「layer depth」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

The method of processing a silicon wafer according to the present invention comprises steps of forming a thin film layer having different thicknesses on a silicon wafer, exposing the silicon wafer selectively by removing the thin film layer having different thicknesses successively and forming a plurality of U-shaped grooves each having a different depth corresponding to the thin film layer having different thicknesses by etching the exposed silicon wafer.例文帳に追加

本発明に係るシリコンウェーハの加工方法は、シリコンウェーハに相異なる厚みを持つ薄膜層を形成する工程と、相異なる厚みの前記薄膜層を順次に除去して選択的にシリコンウェーハを露出する工程と、露出されたシリコンウェーハを食刻することにより、相異なる厚みを持つ前記薄膜層に対応して相異なる深さを有する複数のＵ溝を形成する工程とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

The tip part of a steel pipe pile 1 is put to penetrated in the depth of 0.1 time as much as 0.9 time of an outer diameter d of a spiral blade 1a to a support layer 2a having an N value larger than 50 by a standard penetration test.例文帳に追加

標準貫入試験によるＮ値が５０よりも大きい支持層２ａに対して鋼管杭１の先端部を螺旋状の羽根１ａの外径直径ｄの０．１倍以上、且つ０．９倍以下の深さで貫入したことを特徴とする。 - 特許庁

Since most of the drains 15 are arranged within the wall thickness of the cut-off wall 10, and installed to the depth of an underground water- passing layer 19, the projection of the drain 15 to the outer ground 13 can be reduced, and the site efficiency is extremely excellent.例文帳に追加

ドレーン１５は殆ど止水壁１０の壁厚内に配置し、地中の通水対象層１９の深さまで設置できるので、これにより、外部側地山１３へのドレーン１５の突出部を減らすことができ、敷地効率が極めて良い。 - 特許庁

In the molded article and its flocking method, a drawing pattern with drawing depth between 60 μm and 100 μm, further preferably between 80 μm and 90 μm is formed on the surface of a resin substrate layer, and flocking work is applied to the surface.例文帳に追加

本発明の成形品及び植毛方法は、樹脂基材層の表面に絞深度６０μｍ以上１００μｍ以下、より好ましくは８０μｍ以上９０μｍ以下のシボ模様を付し、その表面に植毛加工を施したものである。 - 特許庁

Further, the projected conductor 14 is embedded into the ceramic green sheet 11 together with a part of the constraint layer 19 and the in-surface conductor 13 by pressing the whole of the ceramic green sheet 11 together with the projected conductor 14 in the direction of its depth.例文帳に追加

そして、突起状導体１４とともに、セラミックグリーンシート１１全体を厚み方向にプレスすることによって、突起状導体１４を、拘束層１９および面内導体１３の各一部とともに、セラミックグリーンシート１１の内部に埋め込む。 - 特許庁

Regarding the rolling element 3 produced in this way, Si-Mn based nitrides with the maximum diameter of ≤1 μm are precipitated over the surface layer part to a depth of 0.01 mm from the surface, and the amount thereof is 1 to 10% by area ratio.例文帳に追加

このようにして製造された転動体３は、表面から深さ０．０１ｍｍまでの表層部に、最大径が１μｍ以下のＳｉ−Ｍｎ系窒化物が析出しており、その量は面積率で１％以上１０％以下である。 - 特許庁

To provide a horizontal diffusion furnace capable of manufacturing a diffusion wafer with high in-plane uniformity of a depth of a diffusion layer within a wafer surface including a center part and an outer peripheral part without complicating the horizontal diffusion furnace, and to provide a heat treatment method of a semiconductor wafer.例文帳に追加

横型拡散炉が煩雑化することなく、中心部と外周部を含むウェーハ面内の拡散層深さの面内均一性が高い拡散ウェーハを製造することができる横型拡散炉、半導体ウェーハの熱処理方法を提供する。 - 特許庁

This hub outer ring 5 is formed of steel, and when hardening a raceway surface 37 of the outer ring, the maximum hardness of a hardened layer is set to be ≥Hv 700, and the effective hardening depth is set in a range of 12-25% of the diameter of the rolling elements.例文帳に追加

このハブ外輪５は鋼製であり、その外輪軌道面３７の焼入れに際して、硬化層の最大硬さがＨｖ７００以上で、かつ焼入有効硬化深さを前記転動体直径の１２〜２５％の範囲内にする。 - 特許庁

Further, regarding to the portion having Vickers hardness of 300-600 Hv in the hardened layer 12, when the relation of the Vickers hardness H and the depth P(mm) is represented by the equation of H=aD+b, a factor (a) in the formula, is -700 to -120.例文帳に追加

また、硬化層２２のうちビッカース硬さＨｖが３００以上６００以下の部分について、ビッカース硬さＨと深さＤ（ｍｍ）との関係をＨ＝ａＤ＋ｂなる式で表したときに、該式の係数ａが−７００以上−１２０以下である。 - 特許庁

In the dry etching process of the first stage, a mixture gas of CF_4 and O_2 is used, and a hole 4a having a depth of a level without exposing the carbon nanotube layer 3 is formed in a state where pressure in a reaction chamber is set below 50 Pa.例文帳に追加

第１段階のドライエッチング工程においては、ＣＦ_4およびＯ_2の混合ガスが用いられ、反応室内圧力が５０Ｐａより小さく設定されている状態で、カーボンナノチューブ層３を露出させない程度の深さのホール４ａが形成される。 - 特許庁

To provide a resist underlayer film which does not cause intermixing with a photoresist layer, forms a good resist pattern even when the resist underlayer film is made thin to meet the demand for a thinner photoresist film, improves focal depth margin, and has a small extinction coefficient (k value).例文帳に追加

フォトレジスト層とのインターミキシングを起こさず、フォトレジストの薄膜化に対応してレジスト下層膜が薄膜でも良好なレジストパターンの形成、フォーカス深度マージンの向上、小さな減衰係数（ｋ値）を有するレジスト下層膜を提供する。 - 特許庁

On the basis of a measured ultrasonic propagation time and a distance between ultrasonic incident points in emission and receipt of the vibration, the flaw depth in the structural body surface layer part or the structural body as the specimen having a thin cross section is measured.例文帳に追加

計測される超音波の伝搬時間と、発振および受信における超音波入射点間の距離とに基づき、構造物表層部または薄い断面を有する前記被検査体である構造物の欠陥深さを測定する。 - 特許庁

Since the fine crystal phase having the hardness of 800HV or more is formed in the top surface layer portion being 3μm or less in depth from the surface, the fatigue strength is sufficiently improved even when the surface is rough which has the Rmax of 15 or over.例文帳に追加

表面から深さ３μｍ以下の最表層部に硬さ８００ＨＶ以上の微細結晶相を有していることから、Ｒｍａｘが１５を超えるような粗い表面粗さであっても、疲労強度を十分に向上させることができる。 - 特許庁

The counter part 4 is provided with the display part 5 having the display surface 5a for displaying the water depth of a terminal tackle or a position of a fish swimming layer on two bases from the water surface and the bottom and a switch operation part 6 arranged in the lateral part of the display part 5 side by side.例文帳に追加

カウンター部４には、仕掛けの水深や棚位置を水面からと底からとの２つの基準で表示する表示面５ａを有する表示部５と、表示部５の側部に並べて配置されたスイッチ操作部６とが設けられている。 - 特許庁

Further, the film thickness of every metallic film is made approximately two times the surface depth at the working frequency, allowing a current to flow in almost all areas of section of the wiring layer and reducing the wiring resistance in high frequency.例文帳に追加

また、各々の金属膜の膜厚を動作周波数における表皮深さの略２倍の厚さとすることで、配線層の断面のほぼ全領域に電流を流すことが可能で、高周波における配線抵抗を減少することができる。 - 特許庁

In the ridge-type semiconductor optical device in which both sides of mesa stripes are rectangularly digged to a depth not reaching an active layer, a conduction inhibiting structure is provided on a part of the bottom of the rectangular shape.例文帳に追加

本願発明は、メサストライプの両脇を活性層に達しない深さで矩形状に掘り込んだリッジ型半導体光デバイスにおいて、当該矩形状の底部の一部に導電阻止構造を設けた構造を有する半導体光デバイス装置である。 - 特許庁

According to this method, the width of a groove 5 and that of a groove 6 are different whereby a depth of the groove 5 to be etched until the same arrives at the lower layer wiring 3 can be shallower than before.例文帳に追加

これにより、溝５と溝６の幅が異なっているために、これらを形成する際のエッチングレートが異なったものとなっても、溝５を下層配線３に到達させるまでにエッチングしなければならない深さは従来と比べて浅くできる。 - 特許庁

To provide a method and device for measuring hardness penetration that can directly measure the depth of the quench hardening layer of a steel material quickly and nondestructively, has high measurement accuracy and reliability, and moreover can be constituted inexpensively.例文帳に追加

本発明は、鋼材の焼入硬化層の深さを短時間で且つ非破壊で直接測定することが可能であり、また測定精度、信頼性が高く、しかも安価に構成できる焼入深度測定方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

To provide a device and method for treating abnormal tissue of the esophagus to a safely controlled shallow depth of ablation, restricting treatment to the mucosa and submucosa only, avoiding the muscle layer, through uniform application of energy to the tissue to be ablated, throughout the circumference of the inner lumen of the esophagus.例文帳に追加

食道の異常組織を安全に制御された浅い除去深度まで治療し、食道内腔の周囲にわたって除去組織にエネルギーを均一に加えることにより、筋層を避けて粘膜及び粘膜下組織だけに治療を限定する。 - 特許庁

The ratio of iron measuring intensity to the maximum value of the nickel measuring intensity is defined as the iron/nickel ratio, at a depth position showing the maximum value of nickel measuring intensity at the performing of glow discharge spectrum measurement of the iron-nickel diffusion layer 91, in the thickness direction.例文帳に追加

鉄−ニッケル拡散層９１をその厚さ方向にグロー放電分光測定したときにニッケル測定強度が最大を示す深さ位置において、ニッケル測定強度の最大値に対する鉄測定強度の比を、鉄／ニッケル比率と定義する。 - 特許庁

Moreover, photoresists 22, which respectively have apertures 40 and 41, are formed on a gate electrode forming region and on the prescribed region on the electrode 10 and the layer 5 within the aperture 40 is etched in the depth direction and the lateral direction.例文帳に追加

さらに、ゲート電極形成領域上およびドレイン電極１０の所定領域上にそれぞれ開口部４０，４１を有するフォトレジスト２２を形成し、開口部４０内のｎ−ＧａＡｓキャップ層５を深さ方向および横方向にエッチングする。 - 特許庁

The floor material is formed by laminating a thermoplastic resin decorative sheet 3 on the surface of the woody substrate 1 via a thermoplastic intermediate layer 2, and embossing the decorative sheet 3 from above the surface to form the groove portion 4 having a depth larger than the thickness of the decorative sheet 3.例文帳に追加

木質基材１の表面に熱可塑性樹脂中間層２を介して熱可塑性樹脂製の化粧シート３を積層し、該化粧シート３の表面からその厚みを越える深さの溝部４をエンボス加工により形成した床材である。 - 特許庁

Then, the impedance matching can be performed by regulating the thickness td and/or permittivity of the substrate 8 with respect to the arbitrary depth ta of the recess 7 irrespective of the thickness of each dielectric layer of the substrate 15.例文帳に追加

このとき、回路基板１５の各誘電体層の厚さに関係なく、窪み７の任意の深さｔａに対して、誘電体基板８の厚さｔｄまたは／および誘電率を調節することによってインピーダンス整合を取ることが可能である。 - 特許庁

Thereby, the p^+ type layer 6 and a p type base region 3 are prevented from punching through under the n^+ type source region 4, and the withstand voltage between the drain and the source is secured regardless of the depth of the n^+ type source region 4.例文帳に追加

このため、ｎ^+型ソース領域４の下方においてｐ^+型層６およびｐ型ベース領域３がパンチスルーしてしまうことを防止でき、ｎ^+型ソース領域４の深さに関係なくドレイン−ソース間の耐圧を確保することが可能となる。 - 特許庁

To provide an in situ insolubilization method that can reduce cost and is highly applicable to contaminated soil at great depth, contaminated soil of the ground containing gravel and cobble stone, contaminated soil immediately below a building, and contaminated soil of a low-permeable layer.例文帳に追加

コストダウンを図ることができ、且つ、大深度の汚染土壌、礫や玉石を含む地盤の汚染土壌、建物直下の汚染土壌、及び難透水層の汚染土壌に対する適用性が高い原位置不溶化方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

While the shield contact 20 is pressed inward to the depth, the outside face of the ring 21 in the shield contact 20 is brought into tight contact with the exposed conductive layer D1, and consequently, the shield contact 20 and the housing main body 11 are surely connected together for conduction.例文帳に追加

そして、シールドコンタクト２０が奥まで押し込まれた状態で、シールドコンタクト２０のリング部２１の外面が、前記露出した導電層Ｄ１に密着し、もって、シールドコンタクト２０とハウジング本体１１とが確実に導通接続される。 - 特許庁

As the hard mask layer 12 is composed of a material which has high etching selectivity with respect to a substrate 11, the step of the second step portion 19 corresponding to the three-dimensional structural pattern can be formed so as to be smaller in depth than that of a desired three-dimensional structural pattern.例文帳に追加

また、ハードマスク層１２は基板１１に対してエッチング選択比が高い材料であるため、形成する３次元構造パターンに対応する２段目の段差部１９の段差は、所望する３次元構造パターンよりも、深さを小さく出来る。 - 特許庁

In the rolling element 3 thus manufactured, Si-Mn system nitrides having the maximum diameter of 1 μm or less separate out in a surface layer portion from the surface to a depth of 0.05 mm and has an amount of 1% or more but not exceeding 10% in area ratio.例文帳に追加

このようにして製造された転動体３は、表面から深さ０．０５ｍｍまでの表層部に、最大径が１μｍ以下であるＳｉ−Ｍｎ系窒化物が析出しており、その量は面積率で１％以上１０％以下である。 - 特許庁

The highly setting resistant and highly fatigue resistant coil spring using a spring steel wire has a nitrided layer depth of 20μm-50μm, an internal hardness (Vickers hardness) of HV540 or higher as well as a surface roughness Rmax of 15μm or less and a degree of steepness of 0.02 or lower.例文帳に追加

ばね鋼線材を用いた高耐へたり高耐疲労コイルばねとして、窒化層深さを２０μｍ〜５０μｍ、内部硬さ（ビッカース硬度）をＨＶ５４０以上とすると共に、表面粗さＲmaxを１５μｍ以下、急峻度を０．０２以下となるようにした。 - 特許庁

An irradiation pattern can include irradiation spots and a non-irradiation area, each irradiation spot is enabled to cover a relatively small part of a data layer flat surface, and the depth and width of the microhologram (12) to be recorded can be controlled.例文帳に追加

照射パターンは、照射スポット及び非照射領域を含むことができ、各々の照射スポットがデータ層平面の相対的に小さい部分をカバーし得るようにして、記録されるマイクロ・ホログラム（１２）の深さ広がりの制御を可能にする。 - 特許庁

Regarding a part of the hardened layer having surface hardness HV of 300 or more and 550 or less, when relationship between hardness H and depth D (unit; mm) is shown by the expression, H=aD+b, a coefficient (a) of the expression is -750 or more and -120 or less.例文帳に追加

また、硬化層のうち硬さＨＶが３００以上５５０以下の部分について、硬さＨと深さＤ（単位はｍｍ）との関係をＨ＝ａＤ＋ｂなる式で表したときに、該式の係数ａが−７５０以上−１２０以下である。 - 特許庁

The medical needle or cutter is obtained by providing the surface of a base material with a fibrous structure of an austenitic stainless steel comprising 1 to 6% molybdenum and 13 to 25% chromium with a hardened layer into which carbon atoms with a depth of 5 to 70 micrometers are infiltrated.例文帳に追加

医療用針等は、モリブデンを１％〜６％含むか、クロムを１３％〜２５％含むオーステナイト系ステンレス鋼のファイバー状組織の母材表面に５マイクロメートル〜７０マイクロメートル深さの炭素原子を侵入させた硬化層を設ける。 - 特許庁

On this occasion, all the hinge members 310 are consistently retained at the same position in Z-direction and all the spacers 303 are opened at the same angle, so that a clearance between a substrate A301 and a substrate B302 in depth direction (thickness of an ionized layer) is kept at an equal distance.例文帳に追加

このとき、全てのヒンジ部材３１０は常にZ方向の同じ位置に維持され、全てのスペーサ３０３は同じ角度だけ開かれるため、基板Ａ３０１と基板Ｂ３０２との深部方向の間隔（電離層の厚み）は、等間隔を維持する。 - 特許庁

Therefore, the inner peripheral side and the outer peripheral side of the quenching range 38 can almost uniformly be heated with the adjusting laser beam 35, and the quenched layer 39 having almost equal quenched depth T over the whole range can be formed.例文帳に追加

従って、焼入れ領域３８の内周側と外周側とを、調整レーザビーム３５によってほぼ均一に加熱することができ、その全域に亘ってほぼ等しい焼入れ深さＴをもった焼入れ層３９を形成することができる。 - 特許庁

The gas-sensitive element A contains palladium in its surface layer region 2 up to a depth of 60 μm from its surface as a first additive and also contains at least one kind of a metal selected from tungsten, molybdenum, vanadium as a second additive.例文帳に追加

感ガス体Ａは、その表面から深さ６０μｍまでの表層領域２に第一添加物としてパラジウムを含有すると共に、第二添加物としてタングステン、モリブデン、バナジウムから選択される少なくとも一種の金属を含有する。 - 特許庁

The raw material of a connecting rod for internal combustion engine is carbohardening processed, a cemented layer formed to the bearing part of the raw material is grinding processed to the depth where the compression residual stress value shows the maximum, and a shot peening is applied to the grinding processed surface.例文帳に追加

内燃機関用連接棒の素材を浸炭焼入れ処理し、該素材の軸受部に形成された浸炭層を圧縮残留応力値が最大を示す深さまで研削処理し、しかる後に研削処理面にショットピーニング処理を施す。 - 特許庁

To provide a lightweight and simple intermediate layer type upwelling generating device capable of causing highly nutrition enriched deep water to upwell over a wide range and in a wide scale by use of flow of an ocean deep current, regardless of the depth of the deep water.例文帳に追加

深層水の水深の大小に拘りなく、深層海流の流れを利用して広範囲、大規模に高富栄養の深層水を湧昇させることができるものであって、かつ軽量で簡便な構造の中層型湧昇流発生装置。 - 特許庁

A super-high temperature hot-forged non-tempered product is formed of a steel of predetermined composition, with the ferrite fraction of 0.1-0.6, the ferrite grain size of 20-40 μm, the porosity of 0.2 to ≤ 1.0%, and the full depth of a decarburized layer of 0.02-0.12 mm.例文帳に追加

所定の成分を有する鋼材を用い、フェライト分率０．１〜０．６、フェライト粒径２０〜４０μｍ、空孔率０．２〜１．０％以下、全脱炭層深さが０．０２〜０．１２ｍｍであることを特徴とする超高温熱間鍛造非調質部品。 - 特許庁

Then, a stripe area where the SiO2 film 14 of the width of 5 μm is removed is formed with the interval of about 25 μm, it is turned to a mask, the GaN layer 13 is removed for the depth of about 3 μm by dry etching and rectangular groove stripes are formed.例文帳に追加

その後SiO_2膜14を形成し、レジスト15を塗布後、幅5μmのSiO_2膜14を除去したストライプ領域を25μm程度の間隔で形成し、これをマスクにしてGaN層13をドライエッチングにより深さ3μm程度除去し、矩形状の溝ストライプを形成する。 - 特許庁

To provide a P&S seismic wave measuring system which enables velocity logging down to large depth according to a boring process, irrespective of the presence or the absence of water inside a hole, by using inexpensive conventional equipment and materials for the velocity logging of a downhole system for shallow layer.例文帳に追加

安価な従来の浅層用ダウンホール方式の速度検層用機材を利用して、孔内水の有無にかかわらず掘削工程に合わせて大深度までの速度検層を可能とするＰ＆Ｓ地震波測定システムを提供する。 - 特許庁

To prevent a low voltage Zener diode from deteriorating in ESD strength due to reduction in impurity concentration of the outermost surface (with a depth of about 0 to 1 μm) of a guard ring, a leakage current from increasing due to the formation of an inversion layer, and the Zener diode from deteriorating in product characteristics, such as Zener breakdown voltage.例文帳に追加

ガードリング最表面部（深さ約０〜１μｍ）の不純物濃度低下によるＥＳＤ耐量の低下、および反転層の形成によるリーク電流の増加、ツェナー降伏電圧の低下等製品特性の劣化を防止する。 - 特許庁

This electrofusion joint has a cylindrical portion, and comprises a first connecting portion 119 connected with an outer peripheral face of a blade hose outer layer 82 at an opening side receiving the blade hose 80 of the inner periphery of the cylindrical portion, and a second connecting portion 129 connected with an outer peripheral face of a blade hose inner layer 81 further at a depth side of the first connecting portion.例文帳に追加

継手は筒状部を有し、筒状部内周のブレードホース８０を受け入れる開口側にブレードホース外層８２の外周面と接合されるべき第一接合部１１９を備えるとともに、該第一接合部のさらに奥側にブレードホース内層８１の外周面と接合されるべき第二接合部１２９を備える。 - 特許庁

To avoid formation of a level difference between a top surface of a semiconductor layer and a top surface of a semiconductor region and formation of a level difference on the top surface of the semiconductor region when manufacturing an SiC semiconductor device with a semiconductor region of a second conductivity type formed in a depth range including the top surface of the semiconductor layer of a first conductivity type.例文帳に追加

第１導電型の半導体層の上面を含む深さ範囲に第２導電型の半導体領域が形成されているＳｉＣ半導体装置を製造する際に、半導体層の上面と半導体領域の上面との間に段差が形成されず、かつ、半導体領域の上面に段差が形成されないようにする。 - 特許庁

In a well layer (channel region) 12 between a drain region, comprising a silicon substrate 10 and an epitaxial layer 11, and a source region 21, change in depth-directional impurity concentration is made to be smaller on a side close to a PN junction of the source region 21, and the peak of the impurity concentration is positioned within 0.1 μm below the PN junction of the source region 21.例文帳に追加

シリコン基板１０、エピタキシャル層１１からなるドレイン領域とソース領域２１との間のウエル層（チャネル領域）１２において、ソース領域２１のＰＮ接合に近い側で、深さ方向の不純物濃度変化が小さくなるようし、またその不純物濃度のピークがソース領域２１のＰＮ接合から下方に０．１μｍ以内に位置するようにする。 - 特許庁

When the surface of the corona treatment roll 7 wherein a rubber layer 12 is formed on the surface of a metal roll 11 is repaired in the film manufacturing apparatus for molding a thermoplastic polymeric compound into a film, the dent 15 generated in the surface of the rubber layer 12 is filled with a caulking agent in such a stage that the dent 15 does not exceed a definite depth.例文帳に追加

熱可塑性高分子化合物をフィルム成形するためのフィルム製造装置において、金属ロール１１の表面にゴム層１２が形成されたコロナ処理ロール７の表面を補修するに際し、ゴム層１２の表面に欠落１５が生じたときに、この欠落１５が一定の深さを超えない段階で、この欠落１５にコーキング剤を埋める。 - 特許庁