「layer depth」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

To manufacture, with good productivity, a buried hetero structure type optical semiconductor element which has a small capacity and is suitable for high speed transmission of light which has a semi-insulating semiconductor block layer and a carrier trap layer by lowering the requirement for a controllability of an etching depth which is required for a mesa narrowing process to reduce the element capacity.例文帳に追加

半絶縁性半導体ブロック層とキャリアトラップ層を有する埋め込みヘテロ構造型光半導体素子において、素子容量低減の為に必要な狭メサ化プロセスに必要とされるエッチング深さの制御性を緩和し、素子容量が小さく高速光伝送に好適な光半導体素子を再現性良く作製することを可能とする。 - 特許庁

This plasma display panel contains the back substrate, a number of barriers formed on the back substrate, the front substrate, a dielectric layer formed on the front substrate so as to have a groove having a prescribed depth along a region abutting on the barriers, and a grounding electrode formed along the groove of the dielectric layer and formed so that its both ends are commonly connected.例文帳に追加

背面基板と、背面基板に形成される多数の隔壁と、前面基板と、隔壁と当接する領域に沿って所定の深さの溝を有するように前面基板に形成された誘電層と、誘電層の溝に沿って形成され、互いの両端がそれぞれ共通に連結されるように形成された接地用電極とを含む。 - 特許庁

To deepen understanding of human kind by forming a functional center consisting of DNAs as a base for constructing a human body, cells, protein factors, and cell groups as a literature operator, setting its drama as a depth novel, setting a conventional novel to a surface-layer novel, and forming double-layer literature for exposing both of them on a surface simultaneously.例文帳に追加

人体を構築する基本としてのＤＮＡ、細胞、タンパク因子、及び細胞集団よりなる機能中枢を、文学的演算子となし、それらのドラマを深層小説とし、従来の小説を表層小説とし、両者を一挙に画面の上に表出する二層文学として、人類への理解を深化させることを課題とする。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an inter-layer insulation film 108, and the wiring 160 provided with a copper film 124 embedded in a groove formed on the inter-layer insulation film, whose film thickness is thinner than the depth of the groove and main material is copper, and a low expansion metal film 140 formed on the copper film, whose thermal expansion coefficient is smaller than the one of the copper film.例文帳に追加

層間絶縁膜１０８と、層間絶縁膜に形成された溝に埋め込まれ、溝の深さよりも膜厚の薄い、銅を主たる材料とする銅膜１２４、および銅膜の上に形成され、銅膜よりも熱膨張係数の小さい金属膜である低膨張金属膜１４０を備えた配線１６０とを有する構成である。 - 特許庁

The semiconductor device also comprises a first region of the first conductivity type, which is formed in the depth direction along the side face of the trench formed in the semiconductor layer, with the bottom connected to the semiconductor substrate, and a second region of the first conductivity type, which is formed on the surface of the semiconductor layer near the side face of the trench and is connected to the first region.例文帳に追加

また、半導体層内の溝の側面に前記溝に沿って深さ方向に形成され、且つ下部が半導体基板と接続された、第１導電型の第１領域と、半導体層の表面で且つ溝の側面の近傍に形成され、且つ第１領域と接続された、第１導電型の第２領域と、を具備する。 - 特許庁

When an upper portion of a Japanese style toilet bowl 10 is removed, the upper portion of the Japanese toilet bowl 10 is removed down to a predetermined depth from an upper surface of a floor slab 1, and a surface layer 1b on the periphery of the Japanese style toilet bowl 10 is also removed down to the same depth, to thereby form a recess 1c.例文帳に追加

和風便器１０の上部を除去するに際し、該和風便器１０の上部を床スラブ１の上面よりも所定深さだけ深いレベルまで除去すると共に、該和風便器１０の周囲の表層１ｂも同レベルまで除去して凹所１ｃを形成し、次いで、和風便器１０の露出面に割れ及び落下防止シート２０を接着剤によって貼着し、その後、和風便器１０内を充填材２２で埋める。 - 特許庁

This organic-inorganic composite gradient material includes a composite in which an organic polymer is chemically bound to a metal oxide compound and has a gradient structure in which the content of the metal component is continuously changed from the surface of the material in the depth direction and the content of a stabilizer for the polymer is substantially zero in the surface layer of the material and is continuously increasing in the depth direction.例文帳に追加

有機高分子化合物と金属酸化物系化合物とが化学的に結合した複合体を含み、かつ金属成分の含有率が材料の表面から深さ方向に連続的に変化すると共に、高分子用安定剤の含有率が、材料の表層では実質上０であって、深さ方向に連続的に増加していく傾斜構造をとる有機−無機複合傾斜材料である。 - 特許庁

A multilayered structure of a buffer layer 41, an internal-electrode conducting layer 42, a dielectric layer 43, and an external-electrode conducting layer 44 is formed on a ceramic substrate, with a gap 5 of an appropriate depth to intersect the ceramic substrate in a cutting process after completion of overall structure.例文帳に追加

セラミック製基板上にバッファ層４１、内側の電極導体層４２、誘電体層４３、および外側の電極導体層４４からなる多層構造を形成し、全体の構造が出来上がった後に切削工程で適切な深さの間隙５をセラミック製基板を横断する形で形成することで、２つの重なり合った電極層４２、４４が横断的な間隙に相対する２つの部分に分けられ、かつ誘電体層４３によっても内側の電極導体層４２および外側の電極導体層４４に隔てられる。 - 特許庁

For example, the layer segment number, detection, mapping, depth of the time interleave, and the puncture rate are set to parameters and the parameters are discriminated by the simple error rate after Viterbi decoding, the parameters are being changed till the simple error rate is smaller than a value and discrimination by the simple error rate is conducted.例文帳に追加

例えば、階層のセグメント数、検波、マッピング、時間インターリーブ深さ、パンクチャレートをあるパラメータに設定し、ビタビ復号後の簡易誤り率による判定を行い、簡易誤り率がある値より小さくなるまでパラメータを変えて簡易誤り率による判定を行う。 - 特許庁

Therefor, even when the silicon wafer 11 and a function element layer 16 are cut into semiconductor chips by taking the reformed regions 7_1 to 7_19 as a starting point for cutting, a twist hackle is not remarkably appeared in the region of 335-525 μm in the depth and the particles are hardly generated.例文帳に追加

そのため、改質領域７_１〜７_１９を切断の起点としてシリコンウェハ１１及び機能素子層１６を半導体チップに切断しても、深さが３３５μｍ〜５２５μｍの領域ではツイストハックルが顕著に現れず、パーティクルが発生し難くなる。 - 特許庁

To provide a construction and a manufacturing method, wherein an etching margin is assured when a connection hole is formed in an active layer of a thin-film transistor, the controllability of ion implantation is improved in the depth direction, and further the crystal defects and distortion are eliminated in a channel region.例文帳に追加

薄膜トランジスタの活性層上に接続孔を形成する際のエッチングマージンが確保し、イオン注入での深さ方向の制御性を良くし、さらにチャネル領域の結晶欠陥や歪みを解消する構成および製造方法を提供する。 - 特許庁

The emitter region 6 and the collector region are arranged separately in the width direction of the side wall and the depth direction of the semiconductor substrate 1 through the second conductive type impurity diffusion layer 5, and they are arranged in the closest position in width direction of the side wall.例文帳に追加

前記エミッタ領域６と前記コレクタ領域とは前記第２導電型の不純物拡散層５を介してサイドウオールの幅方向及び半導体基板１の深さ方向に離間して配置され、かつサイドウオールの幅方向において最近接して配置されている。 - 特許庁

In this member, preferably the structure is set so that when the depth (d) of the recessed groove is d (mm), and the thickness (t) of the thermoplastic elastomer layer 3 is t (mm), the relationship between (d) and (t) satisfies the expressions: 0.1≤d/t≤0.5 and t≥1.例文帳に追加

本部材において、前記の凹溝の深さをｄ（ｍｍ）とし、前記熱可塑性エラストマー層の厚さをｔ（ｍｍ）とするとき、ｄとｔの関係が式： ０．１≦ｄ／ｔ≦０．５ かつ ｔ≧１ の関係を満足するような構造に設定することが好ましい。 - 特許庁

Here, Vickers hardness at a reference position corresponding to a position of 0.05 mm deep from the surface of the component, and the depth from the surface of the component showing an average value of the above Vickers hardness and Vickers hardness at the inner layer portion 3 are optimized with the use of a function according to the present invention.例文帳に追加

ここで、部材表面から深さ０．０５ｍｍに対応した基準位置でのビッカース硬さ、及び該ビッカース硬さと内層部３のビッカース硬さとの平均値を示す部材表面からの深さを、本発明内容に属する関数を用いて適正化する。 - 特許庁

Provided is newsprint for printing advertisement, previously embossed before printing and preferably having an embossed depth of 20-50 μm, wherein, more preferably, the newsprint as a base paper to be embossed is paper for newspaper advertisement, having a pigment-coated layer on the surface.例文帳に追加

広告を印刷する新聞用紙において、印刷前に予めエンボス加工を施し、好ましくは、エンボス深さが２０〜５０μｍであり、より好ましくはエンボス加工を施す原紙としての新聞用紙が、表面に顔料塗工層を有する新聞広告用紙である。 - 特許庁

In the groove forming process, a plurality of props 24 for discharging ink droplets with parting the piezoelectric members 36, 37 by grinding the groove 35 with such a depth as to reach the second ceramic layer 23 of the laminated substrate 12 from the surface 33A of the piezoelectric members 36, 37.例文帳に追加

溝形成工程では、圧電部材３６，３７の表層３３Ａから積層基板１２の第２のセラミックス層２３に達する深さの溝３５を研削加工することにより、圧電部材３６，３７を分断してインク滴吐出用の支柱２４を複数個形成する。 - 特許庁

Therefore, even when the depth of a recording layer of the optical recording medium using the luminous flux of the second wavelength is different from the recording medium making the luminous flux of the first wavelength a reproduction light, the problem of insufficient condensing caused by spherical aberration of the condenser lens can be reduced.例文帳に追加

このため、第２の波長の光束を用いる光記録媒体の記録層の深さが第１の波長の光束を再生光とする光記録媒体と相違しても、集光レンズの球面収差による集光不足の問題を軽減できる。 - 特許庁

The compressive stress layers are each formed in a depth range of >10 μm and ≤50 μm from the surface of the glass plate along the thickness direction of the glass plate, and the thickness of the compressive stress layer is less than 1/13 of the thickness of the glass plate.例文帳に追加

前記圧縮応力層は前記ガラス板の表面から前記ガラス板の厚さ方向に沿った１０μｍより大きく５０μｍ以下の深さの範囲に形成され、前記圧縮応力層の厚さは前記ガラス板の厚さの１３分の１未満である。 - 特許庁

When a player desires that the dimple depth of the golf ball 100 is shallow, the golf ball 100 is subjected to heating in a microwave for a predetermined time period, and thereby the intermediate layer 108 exposed in the base area of the dimple 102 foams to raise the base area of the dimple 102.例文帳に追加

プレーヤがゴルフボール１００のディンプル深さを浅くしたい場合は、ゴルフボール１００を所定時間電子レンジで加熱する事により、ディンプル１０２の基底領域に露出している中間層１０８が発泡し、ディンプル１０２の基底領域が盛り上がる。 - 特許庁

Optical constant is set in such a manner that an absolute value of the value obtained by adding the astigmatic difference As_106A, As_108A in each parallel flat plate layer 106A, 108A is smaller than depth of focus Fδ in F number F of a projection lens by picture element pitch δ of a reflection type panel.例文帳に追加

各平行平板層１０６Ａ，１０８Ａによる非点隔差Ａｓ_106A ，Ａｓ_108A を加算した値の絶対値が、反射型パネルの画素ピッチδで投影レンズのＦナンバーＦにおける焦点深度Ｆδよりも小さくなるように光学定数を設定する。 - 特許庁

The two lens elements 26a included in the beam expander 26 adjusts the focusing position of a spot formed inside an optical recording medium 28 by moving along an optical axis direction, while spherical aberration caused by depth difference of a recording layer is corrected.例文帳に追加

ビームエクスパンダー２６に含まれる２枚のレンズ素子２６ａは、光軸方向に移動することによって、光記録媒体２８内部に形成されるスポットの合焦位置を調整すると共に、記録層の深さの相異に起因する球面収差を補正する。 - 特許庁

The method of developing the reclaimed tideland has a sand pile driving step in which a number of sand piles are driven into submarine ground in a reclaimed tideland scheduled area at a depth equal to or lower than a mean low tidal level, and a bulging area of a surface layer of the submarine ground, that occurs due to the driving, is used as the tideland.例文帳に追加

人工干潟予定領域で且つ平均低潮位以下の深さにある海底地盤に砂杭を多数打設し、該打設により生じる海底地盤の表層部の盛り上がりを干潟とする砂杭打設工程を有する人工干潟の造成方法。 - 特許庁

In the surface layer part in the region from the surface to a depth of 20 μm of the molded article, the minor diameter (D) of a domain formed by the ethylenic copolymer is 0.01-1 μm, and the ratio (L/D) of the major diameter (L) to the minor diameter (D) is 10-2,000.例文帳に追加

該成形品の表面から深さ２０μｍの範囲の表層部における、エチレン系共重合体により形成されるドメインの短径（Ｄ）が０．０１〜１μｍで、長径（Ｌ）と短径（Ｄ）との比（Ｌ／Ｄ）が１０〜２０００であることを特徴とする。 - 特許庁

Depth y (mm) of hardened layer of Vickers hardness Hv653 or higher formed on a second inner raceway surface 20b included in the inner ring 3, the maximum outer diameter D_1 (mm) and inner diameter D_3 (mm) of the inner ring 3 satisfies inequality y/{(D_1-D_3)/2}≥0.015.例文帳に追加

また、内輪３が有する第二内側軌道面２０ｂに形成されたビッカース硬さＨｖ６５３以上の硬化層の深さｙ（ｍｍ）と、内輪３の最大外径Ｄ_1 （ｍｍ）及び内径Ｄ_3 （ｍｍ）とが、ｙ／｛（Ｄ_1 −Ｄ_3 ）／２｝≧０．０１５なる数式を満足する。 - 特許庁

The optical element where the semiconductor optical amplifier (SOA) and an optical waveguide are integrated, wherein the optical waveguide includes the same active layer as in the SOA portion and guides optical wave by a ridge structure, thereby forming a ridge width or a ridge depth different from those of the SOA portion.例文帳に追加

半導体光増幅器（ＳＯＡ）と光導波路を集積した光素子において、前記光導波路は前記ＳＯＡ部分と同じ活性層を含んでリッジ構造により光導波させ、前記ＳＯＡ部分とは異なるリッジ幅若しくはリッジ深さとした。 - 特許庁

The self-supported III-V group nitride semiconductor substrate does not have clear boundaries betweem high-brightness regions and low-brightness regions in a fluorescence microscopy image of its surface layer existing from the top surface to a depth of at least 10 μm.例文帳に追加

自立したIII−V族窒化物系半導体基板であって、表面から少なくとも10μmの深さまでの表面層の蛍光顕微鏡像に、高明度領域と低明度領域が境界をもって存在しないことを特徴とするIII−V族窒化物系半導体基板。 - 特許庁

To provide a mortar excavator for use in excavation of a mortar layer constituting a slab track of a railroad, which can be used even for the slab track with a narrow excavation location while securing sufficient cutting depth, which improves operability, and which achieves miniaturization and weight reduction.例文帳に追加

鉄道のスラブ軌道を構成するモルタル層の掘削に使用されるモルタル掘削機において、狭い掘削箇所を有するスラブ軌道に対しても十分な切込み深さを確保しつつ使用可能とし、操作性を向上させ、小型化及び軽量化を実現する。 - 特許庁

When nitrogen, hydrogen, or fluorine is introduced into the base material layer by ion implantion method, etc., the implantation is substantially limited to a specified range along the depth and then a work is exposed to excited oxygen to precisely etch only the specific range.例文帳に追加

イオン注入法などの方法により窒素、水素、フッ素を母材層に導入するに際して、深さ方向の所定の範囲に実質的に限定し、しかる後に励起した酸素に晒すことにより、所定の範囲のみを精密にエッチング除去することができる。 - 特許庁

A depression depth for a plurality of pits for ROM media, or sector headers for recordable media, or grooves for recordable media on each data surface is substantially equal to the radiation beam wavelength divided by four times the average of the indexes of refraction of each spacer layer.例文帳に追加

ＲＯＭ媒体用の複数のピット、記録可能媒体用のセクタ・ヘッダ、または各データ表面上の記録可能媒体用の溝のへこみ深さは、放射線ビームの波長を各スペーサ層の屈折率の平均の４倍で割った値に実質的に等しい。 - 特許庁

The polyamide resin molded product having at least one hinge structure part is characterized in that the morphology up to a depth of 50 μm from the surface layer of the hinge structure part has a specific layered structure.例文帳に追加

少なくとも一個のヒンジ構造部を有するポリアミド樹脂成形品において、ヒンジ構造部の表層から深さ５０μｍまでのモルフオロジーが、特定の層構造を有していることを特徴とする、ヒンジ構造部を有するポリアミド樹脂成形品を要旨とする。 - 特許庁

The developer carrier has a specific relation between the proportion of the sulfur atoms and the molybdenum atoms present in the surface of the conductive resin coating layer measured by X-ray photoelectron spectroscopic analysis and the proportion of the sulfur atoms and the molybdenum atoms present at a depth of 2 μm from the surface.例文帳に追加

Ｘ線光電子分光分析により測定される該導電性樹脂被覆層の表面おける硫黄原子、モリブデン原子の存在率と、表面から２μｍの深さにおける硫黄原子、モリブデン原子の存在率が特定の関係を有する。 - 特許庁

To provide a technique capable of surely measuring a molten steel temperature, a coagulation temperature and a sample property, etc., for instance by accurately and surely detecting respective boundary position and thus accurately controlling an immersion depth to a molten metal layer.例文帳に追加

より精度よく且つ確実に各境界位置を検知でき、これにより溶融金属層への浸漬深さをより正確に制御することで、例えば溶鋼温度や凝固温度、サンプル性状などの測定をより確実に行うことができる技術を提供せんとする。 - 特許庁

A modifying layer 1c based on multiple photon absorption is formed by irradiating a laser beam 4 from a principal surface 1a of a bond wafer 1 such that a light condensing point P becomes a target depth d from the principal surface 1a, and scanning the bond wafer 1 from end to end.例文帳に追加

レーザ光４をボンドウェハ１の主面１ａから、集光点Ｐが主面１ａから目標の深さｄとなるように照射し、ボンドウェハ１の端部から端部へ走査することにより、多光子吸収による改質層１ｃを形成する。 - 特許庁

There is provided, under a side wall spacer 9 provided in a side wall of a gate electrode 3, an n+ type semiconductor region 8a which is the same as an n+ type semiconductor region 8b constituting a resistance layer, and has relatively high impurity concentration and a relatively deep junction depth.例文帳に追加

ゲート電極３の側壁に設けられたサイドウォールスペーサ９の下に、抵抗層を構成するｎ^+型半導体領域８ｂと同一の相対的に高い不純物濃度と相対的に深い接合深さとを有するｎ^+型半導体領域８ａを設ける。 - 特許庁

In a reflection substrate provided with a color filter, a rugged shape of a reflection layer has 0.2 to 0.8 μm surface roughness Ra, the recessed parts of the rugged shape have 0.5 to 1.5 μm depth and the recessed parts of the rugged shape have 5 to 30 μm width.例文帳に追加

本発明のカラーフィルターを備えた反射基板は、反射層における凹凸形状の表面粗さＲａは０．２〜０．８μｍであり、凹凸形状の凹部の深さが０．５〜１．５μｍであり、凹凸形状の凹部の幅が５〜３０μｍであることを特徴としている。 - 特許庁

A rubber layer 6 having JIS hardness 40 to 50 and thickness t ≤2mm is arranged on a groove wall surface 2b located in a lower region 2X of 30 to 50% of a groove depth d from a groove bottom 2a of a peripheral direction groove 2 extended in a tire peripheral direction T on a tread surface 1.例文帳に追加

トレッド面１にタイヤ周方向Ｔに延設した周方向溝２の溝底２ａから溝深さｄの３０〜５０％の下部領域２Ｘに位置する溝壁面２ｂにＪＩＳ硬度が４０〜５０でかつ厚さｔが２ｍｍ以下のゴム層６を配置する。 - 特許庁

To provide a nondestructive inspection technique capable of inspecting depth of a hardened layer of a structural steel by an eddy current effect with preventing degradation in precision even when a temperature in an inspection atmosphere varies, and to contribute to the realization of 100%, inline inspection at production.例文帳に追加

、渦電流効果を利用した非破壊検査技術であって、鋼材の表面焼入れの硬化層深さを、検査雰囲気の温度が変動しても精度を低下させることなく検査できるものを提案し、製造時にインラインでの全数検査の実現に寄与する。 - 特許庁

After a stacked body of the cured product subjected to the desmear processing and the copper plating layer is obtained, when a cross section of the stacked body in a thickness direction is exposed, the depth of a recessed part of the cured product subjected to the desmear processing in the thickness direction in the cross section is 2 μm or less.例文帳に追加

上記デスミア処理された硬化物と上記銅めっき層との積層体を得た後、該積層体の厚み方向の断面を露出させたときに、断面における上記デスミア処理された硬化物の厚み方向における凹部深さが２μｍ以下である。 - 特許庁

To provide a horizontal diffusion furnace capable of, without being complicated, manufacturing a diffused wafer having high in-plane uniformity of the depth of a diffusion layer across a wafer surface including a center portion and an outer peripheral portion, and a method for heat-treating a semiconductor wafer using the same.例文帳に追加

横型拡散炉が煩雑化することなく、中心部と外周部を含むウェーハ面内の拡散層深さの面内均一性が高い拡散ウェーハを製造することができる横型拡散炉及びそれを用いた半導体ウェーハの熱処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide technology for forming a large reformed layer with a large aspect ratio and a processing part into an inside or a surface of a material without causing restriction of a femtosecond laser device, enlarging an optical system, and having restriction of a depth position into the inside of the material.例文帳に追加

フェムト秒レーザ装置の制約が発生したり光学系が大型化したりすることなく、また材料内部への深さ位置の制約なく、アスペクト比の大きな改質層や加工部を材料内部または表面に加工する技術を提供する。 - 特許庁

The bond magnet 1 has at least one position where a phosphorus atom and a metal atom originating in a phosphoric acid metal salt is detected down to a depth of 40 μm or more from the surface of the protective layer by line analysis using an X-ray microanalyzer.例文帳に追加

そして、このボンド磁石１は、リン酸金属塩に由来するリン原子及び金属原子が、Ｘ線マイクロアナライザーを用いた線分析により、保護層の表面から４０μｍ以上の深さ位置まで検出される検出箇所を少なくとも一箇所有している。 - 特許庁

A layer 25 of the amorphous semiconductor material is substantially positioned in the selected depth and is expanded up to a zone which is a substantially plane composed of the monocrystal semiconductor material damaged by lattice defects, namely extended to the end part of the range of ion implantation damages.例文帳に追加

そのアモルファス半導体材料の層２５は、選択された深さに実質的に位置し、格子欠陥により損傷を受けた単結晶半導体材料からなる実質的に平面であるゾーン、つまりイオン注入損傷の範囲の端部まで広がる。 - 特許庁

A surface nitride layer section 1B is made so that the nitrogen content at a depth of 10 Å from the surface may be 2 atom.% or over by arranging the sapphire single crystal substrate 1 in nitrogen-containing atmosphere such as ammonium atmosphere.例文帳に追加

サファイア単結晶基板１をアンモニア雰囲気などの窒素含有雰囲気中に配置し、所定時間加熱することによって表面窒化層部分１Ｂを、その表面から１０Åの深さにおける窒素含有量が２原子％以上となるように形成する。 - 特許庁

Two lens elements 33a and 33b included in the beam expander 33 adjust the focusing position of a spot formed inside an optical recording medium 28 by moving in the optical axis direction, while spherical aberration caused by depth difference of a recording layer is corrected.例文帳に追加

ビームエクスパンダー３３に含まれる２枚のレンズ素子３３ａ及び３３ｂは、光軸方向に移動することによって、光記録媒体２８内部に形成されるスポットの合焦位置を調整すると共に、記録層の深さの相異に起因する球面収差を補正する。 - 特許庁

The semiconductor optical device apparatus has a structure where a conductive block structure is provided at one portion of a rectangular bottom section in a ridge type semiconductor optical device where both the sides of a mesa stripe are dug in a rectangular shape by depth that does not reach an active layer.例文帳に追加

本願発明は、メサストライプの両脇を活性層に達しない深さで矩形状に掘り込んだリッジ型半導体光デバイスにおいて、当該矩形状の底部の一部に導電阻止構造を設けた構造を有する半導体光デバイス装置である。 - 特許庁