chemical etching for further enhancement of its surface quality.例文帳に追加

このような高品質Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮウェーハの製造方法はラッピング工程、機械研磨工程、およびその表面品質を更に高めるための熱アニールまたは化学エッチングによるウェーハの内部応力を低下させる工程を含んでよい。 - 特許庁

As a result, reduction in the washing time, insurance of certainty of a cleaning process, the improvement of workability associated with the larger-sized lapping device 11, releasing of operators from dirty-severe-dangerous operations, reduction in the cycle time in relation to loading and unloading of silicon wafers, can be simultaneously satisfied.例文帳に追加

その結果、クリーニング時間の短縮と、クリーニング処理の確実性確保と、ラッピング装置１１の大型化に伴う作業性の改善と、３Ｋ作業からの作業者の開放と、シリコンウェーハのローダーアンローダに対するタクト時間の短縮と、を同時に満足させることができる。 - 特許庁

To provide a decorative film which can be embossed with an irregular pattern to the same extent as or beyond a decorative sheet using a polyvinyl chloride resin film and also exhibits outstanding surface physical properties such as design, contamination resistance and solvent resistance and further, is soft enough to permit a vacuum molding process or a lapping process with superb mar resistance, and a decorative sheet on which the decorative sheet is laminated.例文帳に追加

ポリ塩化ビニル樹脂フィルムを用いた化粧シートと同等以上のエンボス加工による凹凸模様を付与することが可能で、意匠性、耐汚染性、耐溶剤性などの優れた表面物性を有し、さらに真空成形やラッピング加工が可能な程度に軟質で、かつ耐疵付き性にも優れた化粧フィルム、およびその化粧フィルムを積層した化粧板を提供する。 - 特許庁

If chipping is suppressed as described, there is no need to round the cutter tip by a chamfering process such as lapping, honing, etc., it is possible to stabilize the machining performance, secure the prescribed sharpness in cutting, enhance the strength of the cutter tip, and also enhance the processing efficiency by heightening the processing conditions including cut in depth, feeding speed, etc.例文帳に追加

そして、このように刃欠けが抑制されると、ラップやホーニング等によるチャンファー処理で刃先を丸くする必要がないため、切削性能が安定するとともに、所定の切れ味を確保することが可能で、刃先強度が向上することと相まって、切込み寸法や送り速度等の加工条件を上げて加工能率を向上させることができる。 - 特許庁

This method for manufacturing the non-contact type reception/transmission body includes a process B of making a pair of suppression members 34, 35 disposed at an interval b smaller than a width (a) of a first adhesive 13A abut on the first adhesive applied to a first release base material 21 from both sides of a width direction thereof immediately before lapping an inlet sheet 22 on the first release base material 21.例文帳に追加

本発明の非接触型データ受送信体の製造方法は、第一の剥離基材２１に、インレットシート２２を重ね合わせる直前に、第一の剥離基材２１に塗布した第一の接着剤１３Ａに対して、その幅方向の両側から、その幅ａよりも小さい間隔ｂを隔てて配置された一対の抑制部材３４，３５を当接させる工程Ｂを有することを特徴とする。 - 特許庁

Since an identifier 16 is made at a flank 14 of a semiconductor wafer, a trouble in which an identifier 16 disappearing or becoming unclear will not occur, even if various treatment processes for forming a semiconductor circuit are repeatedly performed or even by lapping the rear of the semiconductor wafer 12, so that the identifier 16 can be clearly recognized until the time of process of cutting the semiconductor wafer 12 into chips.例文帳に追加

識別表示１６を半導体ウエハの側面１４に形成したので、半導体回路を形成するための種々の処理工程が繰り返し行われても、あるいは半導体ウエハ１２の裏面へのラッピング処理によっても識別表示１６は消失したりあるいは不明瞭になることがなくなるので、半導体ウエハ１２をチップに切断する工程時まで、識別表示１６を明瞭に認識することができる。 - 特許庁