「layer depth」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method capable of highly accurately measuring the depth of a cured layer, without having to require time or labor, produced in the surface part of a body to be inspected by a curing treatment.例文帳に追加

本発明は、硬化処理により被検査体の表面部に生じる硬化層の深さを高精度に、且つ、手間を掛けずに計測することが可能な方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide an etching method capable of measuring an etching depth even when the thickness of a layer to be etched is changed due to nonuniformity in crystal growth without depending on existence of a mask.例文帳に追加

マスクの有無に依存せず、被エッチング層の層厚が結晶成長時のばらつきなどによって変動しても、エッチング深さを計測することができるエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device has an impurity region 15 formed at a surface portion of a silicon substrate 11 and a metal silicide layer 16 formed to a predetermined depth from an upper surface of the impurity region 15.例文帳に追加

シリコン基板１１の表面部に形成された不純物領域１５と、不純物領域１５の表面から所定深さにわたって形成された金属シリサイド層１６とを備える。 - 特許庁

On the n-type layer B-N, the p-type substrate P-sub is present for prescribed thickness, and the p-type well region PWEL and an n-type well region NWEL are provided in equal depth.例文帳に追加

Ｎ型層Ｂ-N上にはＰ型基板Ｐ-subが所定厚さ存在し、Ｐ型のウェル領域ＰＷＥＬ、Ｎ型のウェル領域ＮＷＥＬが同等の深さで設けられる。 - 特許庁

The rolling element 3 which is thus manufactured is applied with a remaining compression stress of 1,000 MPa or larger from a surface to a surface layer part, up to the depth of 1% of diameter.例文帳に追加

このようにして製造された転動体３は、表面から直径の１％の深さまでの表層部分に、１０００ＭＰａ以上の残留圧縮応力が付与されている。 - 特許庁

The gas sensor is previously provided with a ring-shaped groove part in an insulation film for supporting a wiring part of the gas sensor, with the groove part having such a depth and width as to cause an upper-layer platinum film to steppedly break.例文帳に追加

本発明のガスセンサは、ガスセンサの配線部を支持する絶縁膜に、予め上層の白金膜が段切れするような深さと幅とを持つ環状の溝部を設けた。 - 特許庁

An ion implantation layer is formed at a position of desired depth from one principal surface of a piezoelectric single crystal substrate by implanting hydrogen ions into the piezoelectric single crystal substrate under predetermined conditions (S101).例文帳に追加

圧電単結晶基板に対して所定条件で水素イオンを注入して、圧電単結晶基板の一主面から所定深さの位置にイオン注入層を形成する（Ｓ１０１）。 - 特許庁

The depth of the cavity formed on the laminate of the sugar-coated layers can be controlled in a submicron unit by the nonthermal processing of the ultrashort pulsed laser so as to expose the color of the desired sugar-coated layer.例文帳に追加

超短パルスレーザの非熱加工により、糖衣層の積層に形成される窪みの深さをサブミクロン単位で制御することができ、所望の糖衣層の色を露出させることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of operating with high efficiency and high power by producing an element having a stable distribution of electron concentration in a wide range (depth) of a channel layer.例文帳に追加

チャネル層内の広い範囲（深さ）で安定した電子濃度分布を有する素子を製作することにより、高効率で高出力動作することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

This steel wire subjected to copper alloy plating on the circumferential face comprises ≥50% metal copper in copper components contained in a surface layer zone from the surface of plating to 3 nm depth inward in the radial direction.例文帳に追加

周面に銅合金めっきを施したスチールワイヤであって、めっき表面から径方向内側に３ｎｍの深さまでの表層域に含有される銅の50％以上を金属銅とする。 - 特許庁

A contact hole is formed by an etching process for reducing ion energy and an O_2 flow rate with the progress of etching depth, and the damage layer to be formed on the base is suppressed.例文帳に追加

本発明は、イオンエネルギーおよびＯ_２流量を、エッチング深さの進行と伴に低減するエッチング工程によりコンタクトホール形成し、下地に形成されるダメージ層を抑制する。 - 特許庁

A Schottky barrier semiconductor device comprises embedded semiconductor layers serving as a junction barrier 5 provided outside a guard ring 4 and at a predetermined depth from a surface of a first semiconductor layer.例文帳に追加

ショットキーバリア型半導体装置において、ガードリング４の外側で、第１の半導体層の表面から所定の深さに配設されたジャンクションバリア５としての埋め込み半導体層を具備する。 - 特許庁

The content of phosphor in the steel wire is 0.015-0.050 mol.% and a total decarburized layer thickness defined by microscopic decarburization depth measurement shown by JIS G 0558 is ≤2 μm.例文帳に追加

鋼線中のリンの含有量を質量％で0.015〜0.050％としたり、JIS G 0558に示された顕微鏡法による脱炭深さ測定で規定される全脱炭層深さを2μm以下とする。 - 特許庁

The entire surface of a silicon wafer obtained from the nitrogen-doped silicon single crystal is etched in the depth of 4 to 15 nm, an epitaxial layer is grown on the same silicon wafer surface.例文帳に追加

窒素がドープされたシリコン単結晶から切り出されたシリコンウェーハの表面全体を４〜１５ｎｍエッチングした後、そのシリコンウェーハ表面上にエピタキシャル層を成長させる。 - 特許庁

The InP clad layer 1310 where the mask 1311 and the mask 1341 are formed is etched by supplying an etching seed, to make a diffraction grating having a different depth.例文帳に追加

マスク１３１１とマスク１３４１とが形成されたＩｎＰクラッド層１３１０に対して、エッチング種を供給することによりエッチングを行い、異なる深さの回折格子を作製する。 - 特許庁

Each of the single crystal semiconductor substrates is doped with hydrogen ions and a damaged region is formed at a desired depth, and a bonding layer is formed on a surface of each of the single crystal semiconductor substrates.例文帳に追加

各単結晶半導体基板に、水素イオンをドープして所望の深さに損傷領域を形成し、各単結晶半導体基板の表面に接合層を形成する。 - 特許庁

Ions are implanted from the flat surface 20a of a piezoelectric body 20 to form an ion implantation layer 22 in a region of a prescribed depth from the surface 20a inside the piezoelectric body 20.例文帳に追加

圧電体２０の平坦な表面２０ａからイオンを注入して、圧電体２０内において表面２０ａから所定の深さの領域にイオン注入層２２を形成する。 - 特許庁

To provide a grinding method of the outer layer of a roll with an on-line roll grinder the prime object of which is put to grind at a constant depth without basing on cumulative rolling load distribution in the axial direction of the roll.例文帳に追加

ロール軸方向の累積圧延負荷分布によらず、一定の深さで研削を行うことに主眼を置いたオンラインロールグラインダによるロール表層の研削方法を提供する。 - 特許庁

The depth D of the tear line T recessed in the tear line forming area 34 is set to be larger than the thickness R2 of the back side supporting layer 32 in the tear line forming area 34.例文帳に追加

ティアライン形成領域３４に凹設されたティアラインＴの深さＤを、このティアライン形成領域３４における裏側支持層３２の厚みＲ２より大きく設定する。 - 特許庁

The liquid crystal layer side surface of the CF substrate 51 has a projection 33 of height H and width W, while the liquid crystal layer side surface of the TFT substrate 52 in the region facing the projection 33 has a recess 34 of a depth D and a width W2.例文帳に追加

ＣＦ側基板５１の液晶層側表面には高さＨ、幅Ｗ１の凸部３３を有し、ＴＦＴ側基板５２の液晶層側表面であって凸部３３に対向する領域には深さＤ、幅Ｗ２の凹所３４を有する。 - 特許庁

A peak position of impurity density of the N-type impurity layer is at a depth of equal to or less than 100 nm from the surface of the P-type silicon substrate 1, and a film thickness of the P-type impurity layer 4 is larger than 0 nm and equal to or less than 20 nm.例文帳に追加

Ｎ型不純物層の不純物濃度のピーク位置が、Ｐ型シリコン基板１の表面からの深さが１００ｎｍ以下の位置に存在しており、Ｐ型不純物層４の膜厚は、０ｎｍよりも大きく且つ２０ｎｍ以下である。 - 特許庁

At least either of a lower magnetic shielding layer 3 and an upper magnetic shielding layer 12 are formed to such shapes that the sectional lengths, sectional positions, etc., in the track width direction exposed on surfaces for sliding with media change according to the depth of the MR element 6.例文帳に追加

下部磁気シールド層３及び上部磁気シールド層１２のうち少なくとも一方を、ＭＲ素子６のデプスに応じて、媒体摺動面に露出するトラック幅方向の断面長さ、及び断面位置などが変化するような形状で形成する。 - 特許庁

Since a hard mask layer is formed of a material having a high etching selection ratio relative to a substrate, in a step of the hard mask layer corresponding to the three-dimensional structure pattern to be formed, the depth can be made smaller than that of the desired three-dimensional structure pattern.例文帳に追加

本発明によれば、ハードマスク層は基板に対してエッチング選択比が高い材料であるため、形成する３次元構造パターンに対応するハードマスク層の段差は、所望する３次元構造パターンよりも、深さを小さくすることが出来る。 - 特許庁

A thin-film antenna in which a difference between the maximum height of a projection portion existing on a surface of the smoothing layer and a maximum depth of a recess portion is equal to or less than 1 μm, less than a film thickness of an antenna, or radio wave is transmitted/received via a surface of the smoothing layer is formed.例文帳に追加

平滑層の表面に存在する凸部の最大高さと凹部の最大深さとの差が１μｍ以下か、またはアンテナの膜厚よりも小さく、該平滑層の表面に電波を送受信する薄膜状のアンテナを形成する。 - 特許庁

The side surface isolating portion 51 has: a deep layer region 53 formed at a predetermined depth separated from the one surface side of the semiconductor substrate 11; and a surface region 52 formed on the one surface side of the semiconductor substrate 11 for the deep layer region 53.例文帳に追加

そして、側面分離部５１は、半導体基板１１の一面側から離間する所定の深さに形成された深層領域５３と、深層領域５３についての半導体基板１１の一面側に形成された表面領域５２とを有する。 - 特許庁

To provide a nitrided member and a method for producing the same by which nitridation is promoted to thicken a nitrogen compound layer and increase the internal diffusion depth of nitrogen, and further, a layer having a low friction coefficient is formed on the surface part so as to improve its initial conformability and wear resistance.例文帳に追加

窒化を促進させることにより窒素化合物層の厚さを厚くし窒素の内部拡散深さを増加させるとともに表面部に摩擦係数の低い層を形成し、これにより初期なじみ性および耐摩耗性を向上させる。 - 特許庁

The surface layer (Fpa) of an asphalt pavement to be repaired (deteriorated asphalt pavement) is heated, an area at a predetermined depth from the surface layer (Fpa) of the heated asphalt pavement is scarified, and the new asphalt mixture is laid on the scarified asphalt pavement.例文帳に追加

修復するべきアスファルト舗装（劣化アスファルト舗装）の表層（Ｆｐａ）を加熱し、加熱されたアスファルト舗装の表層（Ｆｐａ）から所定の深さの領域を掻き起こし、掻き起こされたアスファルト舗装に新規のアスファルト混合物を敷設する。 - 特許庁

To provide a device for applying a fine scratch to a horny layer surface of a painless specific part to the skin by limiting the depth of the scratch so as to correspond to the thickness of a horny layer and performing the effective ion introduction (iontophoresis) to this injured part.例文帳に追加

皮膚に対し、痛みのない、特定部位の角質層表面に微細引っ掻き傷を角質層の厚さ相当の深さに限定して施すと共に、この損傷部への効果的なイオン導入（イオントフォレーゼ）を行うための装置を提供する。 - 特許庁

By forming the fine crystal layer 1a composed of the fine crystal grains having a crystal grain size on a nanoorder and then performing the nitriding treatment, the nitriding depth can be made high, and the fine crystal nitriding layer 1b can be made thicker.例文帳に追加

ナノオーダーの結晶粒径をもつ微細結晶粒よりなる微細結晶層１ａを鋼材１の表面に形成してから窒化処理することにより、窒化深さを深くすることができ、微細結晶窒化層１ｂの厚さをより厚くすることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for controlling manufacturing processes, in which junction damage does not happen even if a needle of a measuring terminal contacts an electrode in the case where the thickness of a silicide layer and the depth of a diffused layer are small, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

シリサイド層の膜厚や拡散層の深さが小さくなる場合に、電極上に測定端子となる針が接触しても接合破壊が発生することがない製造プロセスを管理する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Subsequently, the cement milk is ejected from a drilling rod 43 of an auger section 26 while a hole is drilled into the ground 40 up to an improvement depth (a boundary face between the soft layer 68 and a hard layer 70) by means of the auger section 26; and fibers, the cement milk and the ground are agitated and mixed together.例文帳に追加

続いて、地盤４０をオーガ部２６で改良深度（軟弱層６８と硬質層７０の界面）に至るまで削孔しながらオーガ部２６の掘削ロッド４３からセメントミルクを吐出し、繊維、セメントミルク、地盤を攪拌混合する。 - 特許庁

The inclined grooves 6 are formed at a predetermined pitch P and depth and a tilt angle θ so as to be symmetric front and rear in the axial direction of the roll part 3, and are formed by die transfer on the surface of a base layer 4, for example, before forming a coating layer 5.例文帳に追加

この傾斜溝６は、所定のピッチＰ及び深さ、傾斜角度θで、ロール部３軸方向で前後対称となるように形成されるもので、例えばコート層５形成前のベース層４の表面に、型転写によって形成される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device suitable for restraining a diffusion layer from increasing in sheet resistance due to segregation of impurities and forming an impurity diffusion layer of shallow junction depth without contaminating a substrate.例文帳に追加

基板の汚染を発生させることなく、不純物の偏析に起因する拡散層のシート抵抗値の増大を抑制することができ、浅い接合深さの不純物拡散層を形成するのに好適な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Alternatively, the surface of the plating layer in the hot dip galvanized steel sheet is provided with a flat projecting part, and the Al/Zn ratio from the surface layer to 200 nm in the depth direction in the projecting part is <0.003 (exclusive of zero) or >0.2.例文帳に追加

もしくは、溶融亜鉛めっき鋼板のめっき層表面に平坦な凸部を有し、該凸部の表層から深さ方向200nmまでのAl/Zn比が0.003未満（ただし0は除く）もしくは0.2超えであるプレス成形安定性に優れた溶融亜鉛めっき鋼板。 - 特許庁

To provide a multi-layer coating film forming method capable of obtaining a multi-layer coating film capable of suppressing generation of color ununiformness by ununiformness of a thickness, generation of a frame phenomenon at an edge part and variation of hue by polish-repairing and excellent in fascination and feeling of depth.例文帳に追加

膜厚のバラツキによる色ムラの発生、エッジ部における額縁現象の発生、及び、ポリッシュ補修による色相の変化を抑制でき、彩かさと深み感に優れた複層塗膜が得られる複層塗膜形成方法を提供する。 - 特許庁

In the epitaxial layer 5, a heavily doped embedded region 16 having an impurity concentration higher than that of the epitaxial layer 5 is formed between the deep trench 6 and a portion facing the source region 14 in the depth direction.例文帳に追加

そして、エピタキシャル層５には、ソース領域１４に対して深さ方向に対向する部分とディープトレンチ６との間に、エピタキシャル層５の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する高濃度埋込領域１６が形成されている。 - 特許庁

To provide a metallic surface nitriding method which accelerates formation of a nitrogen diffused layer and which thereby facilitates formation of a surface hardened layer reaching the depth, in metal nitridation using electron beam excitation plasma and its device.例文帳に追加

電子ビーム励起プラズマを用いた金属窒化処理において、窒素拡散層の生成をさらに加速し深いところまで達する表面硬化層を容易に形成するようにした金属材料の表面窒化処理方法とそれを実施する装置を提供する。 - 特許庁

In the fuel cell, the gas diffusion layer of MEA is made to protrude in the gas passage of the separator plate and the gas passage in the separator plate has sufficient width and depth for the gas diffusion layer to protrude, and the width of the ribs between the gas passages is made narrow.例文帳に追加

セパレータ板のガス流路内にＭＥＡのガス拡散層が突出した状態とし、かつセパレータ板のガス流路が、ガス拡散層が突出するのに十分な幅と深さを有し、ガス流路間のリブの幅を狭くした燃料電池。 - 特許庁

By irradiating the resist layer in a desired attitude given by the multi-axis stage with an X-ray beam, a plurality of cylindrical worked portions with circular orthogonal cross-sectional figure are formed in the depth direction of the resist layer in accordance with various tilt angles θ.例文帳に追加

多軸ステージにより所望の姿勢が与えられたレジスト層にＸ線ビームを照射することにより、レジスト層の深さ方向に、種々の傾斜角θに応じた直角断面形状が円形の円筒状の被加工部が複数形成される。 - 特許庁

The surface hardness of the material of the spheroidal graphite cast iron is 40±4 (HS) and the depth of the hardened layer which is formed by applying the induction hardening treatment in the vicinity of the local part the of the inner peripheral surface is 3.5±1.5 mm and the hardened layer is 75±10 (HS) in the surface hardness.例文帳に追加

球状黒鉛鋳鉄の素材の表面硬度が40±4（HS）であり、内周面局部近辺に高周波焼入れ処理を施すことにより形成された硬化層が、深さが3.5±1.5 mm、表面硬度が75±10（HS）の硬化層であることを特徴とする。 - 特許庁

The method includes a resin layer forming process in which an uncured ultraviolet curable resin layer 2 is formed on a substrate 1, a curing process in which beads 3 are immersed in the uncured layer 2 to a prescribed depth to cure the uncured layer 2, and a separation process in which the beads 3 are separated from the cured layer 2 by dissolution or by applying etching and ultrasonic vibration.例文帳に追加

基材１上に未硬化の紫外線硬化樹脂層２を設ける樹脂層形成工程と、複数のビーズ３を未硬化の紫外線硬化樹脂層２に所定の深さまで浸漬してこの未硬化の紫外線硬化樹脂層２を硬化させる硬化工程と、硬化させた紫外線硬化樹脂層２からビーズ３を溶解またはエッチングと超音波振動の付与とにより脱離する脱離工程とを有する。 - 特許庁

The optical information recording medium is provided with the light reflection layer, a recording layer and a cover layer in this order on a substrate formed with grooves of a track pitch 200 to 400 nm and groove depth 10 to 150 nm and performs recording and reproducing by being irradiated with a laser beam of a wavelength below 500 nm from the cover layer side, in which the light reflection layer consists of the aluminum or aluminum alloy.例文帳に追加

トラックピッチ２００〜４００ｎｍ、溝深さ１０〜１５０ｎｍのグルーブが形成された基板上に、光反射層と、記録層と、カバー層とがこの順に設けられ、該カバー層側から波長５００ｎｍ以下のレーザ光を照射されることで記録及び再生を行う光情報記録媒体であって、前記光反射層がアルミニウム又はアルミニウム合金からなることを特徴とする光情報記録媒体。 - 特許庁

The plating-method two-layer copper polyimide laminated film which keeps a metal vapor deposition layer overlying one side or both sides of a polyimide film with a conductive metal layer which is composed of copper overlaying the metal vapor deposition layer to unify them is characterized in that a surface modification depth index after eliminating the conductive metal layer by etching is 25 or smaller and a surface modification strength index is 1.1 or more.例文帳に追加

ポリイミドフィルムの片面または両面に、金属蒸着層を設け、その金属蒸着層上に銅からなる導電性金属層を積層し一体化したメッキ法２層銅ポリイミド積層フィルムであって、その導電性金属層をエッチングにより除去した後の表面改質深さ指数が２５以下であり、そしてその表面改質強度指数が１．１以上のメッキ法２層銅ポリイミド積層フィルム。 - 特許庁

The surface emitting laser element comprises a GaAs layer 16 having a thickness exhibiting a high reflectivity to an oscillation wavelength and formed on an upper DBR mirror 14, and a recess 42 of a depth exhibiting a low reflectivity to the oscillation wavelength at the GaAs layer 16 directly under a position bridged over the extension line of the boundary between an Al oxide layer 32 and an AlAs layer 31 on the GaAs layer 16.例文帳に追加

上部ＤＢＲミラー１４上に、発振波長に対して高い反射率を示す厚みのＧａＡｓ層１６を形成するとともに、そのＧａＡｓ層１６上であってＡｌ酸化層３２とＡｌＡｓ層３１の境界の延長線上をまたいだ位置に、直下のＧａＡｓ層１６が発振波長に対して低い反射率を示す厚みとなるような深さの窪み４２を形成する。 - 特許庁

The concentration profile of Si ion in the N-type GaAs layer is made to decrease in the depth direction from the bonding surface with a Schottky metal layer 14, by controlling the maximum concentration position of the injected Si ions to be in the Schottky metal layer 14 or near the bonding surface of both layers, when Si ions as N type impurity ions are injected into N-type GaAs layer 13 through a Schottky metal layer 14.例文帳に追加

Ｎ型不純物イオンとしてのＳｉイオンをショットキー金属層１４を介してＮ^- 型ＧａＡｓ層１３に注入する際、注入Ｓｉイオンの最大濃度位置がショットキー金属層１４内または両者の接合面近傍になるように制御して、Ｎ^-型ＧａＡｓ層１３内のＳｉイオンがショットキー金属層１４との接合面から深さ方向に向かって減少する濃度プロファイルとなるようにする。 - 特許庁