「layer depth」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a wastewater treatment apparatus of a type aerating a medium-deep layer with a water depth of about 3-10 m capable of putting a beneficcal point capable of reducing the arranging area of a conventional deep layer aeration tank to practical use while ensuring a benefical point of a vertical surface aeration aerator simple in arrangement and the easiness of the maintenance of the aerator.例文帳に追加

縦軸型の表面曝気エアレータを使用してその設置が簡便である利点とメンテナンスの容易さとを確保しながら、従来の深層曝気槽の設置面積を少なくできる利点を活用することができるようにした、水深３ｍを越え１０ｍ程度まであるいはそれ以上の中深層曝気型排水処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A damage layer 12 is formed at a position of desired depth to implant hydrogen ions toward a surface of the single crystal SiC substrate 11, then the single crystal SiC substrate 11 in which the damage layer 12 is formed, and fine powder 13 of SiC is heated and compressed to form a sintered body 1 and integrate the sintered body 1 with the single crystal SiC substrate 11.例文帳に追加

単結晶ＳｉＣ基板１１の表面に対して水素イオンを注入して所定深さの位置にダメージ層１２を形成したのち、ダメージ層１２を形成しておいた単結晶ＳｉＣ基板１１とＳｉＣの微細粉末１３を加熱加圧することで、焼結体１を形成すると共に、焼結体１を単結晶ＳｉＣ基板１１に一体化させる。 - 特許庁

Electrons as minority carriers formed by having light incident on a division part which is a part between the two N-type semiconductors 103 and 104 of the P-type semiconductor layer 101 are suppressed in diffusion in the depth direction of the P-type semiconductor layer 101 by a P-type semiconductor 107 formed on the division part, and quickly introduced to the N-type semiconductors 103 and 104.例文帳に追加

Ｐ型半導体層１０１の２つのＮ型半導体部１０３，１０４の間の部分である分割部に光が入射して形成された少数キャリアとしての電子は、この分割部に形成されたＰ型半導体部１０７によってＰ型半導体層１０１の深さ方向への拡散が抑制されて、迅速にＮ型半導体部１０３，１０４に導かれる。 - 特許庁

In the polishing pad for semiconductor CMP having a large number of holes penetrating a polish layer from the surface to the rear surface, depth (δy) at the edge of the through hole on the surface of the polish layer is set not deeper than 0.1 mm (100 μm).例文帳に追加

本発明は、研磨層に表面から裏面に貫通する多数の孔を有する半導体ＣＭＰ用研磨パッドにおいて、該貫通孔の研磨層表面におけるエッジの凹みの深さ（δｙ）が０．１ｍｍ（１００μｍ）以下であることを特徴とする研磨パッドと、この研磨パッドを用いて半導体ウエハ表面を研磨する工程を含む半導体デバイスの製造方法に関する。 - 特許庁

The separator 3 for the fuel cell obtained by nitriding the surface of a substrate 10 comprising alloy containing a transition metal element selected from Fe, Cr, Ni, and Mo has a nitrided layer 11 having hexagonal system crystal structure in the depth direction from the surface 10a of the substrate 10, and the substrate 10 contains nitrogen in an interface region 10b between the substrate 10 and the nitrided layer 11.例文帳に追加

Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ及びＭｏの中から選ばれた遷移金属元素を含む合金からなる基材１０の表面を窒化処理することにより得られる燃料電池用セパレータ３であって、基材１０の表面１０ａから深さ方向に立方晶の結晶構造を有する窒化層１１を備え、基材１０は窒化層１１との界面領域１０ｂに窒素を含有する。 - 特許庁

To provide a method for removing nitrate nitrogen from soil seeping water, capable of being adapted to a wastewater soil seeping treatment plant necessary for aerobically keeping the surface layer of a plowed field or soil over a depth range of several ten cm and capable of efficiently and simply performing denitrification without providing a structure.例文帳に追加

畑や土壌表層数十センチを好気性に保つ必要のある排水土壌浸透処理場に適用することができ、構造物を設けることなく、効率よく簡便に脱窒を行なうことが可能な、土壌浸透水からの硝酸態窒素の除去方法を提供する。 - 特許庁

The polygon layer moving portion 205 periodically continues the movement of the first-fourth polygon layers between the start point to the prescribed depth during a time when the river part is displayed, and each of the first-fourth polygon layers is periodically operated while shifting their phases so that their relative positions are changed.例文帳に追加

このようにして、ポリゴン層移動部２０５は、河川部が表示されている間、開始点から所定の深さの間で、周期的に第１〜第４のポリゴン層の移動を継続させて、第１〜第４の各ポリゴン層をこれらの相対的な位置が変化するように位相をずらして周期運動させる。 - 特許庁

In a wafer processing tape 1, semicircular or tongue-shaped notches 11 directing outside an adhesive agent layer 3 in a plan view are formed to such a depth that reaches a peel base material 2 from a base material film 5 side so as to correspond to a region P to be stuck to a wafer ring 14.例文帳に追加

ウェハ加工用テープ１では、ウェハリング１４への貼付領域Ｐに対応して、平面視において接着剤層３の外側を向く半円状又は舌片状の切込部１１が基材フィルム５側から剥離基材２に到達する深さで形成されている。 - 特許庁

Thereafter, the suspension substrate 1 is soaked in a dopant aqueous solution under soaking conditions of 100-200°C, 2-15 MPa and 30 minutes to 24 hours so that a dopant impregnates into the semiconductor layer 10 from its surface to a depth of at least 0.2 μm.例文帳に追加

その後、この半導電性層１０に、ドーピング剤が、半導電性層１０の表面から少なくとも０．２μｍの深さまで浸透されるように、回路付サスペンション基板１を、ドーピング剤水溶液に、１００〜２００℃、２〜１５ＭＰａ、３０分〜２４時間の浸漬条件で、浸漬する。 - 特許庁

The soft-dilute-copper-alloy wire contains Ti of 4-55 ppm by mass and the balance of Cu, and is characterized in that the average crystal grain size is 20 μm or less in the surface layer up to a depth of at least 50 μm from the surface.例文帳に追加

４ｍａｓｓｐｐｍ〜５５ｍａｓｓｐｐｍのＴｉを含み、残部が銅である軟質希薄銅合金線において、少なくとも表面から５０μｍ深さまでの表層における平均結晶粒サイズが２０μｍ以下であることを特徴とする軟質希薄銅合金線。 - 特許庁

A recess 12 of a predetermined depth, having an acute angle step Ea, is formed in a substrate 11, a resist film is formed having an open annular pattern RP passing through the acute angle step, an annular wiring conductor 16 and an annular insulating layer are formed alternately, to form a helical wiring conductor.例文帳に追加

鋭角段差部Ｅａを備える所定深さのくぼみ１２を基板１１に形成し、この鋭角段差部を通る環状パターンＲＰを開口したレジスト膜を形成し、環状配線導体１６と環状絶縁層とを交互に形成してヘリカル状の配線導体を形成する。 - 特許庁

In this method, a layer composed of a scandium silicate or a mixture of a scandium oxide with a silicon oxide is formed on the inner surface of a silica glass of an arc tube 21 so as to reduce a percentage content of a scandium in the direction from the surface to the depth and a thin film composed of the scandium oxide is formed thereon.例文帳に追加

発光管１の石英ガラス内表面に酸化スカンジウムと酸化珪素の混合物又はスカンジウム珪酸塩からなる層を、スカンジウムの含有率が表面から深さ方向に減少するように形成し、その上に酸化スカンジウムからなる薄膜を形成する。 - 特許庁

A first mesa part 2a and a second mesa part 2b are formed on a GaAs substrate 1, a resist pattern 15 comprising opening parts 13 and 14 is formed, a semiconductor layer 2 is etched to a specified depth with the resist pattern 15 as a mask, and a recess 16 and a recessed part 17 for alignment mark are formed.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１の上に第１メサ部２ａおよび第２メサ部２ｂを形成し、開口部１３，１４を有するレジストパターン１５を形成し、レジストパターン１５をマスクとして半導体層２を所定の深さまでエッチングし、リセス１６とアライメントマーク用凹部１７を形成する。 - 特許庁

The short circuit ring 4 employs a conductive thin film having plain view similar to that of the coil layer and thickness equal to or thinner than the skin depth of an induction current generated by skin effect in a high frequency region where the resonance is suppressed.例文帳に追加

そして、短絡環４には、その平面形状が上記コイル層の平面形状と略等しく、且つその厚みが共振を抑制したい高周波領域において表皮効果により発生する誘導電流の表皮深さに略等しいか又はそれ以下である導電性薄膜を用いた。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor laser element for performing control in a shape of a process at the time of the formation of a ridge stripe and control in etching depth, and for preventing the deterioration of a characteristic and a yield caused by the existence of an ending point detecting layer.例文帳に追加

リッジストライプ形成の際の加工形状の制御性とエッチング深さの制御性とを両立させることができ、かつ、終点検出層が存在することによる特性劣化や歩留りの低下を防ぐことができる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

An adjustment region 10 having a short life time is formed in a region that is across an electrode edge when a source electrode 4 is projected into a semiconductor substrate 1 and includes a boundary section 6 between a high-concentration p-type well region 20 positioned in the depth direction of the substrate and a low-concentration semiconductor layer.例文帳に追加

ライフタイムの短い調整領域１０を、ソース電極４を半導体基板１内へ投影させた場合の電極端部を跨いだ領域で、かつ、基板深さ方向に位置する高濃度のｐ型ウェル領域２０と低濃度の半導体層との境界部６を含む領域に形成する。 - 特許庁

The switch sheet 5 is provided with an adhesive layer 5B for retaining and fixing the domes for switches 15 onto the substrate 9 and is provided with an indention 19 with another portion leaving out an allowance 17 for adhesion with the substrate 9 having depth which holds down a plurality of domes for switches 15 as a whole simultaneously.例文帳に追加

スイッチシート５は、スイッチ用ドーム１５を基板９上に保持固定するための粘着剤層５Ｂを備え、かつ基板９と貼り合わせる糊代１７を残した他の部分が複数のスイッチ用ドーム１５を全体的に同時に押さえる深さを有する凹部１９を設けている。 - 特許庁

To provide a mold for injection molding by which there exists no possibility of generating creases on a transfer material and cracks on a transfer layer even when a depth D of a curved part of a cross-section tends to be increased and a curvature radius and a draw angle of a movable mold tend to be decreased by a design specified by an end user.例文帳に追加

エンドユーザーのデザイン指定により断面曲線部の深さＤが大の傾向になったり、曲率半径と可動型抜き勾配Ａが小の傾向になったりしても、転写材にしわが発生したり、転写層にクラックが発生したりしない射出成形用金型を提供する。 - 特許庁

The hydrogen separator is a hydrogen separator provided with a porous substrate 2 having a number of fine holes connected from the surface 5 of No.1 to other surfaces and a hydrogen separating layer 3 that is provided on the surface 5 of No.1 in the substrate 2 with the same penetrated from the surface 5 of No.1 to a predetermined depth.例文帳に追加

その一の表面５から他の表面まで連通する多数の細孔を有する多孔質基体２と、多孔質基体２の一の表面５に、一の表面５から所定深さまで浸入した状態で配設された水素分離層３とを備えた水素分離体１である。 - 特許庁

The woody fiber laminated plate made by integrating woody fibers into one body with a binder has a density distribution of 0.52 to 1.00 g/cm^3, and a layer having a density of 0.80 g/cm^3 or more does not exist in the laminated plate, or exists only in the area from the surface to not more than 2 mm depth.例文帳に追加

木質繊維がバインダーにより成形によって一体化され、密度分布が０．５２ｇ／ｃｍ^３〜１．００ｇ／ｃｍ^３の範囲であって、密度が０．８０ｇ／ｃｍ^３以上の層が存在しないか、又は表面部に厚さ２ｍｍ未満に存在する木質繊維集積板である。 - 特許庁

A compression stress layer having a depth of not less than 50 μm is formed by chemical reinforcement processing on the surface of a glass substrate made of glass material containing 40-70 wt.% of SiO_2, 0.1-20 wt.% of Al_2O_3, 3-20 wt.% of Na_2O, and not containing Li_2O.例文帳に追加

ＳｉＯ_2を４０〜７０重量％、Ａｌ_2Ｏ_3を０．１〜２０重量％、Ｎａ_2Ｏを３〜２０重量％含有し、Ｌｉ_2Ｏを含有しないガラス材料で形成されたガラス基板の表面に化学強化処理により深さ５０μｍ以上の圧縮応力層を形成する。 - 特許庁

Further, the solid-state imaging device includes inorganic photoelectric conversion units PD1, PD2 having a pn junction and an organic photoelectric conversion unit 39 including an organic photoelectric conversion layer 36, which are laminated in the same pixel 20 in a depth direction from the light incident side and on which light is incident without passing through a color filter.例文帳に追加

さらに、同一の画素２０内で受光面側から深さ方向に積層されてカラーフルタを介さずに光が入射される、ｐｎ接合を有する無機光電変換部ＰＤ１、ＰＤ２及び有機光電変換膜３６を有する有機光電変換部３９を有する。 - 特許庁

As a result, accumulation of the ammonia (NH_3) in the ultrahigh vacuum container is alleviated, so that the concentration of nitrogen (N) in a crystal growth layer on the ZnO substrate can be set to a desired concentration, and in addition the concentration of nitrogen (N) can be formed uniformly from the surface along the depth direction.例文帳に追加

その結果、超高真空容器内におけるアンモニア（ＮＨ_３）の蓄積が緩和されて、ＺｎＯ基板上の結晶成長層内の窒素（Ｎ）の濃度を所望する濃度に設定し、且つ表面から深さ方向に対して窒素（Ｎ）の濃度を均一に形成することが可能となった。 - 特許庁

Furthermore, a third trench 115 is formed on the surface of the n-type layer 106 in a region not opposing the auxiliary electrode 109 with a depth reaching the p-electrode 103, and a p-pad electrode 114 is formed on the p-electrode 103 exposed on a bottom face of the third trench 115.例文帳に追加

また、ｎ型層１０６表面であって、補助電極１０９と対向しない領域に、ｐ電極１０３に達する深さの第３の溝１１５が形成され、第３の溝１１５底面に露出したｐ電極１０３上にｐパッド電極１１４が形成されている。 - 特許庁

Reflecting plates (13) are driven in from the vicinity of the upper surface of a subsurface layer (3) to the depth of the lower end of a footing (5) in the outer periphery of a group of structures (4), and wave-dissipating concrete blocks (12) made of concrete blocks such as tetrapods are piled up on the reflecting plates (13) to form a surface-wave bulwark against earthquake.例文帳に追加

構造物（４）群の外側周囲に表層地盤（３）の上表面近くから基礎版（５）下端までの深さに反射板（１３）を打ち込み、反射板（１３）の上にテトラポッドのようなコンクリートブロック製の消波ブロック（１２）を積み重ねて地震表面波防波堤とする。 - 特許庁

Ion energy, ion incident angle to the surface of material, temperature of silicon layer, forming depth of the vertical portion, height of vertical portion and ion passing range to silicon are all determined with reference to the wavelength of the selected waving (vertical) portion in the range of 9 nm to 120 nm.例文帳に追加

イオンエネルギー、前記材料の表面へのイオン入射角、シリコン層の温度、波状起伏の形成深さ、前記波状起伏の高さ、及びシリコンへのイオン貫通範囲は全て、９ｎｍ〜１２０ｎｍの範囲における波状起伏の選択された波長を基準として決定される。 - 特許庁

An optoelectronic device includes a passivation layer of a dielectric material having a graded composition that varies with depth, whether continuous or stepwise, to provide a first index of refraction proximate to a semiconductor or conductor material and provide a second index of refraction adjacent to a surrounding material, such as an encapsulant.例文帳に追加

光電子デバイスは、深さと共に連続的または段階的に変化し、半導体または導体材料に近い第１の屈折率を備えるとともに、封入剤などの周囲材料に隣接する第２の屈折率を備える、傾斜組成を有する誘電体材料のパッシベーション層を含む。 - 特許庁

In a diode cell 20, a P-type resurf region 52 is formed as an anode having a depth deeper than a trench 38 of an IGBT cell 10 and a surface density lower than that of a channel layer 37, and a P+ type second contact region 55 is formed on a surface part of the resurf region 52.例文帳に追加

ダイオードセル２０において、ＩＧＢＴセル１０のトレンチ３８よりも深く、チャネル層３７よりも面密度が小さいアノードとしてのＰ型のリサーフ領域５２が形成され、このリサーフ領域５２の表層部にＰ＋型の第２コンタクト領域５５が形成されている。 - 特許庁

Installation spot information such as installation depth of facilities, natural ground conditions and the like; storage tank information such as section construction of the storage facility in base rock, material of the lining layer or the like; operation information such as a storage capacity, operation cycle, outflow pressure or the like of the storage facilities in the base rock are set.例文帳に追加

施設の設置深度，地山条件などの設置地点情報と、前記岩盤内貯蔵施設の断面構造，前記ライニング層の材質などの貯槽情報と、前記岩盤内貯蔵施設の貯蔵容量，運転サイクル，払い出し圧力などの運用情報とを設定する。 - 特許庁

The substrate for sealing comprises a first substrate 10, a recessed part 12 formed on one surface side of the first substrate 10, a coating layer 20 formed on the bottom surface of the recessed part 12 to be thinner than the depth of the recessed part 12, and a second substrate 40 provided on the other surface side of the first substrate 10.例文帳に追加

封止用基板は、第１の基板１０と、第１の基板１０の一方の面側に形成された凹部１２と、凹部１２の底面に凹部１２の深さよりも薄くなるように形成された被覆層２０と、第１の基板１０の他方の面側に設けられた第２の基板４０と、を含む。 - 特許庁

A resin material in a region at a certain depth from a surface on a resin material part 75 side of a resin material wafer W having the resin material part 75 toward the inside is changed/modified, by bringing a medical agent mixed in grinding slurry 70 into contact therewith, to be formed into a modified layer 80.例文帳に追加

樹脂材料部分７５を有する樹脂材料ウエハＷの樹脂材料部分７５側の表面から内部に向かう一定の深さの領域内の樹脂材料を、研摩スラリー７０に混合した薬剤を接触させることによって変化・変性させて改質層８０とする。 - 特許庁

The welding of the container main body 2 and the cover 3, and the welding of the cap 4 and the corrosion resistance layer 6 are conducted in butt weld form in the circumferential direction (circumferential joint), the welding depth of the container main body 2 and the cover 3 is made shallow, thereby simplifies the welding work substantially.例文帳に追加

これによって、容器本体２と蓋部３の溶接、及びキャップ４と耐食層６との溶接がいずれも周方向の突き合わせ溶接（周継手）となる上に、容器本体２と蓋部３の溶接深さが浅くなるため、溶接作業を大幅に簡略化できる。 - 特許庁

Palladium is supported on a carrier in an amount of 0.1-5 wt.% to manufacture the dehalogenation catalyst characterized in that 70 wt.% or more of supported palladium is supported on a layer up to a depth of 50 μm from the surface of the carrier and the chemical adsorption quantity of carbon monoxide is 20 ml/g-Pd or more.例文帳に追加

パラジウムが担体に０．１〜５重量％担持され、担持されたパラジウムの７０重量％以上が担体の表面から深さ５０μｍまでの層に担持されており、且つ一酸化炭素の化学吸着量が２０ｍｌ／ｇ−Ｐｄ以上である脱ハロゲン化触媒。 - 特許庁

A first information signal is read by detecting the presence or the absence of a pit 6, and a second information signal is read by detecting the depth or the height of the pit 6, based on the presence or the absence of reflected light flux of the light flux obliquely incident on a signal recording layer 2.例文帳に追加

第１の情報信号がピット６の有無の検出によって読出され、第２の情報信号が傾斜して入射された光束の信号記録層２からの反射光束の有無によるピット６の深さまたは高さの検出によって読出されるようにする。 - 特許庁

A second trench 111 is formed on a surface of the n-type layer 106 in a region opposing a part of the auxiliary electrode 109 with a depth reaching the auxiliary electrode 109, and an n-pad electrode 107 is formed on the auxiliary electrode 109 exposed on a bottom face of the second trench 111.例文帳に追加

また、ｎ型層１０６表面であって、補助電極１０９の一部と対向する領域に、その補助電極１０９に達する深さの第２の溝１１１が形成され、第２の溝１１１の底面に露出した補助電極１０９上にｎパッド電極１０７が形成されている。 - 特許庁

This ceramic member for the semiconductor device is characteristically composed of the aluminium nitride sintered compact of which the surface layer to a depth of up to 50 μm contains metallic impurities of less than 10 ppm per one element excluding yttrium originating from aluminium and an auxiliary agent for sintering.例文帳に追加

窒化アルミニウムの焼結体であって、表面からの深さが５０μｍまでの表層部分において、アルミニウム及び焼結助剤に起因するイットリウムを除く金属不純物含有量が１元素当たり１０ ppm未満であることを特徴とする半導体装置用セラミックス部材である。 - 特許庁

The member for the semiconductor manufacturing apparatus incorporated in the semiconductor manufacturing apparatus for processing a semiconductor wafer is made of a porous alumina substrate with a surface layer having a porosity of 20-60% and the depth of a pore of 10-100 μm.例文帳に追加

半導体ウエハを処理する半導体製造装置に配置される半導体製造装置用部材において、表層が２０％〜６０％の気孔率を持ち、気孔の深さが１０μｍ〜１００μｍの多孔質のアルミナ基材であることを特徴とする半導体製造装置用部材。 - 特許庁

To provide an antireflection film for lithography having a high antireflection effect, free of intermixing with a photoresist layer, giving an excellent photoresist pattern, having a higher dry etching rate than the photoresist and ensuring a larger margin for the depth of a focus and higher resolution than a conventional antireflection film.例文帳に追加

反射光防止効果が高く、フォトレジスト層とのインターミキシングが起こらず、優れたフォトレジストパターンが得られ、フォトレジストに比較して大きなドライエッチング速度を有し、従来より広いフォーカス深度マージン及び高い解像度を有するリソグラフィー用反射防止膜を提供するものである。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for induction hardening of a rack bar with which a hardened layer sufficiently securing the hardness in a desirable depth can be formed on the whole peripheral surfaces including a tooth surface and a back surface of the rack bar even in the case that the tooth quadrature module of the rack bar is e.g. ≥2.例文帳に追加

ラックバーの歯直角モジュールが例えば２以上のものであっても、ラックバーの歯面及び背面を含めた全周面に、所望の深さでかつ硬さが充分に確保された焼入硬化層を形成することができるようなラックバーの高周波焼入方法及び装置を提供する。 - 特許庁

The focusing position of a spot formed inside an optical recording medium 28 is adjusted by moving one or both of the lens elements 33a and 33b included in the beam expander 33 in a direction of an optical axis, while spherical aberration caused by depth difference of a recording layer is corrected.例文帳に追加

ビームエクスパンダー３３に含まれるレンズ素子３３ａ及び３３ｂの一方または両方を光軸方向に移動させることによって、光記録媒体２８内部に形成されるスポットの合焦位置を調整すると共に、記録層の深さの相異に起因する球面収差を補正する。 - 特許庁

A dummy via hole that has a depth of at least two insulating layers and is not required electrically is connected to the surface conductor pattern for installing an I/O pin on the ceramic multilayer interconnection board and at the same time to an inner-layer pad being larger than the diameter of the via hole by 20% or more.例文帳に追加

セラミック多層配線基板の入出力ピン設置用表面導体パターンに、絶縁層２層以上の深さを有する電気的に必要の無いダミーのビアホールが接続し、かつそのビアホールがその直径より２０％以上大きい内層パッドに接続する構造とする。 - 特許庁

A dyestuff recording layer, the groove part of which has 50-160 nm thickness, the land part of which is ≥80% of the groove part in thickness and on which information can be recorded by incorporating an organic dyestuff, is formed on a transparent substrate where a pre-groove of 20-100 nm depth is formed.例文帳に追加

溝深さが２０〜１００ｎｍのプレグルーブが形成された透明基板上に、グルーブ部での厚さが５０〜１６０ｎｍであり、且つランド部での厚さがグルーブ部での厚さの８０％以上であって、有機色素を含有することにより情報の記録が可能な色素記録層を形成する。 - 特許庁

The optical scanner includes: a glass substrate (10) on which a metallic wire wiring region is etched to a predetermined depth; a metallic wiring formed in the metallic wire wiring region; a diffusion blocking layer (112) so formed as to cover the metallic wire on the glass substrate; and an optical scanner structure connected to the glass substrate (10).例文帳に追加

金属配線領域が所定の深さにエッチングされたガラス基板（１０）と、金属配線領域に形成された金属配線と、ガラス基板上で金属配線をカバーするように形成された拡散障壁層（１１２）と、ガラス基板（１０）と結合された光スキャナ構造物と、を備える。 - 特許庁

The light emitting element 100 has its light extraction efficiency improved as compared with a configuration wherein only fine unevenness 109 is provided since a surface of an n-type layer 106 on the side of n-type electrodes 107 is subjected to unevenness processing in two stages of recessed portions 108 and fine unevenness 109 which differ in depth and width.例文帳に追加

発光素子１００は、ｎ型層１０６のｎ電極１０７側の面に、凹部１０８と微細な凹凸１０９とによる、深さ、幅の異なる２段階の凹凸加工が施されているため、微細な凹凸１０９のみを施した場合に比べて光取り出し効率が向上している。 - 特許庁

After forming almost rhombus-like rugged pattern or helical-like rugged pattern avoiding the peripheral direction with grooves having 0.5-3 mm pitch and 0.2-3 mm depth by knurl-working on the surface of the roll barrel part, ceramics or glass thermal-sprayed fused layer is arranged on this surface of the roll barrel part.例文帳に追加

ロール胴部表面にローレット加工によるピッチ０．５ｍｍ〜３ｍｍ，深さ０．２ｍｍ〜３ｍｍの溝による略菱形の凹凸パターン又は周方向を避けたヘリカル状の凹凸パターンを成形後、該ロール胴部表面にセラミックス又はガラス溶射溶融層を設ける。 - 特許庁