「layer depth」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

On the surface of the magnetic layer number of recessed parts having depth of ≥1/3 of a minimum recording bit length is ≤100 pieces/10,000 μm^2 and a central plane average roughness SRa is ≤6.0 nm.例文帳に追加

前記磁性層表面に存在する最小記録bit長の１／３以上の深さを有する凹みの数は１００個／１００００μｍ^2以下であり、かつ前記磁性層表面の中心面平均粗さＳＲａが６．０ｎｍ以下である。 - 特許庁

In the method of manufacturing the SOI substrate 10, a buried silicon oxide layer 12 is formed in a silicon wafer 11 at a prescribed depth from the surface of the wafer 11 by annealing the wafer after oxygen ions are implanted into the wafer 11 from the surface of the wafer 11.例文帳に追加

シリコンウェーハ１１の表面から酸素イオンを注入した後、シリコンウェーハをアニール処理してウェーハ表面から所定の深さに埋込みシリコン酸化層１２を形成するＳＯＩ基板１０の製造方法である。 - 特許庁

The n-type pillar region 15 and p-type pillar region 14 each comprises a plurality of n-type diffusion regions 15X and a plurality of p-type diffusion regions 14X formed successively along the depth of the n-type epitaxial layer 13.例文帳に追加

ｎ型ピラー領域１５及びｐ型ピラー領域１４は、ｎ型エピタキシャル層１３の深さ方向に並んで形成される複数のｎ型の拡散領域１５Ｘ及び複数のｐ型の拡散領域１４Ｘにより構成される。 - 特許庁

A concrete layer 16 formed by placing concrete is formed at positions being head parts of the internal pipe 11 and the external pipe 12 between the internal pipe 11 and the external pipe 12 by setting its depth to be 0.5 times outside diameter of the internal pipe 11 or less.例文帳に追加

内管１１と外管１２との間には、当該内管１１および外管１２の頭部となる位置に深さが内管１１の外径の０．５倍以下となるようにコンクリートが充填されてなるコンクリート層１６が形成されている。 - 特許庁

In the IC card, in which an IC module is held between a pair of packaging films through an adhesive layer, the surface form has the sum of maximum peak and depth ≤50 μ or continuous ruggedness ≤1.例文帳に追加

ＩＣモジュールが接着剤層を介して一対の外装フィルムで挟み込まれてなるＩＣカードであって、表面形状について、最大山高さと最大谷深さとの和が５０μｍ以下であるか、又は連続する山谷が１つ以下である。 - 特許庁

After this, a groove part 12 is formed between adjacent chips by applying dicing cut to the glass wafer until the depth position in the adhesive resin layer 9 from the glass wafer 11 side on a scribe line 10 by a first dicing blade having a coarse grain size and a wide blade width.例文帳に追加

その後、粒度が粗くブレード幅の広い第１ダイシングブレードにより、スクライブライン１０上をガラスウェハ１１側から接着樹脂層９内の深さ位置までダイシングカットして、隣接チップ間に溝部１２を形成する。 - 特許庁

Thereafter, in a second immersing step, the other immersed rings 5D to 5I are further sequentially piled up on each other and press-fitted, to thereby immerse the immersed body 1 consisting of the nine immersed rings 5A to 5I to a farther depth by penetrating the hard layer.例文帳に追加

その後、第２の沈設工程で、上記沈設体１の上に、更に別の沈設リング５Ｄ〜５Ｉを順次積み重ねて圧入することにより、９つの沈設リング５Ａ〜５Ｉよりなる沈設体１を硬質層を貫いて更に深くまで沈設する。 - 特許庁

An N-type low-concentration drain region 3, a source region 5, a drain ohmic region 7, a P-type channel region 9, and an ohmic channel region 11 are formed in a silicon layer 1c at a depth reaching an embedded oxide film 1b.例文帳に追加

シリコン層１ｃに、埋め込み酸化膜１ｂに達する深さで、Ｎ型の低濃度ドレイン領域３、ソース領域５、ドレインオーミック領域７、及びＰ型のチャンネル領域９、オーミックチャンネル領域１１が形成されている。 - 特許庁

To provide a method for designing a resin-coated saw wire that provides a cut body with a shallow depth of a work-affected layer and with a smooth surface when a workpiece is cut off by using the resin-coated saw wire obtained by coating the surface of a steel wire with resin.例文帳に追加

鋼線の表面に樹脂を被覆した樹脂被覆ソーワイヤを用いてワークを切断したときに、加工変質層深さが浅く、平滑な表面の切断体が得られる樹脂被覆ソーワイヤの設計方法を提供する。 - 特許庁

To provide a hologram recording apparatus which can perform multi-layer recording using a comparatively simple servo system because the hologram recording apparatus does not requires a servo pattern nor sticking positioning accuracy as a result, and requires not so severe positioning accuracy for a depth direction.例文帳に追加

サーボパターンが不要で貼り合わせ位置決め精度を必要とせず、且つ、厚み方向に対する位置決め精度をそれ程厳しくする必要がないため、比較的簡単なサーボ系を用いて多層記録することを可能にする。 - 特許庁

The base material made of titanium metal has a net-like weathered layer of 0.1 to 20 μm in depth, which is formed by immersing a thin piece of titanium metal of 300 μm or less in thickness in an aqueous alkaline solution of 5 N or lower for 0.5 to 12 hours.例文帳に追加

厚さが３００μｍ以下のチタン薄片を５Ｎ以下のアルカリ水溶液に０．５〜１２時間浸漬することにより形成される深さが０．１〜２０μｍの網目状の侵食層を備えたチタン金属製の基材。 - 特許庁

An impurity region 19 having the same impurity concentration with that of the impurity region 17 is formed at the same depth of that of the impurity region 17 from the surface of the semiconductor substrate 11 in the semiconductor substrate 11 under the diffusion layer 18.例文帳に追加

拡散層１８下で半導体基板１１の表面から不純物領域１７と同じ深さの半導体基板１１内に、不純物領域１７と同じ不純物濃度を持つ不純物領域１９が形成されている。 - 特許庁

The printing is performed by the thermal printer on a paper 7 constituted such that a base material 7a having a thermally coloring layer and the separator 7b having the depth-of-cut 7d in a direction parallel to a paper feeding direction are adhered to each other by an adhesive 7c.例文帳に追加

感熱式プリンタで、感熱発色層を有する基材７ａと用紙搬送方向に平行な方向の切込み７ｄを有するセパレータ７ｂとが粘着剤７ｃを介して貼り合わされた構成の用紙７に印字する。 - 特許庁

Thereby, even if n type impurities injected in forming the n^+ type source region 4 intrude to a deep position relative to a desired depth of the n^+ source region 4, it is compensated by the p^+ type layer 6.例文帳に追加

これにより、ｎ^+型ソース領域４を形成する際に注入されたｎ型不純物がｎ^+型ソース領域４の所望深さよりも深い位置まで入り込んだとしても、それをｐ^+型層６にて補償することが可能となる。 - 特許庁

This semiconductor device comprises a gate 40, a gate oxide layer 41 beneath the gate 40, a source region 42 and a drain region 43 having a junction depth 45, a channel length 44, a halo injection part 46, a compensated injection part 47, and a side distribution tail 48.例文帳に追加

ゲート４０、ゲート４０の下のゲート酸化物層４１、接合深さ４５を有するソース領域４２とドレイン領域４３、チャネル長４４、ハロー注入部４６、補償注入部４７と側部分布テール４８を有する。 - 特許庁

Then molding (nano-printing) is carried out by using a device having a mechanism of determining the depth and XY location of the resin, and therefore the molding of the resin is achieved by minutely controlling the thickness and location of the resin layer, whereby the resin is cured by applying the ultraviolet rays.例文帳に追加

樹脂の厚みおよびＸＹの位置決め機構を有する装置を用いて成形（ナノプリント）を行うことで、樹脂層の厚み、位置を精密にコントロールしながら成形し、紫外線照射することで硬化させる。 - 特許庁

The cutting device is to cut a laminate member upon pressing a cutter blade 32 to a receptacle table 31, wherein the receptacle surface 31a of the table 31 is provided with a recess 31b of a depth corresponding to the thickness of the first or second layer of the laminate member.例文帳に追加

受台３１に切断刃３２を押し当てて積層部材を切断する切断装置において、受台３１の受面３１ａに積層部材の第１層又は第２層の厚さに相当する深さの凹部３１ｂが形成される。 - 特許庁

The ratio Rsch of a region on a Schottky junction 7 to a region of an anode electrode 1, the cell pitch W, the diffusion depth Xj of a p+ anode layer 2 meet a relation W<K(Xj/Rsch) with K set to 5 or less.例文帳に追加

ショットキー接合部７の領域のアノード電極１の領域に対する割合Ｒsch と、セルピッチＷと、Ｐ^+ アノード層２の拡散深さＸJ の関係を、Ｗ＜Ｋ（Ｘj ／Ｒsch ）を満足させながら、Ｋの値を５以下とする。 - 特許庁

To provide an execution method of a steel pipe pile capable of obtaining sufficient bearing power even if the penetration depth of a tip part of the steel pipe pile to a relatively hard support layer is reduced.例文帳に追加

本発明は、比較的硬い支持層に対する鋼管杭の先端部の貫入深さを小さくしても十分な支持力を得ることが出来る鋼管杭の施工方法を提供することを可能にすることを目的としている。 - 特許庁

The first groove 26 and the second groove 25 whose depth are different from each other are formed using a resist layer and a detachable mask member based on the fact that they don't adversely affect each other even if they are used redundantly.例文帳に追加

このような深さの異なる第１の溝２６および第２の溝２５は、レジスト層と着脱自在のマスク部材とを用い、これらを重複して使用しても相互に悪影響を及ぼさないことを利用して形成される。 - 特許庁

To provide a metal decorative sheet which has excellent physical properties of melamine by providing an overlay layer on the surface, allows the texture of the core substrate to be exhibited as an emboss at the time of hot press molding and gives a design having depth and an emboss provided in the inside.例文帳に追加

表面にオーバーレイ層を設ける事によりメラミンの優れた物性を有し、かつ熱圧成型の際にコア基材の地合をエンボスとして発現させる事ができ、内部にエンボスを施したような奥行きのある意匠を得る。 - 特許庁

The independent oxides of Si, Mn or Al, oxides including two or more selected from Si, Mn and Al or their multiple oxides are present in the base material of the steel sheet within a depth of 2 μm from the boundary between the plating layer and the base material of the steel sheet.例文帳に追加

めっき層と鋼板母材との界面から深さ２μｍ以内の鋼板母材中に、Ｓｉ、ＭｎまたはＡｌの単独酸化物、これらの二種以上を含む酸化物、又はこれらの複合酸化物が存在する。 - 特許庁

To efficiently extract a hole without using a conductive buffer layer, without requiring a complicated process, without requiring extremely high depth-precision dry etching, and without deteriorating crystalline concerning a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置において、導電性バッファ層を用いることなく、煩雑なプロセスも必要なく、非常に高い深さ精度のドライエッチングも必要なく、また、結晶性を劣化させずに、効率良くホールを引き抜くことができるようにする。 - 特許庁

As the single crystalline silicon substrate 10 to be laminated on the quartz substrate 20, a substrate satisfying the relation 2L≤t_ox between the thickness of the oxide film t_ox and an average ion implantation depth L of an ion implantation layer 12 of hydrogen may be used.例文帳に追加

石英基板２０と貼り合わせる単結晶シリコン基板１０として、酸化膜の膜厚と水素のイオン注入層１２の平均イオン注入深さＬが２Ｌ≦ｔ_oxの関係を満足する基板を用いることとしてもよい。 - 特許庁

To provide a ground improvement method by vacuum consolidation of the soft ground effectively carrying out the soft ground improvement by vacuum consolidation making use of a vertical drainage material for the soft ground having a sand layer in an intermediate depth position.例文帳に追加

中間深さ位置に砂層が存在する軟弱地盤に対する鉛直ドレーン材を使用した真空圧密による軟弱地盤改良が効果的になされる軟弱地盤の真空圧密による地盤改良工法の提供 - 特許庁

By making the holding layer 3 to have a sufficient thickness to hold the circular beam absorber 2, the holding strength of the circular beam absorber 2 can be kept without increasing the depth of the ring band opening 7.例文帳に追加

保持層３に、円形のビーム吸収体２を保持するために充分な厚みを持たせることにより、輪帯状の開口部７の深さを深くすることなく、円形ビーム吸収体２の保持強度を確保することができる。 - 特許庁

Formed is, just under the silicide block 51a of an HV ESD protection device 1A, a diffusion layer resistance region 29a of the same junction depth as those of LDD diffusion layers 26a and 27a for forming an extension region.例文帳に追加

たとえば、ＨＶ用のＥＳＤ保護素子１Ａのシリサイドブロック５１ａの直下には、エクステンション領域を形成するためのＬＤＤ拡散層２６ａ，２７ａと同じ接合深さの拡散層抵抗領域２９ａが形成されている。 - 特許庁

A pile hole 6 for the cast-in-place concrete pile of the lower pile is excavated down to the prescribed setting depth of a support layer continuously with the removal of sediment inside a steel pipe sheet pile so as to have almost the same diameter as the inner diameter of the steel pipe sheet pile 5 of the upper pile.例文帳に追加

下部杭の場所打ちコンクリート杭の杭孔６を、上部杭の鋼管矢板５の内径とほぼ同径で鋼管矢板５の内部の土砂除去と連続して支持層の所定根入れ深さまで掘削する。 - 特許庁

The film thickness measuring method forms a step part 10 on the laminated film L0 by lifting off the mask pattern M and obtains film thickness Tm of the measuring object layer Lm as Tm=T0-(T1+T2) by measuring depth T0 of the step part 10 by a stylus method.例文帳に追加

そして、マスクパターンＭをリフトオフして積層膜Ｌ０に段差部１０を形成し、段差部１０の深さＴ０を触針法によって測定して測定対象層Ｌｍの膜厚ＴｍをＴｍ＝Ｔ０−（Ｔ１＋Ｔ２）として得た。 - 特許庁

To provide a rolling element for a toroidal type continuously variable transmission and a working method therefor, in which a machining cost can be reduced and a residual compressive stress layer of which the internal depth is deep is added, and of which the rolling fatigue-bearing life can be prolonged.例文帳に追加

加工費用を低減でき、転動面の表層に内部深さが深い圧縮残留応力層を付加し、転動疲労寿命の向上を図り得るトロイダル型変速機用の転動体およびその加工方法を提供する。 - 特許庁

Breakdown voltage can be enhanced by forming a heavily doped P type guard ring region 5 having a depth of 2 μm and an impurity concentration of 1×10^16/cm^3-6×10^17/cm^3 in a lightly doped N type epitaxial layer 2.例文帳に追加

低濃度Ｎ型エピタキシャル層２に、深さ２μｍ、不純物濃度１×１０^16／ｃｍ^3〜６×１０^17／ｃｍ^3程度の高濃度Ｐ型ガードリング領域５を形成することにより、耐圧を高くすることが可能となる。 - 特許庁

As for a semiconductor device as a diode, a dam groove (16) having depth does not reach the pn junction of semiconductor areas (2-4) is circularly formed on one main surface (1a) of a semiconductor substrate (1) between the mesa groove (5) and a cathode electrode layer (6).例文帳に追加

本発明による半導体装置としてのダイオードは、メサ溝(5)とカソード電極層(6)との間の半導体基体(1)の一方の主面(1a)に各半導体領域(2〜4)のＰＮ接合部に達しない深さのダム溝(16)を環状に形成する。 - 特許庁

Since AlN is used as a material of the buffer layer 11, pits do not occur in the crystal and variation in crystal orientation is small, even if the depth of the unevenness is 1.2 to 2.5 μm, and the inclination angle of the side surfaces of convex portions is 40 to 80°.例文帳に追加

ここで、バッファ層１１としてＡｌＮを用いているため、凹凸の深さ１．２〜２．５μｍ、凹凸側面の傾斜角度が４０〜８０°の場合であっても、結晶にピットが発生せず、結晶方位のばらつきが小さい。 - 特許庁

A groove 2 having a depth D not less than 10μm deep, for example, is formed on the silicon substrate 1, and the level difference 15 of an Al film 14 formed while coping with the groove 2 is utilized as the registration mark upon forming the Al wiring layer 14'.例文帳に追加

例えば、深さＤが１０μｍ程度以上の溝２をシリコン基板１に形成し、この溝２に対応して形成されたＡｌ膜１４の段差１５を、Ａｌ配線層１４′の形成時の位置合わせマークとして利用する。 - 特許庁

This is a manufacturing method of an ion conductive membrane in which the conductivity of the single membrane (not compound membrane) having conductivity is lower than the conductivity of the inside at the depth of 50 μm or less of the surface layer on at least one face.例文帳に追加

イオン導電性を持った単一膜（複合膜ではない）の少なくとも一面の表面層５０μｍ以内の深さで、導電性が内部の導電性に比較し、低いことを特徴とするイオン導電性膜の製造方法。 - 特許庁

In the groove area, at least a groove part and a solid part with a depth reaching the side surface of the optical waveguide are alternately formed in a direction parallel to the upper surface of the clad layer and perpendicular to the drawing direction of the optical waveguide.例文帳に追加

この溝領域には、クラッド層の上面に平行であって光導波路の延伸方向に垂直な方向に向けて、少なくとも光導波路の側面に至る深さの溝部と中実部とが交互に形成される。 - 特許庁

To provide a method for improving active lime-containing groun stabilizing solid waste ground by pouring carbonated water or carbon dioxide eutrophied gas into a groundwater layer with a specific depth of active lime (CaO)-containing soil.例文帳に追加

活性石灰（ＣａＯ）含有土壌の所定深さの地下水層に炭酸水または二酸化炭素富化ガスを注入することで、廃棄物地盤の安定化を図った活性石灰含有地盤の改質方法を提供する。 - 特許庁

The second impurity layer 110 has a second peak in the impurity concentration distribution in the depthwise direction, and the second peak is located in a region deeper than the first peak but shallower than the junction depth of the source-drain region 108.例文帳に追加

第２の不純物層１１０は深さ方向の不純物濃度分布に第２のピークを持つと共に、該第２のピークは第１のピークよりも深く且つソース・ドレイン領域１０８の接合深さよりも浅い領域に位置している。 - 特許庁

To allow the shapes of diffused source and drain layers to be made shallow in the depth direction and small in the lateral direction, and to allow redistribution of the impurity in a diffused extension layer to be suppressed, while suppressing manifestation of short channel effect accompanied with miniaturization.例文帳に追加

微細化に伴う短チャネル効果の顕在化を抑制しながら、ソース・ドレイン拡散層の形状を深さ方向で浅く且つ横方向で小さくできるようにし、エクステンション拡散層の再分布をも抑制できるようにする。 - 特許庁

The p-type high resistance wafer is provided with a resistance rate of not less than 100 Ωcm and whose p/n converting unit due to the generation of the thermal donor in the manufacturing process of the device is in a depth not contacting with a device activating region or a depletion layer region.例文帳に追加

抵抗率が１００Ωｃｍ以上で、デバイスの製造工程でのサーマルドナー発生によるｐ／ｎ反転部が、デバイス活性領域や空乏層領域には接しない深さにあるｐ型の高抵抗ウェーハ。 - 特許庁

Ti, Nb, V, Mo, Zr-based precipitates or composite precipitates with a grain size of 10 to 2,000 Å are dispersed into the matrix of the base steel, and the average crystal grain size in the region from the surface layer to the depth of the sheet thickness×1/3 is refined to ≤50 μm.例文帳に追加

下地鋼のマトリックスには粒径：10〜2000ÅのTi，Nb，V，Mo，Zr系析出物又は複合析出物が分散しており、表層から板厚×1／3の深さまでの領域における平均結晶粒径が50μm以下に調質されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a cutting body for providing the cutting body of a smooth surface being shallow in the processing-deterioration layer depth, when cutting a work by using a resin-coated saw wire of coating resin on a surface of a steel wire.例文帳に追加

鋼線の表面に樹脂を被覆した樹脂被覆ソーワイヤを用いてワークを切断したときに、加工変質層深さが浅く、平滑な表面の切断体が得られる切断体の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

Preferably, a plurality of the second grooves 48 having a larger groove depth than the thickness of the compound semiconductor layer to be epitaxially grown are further formed in parallel to each other on the surface of the film-forming substrate of the wafer in the direction crossing the first grooves.例文帳に追加

また、好適には、エピタキシャル成長させる化合物半導体層の膜厚より深い溝深さの複数本の第２の溝４８を、相互に平行に、かつ第１の溝に交差する方向でウエハの成膜基板面に形成する。 - 特許庁

This echo image display apparatus measures echoes received from individual geographical points within a sounding area through the lapse of time for each of a plurality of layers defined, by dividing a specific depth range under water and calculates mean values of echo levels detected from the individual points for each layer.例文帳に追加

水中の深度方向の所定範囲を分割して得られる複数のレイヤーのそれぞれについて、探知領域内の各地点におけるエコーを経時的に測定し、レイヤーごとに各地点のエコーレベルの平均値を算出する。 - 特許庁

A cutting device to cut a laminate member by abutting the cutting blade 32 to a receptacle 31 is furnished with a recess 31b at the receiving surface 31a of the receptacle 31 and having a depth corresponding to the thickness of the first or the second layer of the laminate member.例文帳に追加

受台３１に切断刃３２を押し当てて積層部材を切断する切断装置において、受台３１の受面３１ａに積層部材の第１層又は第２層の厚さに相当する深さの凹部３１ｂが形成される。 - 特許庁