「layer depth」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

In the insulating film 3 having coating layers 2 each made of a thermosetting resin on upper and lower surfaces of a liquid crystal polymer layer 1, the polymer layer 1 has projections each having a diameter of 0.05-4 μm and a depth of 0.1-9 μm of 1-50 pieces per 100 μm^2 on upper and lower surfaces.例文帳に追加

液晶ポリマー層１の上下面に熱硬化性樹脂から成る被覆層２を有する絶縁フィルム３であって、液晶ポリマー層１は、その上下面に直径が０．０５〜４μｍで深さが０．１〜９μｍの凸部を１００μｍ^２当たり１〜５０個有することを特徴とする。 - 特許庁

When the piles 11 being different in length are driven into the bearing layer 13 of the ground 12 to construct the pile foundation, in order to equalize the horizontal rigidity of the respective piles, the outer diameter of each pile 11 is increased as the depth to the bearing layer 13 becomes deeper.例文帳に追加

長さの異なる複数本の杭１１を地盤１２の支持層１３に打ち込んで杭基礎を構築する際に、各杭の水平剛性が均等となるように、支持層１３までの深さが深くなるに従い外径の大きい杭１１を使用して杭基礎を構築する。 - 特許庁

In a region with a given length from each edge face of the semiconductor laser element 100, a part with a given depth from the p-type contract layer 9 to the n-type GaN layer 4 is removed by etching to form a step part 300 with a flat side face 41 and a bottom face 42.例文帳に追加

半導体レーザ素子１００の両端面から所定幅の領域においてｐ−コンタクト層９からｎ−ＧａＮ層４の所定深さまでがエッチングにより除去され、平坦な側面４１および底面４２を有する段差部３００が形成されている。 - 特許庁

The MOSFET is a non-punch-through type element, and the p-type body layer 3 has, at an end (channel formation region 3b or terminal region 5), a part having a longer trailing pattern of an p-type impurity concentration profile along the depth of the n-type drift layer 2 than a center part (body region 3a).例文帳に追加

当該ＭＯＳＦＥＴはノンノンパンチスルー型の素子であり、ｐ型ボディ層３は、端部（チャネル形成領域３ｂまたは終端領域５）に中央部（ボディ領域３ａ）よりもｐ型不純物濃度プロファイルのｎ型ドリフト層２の深さ方向への裾引きが長い部分を有する。 - 特許庁

A current sensing layer 16 is provided for exclusive use that electrically connects a wiring layer of the multilayer printed-circuit board 1 and a penetrating via hole 3, and the countersunk depth of the penetrating via hole 3's stub 2 is controlled based on the point where an cutting edge of an electrical drill 11 gets in touch with the penetrating via hole 3.例文帳に追加

多層プリント配線板１の配線層と貫通ヴィアホール３とを導通する電流検出層１６を専用に設け、導電性ドリル１１の刃先が貫通ヴィアホール３と接触したところを基準として、貫通ヴィアホール３のスタブ２の座ぐり深さを制御する。 - 特許庁

To provide a highly Si-containing steel sheet in which pickling properties are made excellent, and further surface properties are made satisfactory by reducing the depth of a boundary oxidized layer formed on the surface layer part of the steel sheet as far as possible.例文帳に追加

鋼板表層部に形成される粒界酸化層の深さを極力低減することによって、酸洗性に優れたものとすると共に、表面性状が良好となる高Ｓｉ含有鋼板、およびそのような高Ｓｉ含有鋼板を製造するための有用な方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method forming a deep hole or a deep groove extending in the depth direction with a side wall substantially perpendicular to a layer to be etched in a processing object having a multilayered structure needing etching stop, and reliably leaving the underlying layer.例文帳に追加

エッチングストップを必要とする多層構造の処理対象物にてエッチングすべき層に対しては略垂直な側壁をもって深さ方向に延びる深孔や深溝を形成するという機能を有しながら、下層については確実に残存させることができるエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor laser in which shallowing of the depth of a diffraction grating due to the growth of a denatured layer by the activation of mass transport in crystal-growing a semiconductor layer on the diffraction grating by a metal-organic vapor-phase growth method is eliminated.例文帳に追加

本発明の目的は、回折格子上に半導体層を有機金属気相成長法で結晶成長させる際に、マストランスポートの活性化により変成層が生じ、回折格子深さが浅くなることのない半導体レーザの製造方法を提供するものである。 - 特許庁

An etching stoppage layer is formed between regions having two gains top and bottom and material quality having an etching rate different from that of the gain region is used as the etching stoppage layer, thereby enabling to selectively etch only the top gain region to form a cyclic diffraction grating having a uniform depth.例文帳に追加

エッチング停止層を上下2つの利得を有する領域の間に形成し、且つ、エッチング停止層として利得領域とエッチングレートが異なる材質を用いることで、選択的に上側の利得領域のみをエッチングし、一様な深さをもつ周期的な回折格子を形成することが可能となる。 - 特許庁

A method of reducing crystal defect of simox wafer includes: a first step of implanting ions from a surface of a wafer into a silicon layer 13 of a range of set depth from the BOX layer 12; and a second step of heating the wafer obtained in the first step to restore the crystallinity of a portion where the ions are implanted.例文帳に追加

ウェーハの表面からＢＯＸ層１２よりも設定深さの範囲のシリコン層１３までイオンを注入する第１の工程と、第１の工程で得られたウェーハを加熱してイオンが注入された部位の結晶性を回復させる第２の工程とを含む。 - 特許庁

The polishing layer has strain prevention grooves 12 with a depth of 80% of the thickness of the polishing layer or deeper only within the range of 50 mm max from the peripheral end in the inner direction.例文帳に追加

研磨層８とクッション層９とが両面テープを介して積層されている積層研磨パッドにおいて、前記研磨層は、周端から最大で内部方向５０ｍｍまでの範囲のみに、該研磨層の厚さに対して８０％以上の深さの歪防止溝１２が複数設けられている積層研磨パッド。 - 特許庁

The propagation speed Vr of the each speed layer is substituted in the equation shown by a recurrence straight line 60 and then the permissible supporting force degree qa of each speed layer can be found and a distribution of values of permissible supporting force degrees qa in the depth direction of the object bedrock can be found.例文帳に追加

この各速度層の伝播速度Ｖｒを、回帰直線６０を示す式に代入すれば、各速度層における許容支持力度ｑａがそれぞれ求められ、対象地盤の深度方向における許容支持力度ｑａの値の分布を求めることができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device and the semiconductor device in which the concentration distribution of impurities in the depthwise direction of an impurity diffusion layer can be controlled, and the impurity diffusion layer displaying an approximately constant impurity concentration in the depth direction can be formed.例文帳に追加

不純物拡散層の深さ方向における不純物の濃度分布を制御することができ、深さ方向に対してほぼ一定の不純物濃度を示す不純物拡散層を形成することが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

A basic cell includes a capacity element which is made up of: a first well diffusion layer into which a first conductive impurity is diffused in a region from a surface of a substrate to a prescribed depth; an insulation film which is provided on the first well diffusion layer; and a first dummy pattern which is provided on the insulation film.例文帳に追加

基板の表面から所定の深さまでの領域に第１の導電性不純物が拡散された第１のウェル拡散層と、第１のウェル拡散層の上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜上に設けられた第１のダミーパターンとからなる容量素子を有する。 - 特許庁

The MOSFET is a punch-through type element, and the p-type body layer 3 has, at a center part (contact region 3c), a part having a longer trailing pattern of a p-type impurity concentration profile along the depth of the n-type drift layer 2 than an end (channel formation region 3b or terminal region 5).例文帳に追加

当該ＭＯＳＦＥＴはパンチスルー型の素子であり、ｐ型ボディ層３は、中央部（コンタクト領域３ｃ）に端部（チャネル形成領域３ｂまたは終端領域５）よりもｐ型不純物濃度プロファイルのｎ型ドリフト層２の深さ方向への裾引きが長い部分を有する。 - 特許庁

To provide a method for adjusting the condition of a heat treatment by which a desired hardness layer can continuously and stably be formed by minimizing the variations of hardness depth, hardness width, hardening/tempered hardness in the hardening layer caused by the wearing of a chip member for laying a coil.例文帳に追加

コイル載置用チップ部材の摩耗による焼入硬化層の焼入深さ，焼入幅，焼入・焼戻硬さの変化を極力低減せしめて、所望の焼入硬化層を継続して安定的に形成することが可能な熱処理条件調整方法を提供する。 - 特許庁

It is made possible to gradually etch the feature of the high aspect ratio such that it is adapted to a depth desired for both high and low feature density regions on a substrate and the limit size of a vertical profile without generating a defect and/or the overetching of a lower layer using the flat and uniform passivation layer.例文帳に追加

平坦で均一なパッシベーション層により、欠陥及び／又は下層のオーバーエッチングを起こすことなく、高アスペクト比のフィーチャを、基板上の高及び低フィーチャ密度領域の双方に所望の深さ及び垂直プロファイルの限界寸法に適した形で徐々にエッチングすることが可能となる。 - 特許庁

The source electrode 31 extends on an internal wall surface of a groove 27, formed by digging a portion of the active layer 25 which forms the source electrode 31 from the top surface side of the active layer 25 to a depth reaching a P-type silicon substrate 21, from the top surface side to a position where it comes into contact with the silicon substrate 21.例文帳に追加

ソース電極３１は、能動層２５におけるソース電極３１を形成する部分を、能動層２５の表面側からＰ型のシリコン基板２１に達する深さまで掘った溝２７の内壁面に、その表面側からシリコン基板２１と接触する位置まで延びている。 - 特許庁

This alloyed galvanized steel sheet has a peculiarity, in which the recessing and projecting parts having ≤ 0.5 μm pitch and ≥ 10 nm depth exist at one or more pieces per 5 μm length of an interface at the interface between the alloyed galvanized layer and the base steel sheet formed with this alloyed galvanized layer.例文帳に追加

本発明の合金化溶融亜鉛めっき鋼板は、合金化溶融亜鉛めっき層と、該合金化溶融亜鉛めっき層が形成される素材鋼板との界面に、0.5μｍ以下のピッチで10ｎｍ以上の深さの凹凸が、界面の長さ５μｍ当たりに１個以上存在することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a film for hydraulic pressure transfer in which a curable resin forming layer exhibits a sufficient adhesiveness to a substrate film, a coating film formability, and shape retaining properties, and a cured resin layer after transfer can provide a high gloss, high clear reflective properties, an enough feeling of depth, scuff resistance, chemical resistance and boiling water resistance.例文帳に追加

硬化性樹脂形成層が、支持体フィルムへの十分な密着性、塗膜形成能、形状維持性を示し、転写後の硬化樹脂層が、高光沢、高鮮映性、十分な深み感、耐擦傷性、耐薬品性、耐沸騰水性を付与できる水圧転写用フィルムを提供する。 - 特許庁

Thus, among extinction of the organismic tissue 10, nonabsorptive extinction is not influenced by a wave length, the ratio of a light absorbing-extinguishing degree to the thickness of a blood layer is not influenced by the thickness of the organismic tissue, and the light absorbing-extinguishing degree can be made undependent on the blood layer existing depth.例文帳に追加

これにより生体組織１０の減光のうち、無吸収減光は波長に影響されず、吸収減光度と血液層の厚みとの比が生体組織の厚みに影響されず、かつ、吸収減光度が血液層の存在する深さによらないというようにすることができる。 - 特許庁

A trench for accommodating a gate electrode is constituted of a first trench of a cylindrical or oval cylindrical shape deeper than a depth of a diffusion layer, and a second trench portion which extends from the first trench portion, and protrudes to the side of a source-drain diffusion layer more than the first trench portion.例文帳に追加

ゲート電極を収容するトレンチを、拡散層の深さよりも深い円筒又は楕円筒形状の第１のトレンチ部分と、第１のトレンチ部分から延長し第１のトレンチ部分よりもソース・ドレイン拡散層側に突出する第２のトレンチ部分とから構成する。 - 特許庁

To provide a depletion layer capacitance calculation apparatus and a C-V characteristic measuring apparatus of a semiconductor which accurately calculate capacitance of a depletion layer in the semiconductor for actually extending in all directions from an applying electrode in a width corresponding to an applied voltage on the assumption that the depletion layer extends in the depth direction only.例文帳に追加

半導体内で実際には印加電極から印加電圧に応じた幅で全方向に拡がる空乏層の容量を、空乏層が深さ方向のみに拡がると仮定した仮想状態での容量として正確に算出することを可能とする半導体の空乏層容量算出装置及びＣ−Ｖ特性測定装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor further comprises: a cap layer which can uniformly retrieve at least a partial hydrogen dissociated from magnesium from the gallium nitride compound semiconductor layer suppressing the dissociation of a gallium nitride compound semiconductor in annealing and containing the magnesium in the depth direction and which has a film thickness of 0.01 μm on the gallium nitride compound semiconductor layer containing the magnesium.例文帳に追加

マグネシウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体層の上に、アニーリングにおいて、窒化ガリウム系化合物半導体の分解を抑えかつマグネシウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体層中から、マグネシウムと解離されてなる少なくとも一部の水素を深さ方向均一に出すことができる膜厚０．０１μｍ以上のキャップ層を有する。 - 特許庁

When controlling the film thickness of the insulating film on the upper layer of the metal wiring 110 for the fuse by etching the metal wiring insulating film 140 on that upper layer, the depth of a groove 170 generated by etching is exactly controlled by the etching stop film 180, and the insulating film on the upper layer of the metal wiring 110 for fuse is formed with proper film thickness.例文帳に追加

その上層の金属配線間絶縁膜１４０をエッチングしてヒューズ用金属配線１１０の上層の絶縁膜の膜厚を調整する際に、エッチング停止膜１８０によってエッチングによる溝１７０の深さを正確に制御し、ヒューズ用金属配線１１０の上層の絶縁膜を適正な膜厚に形成する。 - 特許庁

The magnetic recording medium having a substrate, a lower layer provided on the substrate and containing non-magnetic powder and a bonding agent and a magnetic layer provided on the lower layer and containing ferromagnetic powder and a bonding agent is characterized in that the surface of the magnetic recording medium has ≤65 nm scratching depth and surface lubricating index of 2-8.例文帳に追加

支持体上に非磁性粉末と結合剤を含む下層を設け、その上に強磁性粉末と結合剤を含む磁性層を設けた磁気記録媒体において、磁気記録媒体表面の引っ掻き深さが６５ｎｍ以下で、磁気記録媒体表面の表面潤滑剤指数が２〜８であることを特徴とする磁気記録媒体。 - 特許庁

In the transfer film for forming the dielectric layer, a film forming material layer is formed on a supporting film, the film forming material layer is transferred on a substrate and baked to obtain a sintered glass, and the number of local dents having a depth of 10 μm or more formed on the surface of the sintered glass is specified to 3 or less per m2.例文帳に追加

膜形成材料層が支持フィルム上に形成されてなり、当該膜形成材料層を基板上に転写し、焼成することにより得られるガラス焼結体表面における深さ１０μｍ以上の局所的なくぼみの数が、１ｍ^2 当たり３個以下であることを特徴とする、誘電体層形成用転写フィルムを提供する。 - 特許庁

In the solar cell element having a diffusion layer 3 of the other conductivity impurities, a surface electrode 4 and multiple micro protrusions 2 on one major surface side of one conductivity semiconductor substrate 1, depth of the diffusion layer 3 at a part other than the lower part of the surface electrode 4 is made shallower than the diffusion layer 3 at the lower part of the surface electrode 4.例文帳に追加

一導電型半導体基板１の一主面側に他の導電型不純物の拡散層３と表面電極４と多数の微細な突起２を有する太陽電池素子であって、上記表面電極４の下部以外の拡散層３の深さを表面電極４の下部の拡散層３の深さよりも浅くする。 - 特許庁

The hard chrome plating layers forming the hard chrome laminated plating film are provided with fine cracks including a part opened to an outer face side and stayed in each hard chrome plating layer having the self-opening with respect to its depth direction, and a part extended to the hard chrome plating layer lower than the hard chrome plating layer having the self-opening, in a distributed state.例文帳に追加

硬質クロム積層めっき皮膜を形成する硬質クロムめっき層には、外面側に開口し、深さ方向に関し自己の開口が存在する各硬質クロムめっき層内に留まる部分と、自己の開口が存在する各硬質クロムめっき層よりも下層の硬質クロムめっき層内まで延びている部分を含む微細亀裂を分布させる。 - 特許庁

To provide a pattern forming method for a two-layer photoresist in which the bottom of a groove is made stably flat and the groove has no variation in depth with respect to a pattern forming method for a two-layer photoresist obtained by laminating a first positive type photoresist, a middle layer which is transparent to the wavelength of a light source for exposure and a second positive type photoresist in order on a substrate.例文帳に追加

基盤上に第１のポジ型のフォトレジスト、露光光源の波長に対し透明な中間層、第２のポジ型のフォトレジストの順に積層されている２層フォトレジストのパターン形成方法について、グルーブの底が安定して平らになり、グルーブの深さの変動がない２層フォトレジストのパターン形成方法を工夫すること。 - 特許庁

In the semiconductor device, in which the threshold voltage of a MOSFET is controlled with ions 112 implanted in an SOI layer 104, the concentration peak value of threshold voltage control ions 112 is implanted in the concentration distribution located at the position between the 1/2 depth position (1/2TSOI) of the SOI layer 104 and the lower interfacial position (TSOI) of the SOI layer 104.例文帳に追加

ＳＯＩ層１０４に注入されたイオン１１２によりＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧が制御される半導体装置において，しきい値電圧制御イオン１１２は，その濃度ピーク値がＳＯＩ層１０４の１／２深さ位置（１／２Ｔ_ＳＯＩ）とＳＯＩ層１０４の下部界面位置（Ｔ_ＳＯＩ）との間に位置する濃度分布で注入されている。 - 特許庁

The compound solid tire 10 is constructed by forming circumferential grooves 22 and 22 having a predetermined depth on an outer peripheral surface 16 of the inner layer 14 made of the rubber material, and integrally forming the outer layer 18 on the outer peripheral surface of the inner layer 14 by positioning anchor sections 24 and 24 integrally formed with the same polyurethane elastomer material as the outer layer 18 so as to bury the interior of the circumferential grooves 22 and 22.例文帳に追加

ゴム材質からなる内側層１４の外周面１６上に、所定深さの周溝２２，２２を形成し、外側層１８と同一のポリウレタンエラストマー材料にて一体的に形成されたアンカー部２４，２４を、かかる周溝２２，２２の周溝内を埋めるように位置せしめるようにして、内側層１４の外周面上に外側層１８を一体的に形成して、複合ソリッドタイヤ１０を構成した。 - 特許庁

The plastic container has a barrier layer on the inside face of the container, and this barrier layer contains a silicon oxide and at least one kind of compound consisting of at least one element selected from carbon, hydrogen, silicon, and oxygen, and the concentration of the compound in the barrier layer is continuously changed in the depth direction from the interface of a substrate composing the container to the surface of the barrier layer.例文帳に追加

本発明は、容器の内面にバリアー層を有し、該バリアー層は珪素酸化物と、炭素、水素、珪素及び酸素の中から少なくとも１種あるいは２種以上の元素からなる化合物を少なくとも１種類含有し、前記バリアー層中の前記化合物濃度を、前記容器を構成する基材の界面からバリアー層表面への深さ方向において、連続的に変化させてなる。 - 特許庁

The result to be stored is data related to the interlayer interface nodes, and the quantity of data to be stored and the time required for the second processing are never influenced by the hierarchical depth or order of the layer.例文帳に追加

保存すべき結果データは階層間インタフェースノードに関するデータであり、保存データ量と第２処理に要する時間は階層の深さ若しくは上位階層であるか下位階層であるかによって影響されない。 - 特許庁

In this method for forming a coupled substrate, ions of a semiconductor material are implanted into a depth selected by a wafer on the surface of a wafer 15 of a single crystal semiconductor material, and an amorphous layer of the semiconductor material is formed at a position adjacent to the surface.例文帳に追加

単結晶半導体材料のウエハ１５表面に、そのウエハの選択された深さへ半導体材料のイオンを注入させ、表面に隣接した位置に、半導体材料のアモルファス層を形成させる。 - 特許庁

This film material 1 for the trim is excellent in weatherability and chipping resistance and has a colored layer 15 visually confirmed through the first and second transparent layers 11 and 13 to provide coating-like design effect having depth.例文帳に追加

この外装用フィルム材１は、耐候性、耐チッピング性に優れるとともに、着色層１５が第一及び第二の透明層１１，１３を通して視認されることで塗装様の深みのある意匠を提供することができる。 - 特許庁

When the high frequency induction-hardening is performed, a non-hardening layer S0 is formed in a prescribed depth range from the inner peripheral surface 1i by allowing the inner peripheral surface 1i of the hollow shaft base stock 1' to contact with the stream of the cooling water.例文帳に追加

高周波焼入れ時に、中空状シャフト素材１’の内周表面１ｉが冷却水の流れと接触することにより、内周表面１ｉから所定の深さ領域に未硬化層Ｓ０が形成される。 - 特許庁

Under the requirement 1, the plating catalyst or its cursor is contained in a range of 3×10^-20 mol/nm^3 to 30×10^-20 mol/nm^3, in terms of the metal element content within a depth of 25 nm from the surface of the resin layer.例文帳に追加

条件１：樹脂層表面から深さ２５ｎｍの範囲内に、金属元素量換算で３×１０^−２０ｍｏｌ／ｎｍ^３〜３０×１０^−２０ｍｏｌ／ｎｍ^３の範囲でめっき触媒又はその前駆体を含むこと - 特許庁

A groove 6, having a semicircular cross section and having a depth of 5 mm, is formed previously in the part of the outer periphery of the insulating layer 2 facing opposite the axial end of electrode foil 3a on the outermost periphery.例文帳に追加

ただし、絶縁層２の外周には、最も外周側の電極箔３ａの軸方向の端部と対向する場所に対して、断面形状が半円形で深さが５mmの溝６をあらかじめ形成しておく。 - 特許庁

One or a pair of probes 11 are moved along the outer circumference of the tubular body 101, and a change of an ultrasonic characteristic caused by passing through the tubular body is detected, and the carburized layer depth is measured based on the detection result.例文帳に追加

管状体１０１の外周に沿って一又は一対の探触子１１を移動させ、浸炭層の通過による超音波特性の変化を検出し、この検出結果に基づき浸炭層深さを測定する。 - 特許庁

The carbon-containing silicon oxide film 12 contains carbon with a concentration of 20 atm.% and has a surface layer 12a which has a carbon concentration of not larger than 1 atm.% and a depth of 50 nm from the uppermost surface.例文帳に追加

炭素含有シリコン酸化膜１２は、２０ａｔｍ％の炭素濃度を有していると共に、炭素濃度が１ａｔｍ％以下であって最表面からの深さが５０ｎｍである表面層１２ａを有している。 - 特許庁

A panel-attaching anchor fittings for attaching an ALC panel has a hardened layer with the Brinell hardness of more than 300 HB from the surface to the maximum depth of 0.2 to 1.2 mm.例文帳に追加

棒状又は筒状のアンカー金具において、その表面から最大深さ０．２〜１．２ｍｍに至るまでブリネル硬さ３００ＨＢ以上の焼き入れ硬化層が形成されているＡＬＣパネル取付用アンカー金具とした。 - 特許庁

A trench T2 formed with depth equal to that of a P-type base layer 13 or more and an embedded field insulating film 20 formed inside the trench T2 are formed in a termination region enclosing the element region.例文帳に追加

この素子領域を囲う終端領域には、Ｐ型ベース層１３と同等以上の深さをもって形成されたトレンチＴ２と、このトレンチＴ２内に形成される埋め込みフィールド絶縁膜２０とが形成されている。 - 特許庁

In a process of forming a first conductive wiring layer 11A by etching the first thin conductive film 11, an etching depth can be controlled by stopping the etching with the third conductive film 13.例文帳に追加

第１の導電膜１１をエッチングすることにより第１の導電配線層１１Ａを形成する工程では、第３の導電膜１３でエッチングがストップすることにより、エッチングの深さを制御することができる。 - 特許庁

Regarding the crystal grains of the surface layer in an aluminum alloy material for powder brazing, the average grain diameter is controlled to 50 to 700 μm, and the aspect ratio in the plane direction/depth direction of the grain diameters in the longitudinal cross-section of the crystal grains is controlled to 1.5 to 10.例文帳に追加

粉末ろう付用アルミニウム合金材の表面層結晶粒を、平均粒径５０〜７００μｍで結晶粒縦断面における粒径の面方向／深さ方向のアスペクト比が１．５〜１０となるものとする。 - 特許庁