「layer depth」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

In this method of manufacturing this semiconductor device for implanting ions into an SOI layer to control a threshold voltage of an MOSFET, the threshold voltage control ions are implanted in a concentration distribution wherein the concentration peak value thereof is positioned in the 10% range of the SOI layer thickness centering the 1/2 depth position of the SOI layer.例文帳に追加

本発明は，ＳＯＩ層にイオンを注入してＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧を制御する半導体装置の製造方法であって，しきい値電圧制御イオンを，その濃度ピーク値がＳＯＩ層の１／２深さ位置を中心としてＳＯＩ層厚さの１０％範囲内に位置するような濃度分布で注入する。 - 特許庁

A light-receiving element 70 is composed of a PDSOI transistor (MOS transistor) in which a gate electrode 72 is formed on the surface of a p-type silicon layer 15 used as a channel body via a gate insulation film 71, and a source diffusion layer 73 and a drain diffusion layer 74 are formed to a depth reaching the insulation film 14.例文帳に追加

受光素子７０は、ｐ型シリコン層１５をチャネルボディとして、その表面にゲート絶縁膜７１を介してゲート電極７２が形成され、絶縁膜１４に達する深さにソース拡散層７３およびドレイン拡散層７４が形成された、ＰＤＳＯＩトランジスタ（ＭＯＳトランジスタ）により構成されている。 - 特許庁

From this fact, the depth of a connection hole 133 connecting an upper wiring layer 137 with the substrate 101 is formed shallow, the simultaneous opening of the connection hole 133 with a connection hole 132 connecting an upper wiring layer 136 with a lower wiring layer 134 is facilitated, and the state of connection between wirings in the hole 132 and the hole 133 becomes a satisfactory.例文帳に追加

このことにより、上層配線１３７と半導体基板１０１との接続孔１３３深さが浅くなり、接続孔１３３と、上層配線１３６と下層配線１３４との接続孔１３２との同時開口が容易となり、接続孔１３２や１３３における配線間の接続状態が良好なものとなる。 - 特許庁

The rolling element is composed of a facial layer 1 having a depth of 0.5% or more of the diameter of the rolling element from the surface thereof and an internal part 2 inside the layer 1, wherein the facial layer 1 is composed of dense silicon nitride (density: 3.20 g/cm^3) while the internal part 2 is composed of porous silicon nitride (relative density: 50%).例文帳に追加

転動体は、表面から転動体直径の０．５％以上の深さまでの部分である表層部１とその内側の内部２とで構成されており、表層部１が緻密な窒化ケイ素（密度：３．２０ｇ／ｃｍ^3 ）で構成され、内部２が多孔質窒化ケイ素（相対密度：５０％）で構成されている。 - 特許庁

This device is provided with an excimer laser unit for irradiating the keratocyte layer made to appear by peeling off the surface of the cornea with the excimer laser beam and decomposing, evaporating and removing the keratocyte layer to a prescribed depth and a removal unit for removing a gaseous body generated from the keratocyte layer by the irradiation of the excimer laser beam.例文帳に追加

角膜の表面を剥がして現れた角膜実質層にエキシマレーザー光を照射して、角膜実質層を所定の深さまで分解・蒸発除去するエキシマレーザー装置と、エキシマレーザー光の照射によって角膜実質層から発生したガス状体を除去する除去装置とを備えた。 - 特許庁

The depletion layer capacitance calculation apparatus 5 and the C-V characteristic measuring apparatus 1 accurately calculate the capacitance of the depletion layer in the semiconductor 7 for actually extending in all directions from the applying electrode 8 in the width corresponding to the applied voltage on the assumption that the depletion layer extends in the depth direction only.例文帳に追加

半導体７内で実際には印加電極８から印加電圧に応じた幅で全方向に拡がる空乏層の容量を、空乏層が深さ方向のみに拡がると仮定した仮想状態での容量として算出する空乏層容量算出装置５及びＣ−Ｖ特性測定装置１である。 - 特許庁

The method of manufacturing the optical information recording medium comprises a process for forming an intermediate layer 6d thicker than the depth of the track guide grooves 3 of a track guide layer 4 on the substrate 2 on which the track guide layer 4 is formed and further alternately and continuously depositing the recording layers and the intermediate layers thereon by a vacuum deposition process or a sputtering process.例文帳に追加

トラックガイド層４を形成した基板２上に、前記トラックガイド層４のトラックガイド溝３の深さより厚い中間層６ｄを形成し、さらに記録層と中間層を真空蒸着プロセス、またはスパッタリングプロセスにより交互に連続形成する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The antireflection film includes at least a hard coat layer and a low refractive index layer, successively layered on a transparent film substrate, wherein the surface of the low refractive index layer has recesses in the form of suction cups having a diameter of 0.5 to 15 μm and a depth of 2 to 50 nm by 10,000 to 100,000/mm^2 in number.例文帳に追加

透明フィルム基材上に、少なくともハードコート層、低屈折率層をこの順に積層している反射防止フィルムにおいて、該低屈折率層表面が直径０．５〜１５μｍかつ深さ２〜５０ｎｍの吸盤状凹みを、１０，０００〜１００，０００個／ｍｍ^２有することを特徴とする反射防止フィルム。 - 特許庁

To repair and remove flaws by machining the surface of a disk by a machining section at the machining depth meeting the depth of the flaws and to prevent the deviation of the focal position of a laser beam in reading the information of the disk after the repair and to exactly record and reproduce the information by forming a repair layer according to the machining depth by a repairing agent.例文帳に追加

切削加工部によりディスクの表面を傷の深さに応じた加工深さで切削加工することにより傷を修復除去することができると共に修復剤により加工深さに応じた修復層を形成することにより、修復後のディスクの情報読み取り時におけるレーザー光の焦点位置を狂わせることがなくなり、情報の記録再生を正確に行うことができる。 - 特許庁

In a photosensitive drum (electrophotographic photoreceptor) 2a obtained by sequentially forming an undercoat layer 26 on a conductive substrate 25 and a photosensitive layer 27 on the undercoat layer 26, reduced diameter portions 25a are formed in a non-image area of the conductive substrate 25 and the undercoat layer 26 having a larger thickness than the depth d of the reduced diameter portions 25a is formed on the conductive substrate 25.例文帳に追加

導電性基材２５の上に下引層２６、該下引層２６の上に感光層２７を順次形成して成る感光ドラム（電子写真感光体）２ａにおいて、前記導電性基材２５の非画像領域に段落とし部２５ａを形成し、該段落とし部２５ａの深さｄよりも厚さの厚い前記下引層２６を前記導電性基材２５の上に形成する。 - 特許庁

In the magnetic recording medium 10 with a magnetic layer 2 formed by coating with a magnetic coating material on a nomnagnetic substrate 1, the content ratio of carbon constituting a binder to the element of a magnetic powder in the surface layer of the magnetic layer 2 is adjusted to ≥90 vol/% and that in ≥50 Å depth from the surface of the magnetic layer 2 is adjusted to ≤70 vol/%.例文帳に追加

非磁性支持体１上に、磁性塗料の塗布により形成された磁性層２を有する磁気記録媒体１０において、磁性層２表層における結合剤を構成するカーボンの、磁性粉末元素に対する含有比率を９０〔ｖｏｌ／％〕以上とし、磁性層２の表面から５０〔Å〕以上の深さにおいては、７０〔ｖｏｌ／％〕以下であるものとする。 - 特許庁

The oblique ion pouring and the ion pouring for forming the well-contact layer 4 are effected, so that the profile 34 of a first conductivity impurities forming the well contact layer 4 covers the profile 33 of impurities forming the impurities diffusion layer in the profile of impurities in the well contact layer 4, when a depth is positioned in the axis of ordinates and the density of impurities is positioned in the axis of abscissas.例文帳に追加

上記斜めイオン注入と、上記ウェルコンタクト層４を形成するためのイオン注入とは、ウェルコンタクト層４の不純物プロファイルにおいて、縦軸に深さをとり、横軸に不純物濃度をとったとき、不純物拡散層を形成する不純物のプロファイル３３を、ウェルコンタクト層４を形成する第１導電型の不純物プロファイル３４が覆い被さるように行なう。 - 特許庁

The depth h2 of a second pre-groove is set so that a second information recording layer 28 satisfies a target reflectance based on an absorbance of a second pigment used for the second information recording layer 28, especially a second absorbance in the wavelength of the laser beam 32 to be used.例文帳に追加

さらに、第２情報記録層２８に使用される第２色素の吸光度、特に、使用されるレーザ光３２の波長における第２吸光度に基づいて、第２情報記録層２８が目標反射率を満足するように、第２プリグルーブの深さｈ２を設定する。 - 特許庁

To provide a welding method in which the properties for increasing the penetration depth in a molten pool are brought out to the maximum without depending on the components in a flux layer formed on the surface of the material to be welded, and the formation cost of the flux layer can be reduced.例文帳に追加

本発明は、被溶接材の表面に形成するフラックス層の成分に依ることなく、その溶込み深さ向上特性を最大限に引き出し、フラックス層の形成コストを削減することが可能な溶接方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In response to a wavelength of light, the depth of a first conductive layer (160, 162, and 164) is optimized for constituting a photodiode, a first conductive layer (162, 164) of a photodiode is shallowly formed for receiving each light of green (G) and blue (B) of short wavelength, and it eliminates a useless structure.例文帳に追加

光の波長に応じて、フォトダイオードを構成する第１導電型層（１６０，１６２，１６４）の深さを最適化し、短波長の緑（Ｇ），青（Ｂ）の各光を受けるフォトダイオードの第１導電型層（１６２，１６４）を浅く形成し、無駄な部分をなくす。 - 特許庁

A heat-insulating brick 1 which forms a dividing wall of an air heating furnace and a vacuum degassing furnace has an aeration insulating layer for insulating aeration at a definite depth from the low temperature- side end section 1B of heat gradient, and the aeration insulating layer is formed by impregnating the heat-insulating brick with a resin.例文帳に追加

熱風炉、真空脱ガス炉の隔壁を構成する断熱煉瓦１は、熱勾配の低温側端面１Ｂから所定深さの通気を遮断する通気遮断層を有し、この通気遮断層は、断熱煉瓦に樹脂を含浸させて形成されている。 - 特許庁

The depth h1 of a first pre-groove 12 is set so that a first information recording layer 22 satisfies a target reflectance based on an absorbance of a first pigment used for the first information recording layer 22, especially a first absorbance in the wavelength of a laser beam 32 to be used.例文帳に追加

第１情報記録層２２に使用される第１色素の吸光度、特に、使用されるレーザ光３２の波長における第１吸光度に基づいて、第１情報記録層２２が目標反射率を満足するように、第１プリグルーブ１２の深さｈ１を設定する。 - 特許庁

To provide an apparatus for modifying the bottom mud layer of a sea area economically excellent, also capable of widely applying it from tideland having a wide area to the bottom part of the sea having the depth of the sea of several tens of meters, and efficiently modifying the bottom mud layer by a simple configuration, and its method.例文帳に追加

簡単な構成により経済性に優れ、しかも広域な干潟から数十メートルの水深の海底部分に至るまで広く適用できて効果的に底泥層の改質を行なう海域底泥層の改質装置及びその方法を提供する。 - 特許庁

As a measure against the insufficient setting of depth of the existing landslide control steel pipe pile 120 into a support layer, the micro pile 11 projecting to a deep layer longer than the existing landslide control steel pipe pile 120 can secure a considerably large peripheral surface frictional force to secure a necessary bearing force.例文帳に追加

又、既設鋼管抑止杭１２０の支持層への根入れ不足対策としても、既設鋼管抑止杭１２０よりも長く深層へと突出するマイクロパイル１１が、比較的大きな周面摩擦力を確保し、必要な支持力を確保するものとなる。 - 特許庁

The slip-resistant glove includes a fibrous glove and a rubber or resin coating layer over the surface of the glove, wherein recessed parts each having a width of 0.1 to 425 μm, a depth of 0.1 to 200 μm and a number density of 1,000 to 5,000 pieces/cm^2 is formed on the surface of the coating layer.例文帳に追加

繊維製手袋とその表面のゴム又は樹脂の被覆層とからなり、該被覆層の表面に幅０. １〜４２５μm 、深さ０. １〜２００μm 、数密度１０００〜５０００個/cm^2の凹部が設けられていることを特徴とする滑り止め性手袋である。 - 特許庁

In the hard chromium plating layers, micro-cracks are distributed each including a part which opens at the outer surface and has such a depth as remaining in the same chromium plating layer and a part which extends to the other layer situated deeper.例文帳に追加

硬質クロムめっき層には、外面側に開口し、深さ方向には、自己の開口が存在する各硬質クロムめっき層内に留まる部分と、自己の開口が存在する各硬質クロムめっき層よりも下層内まで延びている部分を含む微細亀裂を分布させる。 - 特許庁

To provide a multilayer printed wiring board in which it is not necessary to increase the diameter or the depth of a hole for forming an insulating resin layer for constituting a build-up layer when via hole are formed in a core substrate or directly under and above a through hole.例文帳に追加

コア基板におけるビアホールあるいはスルーホールの直下及び直上にビアホールを形成するに際し、ビルドアップ層を構成する絶縁樹脂層に形成する穴の径を大きくしたり深さを大きくする必要の無い多層印刷配線板を提供する。 - 特許庁

According to the method that the damaged surface layer beneath the coating on a component, the component is inspected in order to evaluate a depth of the damaged substrate layer and a plurality of points over an outer surface of the component are detected in order to determine a three-dimensional outer surface profile.例文帳に追加

部品のコーティングの下側の損傷表面層を除去する本発明の方法によれば、損傷基材層の深さを評価するため部品を検査し、次いで部品の三次元外面プロファイルを求めるため部品の外面の複数の点を検知する。 - 特許庁

Base paper having an interlayer strength of ≥70 N/m is selected and a depth of a half cut formed along each folding line is controlled within the range of 30-70% of the full thickness of the base paper and within the range of 20-80% of the layer thickness of a layer to which the front edge reaches.例文帳に追加

層間強度が７０Ｎ／ｍ以上の原紙を選択し、折曲線に沿って形成したハーフカットの深さを原紙の全厚の３０〜７０％の範囲内にし、最先端部が達した層の層厚の２０〜８０％の範囲内に制御する。 - 特許庁

A polysulfone film is characterized in that a layer (A layer) having the depth of 1 μm from the surface has ≤200 nm average pore diameter, 40-75% average porosity and the diffused amount of meta-phenylenediamine of 1×10^-3 to 2×10^-3 mol/m^2.例文帳に追加

表面から深さ１μｍの層（Ａ層）の平均細孔径が２００ｎｍ以下であって、平均空隙率が４０〜７５％であり、かつメタフェニレンジアミン拡散量が１×１０^−３ ｍｏｌ／ｍ^２以上２×１０^−３ ｍｏｌ／ｍ^２以下であることを特徴とするポリスルホン膜。 - 特許庁

Since the epiderm layer of the skin 46 is expanded thinly along the spherical surface of the part 23 by the irradiator 5, the power of the laser beams which have to reach acupoints 47 existing in the depth of the skin 46 is prevented from being lost remarkably due to the epiderm layer.例文帳に追加

また、レーザ光照射装置５によれば、放光部２３の球面にならわせて皮膚４６の表皮層を薄く押し広げるので、皮膚４６の奥に在るツボ４７へ到達すべきレーザ光のパワーが、表皮層によって大きく損失してしまうことを抑制する。 - 特許庁

A plurality of second conductance type highly doped source drains are disposed adjacent the tops of the trenches in the upper layer and each source region extends from the upper surface down to a depth in the upper layer so as to overlap with the conductive material in the trench.例文帳に追加

複数の第２のコンダクタンス型の高度にドープされたソース領域が各トレンチの上部に隣接して上部層に配置され、各ソース領域はトレンチ内の導電性材料との間でオーバーラップするように上部層内の深さにまで上部表面から延びている。 - 特許庁

In an embodiment of this invention, a slit 9 having the depth (h) of the elastic pavement surface layer 5 is formed at a predetermined interval on the elastic pavement surface layer 5, and the area of a segment 5a partitioned by this slit 9 is desirably set to 1 to 40,000 cm^2.例文帳に追加

この発明の実施形態では、前記弾性舗装表面層５に、弾性舗装表面層５の深さｈのスリット９を所定の間隔で形成してあり、このスリット９で区画されるセグメント５ａの面積は、１〜４０，０００ｃｍ^２であることが好ましい。 - 特許庁

The recording method manages the range and the sequence of recording of data to the recording layers such that a recording layer 3 this side when viewed from a light incident side records the data and thereafter light is incident onto a recording layer 2 at the depth from the light incident side through the recorded region to record the data.例文帳に追加

光入射側から見て手前の記録層３おいて記録を行い、その後、光入射側から当該記録済み領域を通して光を入射して奥の記録層２おいて記録を行うように、記録層への記録の範囲と順序を管理する。 - 特許庁

On the surface of a second translucent substrate 24 covering the color filters 22 (R), (G), (B), a light shielding layer 25a is formed inside a second concave portion 24a and thereby, the color filters 22(R), (G), (B) are nearer to the light shielding layer 25a by the depth of the second concave portion 24a.例文帳に追加

カラーフィルタ２２（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）を覆う第２の透光性基板２４の表面では、第２の凹部２４ａの内部に遮光層２５ａが形成されているため、第２の凹部２４ａの深さ分だけ、カラーフィルタ２２（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）と遮光層２５ａとが近接している。 - 特許庁

More preferably the width of the grooves 4A and 4B is 1 to 5 mm and when the adhesive layer 15 is interposed between the adhesion surface 10b of the first optical part 10 and the adhesion surface 3a of the mount 3, the depth of the adhesive layer 15 is 1 to 3 μm.例文帳に追加

好ましくは、溝４Ａ、４Ｂの幅が１−５ｍｍであり、第一の光学部品１０の接着面１０ｂとマウント３の接着面３ａとの間に、接着剤層１５が介在している場合には、接着剤層１５の厚さが１−３μｍである。 - 特許庁

To provide a power semiconductor device wherein thermal stress is small, a terminating end length is short since a guard ring diffusion layer is shallow, the variation of the depth of the guard ring diffusion layer is small, the working process difficulty of a fine element structure is low and loss is low, and its manufacturing method.例文帳に追加

熱ストレスが小さく、ガードリング拡散層が浅いため終端長が短く、ガードリング拡散層の深さのばらつきが小さく、微細な素子構造の加工プロセス難度が低く、損失が低い電力用半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

At the time of obtaining a spring steel through the stages of quenching and tempering, the quenching temperature of the surface is controlled to below the A3 point, and a decarburized layer essentially consisting of a mixed structure of pro-eutectoid ferrite and sorbite is formed on the surface layer part to a depth of 0.01 to 0.20 mm from the surface.例文帳に追加

焼入れ、焼戻しの工程を経てばね鋼を得るにあたり、表面の焼入れ温度をＡ_３点未満とし、表面から０．０１ｍｍ以上０．２０ｍｍ以下の表層部に、初析フェライトとソルバイトとの混合組織を主体とする脱炭層を形成する。 - 特許庁

There are formed as a surface layer on a silicon layer 33 of an SOI substrate 30 an N^+-type well region 34 at a predetermined depth which does not reach a silicon oxide film 32 and a P^+-type base region 35 reaching a silicon oxide film 32, both being separated by a predetermined distance.例文帳に追加

ＳＯＩ基板３０のシリコン層３３には、表面層にシリコン酸化膜３２まで到達していない所定深さのＮ^＋型ウェル領域３４とシリコン酸化膜３２まで到達したＰ^＋型ベース領域３５とが所定距離離間して形成されている。 - 特許庁

Furthermore, the p-type deep layer 10 can be formed deeper so as to enable formation of the position of the bottom part of the p-type deep layer 10 to be surely deeper than the position of the bottom of the trench 6, which does not require control of the difficult trench depth.例文帳に追加

さらに、このようにｐ型ディープ層１０を深く形成できることから、トレンチ６の底部の位置よりもｐ型ディープ層１０の底部の位置の方が確実に深い位置に形成されるようにできるため、難しいトレンチの深さ制御を行う必要もない。 - 特許庁

By applying shock from outside after the bonding process, Si-Si bonds inside the ion implanted layer 11 are cut to automatically peel off a single crystal silicon thin film along the crystal plane at a position corresponding to the predetermined depth (average ion implantation depth L) near the surface of the single crystal Si substrate 10.例文帳に追加

このような接合工程の後、外部から衝撃を加えることでイオン注入層１１内でのＳｉ−Ｓｉ結合を切り、単結晶Ｓｉ基板１０の表面近傍の所定の深さ（平均イオン注入深さＬ）に相当する位置の結晶面に沿って単結晶シリコン薄膜を機械的に剥離する。 - 特許庁

The copper foil includes a surface treatment layer which has at least a part of a copper foil surface with azole-based compound and C=O and N and C detection amount obtained by detecting N and C through depth-direction analysis by XPS, and which has an average value D_0 of 2.0-5.0 nm in a depth range larger than a background level.例文帳に追加

銅箔表面の少なくとも一部にアゾール系化合物及びＣ＝Ｏを有する表面処理層が形成され、ＸＰＳによる深さ方向分析で、Ｎ及びＣを検出し、且つ、Ｎ及びＣ検出量がバックグラウンドレベルよりも大きい深さ範囲の平均値Ｄ_0が２．０〜５．０ｎｍである銅箔。 - 特許庁

When the counter substrate 1 is manufactured, a recessed part 11 having prescribed depth is provided in a transparent substrate 10 and a light shielding film 20 is deposited in the recessed part 11 having prescribed depth so as to have the same plane as the transparent substrate 10 to flatten an alignment layer to be formed on the counter substrate 1.例文帳に追加

対向基板１製造の際、透明基板１０に所定の深さを有する凹部１１を設け、この所定の深さを有する凹部１１中へ遮光性膜２０を形成し、さらに遮光性膜２０と透明基板１０とを同一平面とすることで、対向基板１上へ化形成される配向膜を平坦化した。 - 特許庁

The steel spring has a compression residual stress of 700MPa or more at a depth of 50μm from the surface with a fine crystal phase having a hardness of 800HV or more formed in a top surface layer portion being 3μm or less in depth from the surface, and its surface has a surface roughness Rmax of 30 or less.例文帳に追加

鋼製で、表面から５０μｍの深さの圧縮残留応力が７００ＭＰａ以上であり、該表面から深さ３μｍ以下の最表層部に硬さ８００ＨＶ以上の微細結晶相を有し、かつ、該表面の表面粗さＲｍａｘが３０以下であることを特徴とする。 - 特許庁

A heavily doped diffusion layer 23 forming a movable plate 10 has a part where the distribution in the depth direction becomes uneven or discontinuous at least partially in the plane of a silicon substrate 20.例文帳に追加

可動板１０を形成する高濃度不純物拡散層２３は深さ方向分布がシリコン基板２０面内において少なくとも一部で不均一又は不連続となる部分を形成した。 - 特許庁

To provide an etching end point judging method and a plasma processing device which performs the end point judging method, by using a film thickness measurement method of a processed material, capable of measuring the amount of actual remaining film and etching the depth of the processed layer on-line.例文帳に追加

被処理層の実際の残膜量やエッチング深さをオンラインで正確に測定することのできる被処理材の膜厚測定方法を用いたエプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The area rate of oxide inclusion having a thickness of 2 to 15 μm present in a surface layer region from the surface to 0.3 mm depth in a vertical cross section of the steel ranges from 300×10^-8 to 700×10^-8.例文帳に追加

鋼の縦断面における表面から深さ０．３ｍｍまでの表層域に存在する厚み２〜１５μｍの酸化物系介在物の面積率が、３００×１０^-8〜７００×１０^-8である。 - 特許庁

Furthermore, (B1) a half-cut forming step of forming a half-cut into the depth from the surface of the transparent covering layer on the edge of the release sheet to the surface of the release sheet may be provided between the step (B) and the step (C).例文帳に追加

更に、（Ｂ）と（Ｃ）の間に、（Ｂ１）剥離性シートの端部上の透明被覆層の表面からハーフカットを剥離性シート表面までの深さで入れておく、ハーフカット形成工程を設けても良い。 - 特許庁

A light absorbing layer 2 is provided with opening domains arranged approximately regularly to a depth until a substrate surface is exposed as a graduation through irradiation of laser light, and is laminated on the reflection surface side of the substrate 1.例文帳に追加

光吸収層２は、レーザ光の照射により、目盛りとして基材表面が露出するまでの開口領域を略周期的に設け、基材１の反射表面側に積層する。 - 特許庁

The microscopic structure of a P-type semiconductor layer is formed through a manner in which disks are decreased enough in vertical dimension (depth) and expanded enough in horizontal dimension by selective diffusion.例文帳に追加

Ｐ型半導体層の微視的構造をディスク群として垂直寸法（深さ）を十分に短縮し，且つ水平寸法を十分に広げた形状に選択拡散により形成する構造とした。 - 特許庁