「layer depth」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

It is appropriate that a layer of the carbonized tungsten or molybdenum is present to the depth of 0.01-20 μm from the surface, and it is preferable that a rod-like static eliminator is used for multiple applications.例文帳に追加

炭化したタングステンまたはモリブデンの層は表面から０．０１〜２０μｍが適当であり、多くの用途には棒状のものを用いることが好ましい。 - 特許庁

Then the diffusion depth of the base area 35 can be controlled independently of the thickness of the silicon layer 33, so the ON resistance is reducible and the controllability of the threshold voltage is improved.例文帳に追加

そして、シリコン層３３の厚さとは独立にベース領域３５の拡散深さを制御できるため、オン抵抗を低くでき、また、閾値電圧の制御性も向上できる。 - 特許庁

Each concave grooves 15A and 15B is formed in a nearly V-shape in a cross sectional view and its depth D is formed so as to be equal to or deeper than the film thickness of a central region 14c of the receptive layer.例文帳に追加

凹溝１５Ａ、１５Ｂは断面視略Ｖ字状に形成し、その深さＤは受理層の中央領域１４ｃの膜厚と同等以上に形成する。 - 特許庁

An auto-doped layer 2, where the impurity concentration gradually decreases as recedes from the surface of a semiconductor substrate 1, and a lightly-doped layer 3 comprising such impurity concentration distribution as even in depth direction constitute a high specific resistance epitaxial layer 30, which is used to reduce the junction capacitance of a photodiode.例文帳に追加

半導体基板１の表面から遠ざかる方向に向けて不純物濃度が次第に減少するオートドープ層２と、深さ方向に均一な不純物濃度分布を有する低不純物濃度層３を含む高比抵抗エピタキシャル層３０を用いて、フォトダイオードの接合容量を低減する。 - 特許庁

At least the door part 17 is composed of a surface side layer 20 molded to have wall thickness equal to that of the rupture scheduled part 10 and a rear surface side layer 21 fused with a rear surface of the surface side layer 20 integrally and molded to have wall thickness equal to depth of the channel part 12.例文帳に追加

少なくともドア部１７は、破断予定部１０の肉厚と同等の肉厚に成形された表面側層２０と、この表面側層２０の裏面に一体的に融着され、溝部１２の深さと同等の肉厚に成形された裏面側層２１とからなる。 - 特許庁

An insulating layer 9 of a predetermined depth is formed around the n^+ region 4 around the n^+ region 5, and around the n^+ region 6 in the main surface S1 of the epitaxial layer 2; and restricts a current path region A1 formed between the n^+ regions 3 and 4 in the insulating layer 9.例文帳に追加

エピタキシャル層２の主表面Ｓ１においてＮ^+領域４の周り、Ｎ^+領域５の周り、およびＮ^+領域６の周りに所定深さの絶縁層９が形成され、絶縁層９にてＮ^+領域３とＮ^+領域４との間に形成される電流経路領域Ａ１を規制している。 - 特許庁

To provide a settling layer measuring method and device allowing a general measurer having no special skill to highly precisely calculate the thickness of the settling layer in a short time by measuring the viscosity of the formed settling layer and the depth of a vibration type viscometer.例文帳に追加

特殊な技能を有しない一般的な測定者が、生成された沈殿層の粘度，並びに振動式粘度計の深さを測定することにより、精度良くかつ短時間で沈殿層の厚さを算出できる沈殿層測定方法及び沈殿層測定装置を提供しようとするものである。 - 特許庁

The carrier for electrostatic latent image development includes a core material, a resin layer coating the core material, and concaves that are open on the surface of the resin layer and have a depth of 50 nm or more and not more than the thickness of the resin layer and a circle-equivalent diameter of the opening of 3.5 μm or more and 12 μm or less.例文帳に追加

芯材と、前記芯材を被覆する樹脂層と、前記樹脂層の表面で開口し、深さが５０ｎｍ以上且つ前記樹脂層の厚さ以下であり、開口部分の円相当径が３．５μｍ以上１２μｍ以下である凹部と、を有する静電潜像現像用キャリア。 - 特許庁

In the magnetic recording medium having a non-magnetic layer containing non-magnetic powder and a binder and a magnetic layer containing ferromagnetic powder and a binder in this order on a non-magnetic substrate, the scratching depth of the surface of the magnetic layer by a diamond needle is specified to be 200 to 300 nm.例文帳に追加

非磁性支持体上に非磁性粉末及び結合剤を含む非磁性層と強磁性粉末及び結合剤を含む磁性層とをこの順に有する磁気記録媒体において、前記磁性層表面のダイヤモンド針による引っ掻き深さを２００〜３００ｎｍとする。 - 特許庁

To provide a multi-layer optical recording medium formed by layering two recording layers adopting a High to Low type where the reflectance is reduced by formation of a recording mark that can stably record a signal to a depth recording layer independently of a recording state of the recording layer in existence this side when viewing from an optical incident side.例文帳に追加

２層の記録層を積層した多層光記録媒体において、記録マーク形成により反射率が低下するHigh to Lowタイプとした上で、光入射側から見て手前側に存在する記録層の記録状態にかかわらず、奥側の記録層への安定した記録を実現する。 - 特許庁

A plurality of second conductivity semiconductor regions 21 having a refractive index smaller than that of the layer 17 for laser light and a depth which does not reach the layer 15 are arranged in the layer 17 at predetermined intervals.例文帳に追加

第１導電型クラッド層１７には、当該第１導電型クラッド層１７よりもレーザ光に対する屈折率が低く且つ量子井戸活性層１５に達しない深さを有する第２導電型半導体領域２１が、所定の間隔をおいて複数配列されている。 - 特許庁

Additionally, the silicide layer 30 contains a silicidation reaction suppressing metal, and has a concentration profile, wherein concentration of the silicidation reaction suppressing metal becomes higher, from the surface of the silicide layer 30 as going toward the substrate side, in a region from the surface of the silicide layer 30 to a predetermined depth.例文帳に追加

また、シリサイド層３０はシリサイド化反応抑制金属を含み、シリサイド層３０の表面から所定の深さに至る領域において、シリサイド層３０の表面から基板側へ向かってシリサイド化反応抑制金属の濃度が高くなる濃度プロファイルを有する。 - 特許庁

Consequently, a new oxide film 18 can be formed on the bottom of the active layer 16 with predetermined depth and width of oxygen ion injection (Fig. 2(b)), and an embedded oxide film layer 15 having the protrusions and recesses matching those of the surface of the active layer 16 can be formed (Fig. 2(c)).例文帳に追加

この処理により、酸素イオンを注入した所定の深さ及び幅で活性層１６の底部に新たな酸化膜１８を生成することができ（図２（ｂ））、活性層１６の表面の凹凸と一致する凹凸を持つ埋め込み酸化膜層１５を形成できる（図２（ｃ））。 - 特許庁

An infrared radiation layer 11 layered by the first layer of which the outside toward radius direction consists of SiO_2 and the second layer having high refractive index of which the inside toward radius direction consists of TiO_2 or Ga_2O_3 on an inner surface of the concavity of which the depth L1 is 10 μm or more is formed.例文帳に追加

凹部の深さＬ１は１０μｍ以上であり、その凹部の内面に、半径方向外方がＳｉＯ_2から成る第１層と、半径方向内方がＴｉＯ_2またはＧａ_2Ｏ_3から成る高い屈折率の第２層が積層された赤外線放射層１１が、形成される。 - 特許庁

This is the insulated film 3 having a covered layer 2 consisted of a thermosetting resin on upper and lower faces of a liquid crystal polymer layer 1, and the liquid crystal polymer layer 1 has concavities with the diameter of 0.1-3 μm and the depth of 0.05-2.5 μm 1-25 with a density of pieces/10 μm^2 in that upper and lower faces.例文帳に追加

液晶ポリマー層１の上下面に熱硬化性樹脂から成る被覆層２を有する絶縁フィルム３であって、液晶ポリマー層１は、その上下面に直径が０．１〜３μｍで深さが０．０５〜２．５μｍの凹部を１〜２５個／１０μｍ^２有することを特徴とする。 - 特許庁

A decrease in the hardness from the surface layer portion A to the central portion C is gentle, and the depth (width) of the hardness inclination layer B formed between the surface layer portion A and the central portion C is large (wide) and thus a rod 100 for rock drill having an excellent abrasion resistance and a high fatigue strength can be obtained.例文帳に追加

表層部Ａから中心部Ｃへかけての硬度の低下が緩やかで、表層部Ａと中心部Ｃとの間に形成される硬さ傾斜層Ｂの深さ（幅）が深く（広く）大きくなるので、耐摩耗性及び疲労強度に優れた削岩機用ロッド１００が得られる。 - 特許庁

A semiconductor layer of gallium nitride is formed on a heavily doped silicon substrate, and an active region passing a main current surrounded by a mesa groove formed by etching the gallium nitride layer down to a depth of 80% or more is provided on the gallium nitride semiconductor layer side surface.例文帳に追加

高濃度シリコン基板の上に窒化ガリウムの半導体層を積層し、窒化ガリウム半導体層側の表面には、窒化ガリウム層の８０％以上の深さにエッチングしたメサ溝によって囲まれる主電流の流れる活性領域をそなえる構成の半導体装置とする。 - 特許庁

By improving the planarity of the boundary between the silicon compound layer 12i and P-type source/drain diffused layer 12g in such a way, the increase in junction leakage current caused by the diffusion of Co atoms in the MOSFET against which the depth reduction of the diffused layer 12g is contrived is controlled.例文帳に追加

こうして、シリコン化合物層１２ｉの、Ｐ型ソース／ドレイン拡散層１２ｇとの界面の平坦性を向上することで、拡散層の深さの低減が図られるＭＯＳＦＥＴでの、Ｃｏ原子の拡散にともなう、接合リーク電流の増大を制御する構成となっている。 - 特許庁

The greening block has the following structure: a lower layer concrete 3 mixed with carbonized wood powder and having water permeability is laminated on the under surface of a porous upper layer concrete 2 mixed with carbonated wood fine pieces 2b as an aggregate; and drainage grooves 3a each with a predetermined depth are formed at the under surface of the lower layer concrete 3 so as to drain passed water.例文帳に追加

木質炭化細片２ｂを骨材として混入したポーラスな上層コンクリート２の下面に木質炭化粉を混入した通水性を有する下層コンクリート３を積層し、下層コンクリート３の下面に通水した水を排水させる所定深さの排水溝３ａを形成する。 - 特許庁

After a high-hydrogen concentration layer having a concentration peak at a depth of 5 μm from the main surface of a crystalline semiconductor substrate in its depth-wise hydrogen concentration profile is formed in the substrate by implanting negative hydrogen ions into the substrate, the thin semiconductor film is peeled from the substrate at the high-hydrogen concentration layer.例文帳に追加

半導体結晶基板に対し、その主表面から水素負イオンを注入することにより、深さ方向の水素濃度プロファイルにおいて、主表面から深さ５μｍ以上の位置に濃度ピークを有する水素高濃度層を形成した後、該水素高濃度層において半導体結晶基板より半導体薄膜を剥離する - 特許庁

To obtain a Schottky barrier diode with a high breakdown voltage and a large current where a leakage current in an opposite direction is reduced by forming a second conductivity type first surface layer with large depth and mutual interval and a second conductivity type second surface layer with small depth and mutual interval on the main surface of a first conductivity type SiC semiconductor substrate for forming Schottky junction.例文帳に追加

ショットキ接合を形成する第１導電型のＳｉＣ半導体基板の主表面に、深さおよび相互間の間隔の大きい第２導電型の第１表面層と、深さおよび相互間の間隔の小さい第２導電型の第２表面層を形成して、逆方向漏れ電流を低減した高耐圧、大電流のショットキーバリアダイオードを得る。 - 特許庁

Since the N-type layer 13 becomes an N type concentration gradient layer 13a having a concentration profile which decreases in the depth direction from the bonding surface with the Schottky layer 14 by afterward activating of Si ions, the bonding part of a Schottky electrode 14a consisting of the Schottky metal layer 14 and the N type concentration gradient layer 13a becomes the super stage junction structure.例文帳に追加

従って、その後のＳｉイオンの活性化により、Ｎ^- 型ＧａＡｓ層１３は、ショットキー金属層１４との接合面から深さ方向に向かってＳｉ濃度が減少する濃度プロファイルをもつＮ型濃度勾配層１３ａとなるため、ショットキー金属層１４からなるショットキー電極１４ａとＮ型濃度勾配層１３ａとの接合部は超階段接合構造になる。 - 特許庁

To obtain a semiconductor wafer heat-treating device which can prevent the occurrence of the thickness fluctuation of a film or the depth nonuniformity of a diffusion layer when the film or layer is formed on a semiconductor wafer by controlling the temperature in a process tube so that the temperature may become uniform.例文帳に追加

プロセスチューブ内の温度を均一になるように制御して、ウェハの成膜処理や拡散処理において膜厚のばらつきや拡散層の深さの不均一の発生を防止できる半導体ウェハの熱処理装置を得る。 - 特許庁

This soil cement column wall 10 is formed along the outer periphery of a building 34 in a position deeper than a soft layer 30, and high-strength soil cement 15 is used for a section, at the depth equivalent to that of the soft layer 30, of the column wall 10.例文帳に追加

ソイルセメント柱列壁１０を、建物３４の外周に沿って軟弱層３０よりも深く形成し、ソイルセメント柱列壁１０の軟弱層３０に相当する深さの部位に高強度ソイルセメント１５を用いる。 - 特許庁

A record device 4 for recording corresponding to the identification number of the individual product W to information of the processing state observed with the observing device 3 and information of the depth of the hardened layer inspected with the hardened layer inspecting device 2, is arranged.例文帳に追加

監視装置３で監視した加工状態の情報や硬化層検査装置２により検査された硬化層深さの情報を個々の製品Ｗの識別番号と対応させて記録する記録装置４を設ける。 - 特許庁

Moreover, it is desirable that a metal layer formed of a metal material having a surface depth deeper than that of the metal plate is provided between the organic resin layer and the metal plate and the average thickness of the metal plate is 0.5 μm or more and 40 μm or less.例文帳に追加

さらに、有機樹脂層と金属板の間に、金属板よりも表皮深さの大きい金属からなる金属層を有し、かつ金属層の平均厚みが０．５μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましい。 - 特許庁

Shiplap stepped parts 3 are formed in the depth direction of the heat-resistant surface layer 1 of a heat-resistant double layer unified panel A, and the ultra high temperature waste incineration furnace is constructed by blocking gaps by the shiplap stepped parts 3 when a wall surface is formed.例文帳に追加

耐熱複層一体パネルＡの表面耐熱層１奥行方向に合决り段差部３を形成し，該合决り段差部３によって壁面形成時に空隙を遮断することによって超高温ごみ焼却炉を構成する。 - 特許庁

The inductance can be adjusted, by stepwise cutting down the surface layer wiring and the plurality of the internal layer wires, by providing cutouts of desired depth in the main surface of the substrate between the two positions where the via hole is provided.例文帳に追加

そして、ビアホールが設けられた２ヶ所の間において、基板の主面に所望の深さの切り込みを設けることによって表層配線と複数の内層配線を段階的に切断してインダクタンス値を調整することができる。 - 特許庁

The structured surface is bonded to an opposite surface (228) of a second film (220) by using an adhesive layer (226), by penetrating the structured surface into the adhesive layer to a depth less than a shape height of the structured surface.例文帳に追加

構造化表面を構造化表面の形状高さ未満の深さまで接着剤層内に貫入させることにより、構造化表面を接着剤層（２２６）を用いて第２のフィルム（２２０）の対向表面（２２８）に接着させる。 - 特許庁

To eliminate or lessen the effects of protrusions and recesses due to a wiring layer and other layers formed on a substrate and to increase the marginality of movement in the direction of an optical axis with respect to the depth of a focus of a body including a resist layer to be exposed.例文帳に追加

基材に形成された配線層及び他の層による凸又は凹の影響を除去又は緩和して、レジスト層を含む被露光物の焦点深度に対する光軸方向の移動の余裕度を大きくすること。 - 特許庁

A stator coil 16 is formed of a plurality coils each of which is formed by winding only one strand 30 to the stator iron core 15 in such a manner that it alternately passes the internal layer and external layer in the slot depth direction within the slot in every six slots.例文帳に追加

固定子巻線１６は、１本の素線３０が、６スロット毎に、スロット内でスロット深さ方向に内層と外層とを交互に採るように固定子鉄心１５に巻装された複数の巻線から構成されている。 - 特許庁

The solar cell or the solar cell module is constituted such that the sheet resistance of the n-layer 3 is not higher than 80 Ω/(square) and the depth of the n-layer 3 being corroded by the surface silver electrode 10 is in the range of 5-40 nm.例文帳に追加

太陽電池若しくは太陽電池モジュールを、ｎ層３のシート抵抗を８０Ω／□以下とし、かつ、表銀電極１０によるｎ層３を侵食する深さを５ｎｍ以上４０ｎｍ以下の範囲として構成する。 - 特許庁

Next, in a second diffusion step, the impurities are thermally diffused from the diffusion layer source 12 to inside the wafer, and a heavily-doped impurity diffusion layer 19, which increases a diffusion depth in the diametric direction of the wafer 11, is formed.例文帳に追加

次に、第２の拡散工程において、上記拡散層源１２からウェーハ内部に不純物を熱拡散させ、ウェーハ１１の上記径方向に拡散深さが増大する高濃度不純物拡散層１９を形成する。 - 特許庁

Moreover, a P-type semiconductor area 13 is formed on a part of the semiconductor layer 12 along its entire depth direction so as to form a lattice as seen from above and divide the semiconductor layer 12 into a plurality of areas 14.例文帳に追加

また、この半導体層１２の一部に、半導体層１２の厚さ方向全長にわたって、上方から見て格子状に、Ｐ型の半導体領域１３を形成し、半導体層１２を複数の領域１４に区画する。 - 特許庁

The intrinsic semiconductor 16 is made of InGaAsP in order to control the absorption coefficient of the absorption layer, for the purpose of increasing a light- absorption region in the intrinsic semiconductor layer 16 in the depth direction from a photo-detecting edge 20.例文帳に追加

真性半導体層１６による光の吸収領域についての受光端面２０からの深さ方向への増大を図るべく、吸収層の吸収係数を制御するために前記真性半導体層１６がInGaAsPから成る。 - 特許庁

A fragile layer is formed in a region located at the depth under 1,000 nm from the one front surface of a single crystal semiconductor substrate and a first impurity semiconductor layer and a first electrode are formed in the side of the one front surface of the single crystal semiconductor substrate.例文帳に追加

単結晶半導体基板の一表面から１０００ｎｍ未満の深さの領域に脆化層を形成し、且つ単結晶半導体基板の一表面側に第１不純物半導体層、第１電極を形成する。 - 特許庁

The nitride-based diode 10 also includes a mesa 18 formed by partially removing the electron supply layer 14 down to the depth of the channel layer 13 and the anode electrode 16 is in contact with one side surface part 18a of the mesa 18.例文帳に追加

窒化物系ダイオード１０はさらに、電子供給層１４を、チャネル層１３に達する深さまで部分的に除去したメサ１８を備え、メサ１８の一方の側面部１８ａにアノード電極１６が接触している。 - 特許庁

A plurality of cuts 150 are extended through the whole depth of the center layer, and arranged to cross the surface area of the center layer to further have sufficient elasticity and density for imparting a suitable compressive support.例文帳に追加

複数のカット１５０がセンター層の全体の深さを通して延出しており、かつ該層の表面域を横切るように配設されている一方、適当な圧縮支持を提供するための十分な弾性および密度を保持している。 - 特許庁

To provide a multilayer printed wiring board where a fine wiring layer can be obtained by making the thickness of a conductor layer constant at all times after formation of a via hole irrespective of the diameter and the depth of the via hole, and its manufacturing method.例文帳に追加

バイアホール形成後の導体層の厚みを、バイアホールの径や深さに係わらず常に一定にして、微細な配線層が得られるようにした多層プリント配線板及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Thus, since an underground water quantity corresponding to a difference in the depth between the underground water level 7 and the water communication port 9 can be made to flow in the thickness of the water permeable layer 19, a flow speed of the underground water passing trough the water permeable layer 19 can be increased.例文帳に追加

このため地下水位７と通水口９との深さの差に応じた地下水量を、透水層１９の厚さに流すことができるので、透水層１９を通過する地下水の流速をあげることができる。 - 特許庁

The forefront part 3a of the tip part 3 may be formed in high hardness up to the axis, and the depth of the high hardness surface layer 2b may also be set near an abrasion limit width, and the high hardness surface layer 2b may be further set to 1.5 mm or more.例文帳に追加

また、前記先端部３の最先端部３ａを軸芯まで高硬度としても、また前記高硬度表層２ｂの深さを摩耗限度幅近くとしてもよく、さらには高硬度表層２ｂを１．５mm以上としてもよい。 - 特許庁

A screen displayed in the background (the layer next to the uppermost layer) comes to the front by specifying the input direction including the depth direction, when two screens partially overlapped are displayed on a display screen.例文帳に追加

これにより、表示画面に２つの画面が一部重複して表示されている場合に、奧方向を加味した入力方向を特定することで、奥側（最上層の次の層）に表示される画面を最上層に入れ替えることができる。 - 特許庁

In the calculation of the depth, for example, the concentration gradient data of the component in the target layer is preliminarily stored and the concentrations of the component at the respective depths from the surface of the target layer are added on the basis of the concentration gradient data until reaching the target amount.例文帳に追加

深さの算出では、例えば目的層中の成分の濃度勾配データを予め記憶しておき、この濃度勾配データに基づき、目的量に達するまで目的層の層面からの各深さの濃度を加算する。 - 特許庁

To provide a decorative material which can exhibit a stable feeling of gloss and a feeling of depth, without the occurrence of a streak, nonuniformity, omission, etc., during production, by setting up a photoluminescent pigment by whole surface solid printing and setting up another pattern layer and a resin layer.例文帳に追加

光輝性顔料を全面ベタ印刷で設け、またその他の絵柄層や樹脂層を設けて製造時のスジ、ムラ、抜け等を生じない安定した光沢感、奥行き感を出すことができる化粧材を提供する。 - 特許庁

Regions with which a wiring-shaped portion 17B of an n-electrode 17 and a wiring-shaped portion 18B of a p-electrode 18 are overlapped in a plan view, are provided with trenches 14 having a depth reaching an n-type layer 11 from a surface of a p-type layer 13.例文帳に追加

平面視においてｎ電極１７の配線状部１７Ｂおよび、ｐ電極１８の配線状部１８Ｂに重なる領域には、ｐ型層１３表面からｎ型層１１に達する深さの溝１４が設けられている。 - 特許庁