「layer depth」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

An internal coding/decoding section 25 searches for all modes as to a layer segment number, detection, mapping, depth of time interleave, and puncture rate and discriminates a correct mode based on a simple error rate after Viterbi decoding.例文帳に追加

内符号復号部２５において、階層のセグメント数、検波、マッピング、時間インターリーブ深さ、パンクチャレートの全モードについてサーチし、ビタビ復号後の簡易誤り率により正しいモードを判定する。 - 特許庁

To enhance the long-term dispersion stability of an azo pigment, to form a coating film for a photosensitive layer having uniform depth of color and to obtain an electrophotographic photoreceptor free from the deterioration of electrostatic characteristics by using the coating film.例文帳に追加

アゾ顔料の長期分散安定性を向上させ、濃淡むらのない感光層塗膜を得ると共にそれによって静電特性を悪化させない電子写真感光体を得ること。 - 特許庁

To provide a compacting machine by which confined air is removed by imparting fluidity to a filling layer having a predetermined depth, while the compaction can be carried out in a short time by easily letting the air out.例文帳に追加

一定の深さを有する充填層に流動性を与えて空気溜まりを除去し、かつ、空気を抜けやすくすることにより締め固めを短時間で行うことができる締め固め機を提供すること。 - 特許庁

For this regulation, prebake temperature and conditions in development processing after pattern exposure are set so that undercut parts having a proper depth and length are formed in a thin film material layer before post-bake.例文帳に追加

この調節のために、ポストベーク前の薄膜材料層に適切な奥行き長さをもったアンダーカット部分が形成されるように、プリベーク温度及び、パターン露光後の現像処理の条件を設定する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which an epitaxial growth layer of which the depth is controlled and the generation of crystal defect is suppressed is prepared, thereby the improvement of property is attained.例文帳に追加

レイアウトに依存することなく深さが制御されかつ結晶欠陥の発生が抑えられたエピタキシャル成長層が設けられ、これにより特性の向上が図られた半導体装置を提供する。 - 特許庁

The optical information recording medium is characterized in that an organic recording layer whose surface has 0.8 to 3.0 GPa indentation hardness in in the range of 10 to 30 nm indenter penetrating depth is provided on a substrate.例文帳に追加

基板上に、表面の押込硬さが圧子もぐりこみ深さ１０〜３０ｎｍの範囲で０．８〜３．０ＧＰａである有機記録層を設けてなることを特徴とする光情報記録媒体。 - 特許庁

In a process of forming a first conductive wiring layer 11A by etching the first thin conductive film 11, an etching depth can be controlled by stopping etching with the third conductive film 13.例文帳に追加

第１の導電膜１１をエッチングすることにより導電配線層１１Ａを形成する工程では、第３の導電膜１３でエッチングがストップすることにより、エッチングの深さを制御することができる。 - 特許庁

To provide a method for keeping boron concentration along the depth direction in the surface layer of a wafer satisfactorily uniform, even in a silicon wafer doped with boron at a low concentration.例文帳に追加

低濃度にボロンがドープされたシリコンウエハに対しても、ウエハ表層におけるウエハ深さ方向のボロン濃度の十分な均一化を図るということを達成することができる方法を提供する。 - 特許庁

The power semiconductor device has second conduction type second semiconductor layers 2 arranged in a first conduction type first semiconductor layer 1 so as to extend in a depth direction and so as to have an interval from each other.例文帳に追加

電力用半導体装置は、深さ方向に延在し且つ互いに間隔をおくように第１導電型の第１半導体層１内に配設された第２導電型の第２半導体層２を有する。 - 特許庁

To provide a rolling shaft excellent in fatigue resistance and hard to develop plastic deformation by securing retained austenite quantity necessary to the surface layer on the rolling surface while keeping hardening depth into the suitable range.例文帳に追加

焼入れ深さを適正範囲に維持しつつ転動面の表面層に必要な残留オーステナイト量を確保することで、耐疲労性に優れ、塑性変形の生じにくい転動軸を提供する。 - 特許庁

To provide a device and method for monitoring the deposition state of deposit in liquid utilizing ultrasonic wave, without requiring large output of ultrasonic wave or accurate measurement of the depth of the surface of a deposition layer.例文帳に追加

超音波の大出力化や、堆積層表面の深度の高精度の計測を必要としない超音波を利用した液中堆積物の堆積状況監視装置および方法を提供する。 - 特許庁

The first buried layer 4a is the group of p-type impurity regions formed at a given depth position from the surface of the semiconductor substrate 1 of the extended drain region 2 under a condition that the groups are estranged respectively.例文帳に追加

第１の埋め込み層４ａは、延長ドレイン領域２の半導体基板１表面から一定の深さ位置に、それぞれ離反した状態で形成したｐ型不純物領域の群である。 - 特許庁

Holes 11 are made in the positions of the terminal pads 7, connected to the gate and drain electrodes of the n-type GaN substrate 1, with the depth reaching the i-type GaN layer 2 from the back.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ基板１のゲート及びドレイン電極に接続される各端子パッド７の位置に、裏面から少なくともｉ型ＧａＮ層２に達する深さをもってホール１１を形成する。 - 特許庁

The reflected wave of the ultrasonic waves, which are reflected by the reverse surface of the external gear 1, are received by the ultrasonic sensor 19 and according to the received signal, the hardened layer depth of the external gear 1 is calculated.例文帳に追加

そして、外歯車１の下面で反射された超音波の反射波を超音波センサ１９で受信し、この受信信号に従って外歯車１の硬化層深さを演算により求める。 - 特許庁

Further, a second inductive impurity is ion-implanted to a deep region 4B, deeper than the region 4A and to the depth where C, is ion-implanted in the surface layer of the n-type drift region 2.例文帳に追加

そして、ｎ型ドリフト領域２の表層部のうち、Ｃが注入された領域４Ａ及び該Ｃが注入された深さよりも深い領域４Ｂまで第２導電型不純物をイオン注入する。 - 特許庁

If the picking segments 1A-1D are pressed into the ground up to predetermined depths, they are drawn out by reverse procedure and soil samples in the whole layer of depth of penetration are picked by the sample picking pipes 3a-3h.例文帳に追加

採取セグメント１Ａ〜１Ｄを所定深さまで圧入したならば逆の手順で引き抜き、圧入深さの全層での土質試料を各試料採取管３ａ〜３ｈにて採取する。 - 特許庁

In order to make the alignment layer 3 rugged, a solvent composition which makes mesh depth/mesh pitch rough with respect to an alignment plate mesh structure and easily makes the surface rugged with respect to an aligning material is selected.例文帳に追加

配向膜３に凹凸を形成するために、配向板メッシュ構造としてメッシュ深度・メッシュピッチをラフ化し、配向材として表面に凹凸が生じ易い溶剤組成のものを選択する。 - 特許庁

To provide a method of forming a repairing layer for reinforcement which efficiently suppresses neutralization of reinforced concrete having insufficient covering depth and copes with the additional placement of concrete.例文帳に追加

本発明の課題は、かぶり厚の不足する鉄筋コンクリートの中性化を効率的に抑制すると共に、コンクリートの増し打ちに対応し得る補強用補修層を形成させる方法を提供することにある。 - 特許庁

By the depth of the resin surface 16a of the phosphor layer 16, a tangent line or the light shielding angle from the light-emitting side end part 23 of the recessed part 14 of the reflector 15 to the resin surface 16a is made 60° against the optical axis 24.例文帳に追加

蛍光体層16の樹脂表面16aの深さにより反射体15の凹部14の光出射側端部23から樹脂表面16aへの接線つまり遮光角を光軸24に対して６０°とする。 - 特許庁

To provide a workpiece machining method capable of simply forming high-precision fine holes, being excellent in machinability in the depth direction and having a high aspect ratio, in a workpiece formed with a heat-mode resist layer.例文帳に追加

簡便で、ヒートモードレジスト層が形成された被加工物に対して、深さ方向の加工性が良好で、アスペクト比が高く、高精細な微細穴を形成可能な被加工物の加工方法を提供すること。 - 特許庁

If this is set as a basic configuration, the on-resistance will be reduced, while the maximum cut-off current density is high by increasing the conductivity modulation of the N- base layer 1 with the large depth D of the trench 3.例文帳に追加

これを基本構成とすれば、トレンチ３の深さＤを大としてＮ^-ベース層１の伝導度変調を強めることでオン抵抗を低減し、かつ最大遮断電流密度を大とすることができる。 - 特許庁

To provide a plasma treatment device using a film thickness measuring method of a material to be treated capable of accurately measuring the actual amount of film remaining on a layer to be treated and etching depth on-line, and to provide a plasma treatment device using the film thickness measurement method.例文帳に追加

被処理層の実際の残膜量やエッチング深さをオンラインで正確に測定することのできる被処理材の膜厚測定方法を用いたエプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Hydrogen ions are implanted in a piezoelectric single-crystal substrate 1 under prescribed conditions to form an ion-implanted layer 100 at a position of prescribed depth from one principal surface of the piezoelectric single-crystal substrate 1 (S101).例文帳に追加

圧電単結晶基板１に対して所定条件で水素イオンを注入して、圧電単結晶基板１の一主面から所定深さの位置にイオン注入層１００を形成する（Ｓ１０１）。 - 特許庁

A driving gate electrode 8a for driving a vertical MOSFET by using a trench 6 having the same depth, and a gate electrode 8b for diode used for forming an inversion layer on the FWD side are formed.例文帳に追加

同じ深さのトレンチ６を用いて縦型ＭＯＳＦＥＴを駆動するための駆動用ゲート電極８ａとＦＷＤ側に反転層を形成するためのダイオード用ゲート電極８ｂを形成する。 - 特許庁

To electrically connect the dopant layer of a high concentration formed at a prescribed depth of a wafer to an electrode formed on the principal plane of the wafer without forming any trenches or through-holes in the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェハにトレンチやスルーホールを形成することなく、ウェハの所定の深さのところに設けられた高濃度不純物層を、ウェハの主面上に設けられる電極に電気的に接続すること。 - 特許庁

A plasma processing apparatus 10 includes a plasma processing parameter setting part 13 for a plasma processing to implant impurities into a required implantation depth from the surface layer of a substrate W containing the impurities.例文帳に追加

プラズマ処理装置１０は、不純物を含む基板Ｗの表層から要求される注入深さへ不純物を注入するプラズマ処理のためのプラズマ処理パラメタ設定部１３を備える。 - 特許庁

The controllability and yield rate are improved by utilizing a layer containing aluminum heated in a hydrogen atmosphere without being influenced by etching depth variations.例文帳に追加

また、水素を含む雰囲気中で加熱しＡｌを含む層をエッチングストップ層として用いることにより、エッチング深さのばらつき等の影響を受けず制御性の向上と歩留まりの向上を図れる。 - 特許庁

Subsequently, H^+ ions are implanted down to a depth below the interface of the strained SiGe layer 16 and the silicon substrate 10 and a trench 26 reaching the inside of the silicon substrate 10 is made by STI.例文帳に追加

その後、歪ＳｉＧｅ層１６とシリコン基板１０との界面よりも下の深さにまでＨ^＋イオンを注入して、ＳＴＩによって、シリコン基板１０内に達するトレンチ２６を形成する。 - 特許庁

The first impurity layer 109 has a first peak in an impurity concentration distribution in a depthwise direction, and the first peak is located in a shallower region than a junction depth of the source-drain region 108.例文帳に追加

第１の不純物層１０９は深さ方向の不純物濃度分布に第１のピークを持つと共に、該第１のピークはソース・ドレイン領域１０８の接合深さよりも浅い領域に位置している。 - 特許庁

To provide an etching method of a high selectivity nitride compound semiconductor layer excellent in controllability and reproducibility of etching depth, and a semiconductor device manufactured using the etching method.例文帳に追加

エッチング深さの制御性や再現性に優れた、より選択性の高い窒化物化合物半導体層のエッチング方法、並びに、そのエッチング方法を用いて製造された半導体デバイスを提供すること。 - 特許庁

A counter part 4 is mounted on the front top surface of a body member and provided with the display surface 5a for displaying the water depth of a terminal tackle and the position of a fish swimming layer on two standards from the water surface and the bottom.例文帳に追加

カウンター部４は、本体部材の前部上面に取り付けられ、仕掛けの水深や棚位置を水面からと底からとの２つの基準で表示する表示面５ａが設けられている。 - 特許庁

The 1st polarizer 20 has a resin layer of designated thickness laminated to have such a thickness that a surface of the 1st polarizer 20 is not within a range of depth of field of the lens 40.例文帳に追加

第１の偏光板２０は、所定の厚さの樹脂層が積層されることにより、第１の偏光板２０の表面がレンズ４０の焦点深度の範囲外となるような厚さを有している。 - 特許庁

To provide a laminated sheet glass for a main-entrance door, capable of being inexpensively formed and easily obtaining heat-resistant performance and an illusion of greater depth by using water glass, whereto a design is imparted, as an intermediate layer.例文帳に追加

中間層として意匠が付与された水ガラスを使用することにより、耐熱性能と奥行き感が容易に得られると共に安価に形成し得る玄関ドア用合わせガラスを提供する。 - 特許庁

The relation d<L is satisfied when the depth from the peak of the mountain part 30a to the bottom of the valley part 30b is represented by d and the distance from the peak of the mountain part 30a to the barrier layer 20c is represented by L.例文帳に追加

山部３０ａの頂点から谷部３０ｂの底までの深さをｄとし、山部３０ａの頂点からバリア層２０ｃまでの距離をＬとすると、ｄ＜Ｌとなるように構成している。 - 特許庁

Next, a jointed body 80 is removed from the case 50 (step S250), and is sliced in a given thickness in the vertical direction with respect to the depth direction (step S250) to form a diffusion layer member 90.例文帳に追加

次に、接合体８０をケース５０から取り出し（ステップＳ２４０）、ケース５０の深さ方向に対して、垂直方向に、所定の厚さにスライスし（ステップＳ２５０）、拡散層部材９０を作製する。 - 特許庁

To provide a solar cell using silicon such that a small number of carriers are generated in a depletion layer whose width is larger than a penetration depth of light, accelerated with an internal electric field, and gathered the carriers to an electrode.例文帳に追加

少数キャリアを光の進入深さ以上の幅の空乏層内部で発生させて内部電界で加速して電極にキャリアを集めるようにしたシリコンを用いた太陽電池を提供する。 - 特許庁

This CMOS image sensor is provided with a silicon substrate 21; a silicon germanium epitaxial layer grown on the silicon substrate via an epitaxial process and doped with a predetermined concentration of impurities; an undoped silicon epitaxial layer grown on the silicon germanium epitaxial layer via the epitaxial process; and a photodiode region formed in a predetermined depth from the surface of the undoped silicon epitaxial layer 25 to one part of the silicon germanium epitaxial layer 100.例文帳に追加

本発明のＣＭＯＳイメージセンサは、シリコン基板と、該シリコン基板上にエピタキシャル工程を介して成長し、所定濃度の不純物がドーピングされたシリコンゲルマニウムエピタキシャル層と、該シリコンゲルマニウムエピタキシャル層上に、エピタキシャル工程を介して成長させたアンドープのシリコンエピタキシャル層と、該アンドープのシリコンエピタキシャル層の表面から前記シリコンゲルマニウムエピタキシャル層の一部に至るまでの所定の深さに形成されたフォトダイオード領域とを備える。 - 特許庁

A pavement surface of a pavement section of the prescribed extension is cut up to a base layer of the prescribed depth, and when continuously laying a precast concrete pavement slab 10 on the faired base layer, horizontally laying rails 20 are respectively arranged in the extending direction in both side positions of the pavement section.例文帳に追加

所定延長の舗装区間の舗装面を所定深さの基層まで切削し、整形された基層上にプレキャストコンクリート製の舗装版１０を連続布設する際に、舗装区間の両側方位置に、それぞれ延長方向に沿って横引きレール２０を設ける。 - 特許庁

Channel stoppers 120 are formed at depth with fixed spaces formed with a p-type well layer from the surface of a semiconductor substrate 10, thereby forming routes B for flowing a part of overflow currents in the well layer to a ground GND from the surface of the substrate 10.例文帳に追加

チャネルストップ部１２０は、半導体基板１０の表面部からＰ型ウエル層３０と一定の間隔を有する深い位置にかけて形成され、Ｐ型ウエル層３０に流れるオーバーフロー電流の一部を半導体基板１０の表面側から接地部（ＧＮＤ）に流すルートを形成する。 - 特許庁

In the solar battery using the optical activity layer formed on the substrate, the sectional shape of the embedded electrode 104 provided at the optical incidence side is a substantially rectangular or trapezoidal shape, and the depth of the embedded electrode 104 is larger than the thickness of the optical activity layer 102.例文帳に追加

基体上に形成された光活性層を用いた太陽電池において、光入射側に設けられた埋め込み電極１０４の断面形状が概略矩形または台形であり、埋め込み電極１０４の深さが光活性層１０２の厚さよりも大きいことを特徴とする。 - 特許庁

The buried strap on a capacitor center electrode 105 is enabled to come into contact with the backside of an SOI layer 60 by increasing the depth of a recess at the upper part of the trench and laterally undercutting the insulating layer, thereby increasing the degree of vertical separation between the passing wordline 214 and the strap.例文帳に追加

トレンチ上部でリセスの深さを増やし、絶縁層を横方向にアンダーカットすることは、キャパシタ中心電極１０５上の埋め込みストラップがＳＯＩ層６０の裏面に接触することを可能にし、それによって、パッシング・ワード線２１４とストラップと間の垂直分離を増加させる。 - 特許庁

To provide a synthetic resin molding which is capable of imparting a feel of depth and a three-dimensional effect and thus improving the designability even when the molding has a front surface layer and a back surface layer, and allows enhancement of the strength of the molding, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

表面層と裏面層とを有する合成樹脂成形品であっても、深み感や立体感を現出することができて意匠性を高めることができ、しかも、この成形品の強度を向上させることができる合成樹脂成形品及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The boundary surfaces are then prepared with spacings being less than or equal to the focus depth of the recording light as stated earlier, in other words, the hole mark recording sensitivity of the recording layer is wholly enhanced by providing a recording layer filled mostly with the boundary surface.例文帳に追加

従って上記のように境界面が記録光の焦点深度以下の間隔で設けられる、換言すれば記録層がほぼ界面で満たされている記録層を備えるものとすることで、当該記録層の空孔マーク記録感度を全体的に高めることができる。 - 特許庁

To obtain a good polishing profile that a semiconductor layer never removes from a silicon substrate even when, for example, the whole outer circumference of the semiconductor layer is polished and removed, and further an edge of the silicon substrate is polished and removed to a predetermined depth to manufacture a laminated wafer such as an SOI (silicon on insulator) substrate.例文帳に追加

例えば、半導体層の外周部全体を研磨除去し、更にシリコン基板のエッジ部を所定深さまで研磨除去してＳＯＩ基板等の貼合せウェーハを製造する時にあっても、半導体層がシリコン基板から剥がれることがない、良好な研磨プロファイルが得られるようにする。 - 特許庁

In an entire area of an outer edge of a cell region including an outer peripheral region, p-type deep layers 10 are formed, and a p-type resurf layer 15 which is formed in a boundary position between the cell region of a mesa structure 14 and its periphery has the same depth as the p-type deep layer 10.例文帳に追加

セル領域の外縁部において、ｐ型ディープ層１０が外周領域に至るまで全域形成された構造とし、メサ構造部１４のセル領域と外周との境界位置に形成されるｐ型リサーフ層１５とｐ型ディープ層１０とを同じ深さにする。 - 特許庁